JPH04232953A - 新規縮合生成物、その製造方法およびこれを使用する感放射線混合物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【技術分野】本発明は新規な縮合生成物およびこれを使
用して得られるネガチブ処理感放射線性混合物に関する
ものである。この縮合生成物は非水溶性であるが、アル
カリ水溶液に可溶性であって、放射線被曝により強酸を
生成する化合物と組合わせて、紫外線、電子線およびＸ
線に感応し、ことにレジスト材料として適当な混合物を
もたらす。

【０００２】

【従来技術】ネガチブ処理感放射線性混合物およびこれ
を使用して画像形成する方法すは公知である。感光性層
を画像形成露出し、必要に応じて追加的加熱処理するこ
とにより、この層の露出部分が、露出前には可溶性であ
った現像液に非溶性となるのが、ネガチブ処理フォトレ
ジストである。

【０００３】ネガチブ処理フォトレジストは、一般的に
結合剤のほかに光重合性化合物と光重合開始剤を含有す
る光重合可能の混合物を基礎とする。集積回路を製造す
るために最も頻繁に使用されるネガチブ処理フォトレジ
ストは、ほとんど例外なく、架橋可能組成分として部分
環化ポリイソプレンと、感光性、２官能性架橋剤として
ジアジド化合物を含有する。特に慣用されているジアジ
ド化合物は以下の構造Ａを有するものである。

【０００４】

【化４】 最近、部分環化ポリブタジエンとジアジドから成るネガ
チブ処理フォトレジストも市販されている（Ｐｏｌｙｍ
、Ｅｎｇ、Ｓｃｉ、１７（１９７７）、３７２における
Ｙ．ヒラタ、Ｍ．イチガワ、Ｋ．ハラダの論稿参照）。

【０００５】多くのネガチブ処理フォトレジストは、ま
た架橋反応として光二量体化にもとずいている。このよ
うなフォトレジストは、桂皮酸誘導体と、構造的にこれ
に関連しているカルコンを含有する。架橋反応は、本質
的に光誘起〔２＋２〕環付加反応として行われ、シクロ
ブタンを形成する（Ｆｏｒｔｓｃｈｒ．Ｃｈｅｍ．Ｆｏ
ｒｓｃｈ．１３（１９６９）、２２７におけるＪ．Ｌ．
Ｒ．ウィリアムズ、Ｐｈｏｔｏｇｒ．Ｓｃｉ．Ｅｎｇ．
２３（１９７９）、１４４におけるＡ．ライザー、Ｐ．
Ｌ．エガートン、Ｊ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ、Ｂ部、Ｐｏ
ｌｙｍ．Ｌｅｔｔ、８（１９７０）、２６３におけるＭ
．カトーら、Ｐｈｏｔｏｇｒ．Ｓｃｉ．Ｅｎｇ、２３（
１９７９）２０７におけるＭ．カトーらの論稿参照）。

【０００６】比較的古くから知られていた光二量体化性
タイプのエポキシ樹脂が、ここ数年にわたりフォトレジ
ストとして使用されている（例えば西独特許出願公開１
４４７０１６　　号、２３４２４０７　　号、２５５３
３４６号、２４４９９２６　　号各公報参照）。この樹
脂は光環付加反応をもたらす基、例えばカルコン基と、
次いで熱触媒下に架橋され得るエポキシ基を持っている
（１９７５年ニューヨークのマクグローヒル社刊「フォ
トレジスト」、英国特許８９２８１１号および米国特許
２８５２３７９号各明細書参照）。

【０００７】上述した構造（Ａ）のジアミド化合物を含
有するネガチブ処理フォトレジストを除いては、光誘起
反応は近紫外線帯域（すなわち３５０から４５０ｎｍ）
においてのみ可能である。最近、短波長紫外線帯域用の
新しいジアミド化合物が見出されている。ケトン化合物
については、Ｊ．Ｅｌｅｋｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１
２８（１９８１）３６１を、硫黄含有ジアジド化合物に
ついては同文献１２７（１９８０）２７５９を参照され
度い。

【０００８】また水性アルカリ液で現像可能、短波長紫
外線帯域でパターン形成可能のネガチブ処理フォトレジ
ストも公知である。これは結合剤としてポリ（ｐ−ビニ
ルフェノールと、上述目的達成のための３，３′−ジア
ジドフェニルスルホンを使用している（ＩＥＥＥ　　Ｔ
ｒａｎｓ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　　Ｄｅｖｉｃｅｓ　　２
８（１９８１）、１３０６、同上２８（１９８１）、１
２８４参照）。さらに他の水性アルカリ液で現像可能の
ネガチブ処理フォトレジストはオニウム塩とメチルアク
リルアミドグリコラートメチルエーテルを含有する（Ｐ
ｏｌｙｍｅｒｓ　　ｆｏｒ　　ｈｉｇｈ　　Ｔｅｃｈ．
ＡＣＳ　　Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ　　Ｓｅｒｉｅｓ　　３
４６（１９８７）１６２−１６９におけるハルトらの論
稿参照）。この結合剤架橋は酸自触性縮合反応による。

【０００９】酸で硬化し得る材料と酸供与体としてヨー
ドニウムを含有する、さらに他の光重合性組成物が、西
独特許出願公開２６０２５７４号公報に記載されている
。

【００１０】このような酸自触架橋剤として、例えばフ
ェノール／ホルムアルデヒド樹脂の縮合における中間生
成物として得られるアリールメチロールは公知である（
Ｐｒｏｇｒ．Ｏｒｇ．Ｃｏａｔ．９（１９８１）、１０
７、西独特許出願公開３２４７７５４号、ヨーロッパ特
許出願公開１３９３０９号、日本国特許出願公開昭６３
−５１４２４号各公報参照）。この酸自触架橋剤は、光
化学法によりパターン形成され得る記録材料にも使用さ
れ得る。ヨーロッパ特許出願公開２８２７２４号はポリ
（ｐ−ヒドロキシスチレン）、酸供与体および２個もし
くはそれ以上のメチロール基を有する架橋剤を含有する
新規のネガチブ処理混合物、および上記ポリ（ｐ−ヒド
ロキシスチレン）の代りにｍ−クレゾール／ホルムアル
デヒド樹脂も使用され得ることについて開示しているＷ
Ｏ−Ａ−８８／０２８７８号公報は、同様の、結合剤と
してポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）もしくはｍ−クレ
ゾール／ホルムアルデヒド樹脂を使用し、酸供与体とし
て１，２−キノンジアジドを、架橋剤として２，６−ジ
メチロール−ｐ−クレゾールを使用する他のネガチブ処
理混合物を開示している。しかしながら、上述した各混
合物は以下のような欠点を持っている。すなわち、出発
物質が高コストであり、残渣層が形成され、あるいはｍ
−クレゾール／ホルムアルデヒド樹脂が短波長紫外線帯
域（λ≦３００ｎｍ）において高光学密度（低伝導性）
を示すことである。従ってＭＩＤ−ＵＶ帯域（λ≦３０
０−３８０ｎｍ）において透過性である樹脂用としてｍ
−クレゾールおよびホルムアルデヒドを基礎とするノボ
ラックを使用するのが好ましい。熱架橋性化合物、尿素
もしくはウレタン／ホルムアルデヒド縮合物が、感光性
混合物用の架橋剤として開示されている（西独特許出願
公開３７１１２６４号公報）。

【００１１】そこで、本発明の目的は、短波長紫外線帯
域において感光性を有し、アルカリ水溶液で現像され得
る層を形成するための、高活性の感放射線性組成物用の
結合剤として適当な新規縮合物を提供することである。

【００１２】

【発明の要約】しかるに、上述の目的は以下の式（Ｉ）

【００１３】

【化５】 で表され、Ｒが水素あるいは酸不安定基を意味し、Ｒ１
、Ｒ２、Ｒ３が互いに同じでも異なってもよく、それぞ
れ水素、ＯＨ、炭素原子１から４個のアルキルあるいは
ポリマー連鎖に結合するラジカル基を意味し、Ｒ１から
Ｒ３の１個がポリマー連鎖に結合されている１個あるい
は複数の基を有し、フェノール基を有するポリマーと、
ジメチロールもしくはポリメチロール化合物とから、酸
の存在下に得られることを特徴とする縮合生成物により
達成されることが本発明者らにより見出された。

【００１４】この新規縮合生成物を形成するため、フェ
ノール基含有ポリマーとしては、ポリ（ｐ−ヒドロキシ
スチレン）を、ジメチロールもしくはポリメチロールと
しては２，６−ジメチロール−ｐ−クレゾールを、また
縮合反応のための酸としては燐酸を使用するのが好まし
い。

【００１５】この本発明による縮合生成物は、一般に２
００から１００，０００、ことに１，０００から５０，
０００の平均分子量ＭＷを有する。

【００１６】本発明はさらにポリ（ｐ−ヒドロキシスチ
レン）を、酸、ことに燐酸の存在下、５０から１３０℃
の温度で、極性溶媒中において、２，６−ジメチロール
−ｐ−クレゾールと縮合させることにより、上述の新規
縮合物を製造する方法に関する。

【００１７】本発明は、ことに（ａ）水に不溶性である
がアルカリ水溶液に可溶性である結合剤もしくは結合剤
混合物と、（ｂ）放射線被曝により強酸を形成する化合
物とを本質的に含有し、請求項（１）による縮合生成物
を上記組成分（ａ）として使用することを特徴とする感
放射線性混合物に関する。

【００１８】この新規の感放射線混合物において、結合
剤（ａ）は感放射線性混合物の総量に対して８０から９
９．５重量％の割合で含有されるのが好ましい。

【００１９】この新規感放射線性混合物は、以下の式（
ＩＩ）もしくは（ＩＩＩ）

【００２０】

【化６】 で表され、式中Ｒα、ＲβおよびＲγが互いに同じでも
異なってもよく、それぞれアルキル、アリール、アルア
ルキルあるいは

【００２１】

【化７】 （Ｒδ、Ｒε、Ｒζは互いに同じでも異なってもよく、
それぞれＨ、ＯＨ、ハロゲンあるいはアルコキシを意味
する）を意味し、

【００２２】

【外２】 を意味するオニウム塩を、放射線被曝により強酸を形成
する化合物（ｂ）として感放射線性混合物（ａ）＋（ｂ
）に対して０．５から２０重量％の量において含有する
のが好ましい。

【００２３】新規感放射線性混合物は、さらに追加的に
放射線を吸収して組成物（ｂ）に転化される増感剤（ｂ
）と、さらに必要に応じ組成分（ａ）＋（ｂ）総量に対
して１重量％を超えない表面活性剤あるいは染料を含有
してもよい。

【００２４】本発明は、さらに上述の感放射線性混合物
を常法により予備処理された基板上に０．１から５μｍ
の厚さに成層し、７０から１２０℃で乾燥し、画像形成
露出し、６０から１６０℃に加熱し、アルカリ水溶液で
現像してレリーフパターンを形成する方法に関する。

【００２５】新規縮合生成物は、容易に再現可能の態様
で製造されることができ、新規感放射線性混合物におけ
る結合剤として極めて有利な構造的特性を有し、ことに
これをさらに処理してフォトレジストとして、特にサブ
ハーフミクロン帯域において極めて高い解像力と、遅延
時間効果の本質的な減縮効力を示す。ここで云う遅延時
間効果とは、画像形成露とその後の焼付けとの間に露出
部分から非露出部分への露出により形成される酸電子の
拡散に基づいて認められる効果である。

【００２６】

【発明の構成】以下に新規縮合生成物、これを含有する
感放射線性混合物を形成する構成分ならびにこれらを製
造するための各条件につき具体的に説明する。

【００２７】すでに述べたように、本発明縮合生成物は
、酸の存在下において、フェノール基含有ポリマーと、
ジメチロールもしくはポリメチロール化合物とから製造
されることができ、以下の式（Ｉ）で表される基を１個
あるいは複数個有する。

【００２８】

【化８】 式中のＲは水素あるいは酸不安定基、例えばアセチル、
エトキシカルボニル、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル、
ことに水素を、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は互いに同じでも異な
ってもよく、それぞれ水素、ＯＨ、炭素原子１から４個
のアルキル、ことにメチル、ポリマー連鎖に結合される
基を意味する。ただしＲ１からＲ３の１個だけはポリマ
ー連鎖に結合されている。

【００２９】フェノール基を有することに適当なポリマ
ーは、平均分子量ＭＷ２００から１００，０００、こと
に１，０００から５０，０００のポリ（ｐ−ヒドロキシ
スチレン）である。

【００３０】またジメチロールもしくはポリメチロール
化合物としては、芳香族環に結合された２から４個の、
ことに２個のメチロール基を有するものが好ましく、こ
とに２，６−ジメチロール−ｐ−クレゾールおよび２，
６−ジメチロール−ｐ−エチルフェノールが好ましい。

【００３１】フェノール基含有ポリマーとジメチロール
もしくはポリメチロール化合物とは、ジもしくはメチロ
ール化合物およびポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）の合
計量に対して、５から５０重量％のジメチロールもしく
はポリメチロール化合物を使用して、反応せしめられる
。

【００３２】本発明によるこの縮合は、酸の存在下に行
われる。通常使用される酸、例えば塩酸、ｐ−トルエン
スルホン酸がこの目的に対して適当である。ことに燐酸
が好ましく、ジもしくはポリメチロール化合物およびポ
リ（ｐ−ヒドロキシスチレン）合計量に対して５から５
０重量％の量で使用するのが好ましい。

【００３３】縮合反応は、加熱下、例えば５０から１３
０℃、ことに７０から１００℃の温度で、極性有機溶媒
、例えばエチレングリコールモノメチルエーテル中にお
いて、慣用の混合ないし撹拌容器を使用して行われる。

【００３４】縮合生成物は上述したように２００から１
００，０００ｇ／モル、ことに１，０００から５０，０
００ｇ／モルの平均分子量ＭＷを有する。

【００３５】この新規縮合物は本質的に水に不溶性であ
るが、アルカリ水溶液に可溶性であり、ことに感放射線
性混合物用の結合剤として有利に使用され得る。

【００３６】この目的に使用される縮合生成物（ａ）は
、放射線被曝により強酸を形成する化合物（ｂ）と組合
わされる。

【００３７】この放射線被曝により強酸を形成する化合
物としては、このような特性を示し、従って酸供与体と
して有効であればどのような化合物でもよい。しかしな
がら、短波長紫外線露出用としてはヨードニウム、こと
にスルホニウムが好ましい。これは以下の式（ＩＩ）、
（ＩＩＩ）で示される。

【００３８】

【化９】 式中のＲα、Ｒβ、Ｒγは互いに同じでも異なってもよ
く、それぞれアルキル、炭素原子１から５個、ことに１
もしくは２個を有するもの、アリール、例えばフェニル
、アルアルキル、例えばベンジルあるいは

【００３９】

【化１０】 を意味する。

【００４０】上記式中のＲδ、Ｒε、Ｒζは互いに同じ
でも異なってもよく、それぞれ水素、ＯＨ、塩素、臭素
のようなハロゲン、炭素原子１から５個のアルキル、こ
とにメチル、ｔｅｒｔ−ブチル、炭素原子１から５個の
アルコキシ、ことにメトキシを意味し、

【００４１】

【外３】 を意味する。

【００４２】ことに適当な化合物（ｂ）としては、トリ
フェニルスルホニウム塩、ジフェニルヨードニウム塩、
トリス−（４−ヒドロキシフェニル）−スルホニウム塩
、トリス−（トリメチルシリルオキシフェニル）−スル
ホニウム塩、トリス−（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボ
ニルオキシフェニル）−スルホニウム塩、トリス−（４
−エチルオキシカルボニルオキシフェニル）−スルホニ
ウム塩が挙げられ、それぞれの対イオン

【００４３】

【外４】 また化合物（ｂ）の混合物も使用され得る。

【００４４】感放射線性混合物（ａ）＋（ｂ）総量に対
して、組成分（ｂ）は一般に０．５から２０重量％、こ
とに２から１０重量％含有され、従って組成分（ａ）は
一般に８０から９９．５重量％、ことに９０から９８重
量％含有される。

【００４５】長波長紫外線から可視光線までの帯域にお
ける感光性をもたらすために、必要に応じ少量の増感剤
を添加してもよい。このためにピレン、ペリレンのよう
な多環芳香族化合物が使用されるが、増感剤作用を有す
る染料も使用され得る。

【００４６】また組成分（ａ）＋（Ｂ）全量に対して１
重量％を超えない量の接着性増強剤、湿潤剤、染料、可
塑剤を添加してもよい。

【００４７】本発明混合物は、固体分が５から４０重量
％となるように有機溶媒中に溶解せしめられる。この溶
媒としては脂肪族のケトン、エーテル、エステル、芳香
族炭化水素、これらの混合溶媒が適当である。エチルセ
ロソルブ、ブチルグリコール、メチルセロソルブ、１−
メトキシ−２−プロパノールのようなアルキレングリコ
ールモノアルキルエーテル、メチルセロソルブアセター
ト、エチルセロソルブアセタート、メチルプロピレング
リコールアセタート、エチルプロピレングリコールアセ
タートのようなアルキレングリコールアルキルエーテル
エステル、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチ
ルエチルケトンのようなケトン、ブチルアセタートのよ
うなアセタート、トルエン、キシレンのような芳香族溶
媒がことに好ましい。溶媒の選択、混合は、フェノール
基を有するポリマーないしノボラック、感光性組成分と
してどのようなものを選ぶかにより行われる。

【００４８】レリーフ画像ないしパターンを形成するた
めの、本発明による新規方法において、感放射線性混合
物から成る感放射線性記録層は、露出部分の水性アルカ
リ溶媒に対する溶解性が６０から１６０℃に加熱するこ
とにより低減し、被露出部分がこのアルカリ性現像液に
より選択的に洗除され得る。

【００４９】上述したように本発明による感放射線性混
合物は半導体素子のレリーフパターンを形成するための
フォトレジストとしてことに適当である。

【００５０】この感放射線性混合物を含有するフォトレ
ジスト溶液は、約０．２μｍ径の網目を有するフィルタ
ーで濾過され、例えば表面酸化処理したシリコンウエー
ハのような基板上に、１，０００から１０，０００ｒｐ
ｍのスピンコーティングにより厚さ０．１から５μｍ、
ことに０．５から１．５μｍの層を形成し、乾燥（７０
から１２０℃、ことに８０から９０℃で１から５分）し
、例えばクローム鍍金したパターン石英マスクを介して
画像形成露出される。適当な光源は波長２００から３０
０ナノメートルの短波長紫外線（ディープＵＶ）、電子
ビームあるいはＸ線である。水銀灯およびＫｒＦ（λ＝
２４８ｎｍ）のエキシマレーザがことに好ましい。画像
形成露出後、必要に応じさらに６０から１６０℃で２秒
から５分間事後焼付け後、慣用の、一般にｐＨ値１２か
ら１４のアルカリ性現像液で現像し、露出部分材料の洗
除をほとんど伴わずに非露出部分を選択的に洗除する。 解像力はサブミクロン範囲である。この新規の感放射線
性混合物から成る１μｍの層に必要な露出エネルギーは
、一般的に５０から２００ｍＪ／ｃｍ２である。

【００５１】以下の実施例において本発明をさらに具体
的に説明するが、ここで使用される部およびパーセント
は特に明示されない限り重量に関するものである。

【００５２】実施例１ （ａ）新規縮合物の製造 ２０部のポリ−（ｐ−ヒドロキシスチレン）（ＭＷ約８
，０００）、 ４部の２，６−ジメチロール−ｐ−クレゾール、６部の
Ｈ３ＰＯ４（８５％濃度水溶液）、１００部のエチレン
グリコールモノエチルエーテルをＦｅＣｌ３　　テスト
で結果がネガチブとなるまで約１時間窒素ガス導入下に
還流させた。この溶液を０．５％濃度のアンモニア水溶
液２，０００部中に投入し、生成沈澱物を濾別し、蒸留
水で洗浄し、乾燥凍結により乾燥した。

【００５３】（ｂ）新規感放射線性混合物の製造および
これから形成された層におけるパターン形成上記（ａ）
項の縮合物９５部、トリ−（ｐ−ヒドロキシフェニル）
−スルホニウム−ヘキサフルオルアルセナート５部およ
びメチルグリコールアセタート３００部からフォトレジ
スト溶液を調製した。

【００５４】この溶液を０．２μｍ径網目のフィルター
で濾過し、酸化シリコンウエーハ上にスピンコーティン
グにより１μｍ厚さの層を形成し、ホットプレート上で
９０℃において１分間乾燥し、接触法でテストマスクを
介し波長２４８ｎｍのエキシマレーザに２秒間露出した
。次いでこのウエーハを１２０℃で１分間加熱し、ｐＨ
１２．５−１４．５の現像液で現像した。１μｍ層の感
度は１０ｍＪ／ｃｍ２であった。

【００５５】実施例２ 実施例１ａの縮合物９５部、トリ−（ｐ−ヒドロキシフ
ェニル）−スルホニウムトリフラート５部およびメチル
グリコールアセタート３００部からフォトレジスト溶液
を調製し、さらに処理して、実施例１と同様にテストし
た。感度（１μｍ層厚さ）は１５ｍＪ／ｃｍ２であった
。

【００５６】実施例３ 実施例１ａの縮合物９２部、ｐ−（ヒドロキシフェニル
）−ジメチルスルホニウム−ヘキサフルオルホスホファ
ート８部およびメチルグリコールアセタート３００部か
らフォトレジスト溶液を調製し、さらに処理して同様に
テストした。感度（１μｍ層厚さ）は、６５ｍＪ／ｃｍ
２であった。

【００５７】実施例４ 遅延時間効果のテスト 実施例２で得られた被覆ウエーハを、画像形成露出直後
に１２０℃で１分間加熱し、１０分、２０分、３０分、
６０分および２時間それぞれ室温貯蔵してから現像した
。感度およびパターンには、本質的変化は認められなか
った。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　以下の式（Ｉ） 【化１】 で表され、Ｒが水素あるいは酸不安定基を意味し、Ｒ１
   、Ｒ２、Ｒ３が互いに同じでも異なってもよく、それぞ
   れ水素、ＯＨ、炭素原子１から４個のアルキルあるいは
   ポリマー連鎖に結合するラジカル基を意味し、Ｒ１から
   Ｒ３の１個がポリマー連鎖に結合されている１個あるい
   は複数の基を有し、フェノール基を有するポリマーと、
   ジメチロールもしくはポリメチロール化合物とから、酸
   の存在下に得られることを特徴とする縮合生成物。
2. 【請求項２】　　請求項（１）による縮合生成物であっ
   て、上記フェノール基含有ポリマーとして、ポリ（ｐ−
   ヒドロキシスチレン）が使用されることを特徴とする縮
   合生成物。
3. 【請求項３】　　請求項（１）あるいは（２）による縮
   合生成物であって、上記ジもしくはポリメチロール化合
   物として、２，６−ジメチロール−ｐ−クレゾールが使
   用されることを特徴とする縮合生成物。
4. 【請求項４】　　請求項（１）から（３）のいずれかに
   よる縮合生成物であって、縮合のために使用される上記
   酸が燐酸であることを特徴とする縮合生成物。
5. 【請求項５】　　酸、ことに燐酸の存在下、５０から１
   ３０℃の温度で、極性溶媒中においてポリ（ｐ−ヒドロ
   キシスチレン）を２，６−ジメチロール−ｐ−クレゾー
   ルと縮合させることを特徴とする、請求項（１）から（
   ４）のいずれかによる縮合生成物の製造方法。
6. 【請求項６】　　（ａ）水に不溶性であるがアルカリ水
   溶液に可溶性である結合剤もしくは結合剤混合物と、（
   ｂ）放射線被曝により強酸を形成する化合物とを本質的
   に含有し、請求項（１）による縮合生成物を上記組成分
   （ａ）として使用することを特徴とする感放射線性混合
   物。
7. 【請求項７】　　請求項（６）による感放射線性混合物
   であって、以下の式（ＩＩ）もしくは（ＩＩＩ）【化２
   】 で表され、式中Ｒα、ＲβおよびＲγが互いに同じでも
   異なってもよく、それぞれアルキル、アリール、アルア
   ルキルあるいは 【化３】 （Ｒδ、Ｒε、Ｒζは互いに同じでも異なってもよく、
   それぞれＨ、ＯＨ、ハロゲンあるいはアルコキシを意味
   する）を意味し、 【外１】 を意味するオニウム塩を、放射線被曝により強酸を形成
   する化合物（ｂ）として使用することを特徴とする感放
   射線性混合物。
8. 【請求項８】　　請求項（６）による感放射線性混合物
   を使用して、これを常法により予備処理された基板上に
   ０．１から５μｍの厚さに成層し、７０から１２０℃で
   乾燥し、画像形成露出し、６０から１６０℃に加熱し、
   アルカリ水溶液で現像してレリーフパターンを形成する
   方法。