JP2002169271A - レチクル洗浄方法および洗浄装置 - Google Patents

レチクル洗浄方法および洗浄装置

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Masashi Okada
政志 岡田
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 レチクルの洗浄において、洗浄効果の高い洗
浄方法および洗浄装置を提供する。 【解決手段】 洗浄液中に置かれたレチクルに対して超
音波を液中に照射して、レチクルに付着した異物を除去
する方法において、前記レチクルの表面を超音波の照射
方向に対して垂直に置くこととした。また、洗浄液を入
れる洗浄槽と、洗浄槽に取り付けられた振動子を有する
レチクル洗浄装置であって、振動子が洗浄槽の側面に取
り付けられていることとした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜(メンブレ
ン)で作製されたレチクルの洗浄方法および洗浄装置に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体素子の微細化には急速な進
展があり、素子を製作するために必要な技術もこれと同
様な進展を遂げている。特に半導体基板上に回路パター
ンを焼き付ける露光技術の進展は目覚ましく、次世代の
装置として、X線を用いた露光装置や、イオンビームや
電子ビームを用いた荷電粒子線露光装置が注目され活発
な研究開発が進められている。これら次世代の露光装置
では、薄膜(メンブレン)に回路パターンを施したもの
をマスクまたはレチクルとして用いている。
【0003】一般的にメンブレンにパターンを施したレ
チクルの製作には、シリコン基板を出発原料とした半導
体製造技術が利用されている。図4(A)にステンシル
レチクルの全体の該略平面図を、図4(B)にB−B’
での断面の拡大図を示す。図4(B)に示すようにステ
ンシルレチクルは、シリコンからなる支持体41と、複
数のシリコン支柱42と、該支持体41および支柱42
に支えられた、少なくとも1つの薄膜状のメンブレン4
3とからなる。メンブレン43には、複数の微小開口4
4によるパターンが形成されている。
【0004】メンブレンの表面に付着した異物は、メン
ブレンが散乱体で形成されている場合には余分な吸収を
生じ、パターンの変形をきたす。また、レチクルのパタ
ーンを形成する微小開口に付着した異物は、露光ビーム
の影になるため、回路パターンの欠陥の原因になる。こ
の変形および欠陥により、半導体素子、液晶表示素子の
機能に障害が生じ、不良品となる。
【0005】現在のところ、光リソグラフィーに用いら
れるレチクルの洗浄は、レチクルが入れられた洗浄液中
に超音波を照射して異物を除去する超音波洗浄法によっ
て行われている。超音波洗浄に用いられる従来の洗浄装
置では、洗浄液を入れる洗浄槽の底面に振動子が取り付
けられている。通常、ウエハや光リソグラフィー用レチ
クルのような平板を超音波洗浄で洗浄を行う場合、一度
に数枚の洗浄を行うため、レチクル表面を超音波の照射
方向に対して平行になるように置く。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】図5は、ステンシルレ
チクルに対して超音波洗浄を行う場合の、メンブレン領
域の断面を部分的に拡大した図である。図5に示すよう
にレチクル(メンブレン43)の表面を超音波の照射方
向51に対して平行になるように置くと、メンブレン4
3の表面には超音波が十分に作用するので、メンブレン
43の表面に付着した異物52はレチクル表面から除去
される。しかしながら、パターンを形成する微小開口4
4の側壁には側壁の部材によって超音波が遮られるため
に超音波が十分に作用しないので、微小開口44の側壁
に付着した異物53を十分に洗浄することが困難であ
る。洗浄効果を高めるために超音波のパワーを大きくす
ると、薄いメンブレンで作製されたレチクルが破壊され
るという問題が発生する。
【0007】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
ものであり、従来の超音波洗浄方法および洗浄装置を利
用した場合よりも洗浄効果の高いレチクル洗浄方法およ
び洗浄装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明にかかるレチクル洗浄方法は、洗浄液中に置
かれたレチクルに対して超音波を液中に照射して、レチ
クルに付着した異物を除去する方法において、前記レチ
クルの表面を超音波の照射方向に対して垂直に置くこと
を特徴とする。また、レチクルのメンブレン領域に対応
する部分が中空となっているレチクルホルダーにレチク
ルを装着することを特徴とする。洗浄液中を伝搬してい
る超音波は、レチクルを構成している部材等に遮られる
ことなく、パターンを形成する微小開口の側壁に付着し
ている異物に作用する。この洗浄方法により、メンブレ
ン表面および微小開口の側壁に付着している異物を容易
に除去することができる。
【0009】また、上記目的を達成するために、本発明
にかかるレチクル洗浄方法は界面活性剤溶液を用いるこ
とを特徴とする。洗浄液としてアルカリ性(≧pH8)
の界面活性剤溶液を用いると、シリコンステンシルレチ
クルでは金属粒子、セラミックス粒子の除去に高い効果
が得られる。
【0010】さらに、上記目的を達成するために、本発
明にかかるレチクル洗浄装置は、洗浄液を入れる洗浄槽
と、洗浄槽に取り付けられた振動子を有するレチクル洗
浄装置であって、振動子が洗浄槽の側面に取り付けられ
ていることを特徴とする。この洗浄装置を用いることに
より、液面に対してレチクル表面を垂直に置いた場合で
も振動子による超音波の照射方向に対してレチクル表面
を垂直に置くことができ、前述と同様に容易にメンブレ
ン表面およびパターンを形成する微小開口の側壁に付着
している異物を除去することができる。また、レチクル
を洗浄液に入れたり洗浄液から出したりする場合や、超
音波が照射されるレチクル領域を変えるためにレチクル
を移動する場合に、洗浄液からメンブレンに作用する抵
抗力が小さくなり、レチクルの破壊を抑えることができ
る。さらに、一度に数枚のレチクルを洗浄することがで
きる。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図1
および図2を参照して説明する。 (実施の形態1)図1は、本発明に係るレチクル洗浄方
法を説明する概略図である。11は洗浄槽、12は振動
子、13は洗浄液、14はレチクル、15はレチクルホ
ルダー、16は電源である。
【0012】振動子12は洗浄槽11の底面に取り付け
られている。電源16で振動子12を振動させることに
よって、洗浄槽11の底面を振動させ、洗浄液13中に
超音波を照射する。レチクル14をレチクルホルダー1
5に装着し、レチクル表面が洗浄槽11の底面に平行に
なるように置く。その結果、レチクル表面は超音波の照
射方向に対して垂直になる。図3(A)にレチクルホル
ダー15の全体の該略平面図を、図3(B)にA−A’
での断面図を示す。レチクルホルダー15はレチクル中
のパターンが形成されているメンブレン領域に超音波が
作用するように、メンブレン領域に対応する部分が中空
となっている中空部31とレチクルを保持する外周部3
2からなる構造になっている。
【0013】超音波の照射方向に対してレチクル表面を
垂直になるように置くと、パターンを形成する微小開口
の側壁は超音波の照射方向に対して平行になる。このた
め、洗浄液中を伝搬している超音波はレチクルを構成し
ている部材に遮られることなく微小開口の側壁に付着し
ている異物に作用するので、容易に異物を除去すること
ができる。
【0014】洗浄液としてアルカリ性(≧pH8)の界
面活性剤を用いると、シリコンステンシルレチクルでは
金属粒子、セラミックス粒子の除去に高い効果がある。 (実施の形態2)本発明の他の実施の形態を図2を参照
して説明する。図2は、本発明に係るレチクル洗浄装置
を示す概略図である。21は洗浄槽、22および23は
振動子、24は洗浄液、14はレチクル、15はレチク
ルホルダー、25は電源である。
【0015】2個の振動子22、23は洗浄槽21の互
いに向かい合った側面に取り付けられている。本洗浄装
置は、電源25で2個の振動子22、23を振動させる
ことによって、洗浄槽21の側面を振動させ、洗浄液中
24に超音波を照射できるようになっている。
【0016】本洗浄装置を用いてレチクルを洗浄する場
合には、実施の形態1と同様のレチクルホルダー15に
装着したレチクル14を、レチクル表面が洗浄装置の洗
浄槽21の側面に平行になるように置く。洗浄槽21の
向かい合った側面からレチクル表面に超音波が照射され
るので、結果的にはレチクルを超音波の照射方向に対し
て垂直に置くことになり、前述と同様に容易にパターン
を形成する微小開口の側壁に付着している異物も除去す
ることができる。また、レチクルを洗浄液に入れたり洗
浄液から出したりする場合や、超音波が照射されるメン
ブレン領域を変えるためにレチクルを移動する場合に、
洗浄液からメンブレンに作用する抵抗力が小さくなり、
レチクルの破壊を抑えることができる。さらに、複数枚
同時にレチクルを洗浄することができる。
【0017】本実施の形態でも実施の形態1と同様に洗
浄液としてアルカリ性の界面活性剤を用いて洗浄効果を
高めることができる。以下、本発明を実施例によりさら
に具体的に説明するが、本発明はこれらの例に限定され
るものではない。
【0018】
【実施例1】前述の図1に示した方法による、本発明の
第一の実施例であるレチクル洗浄方法を示す。本方法で
は、洗浄液13としてpH12の界面活性剤溶液を用
い、洗浄槽11の底面に取り付けられている振動子12
を振動させることによって、洗浄槽11の底面を振動さ
せ、洗浄液13中に超音波を照射する。振動子12の振
動周波数は1MHz、入力パワーは300Wとした。レ
チクル14は厚さ2μmのシリコンメンブレンに0.3
μm幅のパターン(微小開口)を作製したステンシルレ
チクルとした。レチクル14をレチクルホルダー15に
装着し、レチクル表面が超音波の照射方向に対して垂直
になるように置く。つまり、レチクル表面が洗浄槽11
の底面に平行になるように置く。本実施例では超音波の
入力パワーは300Wとしたが、レチクルが破壊されな
ければこの値に限られるものではない。以上のようにレ
チクルを洗浄したところ、ステンシルレチクルのパター
ンを形成する微小開口の側壁に付着した異物も除去する
ことができた。
【0019】
【実施例2】前述の図2に示したレチクル洗浄装置を用
いた本発明の第二の実施例を示す。本洗浄装置を用い
て、厚さ2μmのシリコンメンブレンに0.3μm幅の
パターン(微小開口)を作製したステンシルレチクル1
4を以下のようにして洗浄した。レチクル14をレチク
ルホルダー15に装着し、レチクル表面が超音波の照射
方向に対して垂直になるように置く。つまり、レチクル
表面が洗浄槽21の側面に平行になるように置く。振動
子22、23の振動周波数を1MHz、入力パワーを2
00Wとした。洗浄液24としてpH12の界面活性剤
溶液を用いた。本実施例でもレチクルが破壊されなけれ
ば超音波の入力パワーは、この値に限られるものではな
い。以上のように本発明のレチクル洗浄装置を用いてレ
チクルを洗浄したところ、一度に2枚のレチクルに対し
てステンシルレチクルのパターンを形成する微小開口の
側壁に付着した異物も除去することができた。
【0020】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のレチクル
洗浄方法および洗浄装置によれば、洗浄液中を伝搬して
いる超音波はレチクルを構成している部材に遮られるこ
となくパターンを形成する微小開口の側壁に付着してい
る異物に作用する。その結果、ステンシルレチクルにダ
メージを与えることなく、ステンシルレチクルで問題に
なる、メンブレン表面および微小開口の側壁に付着した
異物を容易に除去することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るレチクル洗浄方法を説明する概略
図である。
【図2】本発明に係るレチクル洗浄装置を示す概略図で
ある。
【図3】本発明に係るレチクルホルダーの概略図であ
る。
【図4】ステンシルレチクルの概略図である。
【図5】ステンシルレチクルを超音波の照射方向に対し
て平行に置いた場合の洗浄効果を説明する図である。
【符号の説明】
11、21・・・洗浄槽 12、22、23・・・振動子 13、24・・・洗浄液 14・・・レチクル 15・・・レチクルホルダー 16、25・・・電源 31・・・中空部 32・・・レチクル保持部(外周部) 41・・・支持体 42・・・シリコン支柱 43・・・メンブレン 44・・・微小開口 51・・・超音波の照射方向 52・・・メンブレンの表面に付着した異物 53・・・微小開口の側壁に付着した異物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/304 642 H01L 21/304 642E 647 647B

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 洗浄液中に置かれたレチクルに対して超
    音波を液中に照射し、レチクルに付着した異物を除去す
    る方法において、 前記レチクルの表面を超音波の照射方向に対して垂直に
    置くことを特徴とするレチクル洗浄方法。
  2. 【請求項2】 前記レチクルが、レチクルのメンブレン
    領域に対応する部分が中空となっているレチクルホルダ
    ーに装着されていることを特徴とする請求項1に記載の
    レチクル洗浄方法。
  3. 【請求項3】 前記洗浄液として界面活性剤溶液を用い
    ることを特徴とする請求項1又は2に記載のレチクル洗
    浄方法。
  4. 【請求項4】 前記界面活性剤溶液がアルカリ性(≧p
    H8)であることを特徴とする請求項3に記載のレチク
    ル洗浄方法。
  5. 【請求項5】 洗浄液を入れる洗浄槽と、洗浄槽に取り
    付けられた振動子を有するレチクル洗浄装置であって、 前記振動子が洗浄槽の側面に取り付けられていることを
    特徴とするレチクル洗浄装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010520635A (ja) * 2007-03-07 2010-06-10 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置のエレメント上の堆積物除去

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4724547B2 (ja) * 2005-12-08 2011-07-13 新光電気工業株式会社 樹脂層表面の洗浄方法
CN102380489B (zh) * 2011-09-24 2013-07-31 深圳市科威信洗净科技有限公司 一种钢网超声波清洗方法及其装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3259331B2 (ja) * 1992-05-29 2002-02-25 キヤノン株式会社 表面状態検査装置
JP3251875B2 (ja) * 1996-05-10 2002-01-28 株式会社東芝 荷電粒子ビーム露光装置
JP3522470B2 (ja) * 1996-12-04 2004-04-26 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
US5909741A (en) * 1997-06-20 1999-06-08 Ferrell; Gary W. Chemical bath apparatus
US20010013355A1 (en) * 1998-10-14 2001-08-16 Busnaina Ahmed A. Fast single-article megasonic cleaning process for single-sided or dual-sided cleaning

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010520635A (ja) * 2007-03-07 2010-06-10 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置のエレメント上の堆積物除去
JP4802281B2 (ja) * 2007-03-07 2011-10-26 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置のエレメント上の堆積物除去

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