JPH0423220B2 - - Google Patents

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JPH0423220B2
JPH0423220B2 JP57152314A JP15231482A JPH0423220B2 JP H0423220 B2 JPH0423220 B2 JP H0423220B2 JP 57152314 A JP57152314 A JP 57152314A JP 15231482 A JP15231482 A JP 15231482A JP H0423220 B2 JPH0423220 B2 JP H0423220B2
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JP
Japan
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circuit
transistor
current
voltage
resistor
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JP57152314A
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JPS5940265A (ja
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Yoshihisa Ishigami
Yasumasa Hashimoto
Masaharu Kitado
Kokai Nishimura
Tetsuo Mori
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Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Priority to JP57152314A priority Critical patent/JPS5940265A/ja
Publication of JPS5940265A publication Critical patent/JPS5940265A/ja
Publication of JPH0423220B2 publication Critical patent/JPH0423220B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R19/00Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
    • G01R19/145Indicating the presence of current or voltage
    • G01R19/15Indicating the presence of current

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、電流検出装置に関し、もつと詳しく
は、検出されるべき被検出電流の流れるラインに
関連して設けられるとともに被検出電流を検出す
るための2次および3次コイルを有する可飽和リ
アクトル、2次および3次コイルに流れる電流を
検出するための抵抗、ならびに被検出電流に応じ
て予め定める周期のデユーテイを変えて発振する
マルチバイブレータ回路により磁気マルチバイブ
レータ回路を形成し、前記デユーテイをそれぞれ
検出するための一対のデユーテイ検出回路、なら
びに前記被検出電流に対応した電流を充電するた
めのコンデンサ、およびコンデンサに充電された
電流を一定程度放電し、応動回路を動作させるま
での時間を定める手段を有し、各デユーテイ検出
回路からのデユーテイに対応した出力の相互の差
をレベル弁別して弁別レベルを超えたときに応動
回路を動作させるレベル弁別回路を備える電流検
出装置に関する。
先行技術における電流検出装置のレベル弁別回
路は、被検出電流に対応した電流を充電するため
のコンデンサ、およびコンデンサに充電された電
流を一定程度放電し、応動回路を動作させるまで
の時間を定める抵抗を有し、各デユーテイ検出回
路からのデユーテイに対応した出力の相互の差を
単一の弁別レベルでレベル弁別している。したが
つて被検出電流が位相制御信号のような歪交流で
ある場合には、コンデンサの充電電圧が弁別レベ
ルに達したあとすぐ、ほぼ0Vとなるので、被検
出電流を検出するのが困難となり、応動回路を確
実に動作させることができなかつた。
本発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、
被検出電流が歪交流である場合においても被検出
電流を検出するとともに応動回路を確実に動作さ
せることができる電流検出装置を提供することで
ある。
本発明は、検出されるべき被検出電流の流れる
ラインに関連して設けられるとともに被検出電流
を検出するための2次および3次コイルを有する
可飽和リアクトル、2次および3次コイルに流れ
る電流を検出するための抵抗、ならびに被検出電
流に応じて予め定める周期のデユーテイを変えて
発振するマルチバイブレータ回路により磁気マル
チバイブレータ回路を形成し、前記磁気マルチバ
イブレータ回路における互いにデユーテイが逆の
一対の発振波形のデユーテイをそれぞれ検出する
ための一対のデユーテイ検出回路、各デユーテイ
に対応した出力の相互の差に相当する前記被検出
電流に対応した電流を充電するためのコンデン
サ、およびコンデンサに充電された電流を一定程
度放電し、応動回路を動作させるまでの時間を定
める手段を有し、前記コンデンサの電圧をレベル
弁別して、各デユーテイ検出回路からのデユーテ
イに対応した出力の相互の差をレベル弁別して弁
別レベルを超えたときに応動回路を動作させるレ
ベル弁別回路を備える電流検出装置において、 前記レベル弁別回路は、前記コンデンサの充電
電圧が予め定める第1の弁別レベルを超えたとき
に、応動回路を動作させるとともに、第1の弁別
レベル未満の第2の弁別レベルでレベル弁別する
ことを特徴とする電流検出装置である。
以下、図面によつて本発明の実施例を説明す
る。第1図は、本発明の一実施例の回路図であ
る。交流電源199からの交流電力は、活性のラ
イン31および中性のライン32をそれぞれ介し
て負荷198に与えられる。また交流電源199
と負荷198とは、保護接地のライン200によ
つて接続される。ライン31に流れる電流i1お
よびライン32に流れる電流i2の相互の差(i
1〜i2)の検出されるべき直流および交流の被
検出電流たとえば漏電は、電流検出装置1によつ
て検出される。電流検出装置1は、電源回路2、
スタート回路3、磁気マルチバイブレータ回路
4、デユーテイ検出回路5,6、差動増幅回路
7、レベル弁別回路8、応動回路9および電圧検
出回路10を備える。
電源回路2は、端子L、N、PE、抵抗21,
22、コンデンサ23,24、およびダイオード
25〜30を有する。ライン31は、端子L、抵
抗21、コンデンサ23および順方向にダイオー
ド25を介してライン33に接続される。ダイオ
ード25のアノードは、ダイオード26を逆方向
に介してライン34に接続される。ライン32
は、端子Nおよび順方向にダイオード27を介し
てライン33に接続される。ダイオード27のア
ノードは、ダイオード28を逆方向に介してライ
ン34に接続される。接地は、端子PE、抵抗2
2および順方向にダイオード29を介してライン
33に接続される。ダイオード29のアノード
は、ダイオード30を逆方向に介してライン34
に接続される。ライン33およびライン34間に
は、コンデンサ24が接続される。ライン31,
32を介する交流電力は、電源回路2によつて直
流電力に変換される。この直流電力は、ライン3
3,34を介してスタート回路3に与えられる。
スタート回路3は、スイツチング素子としての
トランジスタ35、抵抗36およびツエナダイオ
ード37,38を有する。ライン33は、トラン
ジスタ35のエミツタに接続されるとともに、抵
抗36を介してトランジスタ35のベースに接続
される。トランジスタ35のベースはツエナダイ
オード37,38を逆方向にそれぞれ介してライ
ン34に接続される。ツエナダイオード38のカ
ソードは、基準電位に接続される。トランジスタ
35のカソードは、ライン39に接続される。ラ
イン39からの正の一定の直流電圧+Vccおよび
ライン34からの負の一定の直流電圧−Vccは磁
気マルチバイブレータ回路4、デユーテイ検出回
路5,6、差動増幅回路7、レベル弁別回路8、
応動回路9および電圧検出回路10にそれぞれ印
加される。
磁気マルチバイブレータ回路4は、抵抗40
と、可飽和リアクトル41と、マルチバイブレー
タ回路42とを備える。可飽和リアクトル41
は、コア43および一対の等しい巻数nを有する
2次巻線44、3次巻線45を含む。マルチバイ
ブレータ回路42は、一対のスイツチング素子と
してのトランジスタ46,47、ツエナダイオー
ド48、定電流源49,50、ダイオード51〜
58、および抵抗59,60を有する。一方向性
素子としてのダイオード53,54は対を成す。
また一方向性素子としてのダイオード55,56
は対を成す。
抵抗40の一方端には、直流電圧+Vccが印加
される。抵抗40の他方端は、2次および3次コ
イル44,45の一方端にそれぞれ接続される。
2次コイル44の他方端は、接続点61に接続さ
れる。3次コイル45の他方端は、接続点62に
接続される。接続点61および直流電圧−Vcc間
には、トランジスタ46が接続される。トランジ
スタ46には、逆方向なダイオード51が並列に
接続される。接続点62および直流電圧−Vcc間
には、トランジスタ47が接続される。トランジ
スタ47には、逆方向なダイオード52が並列に
接続される。
直流電圧+Vccは、定電流源49および順方向
なダイオード53,54を介して、トランジスタ
46のベースおよび接続点62にそれぞれ接続さ
れる。トランジスタ46のベースは、抵抗59を
介して直流電圧−Vccに接続される。直流電圧+
Vccは、定電流源50および順方向なダイオード
55,56を介してトランジスタ47のベースお
よび接続点61にそれぞれ接続される。トランジ
スタ47のベースは、抵抗60を介して直流電圧
−Vccに接続される。直流電圧+Vccは、また、
順方向なツエナダイオード48および逆方向なダ
イオード57,58を介して接続点61,62に
それぞれ接続される。接続点61からの出力は、
デユーテイ検出回路5に与えられる。接続点62
からの出力は、デユーテイ検出回路6に与えられ
る。
デユーテイ検出回路5は、定電流源63、トラ
ンジスタ64,65,66、ダイオード67,6
8、抵抗69〜72およびコンデンサ73を有す
る。直流電圧+Vcc、−Vcc間には、定電流源6
3および抵抗69から成る直列回路、抵抗70、
トランジスタ64および抵抗71から成る直列回
路ならびにトランジスタ65、順方向なダイオー
ド67およびトランジスタ66から成る直列回路
がそれぞれ接続される。定電流源63と抵抗69
との接続点は、トランジスタ64のベースに接続
されるとともに、ダイオード68を順方向に介し
て接続点61に接続される。トランジスタ64の
コレクタは、トランジスタ65のベースに接続さ
れる。トランジスタ64のエミツタは、トランジ
スタ66のベースに接続される。トランジスタ6
6には、トーテムポール出力で駆動される抵抗7
2およびコンデンサ73からなる直列回路が並列
に接続される。抵抗72と、コンデンサ73との
接続点74は、演算増幅器75の非反転入力に接
続される。演算増幅器75の反転入力は、演算増
幅器75の出力に接続される。演算増幅器75
は、バツフアとして機能する。演算増幅器75の
出力は、差動増幅回路7に与えられる。
デユーテイ検出回路6は、定電流源76、トラ
ンジスタ77〜79、ダイオード80,81、抵
抗82〜85およびコンデンサ86を有し、デユ
ーテイ検出回路5と同様に構成される。ダイオー
ド80のアノードは、接続点62に接続される。
抵抗85およびコンデンサ86は、トーテムポー
ル出力で駆動される。抵抗85とコンデンサ86
との接続点87は、バツフアとして機能する演算
増幅器88の非反転入力に接続される。演算増幅
器88の出力は、差動増幅回路7に与えられる。
差動増幅回路7は、演算増幅器89および抵抗
90〜93を有する。演算増幅器75からの出力
は、抵抗90を介して演算増幅器89の反転入力
に与えられる。演算増幅器88からの出力は、抵
抗91を介して演算増幅器89の非反転入力に与
えられる。演算増幅器89の反転入力は、抵抗9
2を介して演算増幅器89の出力に接続される。
演算増幅器89の非反転入力は抵抗93を介して
接地される。差動増幅回路7からの出力は、レベ
ル弁別回路8に与えられる。
レベル弁別回路8は、全波整流回路94および
時延回路96を有する。全波整流回路94は、差
動増幅回路7からの出力を積算し、半波倍電圧整
流回路101と、加算回路102とからなる。半
波倍電圧整流回路101は、演算増幅器103、
ダイオード104,105および抵抗106〜1
09を有する。差動増幅回路7からの出力は、抵
抗106を介して演算増幅器103の反転入力に
与えられる。演算増幅器103の反転入力は、抵
抗107および順方向なダイオード104を介し
て演算増幅器103の出力に接続される。演算増
幅器103の出力は、順方向なダイオード105
および抵抗108を介して演算増幅器103の反
転入力に接続される。演算増幅器103の非反転
入力は、抵抗109を介して接地される。抵抗1
07とダイオード104との接地点110は、加
算回路102の入力に接続される。
加算回路102は、演算増幅器111および抵
抗112〜115を有する。差動増幅回路7から
の出力は、抵抗112を介して演算増幅回路11
1の非反転入力に与えられる。接続点110すな
わち半波倍電圧整流回路101からの出力は、抵
抗113を介して演算増幅回路111の非反転入
力に与えられる。演算増幅回路111の非反転入
力は、抵抗114を介して演算増幅器111の出
力に接続される。演算増幅器111の反転入力
は、抵抗115を介して接地される。演算増幅器
111の出力すなわち全波整流回路94の出力
は、時延回路96に与えられる。
時延回路96は、電圧電流変換回路95、漏電
電流に対応した電流を充電するためのコンデンサ
120、コンデンサ120に充電された電流を一
定程度放電し、応動回路9を動作させるまでの時
間を定めるカレントミラー回路97、ならびに第
1の弁別レベルおよび第1の弁別レベル未満の第
2の弁別レベルでレベル弁別するための演算増幅
器126、ダイオード128、ツエナダイオード
129およびトランジスタ130を含む。
電圧電流変換回路95は、演算増幅器116、
トランジスタ117、ダイオード118および抵
抗119を有する。全波整流回路94からの出力
は、演算増幅器116の非反転入力に与えられ
る。演算増幅器116の反転入力は、抵抗119
を介して接地されるとともに、ダイオード118
を逆方向に介して演算増幅器116の出力に接続
される。演算増幅器116の反転入力には、トラ
ンジスタ117のエミツタが接続される。演算増
幅器116の出力は、トランジスタ117のベー
スに接続される。演算増幅器116は、反転入力
の電圧が非反転入力の電圧に等しくなるように出
力を導出する。
トランジスタ117のコレクタすなわち電圧電
流変換回路95の出力および直流電圧−Vcc間に
は、コンデンサ120が接続される。コンデンサ
120には、カレントミラー回路が並列に接続さ
れる。
カレントミラー回路97は、トランジスタ12
1,122および抵抗123を含む。コンデンサ
120には、トランジスタ121が並列に接続さ
れる。接地および直流電圧−Vcc間には、抵抗1
23およびトランジスタ122から成る直列回路
が接続される。トランジスタ122のコレクタ
は、トランジスタ121,122のベーすにそれ
ぞれ接続される。
トランジスタ117のコレクタは、演算増幅器
126の非反転入力に接続される。演算増幅器1
26の反転入力は、抵抗127を介して接地され
るとともに、順方向なダイオード128および逆
方向なツエナダイオード129を介して直流電圧
−Vccに接続される。ツエナダイオード129に
は、トランジスタ130が並列に接続される。演
算増幅器126の出力は、抵抗131を介してト
ランジスタ130のベースに与えられる。トラン
ジスタ122および直流電圧−Vcc間には、トラ
ンジスタ191が接続される。演算増幅器126
の出力は、抵抗190を介してトランジスタ19
1のベースに与えられる。演算増幅器126の出
力はまた、ダイオード132を順方向に介して応
動回路9に与えられる。
応動回路9は、トリツプリレー134、トラン
ジスタ135および抵抗136,137を含む。
トリツプリレー134は、リレーコイル138お
よびリレースイツチ139,140を有する。ト
リツプリレーのリレースイツチ139,140
は、交流電源199からの交流電力を電源回路2
に投入するときに人為的に導通される。リレーコ
イル138が励磁されると、リレースイツチ13
9,140は遮断される。直流電圧+Vcc、−
Vcc間には、リレーコイル138およびトランジ
スタ135が直列に接続される。トランジスタ1
35のベースは、抵抗136を介して直流電圧−
Vccに接続される。トランジスタ135のベース
には、抵抗137およびダイオード132,14
1を介してレベル弁別回路8および電圧検出回路
10からの出力が与えられる。
電圧検出回路10は、高抵抗値を有する抵抗1
52、電圧増幅回路150、全波整流回路155
および時延回路149を有する。電圧増幅回路1
50は、演算増幅器151および抵抗153,1
54を含む。演算増幅器151の反転入力は、抵
抗152を介して端子PEに接続される。また、
演算増幅器151の反転入力は、抵抗153を介
して演算増幅器151の出力に接続される。演算
増幅器151の非反転入力は、抵抗154を介し
て接地される。演算増幅器151の出力、すなわ
ち電圧増幅回路150の出力は、全波整流回路1
55に与えられる。
全波整流回路155は、半波倍電圧整流回路1
56と、加算回路157とから成る。半波倍電圧
整流回路156は、演算増幅器158、ダイオー
ド159,160および抵抗161〜164を有
し、半波倍電圧整流回路101と同様に構成され
る。加算回路157は、演算増幅器165および
抵抗166〜169を有し、加算回路102と同
様に構成される。半波倍電圧整流回路156と、
加算回路157とによつて全波整流回路155が
形成される。演算増幅器165の出力、すなわち
全波整流回路155の出力は、時延回路149に
与えられる。
時延回路149は、演算増幅器170,17
6、トランジスタ171,177、ダイオード1
72,178、抵抗173,175,180,1
81、ツエナダイオード179およびコンデンサ
174を有し、時延回路96とほぼ同様に構成さ
れる。すなわち時延回路96のカレントミラー回
路97に代えて抵抗175が用いられる。演算増
幅器176の出力すなわち時延回路149の出力
は、ダイオード141を順方向に介して応動回路
9に与えられる。
交流電流199および端子L、N間のランイ3
1,32の途中には、リレースイツチ139,1
40がそれぞれ接続される。端子L、Nおよび負
荷198間のライン31,32は、可飽和リアク
トル41のコア43の内方または外方の近傍にそ
れぞれ介在される。
ライン31,32を介する交流電力が投入され
ると、電源回路2はこの交流電力を直流電力に変
換する。交流電力の投入時には、スタート回路2
のトランジスタ35は遮断している。したがつて
電源回路2の直流電力出力側、すなわちライン3
3,34間に接続されるインピーダンスは大であ
る。このインピーダンスが大であるので、ライン
33,34間の電圧が急峻に大となる。ライン3
3および接地間の電圧がスタート回路3のツエナ
ダイオード37のツエナ電圧を超えると、トラン
ジスタ35は導通する。トランジスタ35の導通
によつて、インピーダンスは小となる。したがつ
て、磁気マルチバイブレータ回路4、デユーテイ
検出回路5,6、差動増幅回路7、レベル弁別回
路8、応動回路9および電圧検出回路10などへ
の直流電力供給が急峻に行なわれ、電流検出装置
1が素早く動作される。
リレースイツチ139,140を人為的に導通
させた場合において、負荷198において漏電が
発生しておらず、しかも交流電源199において
異常がない場合を想定する。この場合には、可飽
和リアクトル41によつて検出される電流は零で
あり、後述するように応動回路96,149から
応動回路9に与えられる信号は、それぞれローレ
ベルである。このローレベルの信号によつて、ト
ランジスタ135が遮断し、リレーコイル138
は消磁されたままである。したがつてリレースイ
ツチ139,140が導通されたままであり、応
動回路9は動作しない。
磁気マルチバイブレータ回路4において、2次
および3次コイル44,45の巻数をそれぞれ
n、2次および3次コイル44,45に印加され
るコイル印加電圧をEc、可飽和リアクトル41
の飽和磁束をφmとすると、磁気マルチバイブレ
ータ回路4は、第(1)式で示される一定の周期Tで
常時発振する。
T=4・n・φm/Ec ……(1) マルチバイブレータ回路42のトランジスタ4
6,47は、この周期T内で交互に導通する。ト
ランジスタ47は遮断している。逆にトランジス
タ46が遮断しているときには、トランジスタ4
7は導通している。ライン31,32に流れる電
流が平衡している場合には、ライン31,32に
よつて2次および3次コイル44,45に誘起さ
れる電圧は零である。したがつてトランジスタ4
6,47の導通・遮断のデユーテイ比は、50%と
なる。
トランジスタ46が導通し、トランジスタ47
が遮断した場合には、抵抗40からの電流は、3
次コイル45を介してトランジスタ47には流れ
ずに、2次コイル44を介してトランジスタ46
に流れる。このとき、トランジスタ46のベース
電圧が低いので、定電流源50からの一定電流I
1は、ダイオード56を介してトランジスタ46
に流れるとともに、ダイオード55を介してトラ
ンジスタ47には流れなくなる。また定電流源4
9からの一定電流I1は、ダイオード54を介し
てトランジスタ47には流れずにダイオード53
を介してトランジスタ46に流れる。トランジス
タ46のコレクタ電圧が高くなり、トランジスタ
46のベース電流をib、電流増幅率をhfeとする
と、コレクタ・エミツタ間電流がib・hfeになる
と、トランジスタ46は能動領域となる。
トランジスタ46のコレクタ電圧が高くなる
と、定電流源50からの一定電流I1は、ダイオ
ード56を介してトランジスタ46には流れなく
なり、ダイオード55を介してトランジスタ47
に流れ、トランジスタ47が導通する。また定電
流源49からの一定電流I1は、ダイオード53
を介してトランジスタ46には流れなくなつてト
ランジスタ46が遮断し、ダイオード54を介し
てトランジスタ47に流れる。したがつて抵抗4
0からの電流は、2次コイル44を介してトラン
ジスタ46には流れずに、3次コイル45を介し
てトランジスタ47に流れる。トランジスタ46
のコレクタ・エミツタ間電圧、トランジスタ47
のコレクタ・エミツタ間電圧および抵抗40の電
圧は、第2図1、第2図2、第2図3にそれぞれ
示される。
したがつて、トランジスタ46,47のコレク
タ・エミツタ間電圧のピーク値、および抵抗40
の電圧のピーク値が一定に定められて、磁気マル
チバイブレータ回路4からは、ピーク値の等しい
同一波形の出力が順次導出される。
定電流源49,50から前述の一定の電流I1
よりも大なる充分な一定の電流I2を流した場合
を想定する。この場合には、抵抗40の抵抗値を
R40と、トランジスタ46,47のコレクタ・エ
ミツタ間電流がVcc/R40になると、すなわち能
動領域になると、トランジスタ46,47は異な
るデユーテイサイクルで急峻に遮断し、発振が継
続される。したがつてダイオード53,54,5
5,56の順方向電圧に誤差が生じても、トラン
ジスタ46,47のコレクタ・エミツタ間電圧お
よび抵抗40の電圧のピーク値が一定に定められ
て、磁気マルチバイブレータ回路4からは、ピー
ク値の等しい同一波形の出力が順次導出される。
デユーテイ検出回路5において、磁気マルチバ
イブレータ回路4のトランジスタ46が導通して
いるときには、定電流源63からダイオード68
を介してトランジスタ46に電流が流れる。した
がつてトランジスタ64,66が遮断し、トラン
ジスタ65は導通する。コンデンサ73は、トラ
ンジスタ65、ダイオード67および抵抗72を
介して充電される。
トランジスタ46が遮断しているときには、ダ
イオード68が遮断し、トランジスタ64のベー
ス電圧が高くなる。したがつてトランジスタ6
4,66が導通し、トランジスタ65は遮断す
る。コンデンサ73は、抵抗72およびトランジ
スタ66を介して放電する。
デユーテイ検出回路6においても、デユーテイ
検出回路5と同様に、磁気マルチバイブレータ回
路4のトランジスタ47の導通・遮断に応じてコ
ンデンサ86は抵抗85を介して充電および放電
する。コンデンサ73,86の電圧は、第2図4
および第2図5にそれぞれ示される。
抵抗72およびコンデンサ73は、磁気マルチ
バブレータ回路4からのデユーテイに応じたトー
テムポール出力で駆動され充電および放電の時定
数が等しいので、コンデンサ73の充電電圧は直
流電圧+Vcc、−Vcc間の中間値である0Vを基準
として上下する。また抵抗85およびコンデンサ
86は磁気マルチバイブレータ回路4からのデユ
ーテイに応じたトーテムポール出力で駆動され、
充電および放電の時定数が等しいのでコンデンサ
86の充電電圧は直流電圧+Vcc、−Vcc間の中
間値である0Vを基準として上下する。したがつ
てデユーテイ検出回路5,6からの出力の基準電
圧が一致し、基準となる電圧を特別に用意しなく
てもよく、デユーテイ検出回路5,6相互間の調
整も不要となる。
差動増幅回路7において、デユーテイ検出回路
5,6からの相互に逆相な出力は、演算増幅器7
5,88をそれぞれ介して差動増幅される。差動
増幅回路7の出力は第2図6に示される。デユー
テイ検出回路5,6からの出力が相互に逆相であ
るので、差動増幅回路7の検出感度が倍となる。
レベル弁別回路8の全波整流回路101において
は、差動増幅回路7からの信号の交流成分を積算
するために全波整流が行なわれる。全波整流回路
101からの出力は、第2図7に示される。レベ
ル弁別回路8の時延回路96において、トランジ
スタ117のエミツタ電圧が全波整流回路94か
らの出力に応じた電圧になるように、抵抗119
に電流が流れる。トランジスタ121は導通して
おりトランジスタ121に流れる電流は、漏電感
度電流を定める。コンデンサ120に流れる電流
は、漏電電流と等価であり、漏電電流に応じてリ
レースイツチ139,140を遮断する時間Wを
定める。トランジスタ121に流れる電流がコン
デンサ120に流れる電流を上回つており、コン
デンサ120の充電電圧は、第2図8に示すよう
に零である(電位は−Vcc)。ダイオード128
の順方向電圧とツエナダイオード129のツエナ
電圧との和は、第1の弁別レベルを定める。、ダ
イオード128の順方向電圧は、第1の弁別レベ
ル未満の第2弁別レベルを定める。漏電が起き
て、コンデンサ120の充電電圧が第1の弁別レ
ベルを超えると、演算増幅器126の出力は、ハ
イレベル(+Vcc)となる。演算増幅器126の
出力がハイレベルになるとトランジスタ130が
導通し、演算増幅器126は第2の弁別レベルで
レベル弁別する。したがつてコンデンサ120の
電圧が低下しても、弁別レベルが低下し、位相制
御信号のような歪交流の漏電であつても充分に検
出される。
また、演算増幅器126の出力がハイレベルに
なるとトランジスタ191が導通し、トランジス
タ121が遮断される。したがつてトランジスタ
121には電流が流れなくなり、その分がコンデ
ンサ120に充電される。これによつて、歪交流
の漏電であつても充分に検出される。なお、漏電
が生じていない場合を想定しているので演算増幅
器126の出力はローレベルである。
応動回路9において、ダイオード132を介す
るレベル弁別回路8からの出力がローレベルであ
るのでトランジスタ135が遮断し、トリツプリ
レー134のリレーコイル138は第2図9に示
すように消磁されたままである。したがつてリレ
ースイツチ139,140は導通されたままであ
る。
次いで、直流の漏電が第3図1に示すように時
刻t1において生じた場合を想定する。この場合
の各トランジスタ46,47のコレクタ・エミツ
タ間電圧、および抵抗40の電圧は、第3図2、
第3図3、第4図4にそれぞれ示される。漏電が
生じると漏電電流に応じてトランジスタ46,4
7のデユーテイ比が50%から変化する。このデユ
ーテイ比の変化が各デユーテイ検出回路5,6に
よつて検出される。デユーテイ検出回路5の出力
電圧は第3図5に示され、デユーテイ検出回路6
の出力電圧は第3図6に示される。したがつて差
動増幅回路7の出力電圧は第3図7に示すように
なり、全波整流回路94の出力電圧は第3図8に
示すようになる。演算増幅器116は、トランジ
スタ117のエミツタが全波整流回路94の出力
電圧に等しくなるように出力信号を導出する。し
たがつてコンデンサ120の電圧は第3図9に示
すように徐々に高くなる。コンデンサ120の電
圧が時間W後の時刻t2に第1の弁別レベルを超
えると、演算増幅器126の出力はハイレベルと
なる。したがつてトランジスタ135が導通し、
リレーコイル138が第3図10に示すように励
磁される。
したがつてリレースイツチ139,140が遮
断され応動装置9が動作する。
次いで、交流の漏電が第4図1に示すように時
刻t3において生じた場合を想定する。この場合
の各トランジスタ46,47のコレクタ・エミツ
タ間電圧は、第4図2、第4図3にそれぞれ示さ
れる。また第4図3に示す矢符201,202の
部分の拡大図は、第4図4に示される。漏電が生
じると漏電電流に応じたトランジスタ46,47
のデユーテイ比が50%から変化する。このデユー
テイ比の変化が各デユーテイ検出回路5,6によ
つて検出される。デユーテイ検出回路5の出力電
圧は第4図5に示され、デユーテイ検出回路6の
出力電圧は第4図6に示される。したがつて差動
増幅回路7の出力電圧は第4図7に示すようにな
り、全波整流回路94の出力電圧は第4図8に示
される仮想線203と零ボルトとの間の電圧V1
は、トランジスタ121の導通によるコンデンサ
120の放電してしまう電圧である。また第4図
8に示される斜線の部分は、コンデンサ120の
充電電流である。
演算増幅器116は、トランジスタ117のエ
ミツタが全波整流回路94の出力電圧に等しくな
るように出力信号を導出する。したがつてコンデ
ンサ120の電圧は第4図9に示すように徐々に
高くなる。コンデンサ120の電圧が時間W後の
時刻t4に第1の弁別レベルを超えると、演算増
幅器126の出力はハイレベルとなる。したがつ
てトランジスタ135が導通し、リレーコイル1
38が第4図10に示すように励磁される。した
がつてリレースイツチ139,140が遮断さ
れ、応動装置9が動作する。
次いで位相角制御された歪交流の漏電が第5図
1に示すように時刻t5において生じた場合を想
定する。この場合の各トランジスタ46,47の
コレクタ・エミツタ間電圧は、第5図2、第5図
3にそれぞれ示される。漏電が生じる漏電電流に
応じてトランジスタ46,47のデユーテイ比が
50%から変化する。このデユーテイ比の変化が各
デユーテイ検出回路5,6によつて検出される。
デユーテイ検出回路5の出力電圧は第5図4に示
され、デユーテイ検出回路6の出力電圧は第5図
5に示される。したがつて差動増幅回路7の出力
電圧は第5図6に示すようになり、全波整流回路
94の出力電圧は第5図7に示すようになる。演
算増幅器116は、トランジスタ117のエミツ
タが全波整流回路94の出力電圧に等しくなるよ
うに出力信号を導出する。したがつてコンデンサ
120の電圧は第5図8に示すように徐々に高く
なる。コンデンサ120の電圧が時間W後の時刻
t6に第1の弁別レベルを超えると、演算増幅器
126の出力はハイレベルとなる。したがつてト
ランジスタ135が導通し、リレーコイル138
が第5図9に示すように励磁される。したがつて
リレースイツチ139,140が遮断され、応動
装置9が動作する。
次いで第1図に示す地点Pでライン32が切断
された場合を想定する。この場合には、交流電源
199からライン31を介して負荷198に流れ
る電流は、負荷198からライン32、端子N、
ダイオード27、スタート回路3のライン39、
ライン39およびライン34間に接続される負
荷、ライン34、ダイオード30、抵抗22、端
子PEならびにライン200を介して交流電源1
99に戻る。したがつて可飽和リアクトル41に
おいてはライン31,32に流れる電流が平衡し
ているので可飽和リアクトル41からは応動回路
9を動作させることができない。
電源回路2は、交流電源199からライン3
1,200を介する端子L,PE間の交流電力を
直流電力に変換する。したがつて電流検出装置1
は、電力付勢されている。抵抗152には、演算
増幅器151の反転入力の電圧が演算増幅器15
1の非反転入力の電圧と等しくなるように、わず
かなたとえば100μAの電流が流れる。演算増幅器
151は、このわずかな電流を増幅して前波整流
回路155に与える。全波整流回路155および
時延回路149の動作は、第2図7、第2図8、
第3図7〜第3図10、第4図7〜第4図9およ
び第5図6〜第5図8で説明した動作と同様であ
る。したがつて演算増幅器176の出力がハイレ
ベルとなつてトランジスタ135が導通し、リレ
ーコイル138が励磁される。したがつてリレー
スイツチ139,140が遮断し、応動回路9が
動作する。また電流検出装置1に高電圧が印加さ
れた場合などにおいても電圧検出回路10によつ
て応動回路9を動作させることがきる。
第6図は、本発明の他の実施例の回路図であ
り、第1図の実施例と対応する部分には同一の参
照符を付す。電流検出装置301のスタート回路
302において、ライン33,34間には、ツエ
ナダイオード303、抵抗304およびツエナダ
イオード305から成る直列回路ならびに抵抗3
06,307から成る直列回路がそれぞれ接続さ
れる。ライン39,34間には、抵抗308およ
びツエナダイオード309から成る直列回路が接
続される。ツエナダイオード305のカソード
は、演算増幅器310の非反転入力に接続され
る。抵抗306と抵抗307との接続点は、演算
増幅器310の反転入力に接続される。抵抗30
6には、トランジスタ311および抵抗312か
ら成る直列回路が並列に接続される。トランジス
タ311のベースは、抵抗313を介してライン
33に接続されるとともに、抵抗314,315
を介してトランジスタ35のベースに接続され
る。抵抗314と抵抗315との接続点は、ダイ
オード316,317を順方向に介して演算増幅
器310の出力に接続される。ツエナダイオード
309のカソードは、演算増幅器318の非反転
入力に接続される。演算増幅器318の反転入力
は、演算増幅器318の出力に接続されるととも
に接地される。
磁気マルチバイブレータ回路319において、
抵抗40には抵抗320および可飽和リアクトル
41の飽和を検出するツエナダイオード321か
ら成る直列回路が並列に接続される。直流電圧+
Vcc、−Vcc間には、トランジスタ322および
抵抗323から成る直列回路が接続される。トラ
ンジスタ322のベースは、ツエナダイオード3
21のカソードに接続される。定電流源49は、
順方向なダイオード324およびスイツチング素
子としてのトランジスタ325を介して電流電圧
−Vccに接続される。定電流源50は、順方向な
ダイオード326を介してトランジスタ325の
コレクタに接続される。トランジスタ325のベ
ースは、トランジスタ322のコレクタに接続さ
れる。
レベル弁別回路327の時延回路328におい
て、直流電源+V′cc,−Vcc間には、抵抗127
および複数(図示4つ)の順方向なダイオード3
29〜332から成る直列回路が接続される。ダ
イオード329のアノードは、演算増幅器126
の反転入力に接続される。ダイオード331のカ
ソードは、トランジスタ130のコレクタに接続
される。ダイオード329〜322の順方向電圧
は、第1の弁別レベルを定める。またダイオード
329〜331の順方向電圧は、第2の弁別レベ
ルを定める。演算増幅器126の出力および直流
電圧−Vcc間には、抵抗333、順方向なダイオ
ード334および抵抗335から成る直列回路が
接続される。ダイオード334のカソードは、ト
ランジスタ130のベースに接続される。
電圧検出回路336の時延回路337におい
て、接地および直流電圧−Vcc間には、抵抗18
0および複数(図示4つ)の順方向なダイオード
338〜341から成る直列回路が接続される。
ダイオード338のアノードは、演算増幅器17
6の反転入力に接続される。ダイオード340の
カソードは、トランジスタ177のコレクタに接
続される。ダイオード338〜341の順方向電
圧は、第1の弁別レベルを定める。またダイオー
ド338〜340の順方向電圧は、第2の弁別レ
ベルを定める。演算増幅器176の出力および直
流電圧−Vcc間には、抵抗342、順方向なダイ
オード343および抵抗344から成る直列回路
が接続される。ダイオード343のカソードは、
トランジスタ177のベースに接続される。
トリツプリレー134のリレースイツチ13
9,140を導通させると交流電源199からの
交流電力は、電源回路2に投入される。スタート
回路302において、交流電力の投入時にはトラ
ンジスタ35,311は遮断している。したがつ
てライン33,34間の直流電圧が急峻に上昇す
る。ライン33,34の直流電圧+V′cc,−Vcc
は、演算増幅器310、応動回路9およびレベル
弁別回路8に印加される。ツエナダイオード30
3は、コンデンサ24が異常な高電圧になるのを
防止する。
抵抗306,307,312の抵抗値は、たと
えば50KΩに等しく設定される。ライン33,3
4間の電圧がツエナダイオード305のツエナ電
圧を超えると、ツエナダイオード305が導通
し、演算増幅器301の出力はハイレベルからロ
ーレベルとなる。演算増幅器310の出力がロー
レベルになると、トランジスタ35,311は導
通する。したがつてライン39,34から直流電
圧+Vcc,−Vccが急峻に導出される。またトラ
ンジスタ311が導通するので、抵抗306に抵
抗312が並列に接続されたことになる。したが
つて抵抗306,307,311に分圧されて演
算増幅器310の反転入力に与えられる基準電圧
が上昇する。したがつて演算増幅器310の出力
がローレベルからハイレベルにはなりにくくな
る。スタート回路302は、ライン33,34間
の電圧EIで直流電力を出力し、電圧EI未満のラ
イン33,34間の電圧E2(E1>E2)で直
流電力を遮断する。したがつて、交流電源201
の電圧変動の発生あるいは交流電力の遮断後にお
いても、電流検出装置301は能動化される。
磁気マルチバイブレータ回路319において、
抵抗40の電圧が低いときには、ツエナダイオー
ド321が遮断している。したがつてトランジス
タ322,325は遮断している。定電流源49
からの電流は、ダイオード53あるいはダイオー
ド5を介して流れ、ダイオード324には流れな
い。また定電流源50からの電流は、ダイオード
55あるいはダイオード56を介して流れ、ダイ
オード326には流れない。可飽和リアクトル4
1が飽和して、抵抗40の電圧が高くなつて、抵
抗40の電圧がツエナダイオード321のツエナ
電圧を超えると、ツエナダイオード324が導通
する。
ツエナダイオード324が導通すると、トラン
ジスタ322が導通しトランジスタ325も導通
する。定電流源49,50からの電流は、ダイオ
ード53,54およびダイオード55,56を介
して流れずに、ダイオード324,326を介し
てトランジスタ325に全て流れる。したがつて
いずれか一方が導通していたトランジスタ46,
47の両方とも遮断する。したがつてトランジス
タ46,47の電圧のピーク値をそれぞれ等しく
することができる。
第7図は、本発明の他の実施例の磁気マルチバ
イブレータ回路346を示す回路図であり、第1
図および第6図の実施例と対応する部分には同一
の参照符を付す。この磁気マルチバイブレータ回
路346は、磁気マルチバイブレータ回路4,3
19に代えて電流検出装置1または電流検出装置
301に用いられる。各トランジスタ46,47
のエミツタおよび電流電圧−Vcc間には、スイツ
チング素子としてのトランジスタ347が接続さ
れる。直流電圧+Vcc,−Vcc間には、抵抗34
8およびトランジスタ349から成る直列回路が
接続される。トランジスタ322のコレクタは、
抵抗350を介してトランジスタ349のベース
に接続される。
磁気マルチバイブレータ回路346において、
抵抗40の電圧が低いときには、ツエナダイオー
ド321は遮断している。したがつてトランジス
タ322,349が遮断し、トランジスタ347
は導通する。定電流源49からの電流は、ダイオ
ード53あるいはダイオード54を介して流れ、
また定電流源50からの電流は、ダイオード56
を介して流れ、トランジスタ46,47のいずれ
か一方が導通する。抵抗40の電圧が高くなつ
て、抵抗40の電圧がツエナダイオード321の
ツエナ電圧を超えると、ツエナダイオード324
が導通する。
ツエナダイオード321が導通すると、トラン
ジスタ322,349が導通してトランジスタ3
47は遮断する。したがつていずれか一方が導通
していたトランジスタ46,47の両方とも遮断
する。したがつてトランジスタ46,47の電圧
のピーク値をそれぞれ等しくすることができる。
以上のように本発明によれば、レベル弁別回路
において、コンデンサの充電電圧が予め定める第
1の弁別レベルを超えたときに応動回路を動作さ
せるとともに、第1の弁別レベル未満の第2の弁
別レベルでレベル弁別するようにしたので、被検
出電流が歪波交流である場合においても被検出電
流を検出し、応動回路を確実に動作させることが
できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の回路図、第2図〜
第5図はその動作を説明するための図、第6図は
本発明の他の実施例の回路図、第7図は本発明の
他の実施例の磁気マルチバイブレータ回路346
を示す回路図である。 1,301……電流検出装置、4,319,3
46……磁気マルチバイブレータ回路、5,6…
…デユーテイ検出回路、7……差動増幅回路、
8,327……レベル弁別回路、9……応動回
路、31,32……ライン、40,127……抵
抗、41……可飽和リアクトル、44……2次コ
イル、45……3次コイル、97……カレントミ
ラー回路、126……演算増幅器、128,32
9〜332……ダイオード、130……トランジ
スタ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 検出されるべき被検出電流の流れるラインに
    関連して設けられるとともに被検出電流を検出す
    るための2次および3次コイルを有する可飽和リ
    アクトル、2次および3次コイルに流れる電流を
    検出するための抵抗、ならびに被検出電流に応じ
    て予め定める周期のデユーテイを変えて発振する
    マルチバイブレータ回路により磁気マルチバイブ
    レータ回路を形成し、前記磁気マルチバイブレー
    タ回路における互いにデユーテイが逆の一対の発
    振波形のデユーテイをそれぞれ検出するための一
    対のデユーテイ検出回路、各デユーテイに対応し
    た出力の相互の差に相当する前記被検出電流に対
    応した電流を充電するためのコンデンサ、および
    コンデンサに充電された電流を一定程度放電し、
    応動回路を動作させるまでの時間を定める手段を
    有し、前記コンデンサの電圧をレベル弁別して、
    各デユーテイ検出回路からのデユーテイに対応し
    た出力の相互の差をレベル弁別して弁別レベルを
    超えたときに応動回路を動作させるレベル弁別回
    路を備える電流検出装置において、 前記レベル弁別回路は、前記コンデンサの充電
    電圧が予め定める第1の弁別レベルを超えたとき
    に、応動回路を動作させるとともに、第1の弁別
    レベル未満の第2の弁別レベルでレベル弁別する
    ことを特徴とする電流検出装置。
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