JPH04230898A - イオン化剥離による除染方法および装置 - Google Patents
イオン化剥離による除染方法および装置Info
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- JPH04230898A JPH04230898A JP9598391A JP9598391A JPH04230898A JP H04230898 A JPH04230898 A JP H04230898A JP 9598391 A JP9598391 A JP 9598391A JP 9598391 A JP9598391 A JP 9598391A JP H04230898 A JPH04230898 A JP H04230898A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21F—PROTECTION AGAINST X-RADIATION, GAMMA RADIATION, CORPUSCULAR RADIATION OR PARTICLE BOMBARDMENT; TREATING RADIOACTIVELY CONTAMINATED MATERIAL; DECONTAMINATION ARRANGEMENTS THEREFOR
- G21F9/00—Treating radioactively contaminated material; Decontamination arrangements therefor
- G21F9/001—Decontamination of contaminated objects, apparatus, clothes, food; Preventing contamination thereof
- G21F9/005—Decontamination of the surface of objects by ablation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
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- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
- C23G5/00—Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は除染方法およびその装置
に関する。本発明は特に放射性材料によって汚染された
物体の除染に関する。
に関する。本発明は特に放射性材料によって汚染された
物体の除染に関する。
【０００２】前記の如き物体の除染技術は周知である。
周知の技術は物体の機械的摩擦または電解によって行わ
れる。この周知の技術は次の如き欠点を有している：−
この技術は廃液を使用する必要がある、−汚染物はこの
廃液の中にあり、またはこの技術を実施する時に使用さ
れるガスによって希釈される、−この技術は汚染物によ
って限定される、−この技術は汚染物を担持する表面の
性質によって左右される。
れる。この周知の技術は次の如き欠点を有している：−
この技術は廃液を使用する必要がある、−汚染物はこの
廃液の中にあり、またはこの技術を実施する時に使用さ
れるガスによって希釈される、−この技術は汚染物によ
って限定される、−この技術は汚染物を担持する表面の
性質によって左右される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は前記の
如き欠点を排除することである。
如き欠点を排除することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明においては汚染された物体を除染するための
陰極微粉砕技術と、汚染材料を捕集するための基体、ま
たは捕集装置とが使用される。さらに詳述すれば、本発
明は先ず表面が汚染材料によって汚染された物体の除染
方法にして、前記表面の少なくとも一部分を囲いによっ
て覆い、標的としたこの部分を陰極微粉砕によって剥離
し、かつこのようにして除去した汚染材料を、前記囲い
内に設けられた基体の上に捕集する方法に関する。
に、本発明においては汚染された物体を除染するための
陰極微粉砕技術と、汚染材料を捕集するための基体、ま
たは捕集装置とが使用される。さらに詳述すれば、本発
明は先ず表面が汚染材料によって汚染された物体の除染
方法にして、前記表面の少なくとも一部分を囲いによっ
て覆い、標的としたこの部分を陰極微粉砕によって剥離
し、かつこのようにして除去した汚染材料を、前記囲い
内に設けられた基体の上に捕集する方法に関する。
【０００５】本発明によれば次のような利点が得られる
： −本発明においてはあらゆる型の汚染集積物、およびこ
のような集積物を担持するあらゆる型の表面に使用し得
る陰極微粉砕なる物理現象が使用される、−本発明にお
いては汚染材料の移動はガスの部分圧下において、原子
的に直線状に行われ、したがって廃液は全く関与しない
。
： −本発明においてはあらゆる型の汚染集積物、およびこ
のような集積物を担持するあらゆる型の表面に使用し得
る陰極微粉砕なる物理現象が使用される、−本発明にお
いては汚染材料の移動はガスの部分圧下において、原子
的に直線状に行われ、したがって廃液は全く関与しない
。
【０００６】前記物体は少なくとも表面的に導電性を有
するものとなすことができる。この場合は本発明の１実
施例により、標的はアースに対して負の、絶対値を有す
る高い直流電位を受けるようにされる。前記物体は反対
に電気的に絶縁されたものとなすことができる。この場
合は本発明の別の実施例により、基体が導電性を有する
ようにし、この基体に最大値と、大きな周波数（例えば
１０ＭＨｚの）とを有する交流電位を加える。この場合
は基体はアンテナの働きをする。
するものとなすことができる。この場合は本発明の１実
施例により、標的はアースに対して負の、絶対値を有す
る高い直流電位を受けるようにされる。前記物体は反対
に電気的に絶縁されたものとなすことができる。この場
合は本発明の別の実施例により、基体が導電性を有する
ようにし、この基体に最大値と、大きな周波数（例えば
１０ＭＨｚの）とを有する交流電位を加える。この場合
は基体はアンテナの働きをする。
【０００７】本発明の別の実施例においては、基体を物
体に対して移動せしめ、汚染された表面の多くの部分が
次々に剥離されるようにする。なお陰極微粉砕法を使用
することによって得られる利点は、表面と残留汚染材料
とを剥離した後、例えばクロームの如き材料の薄い層を
沈着せしめ、この残留汚染材料を閉込め、したがって生
物学的保護を行い得ることである。さらに詳述すれば、
剥離された面を保護層によって被覆して、残留材料を閉
込めることによって剥離を完了することができ、この時
前記被覆は保護層を構成する材料よりなる標的の陰極微
粉砕によって得られる。
体に対して移動せしめ、汚染された表面の多くの部分が
次々に剥離されるようにする。なお陰極微粉砕法を使用
することによって得られる利点は、表面と残留汚染材料
とを剥離した後、例えばクロームの如き材料の薄い層を
沈着せしめ、この残留汚染材料を閉込め、したがって生
物学的保護を行い得ることである。さらに詳述すれば、
剥離された面を保護層によって被覆して、残留材料を閉
込めることによって剥離を完了することができ、この時
前記被覆は保護層を構成する材料よりなる標的の陰極微
粉砕によって得られる。
【０００８】本発明はなお少なくとも表面的に導電性を
有し、かつ表面が汚染材料によって汚染されている物体
の除染装置にして、標的とされた表面を剥離するための
陰極微粉砕装置を有し、この陰極微粉砕装置が次の装置
よりなる除染装置に関する： −除染すべき表面の少なくとも一部分を被覆する囲い、
−陰極微粉砕によって除去された汚染材料を捕集する基
体にして、前記囲い内に位置し、かつ前記部分より大き
な、またはこれに等しい捕集面を有する基体、−標的に
、アースに対して負の、絶対値を有する高い直流電位を
加える分極装置、 −囲いを負圧状態に置くポンプ装置、 −囲いにプラズマ発生ガスを供給する装置。
有し、かつ表面が汚染材料によって汚染されている物体
の除染装置にして、標的とされた表面を剥離するための
陰極微粉砕装置を有し、この陰極微粉砕装置が次の装置
よりなる除染装置に関する： −除染すべき表面の少なくとも一部分を被覆する囲い、
−陰極微粉砕によって除去された汚染材料を捕集する基
体にして、前記囲い内に位置し、かつ前記部分より大き
な、またはこれに等しい捕集面を有する基体、−標的に
、アースに対して負の、絶対値を有する高い直流電位を
加える分極装置、 −囲いを負圧状態に置くポンプ装置、 −囲いにプラズマ発生ガスを供給する装置。
【０００９】囲いは除染すべき表面の全体を受入れるよ
うになすことができ、この場合は基体の除染表面は前記
除染すべき表面より大となるように、またはこれと等し
くなるようにされる。この場合、囲いが導電材料によっ
て形成される時には、基体として囲い自体、正確にはこ
の囲いの内壁を使用することができる。これによって囲
い内に置かれた多数の部材の除染を行うことができ、該
囲いは各部材の汚染材料を受入れるようになる。
うになすことができ、この場合は基体の除染表面は前記
除染すべき表面より大となるように、またはこれと等し
くなるようにされる。この場合、囲いが導電材料によっ
て形成される時には、基体として囲い自体、正確にはこ
の囲いの内壁を使用することができる。これによって囲
い内に置かれた多数の部材の除染を行うことができ、該
囲いは各部材の汚染材料を受入れるようになる。
【００１０】逆に囲いは除染すべき表面上に置き、した
がって該表面の一部分を覆い、このように被覆した部分
の除染が行われるようになすことができる。この場合は
本発明の装置は、さらに物体に対して囲いおよび基体を
相対的に移動させる装置を有するものとし、汚染された
表面の多くの部分を次々に剥離するようになすことがで
きる。このように囲いに対して寸法の非常に大きな平ら
な構造物の除染を行うことができる。標的として除染を
行うべき表面は接地することが望ましく、基体には囲い
に類似した形が与えられ、かつ基体には、正の高い直流
電位が与えられる。基体は支持体、またこの支持体を受
入れる導電性の、薄いフィルムと考えることができる。 したがって本発明によれば除去した汚染材料を、形の簡
単なかつ表面の小さな保護スクリーンを形成する薄いフ
ィルムの上に集めて、これに定着せしめ得るようにし、
これによって除去された汚染材料の後処理を簡単になし
得ることが分る。前述の周知の技術によっては除去した
汚染材料を定着することはできない。
がって該表面の一部分を覆い、このように被覆した部分
の除染が行われるようになすことができる。この場合は
本発明の装置は、さらに物体に対して囲いおよび基体を
相対的に移動させる装置を有するものとし、汚染された
表面の多くの部分を次々に剥離するようになすことがで
きる。このように囲いに対して寸法の非常に大きな平ら
な構造物の除染を行うことができる。標的として除染を
行うべき表面は接地することが望ましく、基体には囲い
に類似した形が与えられ、かつ基体には、正の高い直流
電位が与えられる。基体は支持体、またこの支持体を受
入れる導電性の、薄いフィルムと考えることができる。 したがって本発明によれば除去した汚染材料を、形の簡
単なかつ表面の小さな保護スクリーンを形成する薄いフ
ィルムの上に集めて、これに定着せしめ得るようにし、
これによって除去された汚染材料の後処理を簡単になし
得ることが分る。前述の周知の技術によっては除去した
汚染材料を定着することはできない。
【００１１】本発明によれば平らな表面だけでなく、全
体が平らでない表面、例えば溶接ビードを含む機械部品
の除染も、平らでない型部材の除染も行うことができる
。基体は囲いの形に適合せしめ、かつ囲いに近接せしめ
られ、すなわち囲いの壁に近接する壁を有するものとさ
れ、除染を行う時に該囲いの壁が汚染されるのを阻止し
得るようになされる。
体が平らでない表面、例えば溶接ビードを含む機械部品
の除染も、平らでない型部材の除染も行うことができる
。基体は囲いの形に適合せしめ、かつ囲いに近接せしめ
られ、すなわち囲いの壁に近接する壁を有するものとさ
れ、除染を行う時に該囲いの壁が汚染されるのを阻止し
得るようになされる。
【００１２】本発明はなお、電気的に絶縁されかつ表面
が汚染材料によって汚染されている物体の除染装置にし
て、標的とされた表面を剥離するための陰極微粉砕装置
を有し、この陰極微粉砕装置が次の如き装置よりなって
いる除染装置に関する： −除染すべき表面を覆う囲い、 −導電性を有し、陰極微粉砕によって除去された汚染材
料を捕集する基体にして、前記囲い内に位置し、かつ除
染すべき表面より大なる、またはこれと等しい捕集面を
有する基体、 −基体に最大値および大きな周波数を有する交流電位を
加える装置、 −囲いを負圧状態に置くポンプ装置、 −囲いにプラズマ発生ガスを供給する装置。
が汚染材料によって汚染されている物体の除染装置にし
て、標的とされた表面を剥離するための陰極微粉砕装置
を有し、この陰極微粉砕装置が次の如き装置よりなって
いる除染装置に関する： −除染すべき表面を覆う囲い、 −導電性を有し、陰極微粉砕によって除去された汚染材
料を捕集する基体にして、前記囲い内に位置し、かつ除
染すべき表面より大なる、またはこれと等しい捕集面を
有する基体、 −基体に最大値および大きな周波数を有する交流電位を
加える装置、 −囲いを負圧状態に置くポンプ装置、 −囲いにプラズマ発生ガスを供給する装置。
【００１３】本発明による装置はなお、陰極微粉砕を行
う時に基体と、除染すべき表面との間の空間に発生した
電界に対して垂直な磁界を発生せしめ、かつ前記空間内
のイオン密度を増加させると共に、微粉砕の速度を増加
させる装置を含むものとなすことができる。磁界を発生
させる装置が交互に並進運動を行うようにすれば、表面
の除染が均質化される。
う時に基体と、除染すべき表面との間の空間に発生した
電界に対して垂直な磁界を発生せしめ、かつ前記空間内
のイオン密度を増加させると共に、微粉砕の速度を増加
させる装置を含むものとなすことができる。磁界を発生
させる装置が交互に並進運動を行うようにすれば、表面
の除染が均質化される。
【００１４】
【実施例】本発明は次に添付図面によって説明する実施
例によってさらに明らかとなる。図１に線図的に示され
た本発明による装置は金属部材２の汚染を除去するため
のもので、該金属部材の表面４は平らであり、汚染材料
５、例えば放射性材料によって汚染されている。この装
置によれば、例えば接地された表面４の陰極微粉砕を行
うことができる。言うまでもなく、この装置は、表面が
汚染の怖れあり、かつ接地された導電層によって被覆さ
れている電気絶縁体の除染を行う時にも使用することが
できる。図１に線図的に示された装置は鐘の形をなした
囲い６を有し、該囲いは例えばガラスの如き電気絶縁材
料、または例えば鋼あるいはアルミニウムの如き導電材
料によって形成することができる。この後者の場合は囲
い６は接地される（図１の場合）。
例によってさらに明らかとなる。図１に線図的に示され
た本発明による装置は金属部材２の汚染を除去するため
のもので、該金属部材の表面４は平らであり、汚染材料
５、例えば放射性材料によって汚染されている。この装
置によれば、例えば接地された表面４の陰極微粉砕を行
うことができる。言うまでもなく、この装置は、表面が
汚染の怖れあり、かつ接地された導電層によって被覆さ
れている電気絶縁体の除染を行う時にも使用することが
できる。図１に線図的に示された装置は鐘の形をなした
囲い６を有し、該囲いは例えばガラスの如き電気絶縁材
料、または例えば鋼あるいはアルミニウムの如き導電材
料によって形成することができる。この後者の場合は囲
い６は接地される（図１の場合）。
【００１５】本装置はなお囲い６の内部を真空にするた
めのポンプ装置８を有している。この真空は目的（微粉
砕の速度、剥離すべき製品の軽重、この製品の蒸気圧）
に従って一次的なもの、または二次的なものとされる。 一次的な真空を得んとする場合には、ポンプ装置はベー
ン ポンプとなすことができる。ある種の形態におい
てはベーン ポンプは例えばターボ モレキュール
ポンプとされる。
めのポンプ装置８を有している。この真空は目的（微粉
砕の速度、剥離すべき製品の軽重、この製品の蒸気圧）
に従って一次的なもの、または二次的なものとされる。 一次的な真空を得んとする場合には、ポンプ装置はベー
ン ポンプとなすことができる。ある種の形態におい
てはベーン ポンプは例えばターボ モレキュール
ポンプとされる。
【００１６】この装置はなお囲い６の中にプラズマ発生
ガス、例えばアルゴンを１Ｐａ程度の低圧で導入するた
めの装置１０を有している。この装置はさらに導電性の
基体１２、例えば非酸化性の鋼よりなる基体を有してい
る。囲い６の中に置かれるこの基体は汚染材料を捕集す
ると共に、電極の働きをする。この基体は囲い６の形に
ほぼ適合し、かつその壁は囲いの壁に近接している。す
なわち３０ｃｍ程度の直径を有する囲いに対し、この基
体は数ｃｍ、例えば２−３ｃｍの間隔を有している。
ガス、例えばアルゴンを１Ｐａ程度の低圧で導入するた
めの装置１０を有している。この装置はさらに導電性の
基体１２、例えば非酸化性の鋼よりなる基体を有してい
る。囲い６の中に置かれるこの基体は汚染材料を捕集す
ると共に、電極の働きをする。この基体は囲い６の形に
ほぼ適合し、かつその壁は囲いの壁に近接している。す
なわち３０ｃｍ程度の直径を有する囲いに対し、この基
体は数ｃｍ、例えば２−３ｃｍの間隔を有している。
【００１７】本装置はさらに基体１２を高い正の直流電
位に保持するための装置１４を有している。基体１２は
もちろん表面４とは接触しない。囲い６は例えば環状パ
ッキンの如き密封装置１６を介して表面４に触坐し、該
パッキンによって囲い６内の真空が保持される。装置１
４は電線２２によって基体１２に接続され、この時該電
線は適当な装置（図示せず）によって基体１２に固定さ
れ、かつ気密通路２４によって囲い６の頂部を通り、囲
いは導電体であるが、この通路は電気的に絶縁されてい
る。電線２２は前記気密通路内に固定され、かつ基体１
２を支持している。
位に保持するための装置１４を有している。基体１２は
もちろん表面４とは接触しない。囲い６は例えば環状パ
ッキンの如き密封装置１６を介して表面４に触坐し、該
パッキンによって囲い６内の真空が保持される。装置１
４は電線２２によって基体１２に接続され、この時該電
線は適当な装置（図示せず）によって基体１２に固定さ
れ、かつ気密通路２４によって囲い６の頂部を通り、囲
いは導電体であるが、この通路は電気的に絶縁されてい
る。電線２２は前記気密通路内に固定され、かつ基体１
２を支持している。
【００１８】図１に線図的に示された装置の使用状態を
次に説明する。基体１２は囲い６によって被覆され、か
つこの場合標的として働く表面４の部分に対して、高い
正電位を有するようにされる。したがってこの基体と標
的（接地された）との間には電界が生じる。プラズマ発
生ガスを導入すれば、基体と標的との間にプラズマが発
生する。この標的はプラズマから発生する正イオンの衝
撃を受ける。これらイオンは標的に衝突すれば、そのエ
ネルギーを標的の表面の原子に伝達し、該原子は放出さ
れて基体１２の内壁に沈着する。
次に説明する。基体１２は囲い６によって被覆され、か
つこの場合標的として働く表面４の部分に対して、高い
正電位を有するようにされる。したがってこの基体と標
的（接地された）との間には電界が生じる。プラズマ発
生ガスを導入すれば、基体と標的との間にプラズマが発
生する。この標的はプラズマから発生する正イオンの衝
撃を受ける。これらイオンは標的に衝突すれば、そのエ
ネルギーを標的の表面の原子に伝達し、該原子は放出さ
れて基体１２の内壁に沈着する。
【００１９】表面４の異なる部分の汚染を次々に除去す
るには、図１に示された装置を移動せしめ、表面４の前
記部分の次の部分の上に置く。このようにすることは部
材２の寸法が大であり、これを動かし得ないような場合
に有利である。装置を移動するためには、囲い６を支持
する普通の遠隔操作腕２８を使用する。
るには、図１に示された装置を移動せしめ、表面４の前
記部分の次の部分の上に置く。このようにすることは部
材２の寸法が大であり、これを動かし得ないような場合
に有利である。装置を移動するためには、囲い６を支持
する普通の遠隔操作腕２８を使用する。
【００２０】前記の場合とは異なり、部材２が移動し得
る時には装置を固定し、かつ部材２を装置の前に展延し
、表面の異なる部分の汚染が次々に除去されるようにす
る。表面４の一部分の汚染が除去された後、囲い６内の
真空を中断し、除染すべき部材に対して装置を移動し、
またはこの部材を装置に対して移動し、該装置が次の部
分の上にくるようにし、かつ囲い６の中を再び真空にす
る。
る時には装置を固定し、かつ部材２を装置の前に展延し
、表面の異なる部分の汚染が次々に除去されるようにす
る。表面４の一部分の汚染が除去された後、囲い６内の
真空を中断し、除染すべき部材に対して装置を移動し、
またはこの部材を装置に対して移動し、該装置が次の部
分の上にくるようにし、かつ囲い６の中を再び真空にす
る。
【００２１】本発明による別の装置は図２に線図的に示
されている。この装置は、表面が例えば放射性材料によ
って汚染された金属部材２の汚染を除去するためのもの
である。部材は平面３０の上に置かれる。この平面が導
電性を有するものであれば接地され、かつ部材２は絶縁
支持体３１を介してこの面３０の上に載置される。図２
の装置は、接地されかつ除染すべき部材２を被覆する囲
い、ポンプ装置８およびガス導入装置１０を有している
。この装置はなお導電基体１２を有し、該基体は図２の
場合は囲い６のような形ではなく平らな形を呈し、部材
２の近くに置かれ、かつ図２の装置の場合は接地された
電線２２によって吊架されている。除染はこの場合も陰
極微粉砕によって行われ、部材２は適当な装置３２によ
って、負の絶対値を有する高い直流電位に保持され、装
置３２は電線３３によって部材２に接続され、該電線は
密封された絶縁体の通路３４を通って囲い６を横切る。 図２に示された基体１２は場合によっては、除染を行う
前に導電性の保護フィルム２６によって覆い、除染が終
了した後このフィルムによって汚染材料を閉込め得るよ
うにされる。
されている。この装置は、表面が例えば放射性材料によ
って汚染された金属部材２の汚染を除去するためのもの
である。部材は平面３０の上に置かれる。この平面が導
電性を有するものであれば接地され、かつ部材２は絶縁
支持体３１を介してこの面３０の上に載置される。図２
の装置は、接地されかつ除染すべき部材２を被覆する囲
い、ポンプ装置８およびガス導入装置１０を有している
。この装置はなお導電基体１２を有し、該基体は図２の
場合は囲い６のような形ではなく平らな形を呈し、部材
２の近くに置かれ、かつ図２の装置の場合は接地された
電線２２によって吊架されている。除染はこの場合も陰
極微粉砕によって行われ、部材２は適当な装置３２によ
って、負の絶対値を有する高い直流電位に保持され、装
置３２は電線３３によって部材２に接続され、該電線は
密封された絶縁体の通路３４を通って囲い６を横切る。 図２に示された基体１２は場合によっては、除染を行う
前に導電性の保護フィルム２６によって覆い、除染が終
了した後このフィルムによって汚染材料を閉込め得るよ
うにされる。
【００２２】図２に示された一つの変型においては、基
体１２は電気的に絶縁され、かつ部材２はアースに対し
て負の絶対値を有する高い直流電位に保持されて、除染
が行われる。ガス状原子のイオン化可能性を高め、した
がって標的（部材２）の表面における材料の剥離速度を
増加させるために、図２に示される如く表面３０の下お
よび標的のレベルに位置する装置３５が使用され、この
装置は該標的および基体を含む空間に形成される電界に
対して直角な磁界を発生させる。装置３５としては例え
ば、棒磁石組立体を使用することができ、この組立体は
閉鎖回路を形成する摩耗区域を誘導するに適当な配置に
したがって位置決めされる。この摩耗区域を部材２の表
面全体に亙って均一にするために装置３６が設けられ、
前記装置３５、したがって交互並進運動の磁界が付勢さ
れるようにする。このためにはもちろん表面３０を構成
する材料が磁気スクリーンを形成しないものと仮定する
。
体１２は電気的に絶縁され、かつ部材２はアースに対し
て負の絶対値を有する高い直流電位に保持されて、除染
が行われる。ガス状原子のイオン化可能性を高め、した
がって標的（部材２）の表面における材料の剥離速度を
増加させるために、図２に示される如く表面３０の下お
よび標的のレベルに位置する装置３５が使用され、この
装置は該標的および基体を含む空間に形成される電界に
対して直角な磁界を発生させる。装置３５としては例え
ば、棒磁石組立体を使用することができ、この組立体は
閉鎖回路を形成する摩耗区域を誘導するに適当な配置に
したがって位置決めされる。この摩耗区域を部材２の表
面全体に亙って均一にするために装置３６が設けられ、
前記装置３５、したがって交互並進運動の磁界が付勢さ
れるようにする。このためにはもちろん表面３０を構成
する材料が磁気スクリーンを形成しないものと仮定する
。
【００２３】図１の場合においても装置３５を使用する
ことは可能である。この時は装置３５は部材２の後方に
置かれる（囲い６がこの部材２の前にあるものと考えて
）。部材２を構成する材料は磁気スクリーンを形成しな
いものと仮定する。除染すべき表面の摩耗区域を均一に
するために移動装置３６に装置３５を装架することがで
きる。
ことは可能である。この時は装置３５は部材２の後方に
置かれる（囲い６がこの部材２の前にあるものと考えて
）。部材２を構成する材料は磁気スクリーンを形成しな
いものと仮定する。除染すべき表面の摩耗区域を均一に
するために移動装置３６に装置３５を装架することがで
きる。
【００２４】図１の装置を移動させる場合には装置３５
をも移動せしめ、該装置が常に囲い６の下にあるように
する方が良い。これは例えば装置３５を（または装置３
６を使用する場合は装置３６および装置３５を）移動装
置３７の上に装架し、かつ制御装置（図示せず）を使用
し、移動装置３７の付勢により、囲い６が遠隔操作腕２
８によって移動せしめられる時に、装置３５および囲い
６の相対的位置が維持されるようになすことによって行
われる。
をも移動せしめ、該装置が常に囲い６の下にあるように
する方が良い。これは例えば装置３５を（または装置３
６を使用する場合は装置３６および装置３５を）移動装
置３７の上に装架し、かつ制御装置（図示せず）を使用
し、移動装置３７の付勢により、囲い６が遠隔操作腕２
８によって移動せしめられる時に、装置３５および囲い
６の相対的位置が維持されるようになすことによって行
われる。
【００２５】図１の装置の場合は、充分に強力なポンプ
装置８を配置すれば、装置１６は密封度の低いもので済
み、かつ漏洩率のほぼ一定な動的真空を維持すれば良く
、これによって除染プロセスを停止することなく、表面
４に対して装置を移動させることができる。なお充分に
強力なポンプ装置８を使用すれば、図１に線図的に示さ
れた装置により、例えば溶接ビードを有する部材２は、
密封装置１６が溶接ビード上にきた時にも動的真空が維
持されるからその除染が可能である。
装置８を配置すれば、装置１６は密封度の低いもので済
み、かつ漏洩率のほぼ一定な動的真空を維持すれば良く
、これによって除染プロセスを停止することなく、表面
４に対して装置を移動させることができる。なお充分に
強力なポンプ装置８を使用すれば、図１に線図的に示さ
れた装置により、例えば溶接ビードを有する部材２は、
密封装置１６が溶接ビード上にきた時にも動的真空が維
持されるからその除染が可能である。
【００２６】図１に線図的に示された装置はなお、除染
すべき表面４が平面的でなく、例えば湾曲し、または“
凹凸を有している”部材（型部材の場合）に対しても使
用することができる。図３に示される如くこの場合は気
密装置１６として、囲い６の下方部分を画界し、かつ該
囲い６を除染すべき表面４に連結する可撓性のスカート
を使用し、このスカートによって動的真空が維持される
ようにする（充分な出力を有するポンプ装置を使用して
）。１例であるが図１の場合は、基体はこれを６０ｍＡ
程度の電流で付勢して、標的に対して＋２０００Ｖ程度
の直流電位を有するようにし、囲いの中に５Ｐａ程度の
アルゴン圧力が発生せしめ、このようにして磁気に頼る
ことなく、０．０６ｎｍ／ｓ程度の除染速度および１／
１０００程度の除染率が得られるようにする。
すべき表面４が平面的でなく、例えば湾曲し、または“
凹凸を有している”部材（型部材の場合）に対しても使
用することができる。図３に示される如くこの場合は気
密装置１６として、囲い６の下方部分を画界し、かつ該
囲い６を除染すべき表面４に連結する可撓性のスカート
を使用し、このスカートによって動的真空が維持される
ようにする（充分な出力を有するポンプ装置を使用して
）。１例であるが図１の場合は、基体はこれを６０ｍＡ
程度の電流で付勢して、標的に対して＋２０００Ｖ程度
の直流電位を有するようにし、囲いの中に５Ｐａ程度の
アルゴン圧力が発生せしめ、このようにして磁気に頼る
ことなく、０．０６ｎｍ／ｓ程度の除染速度および１／
１０００程度の除染率が得られるようにする。
【００２７】同様に１例であるが図２の場合は、標的２
に対して１０Ｗ／ｃｍ２ 程度の電力を加え、囲い内に
５Ｐａ程度のアルゴン圧力が生じるようにし、この時磁
気の助けによって毎秒２マノメター程度の除染速度と、
１／１００００程度の除染率とが得られるようにされる
。
に対して１０Ｗ／ｃｍ２ 程度の電力を加え、囲い内に
５Ｐａ程度のアルゴン圧力が生じるようにし、この時磁
気の助けによって毎秒２マノメター程度の除染速度と、
１／１００００程度の除染率とが得られるようにされる
。
【００２８】図４に示された実施例においては、導電性
を有する囲い６は接地され、かつ基体の役を有している
。この囲いは絶縁支持体３１を介して表面３０に載置さ
れた、除染すべき部材２を被覆している。部材２は電線
３３を通して、分極装置３２によって負の絶対値を有す
る、高い直流電位に維持され、該電線は図４の場合は電
気的に絶縁された気密通路３４ａによって表面３０を通
る。ポンプ装置８およびガス供給装置１０は表面３０を
通って囲い６の内部と連通する。陰極微粉砕によって、
部材２の表面において剥離された汚染材料は囲い６の内
壁に沈着する。
を有する囲い６は接地され、かつ基体の役を有している
。この囲いは絶縁支持体３１を介して表面３０に載置さ
れた、除染すべき部材２を被覆している。部材２は電線
３３を通して、分極装置３２によって負の絶対値を有す
る、高い直流電位に維持され、該電線は図４の場合は電
気的に絶縁された気密通路３４ａによって表面３０を通
る。ポンプ装置８およびガス供給装置１０は表面３０を
通って囲い６の内部と連通する。陰極微粉砕によって、
部材２の表面において剥離された汚染材料は囲い６の内
壁に沈着する。
【００２９】図５に線図的に示された特別の実施例にお
いては、除染せんとする部材２ａは電気的に絶縁されて
いる。この部材も絶縁支持体３１によって、表面３０（
接地された）に載置されている。接地された囲い６は部
材２ａを覆い、かつ気密装置１６を介して表面３０に載
置されている。基体１２は図１の装置において使用され
たものと等しく、かつ囲い６の形に適合している。この
図５の装置にも、ポンプ装置およびプラズマ発生ガス供
給装置が設けられている。この装置においては基体１２
に例えば、１０ＭＨｚ程度の無線周波型の交流電位が加
えられ、この電位の最大値は例えば１０００Ｖ程度であ
る。前記電位は分極装置１４ａによって供給され、通路
２４を通りかつ基体１２を支持する電線２２によってこ
の基体に加えられる。この装置においても前述の磁気装
置３５および移動装置３６を使用することができる。
いては、除染せんとする部材２ａは電気的に絶縁されて
いる。この部材も絶縁支持体３１によって、表面３０（
接地された）に載置されている。接地された囲い６は部
材２ａを覆い、かつ気密装置１６を介して表面３０に載
置されている。基体１２は図１の装置において使用され
たものと等しく、かつ囲い６の形に適合している。この
図５の装置にも、ポンプ装置およびプラズマ発生ガス供
給装置が設けられている。この装置においては基体１２
に例えば、１０ＭＨｚ程度の無線周波型の交流電位が加
えられ、この電位の最大値は例えば１０００Ｖ程度であ
る。前記電位は分極装置１４ａによって供給され、通路
２４を通りかつ基体１２を支持する電線２２によってこ
の基体に加えられる。この装置においても前述の磁気装
置３５および移動装置３６を使用することができる。
【００３０】汚染された部材２（図６）の表面４は除染
された後、必要に応じこの表面を生物学的保護層３８に
よって被覆することができ、したがってこの保護層は再
びこの表面４上に生じ易い汚染材料を被覆する。この目
的を達成するには、前述のような装置を使用することが
できるが、この場合は前記基体１２の代わりに導電性を
有する円板１２ａを使用し、該円板には適当な装置４０
によって高い負の直流電位が加えられ、この装置は電線
２２によって円板に接続される。この場合、囲い６が導
電性を有している時には表面４も、囲い６も接地される
。なお陰極微粉砕が行われる時に標的の役をする円板１
２ａは、もし必要であれば層３８を構成する材料、例え
ばクロームによって形成することができる。前記材料は
円板１２ａから剥離され、かつ囲い６によって画界され
た表面４上の部分、即ち基体として働く部分に放出され
る。
された後、必要に応じこの表面を生物学的保護層３８に
よって被覆することができ、したがってこの保護層は再
びこの表面４上に生じ易い汚染材料を被覆する。この目
的を達成するには、前述のような装置を使用することが
できるが、この場合は前記基体１２の代わりに導電性を
有する円板１２ａを使用し、該円板には適当な装置４０
によって高い負の直流電位が加えられ、この装置は電線
２２によって円板に接続される。この場合、囲い６が導
電性を有している時には表面４も、囲い６も接地される
。なお陰極微粉砕が行われる時に標的の役をする円板１
２ａは、もし必要であれば層３８を構成する材料、例え
ばクロームによって形成することができる。前記材料は
円板１２ａから剥離され、かつ囲い６によって画界され
た表面４上の部分、即ち基体として働く部分に放出され
る。
【００３１】もし必要であれば、部材に対して装置を動
かし（または装置に対して部材を動かし）保護層の表面
４の相次ぐ異なる部分を覆うようにすることができる。 円板１２ａはこれを囲いから絶縁するために設けられた
絶縁カバー４４によって覆うことができる。表面４を保
護層によって適当に覆うためには、標的として働く円板
１２ａが、基体として働く表面４から２−３ｃｍ程度離
れるようになすことが望ましい。
かし（または装置に対して部材を動かし）保護層の表面
４の相次ぐ異なる部分を覆うようにすることができる。 円板１２ａはこれを囲いから絶縁するために設けられた
絶縁カバー４４によって覆うことができる。表面４を保
護層によって適当に覆うためには、標的として働く円板
１２ａが、基体として働く表面４から２−３ｃｍ程度離
れるようになすことが望ましい。
【図１】本発明による装置の１実施例の略線図。
【図２】本発明による装置の１変型の略線図。
【図３】本発明による装置の他の変型の略線図。
【図４】本発明による装置の他の変型の略線図。
【図５】本発明による装置の他の変型の略線図。
【図６】除染すべき表面を被覆する本発明による薄い保
護層の略線図。
護層の略線図。
２ 物体
４ 表面
６ 囲い
８ ポンプ装置
１０ ガス供給装置
１２ 基体
１４ 分極装置
１６ 気密装置
２６ 保護フィルム
２８ 操作腕
３２ 分極装置
３５ 磁気装置
３８ 保護層
Claims (18)
- 【請求項１】 表面が汚染材料によって汚染された物
体（２，２ａ）の除染方法において、表面の少なくとも
一部分を囲い（６）によって覆う段階と、標的とされた
この部分を陰極微粉砕によって除染する段階と、このよ
うにして除去された汚染材料を前記囲い内の基体（１２
）上に捕集する段階とを有することを特徴とする方法。 - 【請求項２】 物体（２）が少なくとも表面的に導電
性を有し、かつ標的がアースに対して負の絶対値を有す
る、高い直流電位を受けるようになっている請求項１記
載の方法。 - 【請求項３】 物体が少なくとも表面的に導電性を有
し、かつ基体が物体に対して正の、高い直流電位を受け
るようになっている請求項１記載の方法。 - 【請求項４】 物体（２ａ）が電気的に絶縁され、基
体（１２）が導電性を有し、かつこの基体に、最大値を
有しかつ周波数の大きな、交流電位を加えるようになっ
ている請求項１記載の方法。 - 【請求項５】 基体（１２）を物体（２）に対して移
動せしめ、汚染面から多数の粒子を次々に剥離するよう
になっている請求項１記載の方法。 - 【請求項６】 剥離された表面を保護層（３８）によ
って被覆し、残留材料を閉込めるようにし、この被覆が
保護層を形成する材料によって形成された標的（１２ａ
）の陰極微粉砕によって行われる請求項１記載の方法。 - 【請求項７】 少なくとも表面的に導電性を有し、か
つこの表面が汚染材料によって汚染されている物体（２
）の除染装置において、標的とされた前記表面を剥離す
るための陰極微粉砕装置を有し、この陰極微粉砕装置が
次の装置よりなっている除染装置： −除染すべき表面の少なくとも一部分を被覆する囲い（
６）、 −陰極微粉砕によって除去された汚染材料を捕集する基
体（１２）にして、囲い内に位置し、かつ前記表面より
大きな、またはこれと等しい捕集面を有する基体、−前
記標的に、アースに対して負の、絶対値を有する高い交
流電位を加える分極装置（３２）、−囲いに負圧を発生
させるポンプ装置（８）、−囲いにプラズマ発生ガスを
供給する装置（１０）。 - 【請求項８】 少なくとも表面的に導電性を有し、か
つこの表面が汚染材料によって汚染されている物体（２
）の除染装置において、標的とされた表面を剥離するた
めの陰極微粉砕装置を有し、この陰極微粉砕装置が次の
装置よりなっている除染装置： −除染すべき表面の少なくとも一部分を覆う囲い（６）
、 −囲いの中に位置する、表面が導電性を有する基体（１
２）にして、陰極微粉砕によって除去された汚染材料を
捕集し、かつ前記表面より大きな、またはこれに等しい
捕集面を有する基体、 −前記基体に、物体に対し正の、高い直流電位を加える
ための分極装置（１４）、 −囲いを負圧状態に置くポンプ装置（８）、−囲いにプ
ラズマ発生ガスを供給する装置（１０）。 - 【請求項９】 囲い（６）が除染すべき表面の全体を
覆い、基体の除染面が除染すべき表面より大であり、ま
たはこれに等しい請求項７記載の装置。 - 【請求項１０】 囲い（６）が導電性を有し、かつ基
体が前記囲いの内壁によって構成されている請求項９記
載の装置。 - 【請求項１１】 囲い（６）が除染すべき表面上に置
かれ、この除染面の一部分を覆い、この被覆部分を除染
する請求項８記載の装置。 - 【請求項１２】 囲い（６）および基体（１２）を物
体（２）に対して相対的に移動させる装置（２８）を有
し、汚染面の多くの部分を次々に剥離する請求項１１記
載の装置。 - 【請求項１３】 基体が支持体（１２）と、導電性を
有する薄いフィルム（２６）を含み、該フィルムが前記
支持体を覆っている請求項７記載の装置。 - 【請求項１４】 基体（１２）が囲い（６）の形に適
合し、かつこの囲いに近接している請求項７記載の装置
。 - 【請求項１５】 電気的に絶縁され、かつ表面が汚染
材料によって汚染されている物体（２ａ）を除染する装
置において、標的とされた表面を剥離する陰極微粉砕装
置を有し、該陰極微粉砕装置が次の装置よりなっている
除染装置： −除染すべき表面を受入れる囲い（６）、−陰極微粉砕
によって除去された汚染材料を捕集する基体（１２）に
して、囲い内に位置し、かつ除染すべき表面より大きな
、またはこれに等しい捕集面を有する基体、 −基体に最大値と大きな周波数とを有する交流電位を加
える装置（１４）、 −囲いを負圧状態に置くポンプ装置（８）、−囲いにプ
ラズマ発生ガスを供給する装置（１０）。 - 【請求項１６】 陰極微粉砕が行われる時に、基体（
１２）と、除染すべき表面との間にある空間に発生した
電界に対して垂直な磁界を発生せしめ、前記空間内のイ
オン密度を増加させる装置（３５）を有している請求項
７記載の装置。 - 【請求項１７】 陰極微粉砕が行われる時に、基体（
１２）と、除染すべき表面との間にある空間に発生した
電界に対して垂直な磁界を発生せしめ、前記空間内のイ
オン密度を増加させる装置（３５）を有している請求項
８記載の装置。 - 【請求項１８】 陰極微粉砕が行われる時に、基体（
１２）と、除染すべき表面との間にある空間に発生した
電界に対して垂直な磁界を発生せしめ、前記空間内のイ
オン密度を増加させる装置（３５）を有している請求項
１５記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9005417A FR2661544B1 (fr) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | Procede et dispositif de decontamination par decapage ionique. |
| FR9005417 | 1990-04-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04230898A true JPH04230898A (ja) | 1992-08-19 |
| JP2892857B2 JP2892857B2 (ja) | 1999-05-17 |
Family
ID=9396183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3095983A Expired - Lifetime JP2892857B2 (ja) | 1990-04-27 | 1991-04-26 | イオン化剥離による除染方法および装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0454584B1 (ja) |
| JP (1) | JP2892857B2 (ja) |
| DE (1) | DE69111671T2 (ja) |
| FR (1) | FR2661544B1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014109559A (ja) * | 2012-12-04 | 2014-06-12 | Shimizu Corp | 汚染コンクリート塊の除染処理方法および装置 |
| CN112139151A (zh) * | 2020-09-11 | 2020-12-29 | 韩山师范学院 | 一种大型设备表面清理装置 |
| JP2022511216A (ja) * | 2018-11-21 | 2022-01-31 | ジョイント ストック カンパニー“ロスエネルゴアトム” | 原子炉の構造要素の汚染を除去する方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IL119634A (en) * | 1996-11-18 | 2000-12-06 | Omerco Ltd | Method and apparatus for the treatment of surfaces of large metal objects |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1382915A (en) * | 1972-04-25 | 1975-02-05 | British Nuclear Fuels Ltd | Decontamination of fuel element sheaths |
| DE3114543A1 (de) * | 1981-04-10 | 1982-12-16 | Alkem Gmbh, 6450 Hanau | Verfahren zum dekontaminieren der oberflaeche eines koerpers von radioaktiven verunreinigungspartikeln und einrichtung zur durchfuehrung dieses verfahrens |
| GB2159753B (en) * | 1984-03-06 | 1988-09-07 | Asm Fico Tooling | Method and apparatus for cleaning lead pins before soldering operations |
| BE1001027A3 (nl) * | 1987-10-21 | 1989-06-13 | Bekaert Sa Nv | Werkwijze en inrichting voor het reinigen van een langwerpig metalen substraat, zoals een draad, een band, een koord, enz., alsmede volgens die werkwijze gereinigde substraten en met dergelijke substraten versterkte voorwerpen uit polymeermateriaal. |
-
1990
- 1990-04-27 FR FR9005417A patent/FR2661544B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-04-25 EP EP19910401101 patent/EP0454584B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1991-04-25 DE DE1991611671 patent/DE69111671T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-04-26 JP JP3095983A patent/JP2892857B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
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| CN112139151A (zh) * | 2020-09-11 | 2020-12-29 | 韩山师范学院 | 一种大型设备表面清理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2892857B2 (ja) | 1999-05-17 |
| FR2661544B1 (fr) | 1994-05-27 |
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| DE69111671T2 (de) | 1996-04-04 |
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| EP0454584B1 (fr) | 1995-08-02 |
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