JPH04245422A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04245422A JPH04245422A JP1009891A JP1009891A JPH04245422A JP H04245422 A JPH04245422 A JP H04245422A JP 1009891 A JP1009891 A JP 1009891A JP 1009891 A JP1009891 A JP 1009891A JP H04245422 A JPH04245422 A JP H04245422A
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- silicon substrate
- diffusion layer
- semiconductor device
- impurity diffusion
- impurity
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Links
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Landscapes
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置における不
純物拡散層の製造方法に関する。
純物拡散層の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＭＯＳトランジスタのソ−ス・ドレイン
やバイポ−ラトランジスタのエミッタを構成する不純物
拡散層を形成する場合、従来はイオン注入法や電気炉を
用いた熱拡散法により不純物の導入を行っていた。
やバイポ−ラトランジスタのエミッタを構成する不純物
拡散層を形成する場合、従来はイオン注入法や電気炉を
用いた熱拡散法により不純物の導入を行っていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】素子を微細化する場合
、シュリンク則に基いて、浅い不純物拡散層を形成する
必要がある。しかしながら、上記従来の方法では浅い不
純物拡散層を形成することが困難であった。
、シュリンク則に基いて、浅い不純物拡散層を形成する
必要がある。しかしながら、上記従来の方法では浅い不
純物拡散層を形成することが困難であった。
【０００４】本発明の目的は、浅い不純物拡散層を形成
することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること
である。
することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること
である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係わる半導体装
置の製造方法は、シリコン基板上に、開口部を有し不純
物の侵入を阻止するマスク層を形成する工程と、不純物
原子を有する反応ガスを含むガス雰囲気中でランプアニ
−ル処理を行うことにより、上記開口部を通して上記シ
リコン基板に上記不純物原子を導入し、上記開口部下に
不純物物拡散層を形成する工程とからなる。
置の製造方法は、シリコン基板上に、開口部を有し不純
物の侵入を阻止するマスク層を形成する工程と、不純物
原子を有する反応ガスを含むガス雰囲気中でランプアニ
−ル処理を行うことにより、上記開口部を通して上記シ
リコン基板に上記不純物原子を導入し、上記開口部下に
不純物物拡散層を形成する工程とからなる。
【０００６】
【実施例】図１（Ａ）〜（Ｃ）は、実施例の製造工程を
模式的に示した断面図である。
模式的に示した断面図である。
【０００７】１はシリコン基板、２はマスク層となる酸
化シリコン層、３はフォトレジスト、４は酸化シリコン
層２に形成された開口部、５は不純物拡散層、６は酸化
シリコン層２に不純物が混入した不純物混入層である。
化シリコン層、３はフォトレジスト、４は酸化シリコン
層２に形成された開口部、５は不純物拡散層、６は酸化
シリコン層２に不純物が混入した不純物混入層である。
【０００８】つぎに、図１（Ａ）〜（Ｃ）にしたがって
製造工程の説明をする。
製造工程の説明をする。
【０００９】（Ａ）シリコン基板１の主表面側に、熱酸
化法やＣＶＤ法等を用いて酸化シリコン層２を形成する
。この酸化シリコン層２の層厚は、後述の拡散工程にお
いて不純物のシリコン基板１への拡散を十分に阻止でき
る厚さにする。この酸化シリコン層２上に所定形状のフ
ォトレジスト３を形成する。
化法やＣＶＤ法等を用いて酸化シリコン層２を形成する
。この酸化シリコン層２の層厚は、後述の拡散工程にお
いて不純物のシリコン基板１への拡散を十分に阻止でき
る厚さにする。この酸化シリコン層２上に所定形状のフ
ォトレジスト３を形成する。
【００１０】（Ｂ）フォトレジスト３をマスクにして、
シリコン基板１の表面が露出するように酸化シリコン層
２をエッチングし、開口部４を形成する。
シリコン基板１の表面が露出するように酸化シリコン層
２をエッチングし、開口部４を形成する。
【００１１】（Ｃ）ホスフィン（ＰＨ３ ）やジボラン
（Ｂ２ Ｈ６ ）等の反応ガスをアルゴン（Ａｒ）等の
不活性ガスで希釈したガス雰囲気中（反応ガスの割合は
不活性ガスに対して１０モル％程度）で、ランプアニ−
ラを用いたランプアニ−ル処理を行う。反応ガスとして
は、ホスフィンやジボラン以外にも、ドナ−やアクセプ
タとなる不純物原子を有するガスを適宜用いることがで
きる。ランプアニ−ル処理は、１０００〜１１５０度Ｃ
の温度で数秒〜数十秒程度行う。このランプアニ−ル処
理により、開口部４を通してシリコン基板１に不純物原
子が導入され、開口部４下に不純物拡散層５が形成され
る。ランプアニ−ラによる温度の急上昇および急降下に
より、厚さ１００ｎｍ程度の浅い不純物拡散層５の形成
が可能となる。
（Ｂ２ Ｈ６ ）等の反応ガスをアルゴン（Ａｒ）等の
不活性ガスで希釈したガス雰囲気中（反応ガスの割合は
不活性ガスに対して１０モル％程度）で、ランプアニ−
ラを用いたランプアニ−ル処理を行う。反応ガスとして
は、ホスフィンやジボラン以外にも、ドナ−やアクセプ
タとなる不純物原子を有するガスを適宜用いることがで
きる。ランプアニ−ル処理は、１０００〜１１５０度Ｃ
の温度で数秒〜数十秒程度行う。このランプアニ−ル処
理により、開口部４を通してシリコン基板１に不純物原
子が導入され、開口部４下に不純物拡散層５が形成され
る。ランプアニ−ラによる温度の急上昇および急降下に
より、厚さ１００ｎｍ程度の浅い不純物拡散層５の形成
が可能となる。
【００１２】また、深さ方向の不純物濃度が一様で、高
濃度（シリコンに対する不純物原子の固溶度の限界程度
）の不純物拡散層５の形成が可能となる。なお、このラ
ンプアニ−ル処理により、酸化シリコン層２の表面にも
不純物原子が拡散して、不純物混入層６が形成される。
濃度（シリコンに対する不純物原子の固溶度の限界程度
）の不純物拡散層５の形成が可能となる。なお、このラ
ンプアニ−ル処理により、酸化シリコン層２の表面にも
不純物原子が拡散して、不純物混入層６が形成される。
【００１３】以上のようにして形成された不純物拡散層
５は、ＭＯＳトランジスタのソ−ス・ドレインやバイポ
−ラトランジスタのエミッタ等に用いることができる。
５は、ＭＯＳトランジスタのソ−ス・ドレインやバイポ
−ラトランジスタのエミッタ等に用いることができる。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、不純物原子を有する反
応ガスを含むガス雰囲気中でランプアニ−ル処理を行う
ため、浅い不純物拡散層を形成することが可能となる。
応ガスを含むガス雰囲気中でランプアニ−ル処理を行う
ため、浅い不純物拡散層を形成することが可能となる。
【図１】図１（Ａ）〜（Ｃ）は、実施例の製造工程を模
式的に示した断面図である。
式的に示した断面図である。
１……シリコン基板
２……酸化シリコン層（マスク層）
４……開口部
５……不純物拡散層
Claims (2)
- 【請求項１】 シリコン基板上に、開口部を有し不純
物の侵入を阻止するマスク層を形成する工程と、不純物
原子を有する反応ガスを含むガス雰囲気中でランプアニ
−ル処理を行うことにより、上記開口部を通して上記シ
リコン基板に上記不純物原子を導入し、上記開口部下に
不純物拡散層を形成する工程とからなる半導体装置の製
造方法。 - 【請求項２】 上記ランプアニ−ル処理は、上記反応
ガスと不活性ガスとを含むガス雰囲気中で行うものであ
る請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1009891A JPH04245422A (ja) | 1991-01-30 | 1991-01-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1009891A JPH04245422A (ja) | 1991-01-30 | 1991-01-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04245422A true JPH04245422A (ja) | 1992-09-02 |
Family
ID=11740849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1009891A Pending JPH04245422A (ja) | 1991-01-30 | 1991-01-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04245422A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63166219A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-09 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-01-30 JP JP1009891A patent/JPH04245422A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63166219A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-09 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
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