JPH04230343A - カルボン酸類の製法 - Google Patents
カルボン酸類の製法Info
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はアルキルスルホネート、
一酸化炭素、および水またはアルコールとを反応させる
こからなるカルボン酸またはカルボン酸エステルを製造
する方法に関する。
一酸化炭素、および水またはアルコールとを反応させる
こからなるカルボン酸またはカルボン酸エステルを製造
する方法に関する。
【０００２】カルボン酸エステルは、溶剤、可塑剤とし
ての利用をはじめ、種々の工業基幹物質として重要であ
る。カルボン酸およびそのエステルは、医農薬品の重要
な合成原料である。
ての利用をはじめ、種々の工業基幹物質として重要であ
る。カルボン酸およびそのエステルは、医農薬品の重要
な合成原料である。
【０００３】
【従来の技術】従来、アルキルスルホネートを出発原料
とするカルボン酸類を製造する方法は知られていない。
とするカルボン酸類を製造する方法は知られていない。
【０００４】一酸化炭素を用いるカルボン酸類の製造方
法としては、オレフィン類あるいは有機ハロゲン化物を
原料として用いることが工業的に行われている。オレフ
ィン類は工業的に入手可能な原料であるが、有機ハロゲ
ン化物は対応する工業原材料から多段階を経て合成して
いる。一方、本発明の原料であるアルキルスルホネート
は、工業的に容易に入手できるアルコールから、一段で
高収率に合成できる化合物である。スルホネートのほか
にもアセテート、カーボネートの様にアルコールから一
段で高収率に誘導できる化合物もあるが、比較例で示す
ようにスルホネート以外の化合物ではカルボニル化反応
は進行しない。
法としては、オレフィン類あるいは有機ハロゲン化物を
原料として用いることが工業的に行われている。オレフ
ィン類は工業的に入手可能な原料であるが、有機ハロゲ
ン化物は対応する工業原材料から多段階を経て合成して
いる。一方、本発明の原料であるアルキルスルホネート
は、工業的に容易に入手できるアルコールから、一段で
高収率に合成できる化合物である。スルホネートのほか
にもアセテート、カーボネートの様にアルコールから一
段で高収率に誘導できる化合物もあるが、比較例で示す
ようにスルホネート以外の化合物ではカルボニル化反応
は進行しない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、アルキ
ルスルホネートのカルボニル化反応による、対応するカ
ルボン酸およびそのエステルの製造方法を見いだし、本
発明を完成した。
ルスルホネートのカルボニル化反応による、対応するカ
ルボン酸およびそのエステルの製造方法を見いだし、本
発明を完成した。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、（１）第ＶＩ
ＩＩ族遷移金属錯体触媒および一般式Ｒ１−ＯＳＯ２Ｒ
２ （Ｉ）（式中、Ｒ１は
アルキル基であり、Ｒ２はアルキル基、アラルキル基、
またはアリール基である。）で示されるアルキルスルホ
ネートと一酸化炭素および一般式Ｒ３−ＯＨ
（ＩＩ）（
式中、Ｒ３は水素原子、アルキル基、アラルキル基、ま
たはアルケニル基である。）で示される水またはアルコ
ールとを反応させることからなる一般式Ｒ１−ＣＯＯＲ
３ （ＩＩＩ）
（式中、Ｒ１およびＲ３は上記と同じである。）で示さ
れるカルボン酸類の製法、
ＩＩ族遷移金属錯体触媒および一般式Ｒ１−ＯＳＯ２Ｒ
２ （Ｉ）（式中、Ｒ１は
アルキル基であり、Ｒ２はアルキル基、アラルキル基、
またはアリール基である。）で示されるアルキルスルホ
ネートと一酸化炭素および一般式Ｒ３−ＯＨ
（ＩＩ）（
式中、Ｒ３は水素原子、アルキル基、アラルキル基、ま
たはアルケニル基である。）で示される水またはアルコ
ールとを反応させることからなる一般式Ｒ１−ＣＯＯＲ
３ （ＩＩＩ）
（式中、Ｒ１およびＲ３は上記と同じである。）で示さ
れるカルボン酸類の製法、
【０００７】（２） 第ＶＩＩＩ族遷移金属錯体触媒
および一般式 Ｒ２Ｏ２ＳＯ−Ｒ４−ＯＳＯ２Ｒ２ （ＩＶ）
（式中、Ｒ２はアルキル基、アラルキル基、またはアリ
ール基であり、Ｒ４はアルキレン基である。）で示され
るアルキルスルホネートと一酸化炭素および一般式Ｒ３
−ＯＨ （ＩＩ）
（式中、Ｒ３は水素原子、アルキル基、またはアルケニ
ル基で示される水またはアルコールとを反応させること
からなる一般式 Ｒ３ＯＣＯ−Ｒ４−ＣＯＯＲ３ （Ｖ）（
式中、Ｒ３およびＲ４は上記と同じである。）で示され
るカルボン酸類の製法。
および一般式 Ｒ２Ｏ２ＳＯ−Ｒ４−ＯＳＯ２Ｒ２ （ＩＶ）
（式中、Ｒ２はアルキル基、アラルキル基、またはアリ
ール基であり、Ｒ４はアルキレン基である。）で示され
るアルキルスルホネートと一酸化炭素および一般式Ｒ３
−ＯＨ （ＩＩ）
（式中、Ｒ３は水素原子、アルキル基、またはアルケニ
ル基で示される水またはアルコールとを反応させること
からなる一般式 Ｒ３ＯＣＯ−Ｒ４−ＣＯＯＲ３ （Ｖ）（
式中、Ｒ３およびＲ４は上記と同じである。）で示され
るカルボン酸類の製法。
【０００８】（３）ヨウ化物イオン源存在下に行う（１
）または（２）に記載のカルボン酸類の製法、
）または（２）に記載のカルボン酸類の製法、
【０００
９】（４）塩基存在下に行う（３）に記載のカルボン酸
類の製法、
９】（４）塩基存在下に行う（３）に記載のカルボン酸
類の製法、
【００１０】（５）非プロトン性極性溶媒中で行う（１
）、（２）、（３）または（４）に記載のカルボン酸類
の製法、に関する。
）、（２）、（３）または（４）に記載のカルボン酸類
の製法、に関する。
【００１１】本発明の前記一般式（Ｉ）で示されるアル
キルスルホネートは、先に述べたように工業的に容易に
入手できるアルコールを、塩基存在下、ハロゲン化スル
ホニルあるいはスルホン酸無水物と反応させることによ
り、一段で高収率で得ることができる。式中のＲ１とし
ては、アセチル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキ
シ基、イソプロポキシ基、フェノキシ基、メトキシカル
ボニル基、エトキシカルボニル基、ニトロ基、アルケニ
ル基、フェニル基、ペンタフルオロフェニル基、ｐ−メ
チルフェニル基、ｐ−ニトロフェニル基、ｍ−ニトロフ
ェニル基、ｏ−ニトロフェニル基、ナフチル基、フルフ
リル基等の置換基を有してもよく、また枝分かれがあっ
てもよいメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、
ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノ
ニル基、デシル基、ドデシル基、ペンタデシル基、シク
ロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、
シクロデシル基、シクロドデシル基等が例示される。Ｒ
２のアルキル基としては、枝分かれがあってもよい炭素
数１〜５個のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、トリフルオロ
メチル基、トリフルオロエチル基等が例示される。アラ
ルキル基としては、ベンジル基、ペンタフルオロベンジ
ル基、βーフェネチル基、３ーフェニルプロピル基等が
例示される。アリール基としては、メトキシ基、エトキ
シ基、ニトロ基、アセチル基、炭素数１〜５個のアルキ
ル基等の置換基を有してもよいフェニル基、ペンタフル
オロフェニル基、ナフチル基等が例示される。
キルスルホネートは、先に述べたように工業的に容易に
入手できるアルコールを、塩基存在下、ハロゲン化スル
ホニルあるいはスルホン酸無水物と反応させることによ
り、一段で高収率で得ることができる。式中のＲ１とし
ては、アセチル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキ
シ基、イソプロポキシ基、フェノキシ基、メトキシカル
ボニル基、エトキシカルボニル基、ニトロ基、アルケニ
ル基、フェニル基、ペンタフルオロフェニル基、ｐ−メ
チルフェニル基、ｐ−ニトロフェニル基、ｍ−ニトロフ
ェニル基、ｏ−ニトロフェニル基、ナフチル基、フルフ
リル基等の置換基を有してもよく、また枝分かれがあっ
てもよいメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、
ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノ
ニル基、デシル基、ドデシル基、ペンタデシル基、シク
ロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、
シクロデシル基、シクロドデシル基等が例示される。Ｒ
２のアルキル基としては、枝分かれがあってもよい炭素
数１〜５個のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、トリフルオロ
メチル基、トリフルオロエチル基等が例示される。アラ
ルキル基としては、ベンジル基、ペンタフルオロベンジ
ル基、βーフェネチル基、３ーフェニルプロピル基等が
例示される。アリール基としては、メトキシ基、エトキ
シ基、ニトロ基、アセチル基、炭素数１〜５個のアルキ
ル基等の置換基を有してもよいフェニル基、ペンタフル
オロフェニル基、ナフチル基等が例示される。
【００１２】本発明における前記一般式（ＩＩ）で示さ
れる水またはアルコールは、工業的に入手可能であり、
式中のアルキル基としては、枝分かれがあってもよい炭
素数１〜５個のアルキル基が好ましく、メチル基、エチ
ル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基等が例示され
る。アラルキル基としては、ベンジル基、ペンタフルオ
ロベンジル基、αーフェネチル基、βーフェネチル基、
３ーフェニルプロピル基等が例示される。アルケニル基
としては、枝分かれがあってもよい炭素数３〜５個のア
ルケニル基が好ましく、アリル基、２ーブテニル基、３
ーブテニル基、３ーペンテニル基、４ーペンテニル基等
が例示される。水またはアルコールの使用量は、前記一
般式（Ｉ）または（ＩＶ）で示される１つのスルホネー
ト基に対して等量もしくは過剰量であるが、５ないし２
０等量用いることが好ましい。
れる水またはアルコールは、工業的に入手可能であり、
式中のアルキル基としては、枝分かれがあってもよい炭
素数１〜５個のアルキル基が好ましく、メチル基、エチ
ル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基等が例示され
る。アラルキル基としては、ベンジル基、ペンタフルオ
ロベンジル基、αーフェネチル基、βーフェネチル基、
３ーフェニルプロピル基等が例示される。アルケニル基
としては、枝分かれがあってもよい炭素数３〜５個のア
ルケニル基が好ましく、アリル基、２ーブテニル基、３
ーブテニル基、３ーペンテニル基、４ーペンテニル基等
が例示される。水またはアルコールの使用量は、前記一
般式（Ｉ）または（ＩＶ）で示される１つのスルホネー
ト基に対して等量もしくは過剰量であるが、５ないし２
０等量用いることが好ましい。
【００１３】本発明の前記一般式（ＩＶ）で示されるア
ルキルスルホネートは、先に述べたように工業的に容易
に入手できるアルコールを、塩基存在下、ハロゲン化ス
ルホニルあるいはスルホン酸無水物と反応させることに
より、一段で高収率で得ることができる。式中のＲ４と
しては、アセチル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポ
キシ基、イソプロポキシ基、フェノキシ基、メトキシカ
ルボニル基、エトキシカルボニル基、ニトロ基、アルケ
ニル基、フェニル基、ペンタフルオロフェニル基、ｐ−
メチルフェニル基、ｐ−ニトロフェニル基、ｍ−ニトロ
フェニル基、ｏ−ニトロフェニル基、ナフチル基、フル
フリル基等の置換基を有してもよく、また枝分かれがあ
ってもよいメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブ
チレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基
、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基、ドデシレン
基、ペンタデシレン基、等が例示される。
ルキルスルホネートは、先に述べたように工業的に容易
に入手できるアルコールを、塩基存在下、ハロゲン化ス
ルホニルあるいはスルホン酸無水物と反応させることに
より、一段で高収率で得ることができる。式中のＲ４と
しては、アセチル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポ
キシ基、イソプロポキシ基、フェノキシ基、メトキシカ
ルボニル基、エトキシカルボニル基、ニトロ基、アルケ
ニル基、フェニル基、ペンタフルオロフェニル基、ｐ−
メチルフェニル基、ｐ−ニトロフェニル基、ｍ−ニトロ
フェニル基、ｏ−ニトロフェニル基、ナフチル基、フル
フリル基等の置換基を有してもよく、また枝分かれがあ
ってもよいメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブ
チレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基
、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基、ドデシレン
基、ペンタデシレン基、等が例示される。
【００１４】本発明に用いるヨウ化物イオン源としては
、アルカリ金属ヨウ化物、アルカリ土類金属ヨウ化物、
遷移金属ヨウ化物等が好ましく、ヨウ化ナトリウム、ヨ
ウ化カリウム、ヨウ化リチウム、ヨウ化マグネシウム、
ヨウ化カルシウム、ヨウ化銅、ヨウ化亜鉛等が例示され
る。ヨウ化物イオンの添加量は、前記一般式（Ｉ）また
は（ＩＶ）で示される１つのスルホネート基に対して１
／２０ないし１等量の範囲を適宜選択できるが、１／１
０ないし１等量の範囲が好ましい。
、アルカリ金属ヨウ化物、アルカリ土類金属ヨウ化物、
遷移金属ヨウ化物等が好ましく、ヨウ化ナトリウム、ヨ
ウ化カリウム、ヨウ化リチウム、ヨウ化マグネシウム、
ヨウ化カルシウム、ヨウ化銅、ヨウ化亜鉛等が例示され
る。ヨウ化物イオンの添加量は、前記一般式（Ｉ）また
は（ＩＶ）で示される１つのスルホネート基に対して１
／２０ないし１等量の範囲を適宜選択できるが、１／１
０ないし１等量の範囲が好ましい。
【００１５】本発明に用いる塩基としては、アルカリ金
属または、アルカリ土類金属の水酸化物、炭酸塩、フッ
化物、酸化物等の無機塩、トリエチルアミン、ピリジン
等の有機塩基を例示することができる。用いる塩基の量
は、前記一般式（Ｉ）または（ＩＶ）で示される１つの
スルホネート基に対して１等量以上用いることが好まし
い。
属または、アルカリ土類金属の水酸化物、炭酸塩、フッ
化物、酸化物等の無機塩、トリエチルアミン、ピリジン
等の有機塩基を例示することができる。用いる塩基の量
は、前記一般式（Ｉ）または（ＩＶ）で示される１つの
スルホネート基に対して１等量以上用いることが好まし
い。
【００１６】本発明に用いる非プロトン性極性溶媒とし
ては、１、１、３、３ーテトラメチル尿素（ＴＭＵ）、
１、３ージメチルー２ーイミダゾリジノン（ＤＭＩ）、
１、３ージメチルー３、４、５、６ーテトラヒドロー２
（１Ｈ）ーピリミジノン（ＤＭＰＵ）、リン酸ヘキサメ
チルトリアミド（ＨＭＰＡ）、Ｎーメチルピロリドン（
ＮＭＰ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）等が例示さ
れる。非プロトン性極性溶媒の使用量は、前記一般式（
Ｉ）または（ＩＶ）で示される１つのスルホネート基と
等量もしくは過剰量であることが好ましく、希釈剤を兼
ねることができる。
ては、１、１、３、３ーテトラメチル尿素（ＴＭＵ）、
１、３ージメチルー２ーイミダゾリジノン（ＤＭＩ）、
１、３ージメチルー３、４、５、６ーテトラヒドロー２
（１Ｈ）ーピリミジノン（ＤＭＰＵ）、リン酸ヘキサメ
チルトリアミド（ＨＭＰＡ）、Ｎーメチルピロリドン（
ＮＭＰ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）等が例示さ
れる。非プロトン性極性溶媒の使用量は、前記一般式（
Ｉ）または（ＩＶ）で示される１つのスルホネート基と
等量もしくは過剰量であることが好ましく、希釈剤を兼
ねることができる。
【００１７】本発明は、一酸化炭素雰囲気下に行うもの
であり、反応に関与しない不活性ガスで希釈しても良い
。５０気圧以下の一酸化炭素分圧で反応は効率よく進行
するが、所望ならば高い圧力を用いても差し支えない。
であり、反応に関与しない不活性ガスで希釈しても良い
。５０気圧以下の一酸化炭素分圧で反応は効率よく進行
するが、所望ならば高い圧力を用いても差し支えない。
【００１８】本発明は、第ＶＩＩＩ族遷移金属触媒の存
在下に行うことを必須の条件とする。用いることのでき
る第ＶＩＩＩ族遷移金属触媒としては、鉄、コバルト、
ルテニウム、オスミウム、ロジウム、イリジウム、ニッ
ケル、パラジウム、白金の金属、金属塩、金属錯化合物
、一酸化炭素を配位子とする有機金属錯体、ハロゲン原
子を配位子とする有機金属錯体、３級ホスフィンを配位
子とする有機金属錯体、オレフィン類あるいはアセチレ
ン類を配位子とする有機金属錯体、及びこれらの第ＶＩ
ＩＩ族遷移金属化合物をシリカゲルあるいはアルミナの
担体に担持したものを使用することができる。適当な触
媒としては、鉄カルボニル、ルテニウムカルボニル、オ
スミウムカルボニル、コバルトカルボニル、ロジウムカ
ルボニル、ニッケルカルボニル、塩化鉄、塩化コバルト
、臭化コバルト、ヨウ化コバルト、アセチルアセトナー
トコバルト（ＩＩ）、アセチルアセトナートコバルト（
ＩＩＩ）、塩化ルテニウム、塩化ロジウム、塩化ニッケ
ル、塩化パラジウム、塩化白金、ジクロロビス（トリフ
ェニルホスフィン）ニッケル、ジクロロビス（トリフェ
ニルホスフィン）パラジウム、ジクロロ［１、２ービス
（ジフェニルホスフィノ）エタン］パラジウム、ジクロ
ロ［１、３ービス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］
パラジウム、ジクロロ［１、４ービス（ジフェニルホス
フィノ）ブタン］パラジウム、ジクロロ［１、１’ービ
ス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム、
ジクロロビス（ジフェニルメチルホスフィン）パラジウ
ム、ジクロロビス（トリメチルホスフィン）パラジウム
、ジクロロビス（トリエチルホスフィン）パラジウム、
ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）白金、ビス（
シクロオクタジエン）ニッケル、ジクロロ（シクロオク
タジエン）パラジウム、テトラキス（トリフェニルホス
フィン）ニッケル、クロロトリス（トリフェニルホスフ
ィン）ロジウム、クロロトリス（トリフェニルホスフィ
ン）イリジウム、クロロカルボニルビス（トリフェニル
ホスフィン）ロジウム、クロロカルボニルビス（トリフ
ェニルホスフィン）イリジウム、テトラキス（トリフェ
ニルホスフィン）パラジウム、テトラキス（トリフェニ
ルホスフィン）白金、ジクロロトリス（トリフェニルホ
スフィン）ルテニウム等を例示することができる。 第ＶＩＩＩ族遷移金属触媒の使用量は、前記一般式（Ｉ
）または（ＩＶ）で示される１つのスルホネート基に対
して１／１００００ないし１／２当量の範囲を適宜選択
できるが、１／５００ないし１／３の範囲が好ましい。
在下に行うことを必須の条件とする。用いることのでき
る第ＶＩＩＩ族遷移金属触媒としては、鉄、コバルト、
ルテニウム、オスミウム、ロジウム、イリジウム、ニッ
ケル、パラジウム、白金の金属、金属塩、金属錯化合物
、一酸化炭素を配位子とする有機金属錯体、ハロゲン原
子を配位子とする有機金属錯体、３級ホスフィンを配位
子とする有機金属錯体、オレフィン類あるいはアセチレ
ン類を配位子とする有機金属錯体、及びこれらの第ＶＩ
ＩＩ族遷移金属化合物をシリカゲルあるいはアルミナの
担体に担持したものを使用することができる。適当な触
媒としては、鉄カルボニル、ルテニウムカルボニル、オ
スミウムカルボニル、コバルトカルボニル、ロジウムカ
ルボニル、ニッケルカルボニル、塩化鉄、塩化コバルト
、臭化コバルト、ヨウ化コバルト、アセチルアセトナー
トコバルト（ＩＩ）、アセチルアセトナートコバルト（
ＩＩＩ）、塩化ルテニウム、塩化ロジウム、塩化ニッケ
ル、塩化パラジウム、塩化白金、ジクロロビス（トリフ
ェニルホスフィン）ニッケル、ジクロロビス（トリフェ
ニルホスフィン）パラジウム、ジクロロ［１、２ービス
（ジフェニルホスフィノ）エタン］パラジウム、ジクロ
ロ［１、３ービス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］
パラジウム、ジクロロ［１、４ービス（ジフェニルホス
フィノ）ブタン］パラジウム、ジクロロ［１、１’ービ
ス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム、
ジクロロビス（ジフェニルメチルホスフィン）パラジウ
ム、ジクロロビス（トリメチルホスフィン）パラジウム
、ジクロロビス（トリエチルホスフィン）パラジウム、
ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）白金、ビス（
シクロオクタジエン）ニッケル、ジクロロ（シクロオク
タジエン）パラジウム、テトラキス（トリフェニルホス
フィン）ニッケル、クロロトリス（トリフェニルホスフ
ィン）ロジウム、クロロトリス（トリフェニルホスフィ
ン）イリジウム、クロロカルボニルビス（トリフェニル
ホスフィン）ロジウム、クロロカルボニルビス（トリフ
ェニルホスフィン）イリジウム、テトラキス（トリフェ
ニルホスフィン）パラジウム、テトラキス（トリフェニ
ルホスフィン）白金、ジクロロトリス（トリフェニルホ
スフィン）ルテニウム等を例示することができる。 第ＶＩＩＩ族遷移金属触媒の使用量は、前記一般式（Ｉ
）または（ＩＶ）で示される１つのスルホネート基に対
して１／１００００ないし１／２当量の範囲を適宜選択
できるが、１／５００ないし１／３の範囲が好ましい。
【００１９】反応温度は２０ないし２００℃の温度範囲
を適宜選択することができるが、５０ないし１５０℃の
範囲が好ましい。
を適宜選択することができるが、５０ないし１５０℃の
範囲が好ましい。
【００２０】以下、実施例および比較例によりさらに詳
細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限
定されるものではない。
細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限
定されるものではない。
【００２１】
【実施例】実施例１
２０ｍｌのオートクレーブにメタンスルホン酸オク
チル（０．０９４ ｍｌ， ０．５ ｍｍｏｌ）， Ｅ
ｔＯＨ（０．３ ｍｌ， ５ ｍｍｏｌ）， Ｃｏ２（
ＣＯ）８（１７．４ ｍｇ， ０．０５ ｍｍｏｌ），
ＮａＩ（３８．２ ｍｇ， ０．２５ ｍｍｏｌ）、
およびＴＭＵ（０．７ ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５０ ａ
ｔｍ）を封入した後、１００℃で２４時間反応させた。 反応混合液をエーテル‐３Ｎ−ＨＣｌ水溶液から抽出し
、水洗後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒
を減圧下に留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（展開溶媒；ヘキサン：クロロホルム＝
１ ： １）により単離精製した結果、ノナン酸エチル
とエチルオクチルエーテルの混合物を６８．４ ｍｇ得
た。１Ｈ−ＮＭＲの測定の結果、ノナン酸エチルが７２
％の収率で生成していた。 １Ｈ−ＮＭＲ （ＣＤＣｌ３， ＴＭＳ） δ ０．８
９ （３Ｈ， ｂｔ）， １．２７ （３Ｈ， ｔ，
Ｊ＝７Ｈｚ），１．１ 〜１．８ （１２Ｈ， ｂｒ）
， ２．３２ （２Ｈ， ｔ， Ｊ＝７Ｈｚ），４．１
６ （２Ｈ， ｑ， Ｊ＝７Ｈｚ）．ＩＲ （ｎｅａｔ
） ν（Ｃ＝Ｏ） １７４４ｃｍ−１．Ｍａｓｓ ｍ
／ｅ （ｒｅｌ． ｉｎｔ．） １８６ （Ｍ ＋，
１）， １４１ （１２）， １０１ （３４），
８８ （１００），７３ （２５）， ７１ （１３）
， ７０ （１８）， ６９ （１２）， ６１ （３
０），６０ （３４）， ５７ （３０）， ５５ （
３０）， ４５ （２０）， ４３ （３７），４１
（６５）， ３９ （１９）， ２９ （９３）．
チル（０．０９４ ｍｌ， ０．５ ｍｍｏｌ）， Ｅ
ｔＯＨ（０．３ ｍｌ， ５ ｍｍｏｌ）， Ｃｏ２（
ＣＯ）８（１７．４ ｍｇ， ０．０５ ｍｍｏｌ），
ＮａＩ（３８．２ ｍｇ， ０．２５ ｍｍｏｌ）、
およびＴＭＵ（０．７ ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５０ ａ
ｔｍ）を封入した後、１００℃で２４時間反応させた。 反応混合液をエーテル‐３Ｎ−ＨＣｌ水溶液から抽出し
、水洗後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒
を減圧下に留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（展開溶媒；ヘキサン：クロロホルム＝
１ ： １）により単離精製した結果、ノナン酸エチル
とエチルオクチルエーテルの混合物を６８．４ ｍｇ得
た。１Ｈ−ＮＭＲの測定の結果、ノナン酸エチルが７２
％の収率で生成していた。 １Ｈ−ＮＭＲ （ＣＤＣｌ３， ＴＭＳ） δ ０．８
９ （３Ｈ， ｂｔ）， １．２７ （３Ｈ， ｔ，
Ｊ＝７Ｈｚ），１．１ 〜１．８ （１２Ｈ， ｂｒ）
， ２．３２ （２Ｈ， ｔ， Ｊ＝７Ｈｚ），４．１
６ （２Ｈ， ｑ， Ｊ＝７Ｈｚ）．ＩＲ （ｎｅａｔ
） ν（Ｃ＝Ｏ） １７４４ｃｍ−１．Ｍａｓｓ ｍ
／ｅ （ｒｅｌ． ｉｎｔ．） １８６ （Ｍ ＋，
１）， １４１ （１２）， １０１ （３４），
８８ （１００），７３ （２５）， ７１ （１３）
， ７０ （１８）， ６９ （１２）， ６１ （３
０），６０ （３４）， ５７ （３０）， ５５ （
３０）， ４５ （２０）， ４３ （３７），４１
（６５）， ３９ （１９）， ２９ （９３）．
【０
０２２】実施例２−４ 実施例１のヨウ化ナトリウムの添加量を変えた他は、実
施例１と同様に行った。ヨウ化ナトリウムの添加量とノ
ナン酸エチルの収率を表１に示す。
０２２】実施例２−４ 実施例１のヨウ化ナトリウムの添加量を変えた他は、実
施例１と同様に行った。ヨウ化ナトリウムの添加量とノ
ナン酸エチルの収率を表１に示す。
【００２３】
【００２４】実施例５
２０ｍｌのオートクレーブにメタンスルホン酸オク
チル（０．０９４ ｍｌ， ０．５ ｍｍｏｌ）， Ｅ
ｔＯＨ（０．３ ｍｌ， ５ ｍｍｏｌ）， Ｃｏ２（
ＣＯ）８（１７．４ ｍｇ， ０．０５ ｍｍｏｌ），
ＮａＩ（７５．６ ｍｇ， ０．５ ｍｍｏｌ）、お
よびＴＭＵ（０．７ ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５０ ａｔ
ｍ）を封入した後、１００℃で２４時間反応させた。反
応混合液をエーテル‐３Ｎ−ＨＣｌ水溶液から抽出し、
水洗後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を
減圧下に留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマト
グラフィー（展開溶媒；ヘキサン：クロロホルム＝ １
： １）により単離精製した結果、ノナン酸エチルと
エチルオクチルエーテルの混合物を６９．８ ｍｇ得た
。１Ｈ−ＮＭＲの測定の結果、ノナン酸エチルが７２％
の収率で生成していた。
チル（０．０９４ ｍｌ， ０．５ ｍｍｏｌ）， Ｅ
ｔＯＨ（０．３ ｍｌ， ５ ｍｍｏｌ）， Ｃｏ２（
ＣＯ）８（１７．４ ｍｇ， ０．０５ ｍｍｏｌ），
ＮａＩ（７５．６ ｍｇ， ０．５ ｍｍｏｌ）、お
よびＴＭＵ（０．７ ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５０ ａｔ
ｍ）を封入した後、１００℃で２４時間反応させた。反
応混合液をエーテル‐３Ｎ−ＨＣｌ水溶液から抽出し、
水洗後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を
減圧下に留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマト
グラフィー（展開溶媒；ヘキサン：クロロホルム＝ １
： １）により単離精製した結果、ノナン酸エチルと
エチルオクチルエーテルの混合物を６９．８ ｍｇ得た
。１Ｈ−ＮＭＲの測定の結果、ノナン酸エチルが７２％
の収率で生成していた。
【００２５】実施例６
実施例５のヨウ化ナトリウムをヨウ化カリウムに変えた
他は、実施例５と同様に反応を行った。その結果、ノナ
ン酸エチルが５８％の収率で得られた。
他は、実施例５と同様に反応を行った。その結果、ノナ
ン酸エチルが５８％の収率で得られた。
【００２６】実施例７
実施例１の一酸化炭素圧を５０気圧から３０気圧に変え
た他は、実施例１と同様に反応を行った。その結果、ノ
ナン酸エチルが６４％の収率で得られた。
た他は、実施例１と同様に反応を行った。その結果、ノ
ナン酸エチルが６４％の収率で得られた。
【００２７】実施例８−２
実施例５のテトラメチル尿素（ＴＭＵ）を別の溶媒に変
えた他は、実施例５と同様に反応を行った。用いた反応
溶媒およびノナン酸エチルの収率を表２に示す。
えた他は、実施例５と同様に反応を行った。用いた反応
溶媒およびノナン酸エチルの収率を表２に示す。
【００２８】
【００２９】実施例１３−１６
実施例１の触媒のコバルトカルボニルを他のコバルト塩
に変えた他は、実施例１と同様に反応を行った。用いた
触媒の種類およびノナン酸エチルの収率を表３に示す。
に変えた他は、実施例１と同様に反応を行った。用いた
触媒の種類およびノナン酸エチルの収率を表３に示す。
【００３０】
【００３１】実施例１７
２０ｍｌのオートクレーブにメタンスルホン酸オク
チル（０．１８８ ｍｌ， １．０ ｍｍｏｌ）， Ｅ
ｔＯＨ（０．６ ｍｌ， １０ ｍｍｏｌ）， Ｃｏ２
（ＣＯ）８（３４．１ ｍｇ， ０．１ ｍｍｏｌ）、
およびＴＭＵ（１．４ ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５０ ａ
ｔｍ）を封入した後、１００℃で２４時間反応させた。 反応混合液をエーテル‐３Ｎ−ＨＣｌ水溶液から抽出し
、水洗後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒
を減圧下に留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（展開溶媒；ヘキサン：クロロホルム＝
１ ： １）により単離精製した結果、ノナン酸エチル
とエチルオクチルエーテルの混合物を８９．２ ｍｇ得
た。１Ｈ−ＮＭＲの測定の結果、ノナン酸エチルが３５
％の収率で生成していた。
チル（０．１８８ ｍｌ， １．０ ｍｍｏｌ）， Ｅ
ｔＯＨ（０．６ ｍｌ， １０ ｍｍｏｌ）， Ｃｏ２
（ＣＯ）８（３４．１ ｍｇ， ０．１ ｍｍｏｌ）、
およびＴＭＵ（１．４ ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５０ ａ
ｔｍ）を封入した後、１００℃で２４時間反応させた。 反応混合液をエーテル‐３Ｎ−ＨＣｌ水溶液から抽出し
、水洗後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒
を減圧下に留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（展開溶媒；ヘキサン：クロロホルム＝
１ ： １）により単離精製した結果、ノナン酸エチル
とエチルオクチルエーテルの混合物を８９．２ ｍｇ得
た。１Ｈ−ＮＭＲの測定の結果、ノナン酸エチルが３５
％の収率で生成していた。
【００３２】実施例１８
実施例１７の触媒をＣｏＩ２に変えた他は、実施例１７
と同様に反応を行った。その結果、ノナン酸エチルが５
７％の収率で得られた。
と同様に反応を行った。その結果、ノナン酸エチルが５
７％の収率で得られた。
【００３３】実施例１９
２０ｍｌのオートクレーブにメタンスルホン酸オク
チル（０．０９４ ｍｌ， ０．５ ｍｍｏｌ）， Ｍ
ｅＯＨ（０．２ ｍｌ， ５ ｍｍｏｌ）， Ｃｏ２（
ＣＯ）８（１７．１ ｍｇ， ０．０５ ｍｍｏｌ）、
およびＴＭＵ（０．７ ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５０ ａ
ｔｍ）を封入した後、１００℃で２４時間反応させた。 反応混合液をエーテル‐３Ｎ−ＨＣｌ水溶液から抽出し
、水洗後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒
を減圧下に留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（展開溶媒；ヘキサン：クロロホルム＝
１ ： １）により単離精製した結果、ノナン酸メチル
とメチルオクチルエーテルの混合物を３９．２ ｍｇ得
た。１Ｈ−ＮＭＲの測定の結果、ノナン酸メチルが３６
％の収率で生成していた。
チル（０．０９４ ｍｌ， ０．５ ｍｍｏｌ）， Ｍ
ｅＯＨ（０．２ ｍｌ， ５ ｍｍｏｌ）， Ｃｏ２（
ＣＯ）８（１７．１ ｍｇ， ０．０５ ｍｍｏｌ）、
およびＴＭＵ（０．７ ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５０ ａ
ｔｍ）を封入した後、１００℃で２４時間反応させた。 反応混合液をエーテル‐３Ｎ−ＨＣｌ水溶液から抽出し
、水洗後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒
を減圧下に留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（展開溶媒；ヘキサン：クロロホルム＝
１ ： １）により単離精製した結果、ノナン酸メチル
とメチルオクチルエーテルの混合物を３９．２ ｍｇ得
た。１Ｈ−ＮＭＲの測定の結果、ノナン酸メチルが３６
％の収率で生成していた。
【００３４】実施例２０
２０ｍｌのオートクレーブにベンジルスルホン酸オ
クチル（０．１２２ ｍｌ， ０．５ ｍｍｏｌ），
ＥｔＯＨ（０．３ ｍｌ， ５ ｍｍｏｌ）， Ｃｏ２
（ＣＯ）８（１７．４ ｍｇ， ０．０５ ｍｍｏｌ）
， ＮａＩ（７８．０ ｍｇ， ０．５ ｍｍｏｌ）、
およびＴＭＵ（０．７ ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５０ ａ
ｔｍ）を封入した後、１００℃で２４時間反応させた。 反応混合液をエーテル‐３Ｎ−ＨＣｌ水溶液から抽出し
、水洗後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒
を減圧下に留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（展開溶媒；ヘキサン：クロロホルム＝
１ ： １）により単離精製した結果、ノナン酸エチル
を７４．９ ｍｇ（８０％）得た。
クチル（０．１２２ ｍｌ， ０．５ ｍｍｏｌ），
ＥｔＯＨ（０．３ ｍｌ， ５ ｍｍｏｌ）， Ｃｏ２
（ＣＯ）８（１７．４ ｍｇ， ０．０５ ｍｍｏｌ）
， ＮａＩ（７８．０ ｍｇ， ０．５ ｍｍｏｌ）、
およびＴＭＵ（０．７ ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５０ ａ
ｔｍ）を封入した後、１００℃で２４時間反応させた。 反応混合液をエーテル‐３Ｎ−ＨＣｌ水溶液から抽出し
、水洗後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒
を減圧下に留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（展開溶媒；ヘキサン：クロロホルム＝
１ ： １）により単離精製した結果、ノナン酸エチル
を７４．９ ｍｇ（８０％）得た。
【００３５】実施例２１
２０ｍｌのオートクレーブにベンジルスルホン酸オ
クチル（０．１２２ ｍｌ， ０．５ ｍｍｏｌ），
ＥｔＯＨ（０．３ ｍｌ， ５ ｍｍｏｌ）， Ｃｏ２
（ＣＯ）８（１７．６ ｍｇ， ０．０５ ｍｍｏｌ）
、ＴＭＵ（０．７ ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５０ ａｔｍ
）を封入した後、１００℃で２４時間反応させた。反応
混合液をエーテル‐３Ｎ−ＨＣｌ水溶液から抽出し、水
洗後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減
圧下に留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー（展開溶媒；ヘキサン：クロロホルム＝１：１
）により単離精製した結果、ノナン酸エチルとエチルオ
クチルエーテルの混合物を４５．２ ｍｇ得た。１Ｈ−
ＮＭＲの測定の結果、ノナン酸エチルが２９％の収率で
生成していた。
クチル（０．１２２ ｍｌ， ０．５ ｍｍｏｌ），
ＥｔＯＨ（０．３ ｍｌ， ５ ｍｍｏｌ）， Ｃｏ２
（ＣＯ）８（１７．６ ｍｇ， ０．０５ ｍｍｏｌ）
、ＴＭＵ（０．７ ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５０ ａｔｍ
）を封入した後、１００℃で２４時間反応させた。反応
混合液をエーテル‐３Ｎ−ＨＣｌ水溶液から抽出し、水
洗後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減
圧下に留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー（展開溶媒；ヘキサン：クロロホルム＝１：１
）により単離精製した結果、ノナン酸エチルとエチルオ
クチルエーテルの混合物を４５．２ ｍｇ得た。１Ｈ−
ＮＭＲの測定の結果、ノナン酸エチルが２９％の収率で
生成していた。
【００３６】実施例２２
２０ｍｌのオートクレーブにｐ−トルエンスルホン
酸オクチル（０．１０５ｍｌ， ０．５ ｍｍｏｌ），
ＥｔＯＨ（０．３ ｍｌ， ５ ｍｍｏｌ）， Ｃｏ
２（ＣＯ）８（１８．５ ｍｇ， ０．０５ ｍｍｏｌ
）， ＮａＩ（７８．３ ｍｇ， ０．５ ｍｍｏｌ）
、およびＴＭＵ（０．７ ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５０
ａｔｍ）を封入した後、１００℃で２４時間反応させた
。反応混合液をエーテル‐３Ｎ−ＨＣｌ水溶液から抽出
し、水洗後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。溶
媒を減圧下に留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー（展開溶媒；ヘキサン：クロロホルム＝
１ ： １）により単離精製した結果、ノナン酸エチ
ルとエチルオクチルエーテルの混合物を７１．０ ｍｇ
得た。１Ｈ−ＮＭＲ測定の結果、ノナン酸エチルが７４
％の収率で生成していた。
酸オクチル（０．１０５ｍｌ， ０．５ ｍｍｏｌ），
ＥｔＯＨ（０．３ ｍｌ， ５ ｍｍｏｌ）， Ｃｏ
２（ＣＯ）８（１８．５ ｍｇ， ０．０５ ｍｍｏｌ
）， ＮａＩ（７８．３ ｍｇ， ０．５ ｍｍｏｌ）
、およびＴＭＵ（０．７ ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５０
ａｔｍ）を封入した後、１００℃で２４時間反応させた
。反応混合液をエーテル‐３Ｎ−ＨＣｌ水溶液から抽出
し、水洗後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。溶
媒を減圧下に留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー（展開溶媒；ヘキサン：クロロホルム＝
１ ： １）により単離精製した結果、ノナン酸エチ
ルとエチルオクチルエーテルの混合物を７１．０ ｍｇ
得た。１Ｈ−ＮＭＲ測定の結果、ノナン酸エチルが７４
％の収率で生成していた。
【００３７】実施例２３
２０ｍｌのオートクレーブにｐ−トルエンスルホン
酸オクチル（０．１０５ｍｌ， ０．５ ｍｍｏｌ），
ＥｔＯＨ（０．３ ｍｌ， ５ ｍｍｏｌ）， Ｃｏ
２（ＣＯ）８（１７．２ ｍｇ， ０．０５ ｍｍｏｌ
）、およびＴＭＵ（０．７ ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５０
ａｔｍ）を封入した後、１００℃で２４時間反応させ
た。反応混合液をエーテル‐３Ｎ−ＨＣｌ水溶液から抽
出し、水洗後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。 溶媒を減圧下に留去した後、残渣をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィー（展開溶媒；ヘキサン：クロロホルム
＝１：１）により単離精製した結果、ノナン酸エチルと
エチルオクチルエーテルの混合物を３８．０ ｍｇ得た
。１Ｈ−ＮＭＲの測定の結果、ノナン酸エチルが２９％
の収率で生成していた。
酸オクチル（０．１０５ｍｌ， ０．５ ｍｍｏｌ），
ＥｔＯＨ（０．３ ｍｌ， ５ ｍｍｏｌ）， Ｃｏ
２（ＣＯ）８（１７．２ ｍｇ， ０．０５ ｍｍｏｌ
）、およびＴＭＵ（０．７ ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５０
ａｔｍ）を封入した後、１００℃で２４時間反応させ
た。反応混合液をエーテル‐３Ｎ−ＨＣｌ水溶液から抽
出し、水洗後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。 溶媒を減圧下に留去した後、残渣をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィー（展開溶媒；ヘキサン：クロロホルム
＝１：１）により単離精製した結果、ノナン酸エチルと
エチルオクチルエーテルの混合物を３８．０ ｍｇ得た
。１Ｈ−ＮＭＲの測定の結果、ノナン酸エチルが２９％
の収率で生成していた。
【００３８】比較例１
２０ｍｌのオートクレーブにエチルオクチルカーボネー
ト（０．１０４ ｍｌ， ０．５ ｍｍｏｌ）， Ｅｔ
ＯＨ（０．３ ｍｌ， ５ ｍｍｏｌ）， Ｃｏ２（Ｃ
Ｏ）８（１６．９ ｍｇ， ０．０５ ｍｍｏｌ）、お
よびＴＭＵ（０．７ ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５０ ａｔ
ｍ）を封入した後、１００℃で２４時間反応させた。反
応混合物のＧＬＣ分析の結果、原料回収を確認した。
ト（０．１０４ ｍｌ， ０．５ ｍｍｏｌ）， Ｅｔ
ＯＨ（０．３ ｍｌ， ５ ｍｍｏｌ）， Ｃｏ２（Ｃ
Ｏ）８（１６．９ ｍｇ， ０．０５ ｍｍｏｌ）、お
よびＴＭＵ（０．７ ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５０ ａｔ
ｍ）を封入した後、１００℃で２４時間反応させた。反
応混合物のＧＬＣ分析の結果、原料回収を確認した。
【００３９】比較例２
２０ｍｌのオートクレーブに酢酸オクチル（０．０９９
ｍｌ， ０．５ ｍｍｏｌ）， ＥｔＯＨ（０．３
ｍｌ， ５ ｍｍｏｌ）， Ｃｏ２（ＣＯ）８（１６．
９ ｍｇ， ０．０５ ｍｍｏｌ）、およびＴＭＵ（０
．７ ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５０ ａｔｍ）を封入した
後、１００℃で２４時間反応させた。反応混合物をエー
テル‐３Ｎ−ＨＣｌ水溶液から抽出し、水洗後、有機層
を硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧下に留去し
た結果、原料（７２％， ６１．６ ｍｇ）を回収した
。
ｍｌ， ０．５ ｍｍｏｌ）， ＥｔＯＨ（０．３
ｍｌ， ５ ｍｍｏｌ）， Ｃｏ２（ＣＯ）８（１６．
９ ｍｇ， ０．０５ ｍｍｏｌ）、およびＴＭＵ（０
．７ ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５０ ａｔｍ）を封入した
後、１００℃で２４時間反応させた。反応混合物をエー
テル‐３Ｎ−ＨＣｌ水溶液から抽出し、水洗後、有機層
を硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧下に留去し
た結果、原料（７２％， ６１．６ ｍｇ）を回収した
。
【００４０】比較例３
２０ｍｌのオートクレーブにトリフルオロ酢酸オクチル
（０．１０３ ｍｌ，０．５ ｍｍｏｌ）， ＥｔＯＨ
（０．３ ｍｌ， ５ ｍｍｏｌ）， Ｃｏ２（ＣＯ）
８（１６．７ ｍｇ， ０．０５ ｍｍｏｌ）、および
ＴＭＵ（０．７ ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５０ ａｔｍ）
を封入した後、１００℃で２４時間反応させた。反応混
合物をエーテル‐３Ｎ−ＨＣｌ水溶液から抽出し、水洗
後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧
下に留した結果、１‐オクタノールが６１％（４４．４
ｍｇ）得られた。
（０．１０３ ｍｌ，０．５ ｍｍｏｌ）， ＥｔＯＨ
（０．３ ｍｌ， ５ ｍｍｏｌ）， Ｃｏ２（ＣＯ）
８（１６．７ ｍｇ， ０．０５ ｍｍｏｌ）、および
ＴＭＵ（０．７ ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５０ ａｔｍ）
を封入した後、１００℃で２４時間反応させた。反応混
合物をエーテル‐３Ｎ−ＨＣｌ水溶液から抽出し、水洗
後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧
下に留した結果、１‐オクタノールが６１％（４４．４
ｍｇ）得られた。
【００４１】比較例４
２０ｍｌのオートクレーブにエチルオクチルカーボネー
ト（０．１０４ ｍｌ， ０．５ ｍｍｏｌ）， Ｅｔ
ＯＨ（０．３ ｍｌ， ５ ｍｍｏｌ）， Ｃｏ２（Ｃ
Ｏ）８（１７．０ ｍｇ， ０．０５ ｍｍｏｌ），
ＮａＩ（７５．７ ｍｇ， ０．５ ｍｍｏｌ）、およ
びＴＭＵ（０．７ ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５０ ａｔｍ
）を封入した後、１００℃で２４時間反応させた。反応
混合液をエーテル‐３Ｎ−ＨＣｌ水溶液から抽出し、水
洗後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減
圧下に留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー（展開溶媒；ヘキサン：クロロホルム＝１：１
）により単離精製した結果、原料（７２％， ７３．０
ｍｇ）を回収した。
ト（０．１０４ ｍｌ， ０．５ ｍｍｏｌ）， Ｅｔ
ＯＨ（０．３ ｍｌ， ５ ｍｍｏｌ）， Ｃｏ２（Ｃ
Ｏ）８（１７．０ ｍｇ， ０．０５ ｍｍｏｌ），
ＮａＩ（７５．７ ｍｇ， ０．５ ｍｍｏｌ）、およ
びＴＭＵ（０．７ ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５０ ａｔｍ
）を封入した後、１００℃で２４時間反応させた。反応
混合液をエーテル‐３Ｎ−ＨＣｌ水溶液から抽出し、水
洗後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減
圧下に留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー（展開溶媒；ヘキサン：クロロホルム＝１：１
）により単離精製した結果、原料（７２％， ７３．０
ｍｇ）を回収した。
【００４２】比較例５
２０ｍｌのオートクレーブに酢酸オクチル（０．０９９
ｍｌ， ０．５ ｍｍｏｌ）， ＥｔＯＨ（０．３ｍ
ｌ， ５ ｍｍｏｌ）， Ｃｏ２（ＣＯ）８（１６．８
ｍｇ， ０．０５ ｍｍｏｌ）， ＮａＩ（７６．０
ｍｇ， ０．５ｍｍｏｌ）、およびＴＭＵ（０．７
ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５０ ａｔｍ）を封入した後、１
００℃で２４時間反応させた。反応混合液をエーテル‐
３Ｎ−ＨＣｌ水溶液から抽出し、水洗後、有機層を硫酸
マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧下に留去した結果
、原料（７５％， ６４．２ ｍｇ）を回収した。
ｍｌ， ０．５ ｍｍｏｌ）， ＥｔＯＨ（０．３ｍ
ｌ， ５ ｍｍｏｌ）， Ｃｏ２（ＣＯ）８（１６．８
ｍｇ， ０．０５ ｍｍｏｌ）， ＮａＩ（７６．０
ｍｇ， ０．５ｍｍｏｌ）、およびＴＭＵ（０．７
ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５０ ａｔｍ）を封入した後、１
００℃で２４時間反応させた。反応混合液をエーテル‐
３Ｎ−ＨＣｌ水溶液から抽出し、水洗後、有機層を硫酸
マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧下に留去した結果
、原料（７５％， ６４．２ ｍｇ）を回収した。
【００４３】比較例６
２０ｍｌのオートクレーブにトリフルオロ酢酸オクチル
（０．１０３ ｍｌ，０．５ ｍｍｏｌ）， ＥｔＯＨ
（０．３ ｍｌ， ５ ｍｍｏｌ）， Ｃｏ２（ＣＯ）
８（１７．２ ｍｇ， ０．０５ ｍｍｏｌ）， Ｎａ
Ｉ（７６．２ ｍｇ， ０．５ ｍｍｏｌ）、およびＴ
ＭＵ（０．７ ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５０ ａｔｍ）を
封入した後、１００℃で２４時間反応させた。反応混合
液をエーテル‐３Ｎ−ＨＣｌ水溶液から抽出し、水洗後
、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧下
に留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー（展開溶媒；ヘキサン：クロロホルム＝１：１）に
より単離精製した結果、ノナン酸エチルが１４％（１２
．８ ｍｇ）の収率で生成しており、１‐オクタノール
を４５％（３２．９ ｍｇ）得た。
（０．１０３ ｍｌ，０．５ ｍｍｏｌ）， ＥｔＯＨ
（０．３ ｍｌ， ５ ｍｍｏｌ）， Ｃｏ２（ＣＯ）
８（１７．２ ｍｇ， ０．０５ ｍｍｏｌ）， Ｎａ
Ｉ（７６．２ ｍｇ， ０．５ ｍｍｏｌ）、およびＴ
ＭＵ（０．７ ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５０ ａｔｍ）を
封入した後、１００℃で２４時間反応させた。反応混合
液をエーテル‐３Ｎ−ＨＣｌ水溶液から抽出し、水洗後
、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧下
に留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー（展開溶媒；ヘキサン：クロロホルム＝１：１）に
より単離精製した結果、ノナン酸エチルが１４％（１２
．８ ｍｇ）の収率で生成しており、１‐オクタノール
を４５％（３２．９ ｍｇ）得た。
【００４４】実施例２４
２０ｍｌのオートクレーブにメタンスルホン酸オク
チル（０．１８８ ｍｌ， １ ｍｍｏｌ），Ｅｔ３Ｎ
（０．１４ ｍｌ， １ ｍｍｏｌ）， Ｃｏ２（ＣＯ
）８（３５．１ ｍｇ， ０．１ ｍｍｏｌ）， Ｎａ
Ｉ（７５．８ｍｇ， ０．５ ｍｍｏｌ）、およびＥｔ
ＯＨ（２．０ ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５０ ａｔｍ）を
封入した後、１００℃で２４時間反応させた。 反応混合液をエーテル‐３Ｎ−ＨＣｌ水溶液から抽出し
、有機層を水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒
を減圧下に留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（展開溶媒；ヘキサン：クロロホルム＝
１ ： ２）により単離精製した結果、ノナン酸エチル
とエチルオクチルエーテルの混合物を１００．４ ｍｇ
得た。１Ｈ−ＮＭＲの測定の結果、ノナン酸エチルが５
２％の収率で生成していた。
チル（０．１８８ ｍｌ， １ ｍｍｏｌ），Ｅｔ３Ｎ
（０．１４ ｍｌ， １ ｍｍｏｌ）， Ｃｏ２（ＣＯ
）８（３５．１ ｍｇ， ０．１ ｍｍｏｌ）， Ｎａ
Ｉ（７５．８ｍｇ， ０．５ ｍｍｏｌ）、およびＥｔ
ＯＨ（２．０ ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５０ ａｔｍ）を
封入した後、１００℃で２４時間反応させた。 反応混合液をエーテル‐３Ｎ−ＨＣｌ水溶液から抽出し
、有機層を水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒
を減圧下に留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（展開溶媒；ヘキサン：クロロホルム＝
１ ： ２）により単離精製した結果、ノナン酸エチル
とエチルオクチルエーテルの混合物を１００．４ ｍｇ
得た。１Ｈ−ＮＭＲの測定の結果、ノナン酸エチルが５
２％の収率で生成していた。
【００４５】実施例２５
２０ｍｌのオートクレーブに１−エトキシ−３−メ
タンスルホニルオキシプロパン（０．１５０ ｍｌ，
１ ｍｍｏｌ）， ＥｔＯＨ（０．６ ｍｌ， １０
ｍｍｏｌ）， Ｃｏ２（ＣＯ）８（３３．５ ｍｇ，０
．１ ｍｍｏｌ）， ＮａＩ（７５．０ ｍｇ， ０．
５ ｍｍｏｌ）、およびＴＭＵ（１．４ ｍｌ）を入れ
、ＣＯ（５０ ａｔｍ）を封入した後、１００℃で２４
時間反応させた。反応混合液をエーテル‐３Ｎ−ＨＣｌ
水溶液から抽出し、有機層を水洗後、硫酸マグネシウム
で乾燥した。溶媒を減圧下に留去した後、残渣をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒；クロロホル
ム）により単離精製した結果、４−エトキシブタン酸エ
チルと１，３−ジエトキシプロパンの混合物を９０．９
ｍｇ得た。１Ｈ−ＮＭＲの測定の結果、４−エトキシ
ブタン酸エチルが５６％の収率で生成していた。 １Ｈ−ＮＭＲ （ＣＤＣｌ３， ＴＭＳ） δ １．１
８ （３Ｈ， ｔ， Ｊ＝７Ｈｚ）， １．２５ （３
Ｈ， ｔ， Ｊ＝７Ｈｚ），２．４２ （２Ｈ， ｔ，
Ｊ＝７Ｈｚ）， ２．９５ （２Ｈ， ｑ， Ｊ＝７
Ｈｚ），３．４７ （２Ｈ， ｔ， Ｊ＝７Ｈｚ），
３．５０ （２Ｈ， ｑ， Ｊ＝７Ｈｚ），４．１６
（２Ｈ， ｑ， Ｊ＝７Ｈｚ）． ＩＲ （ｎｅａｔ） ν（Ｃ＝Ｏ） １７４０ｃｍ−１
．Ｍａｓｓ ｍ／ｅ （ｒｅｌ． ｉｎｔ．） １
３１ （４）， １１５ （５）， ８７ （１５），
７３ （１０）， ５９ （１９），４５ （３４）
， ４３ （２９）， ４１ （２９）， ３１ （９
２）， ２９ （１００），２７ （７０）， １５
（１６）．
タンスルホニルオキシプロパン（０．１５０ ｍｌ，
１ ｍｍｏｌ）， ＥｔＯＨ（０．６ ｍｌ， １０
ｍｍｏｌ）， Ｃｏ２（ＣＯ）８（３３．５ ｍｇ，０
．１ ｍｍｏｌ）， ＮａＩ（７５．０ ｍｇ， ０．
５ ｍｍｏｌ）、およびＴＭＵ（１．４ ｍｌ）を入れ
、ＣＯ（５０ ａｔｍ）を封入した後、１００℃で２４
時間反応させた。反応混合液をエーテル‐３Ｎ−ＨＣｌ
水溶液から抽出し、有機層を水洗後、硫酸マグネシウム
で乾燥した。溶媒を減圧下に留去した後、残渣をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒；クロロホル
ム）により単離精製した結果、４−エトキシブタン酸エ
チルと１，３−ジエトキシプロパンの混合物を９０．９
ｍｇ得た。１Ｈ−ＮＭＲの測定の結果、４−エトキシ
ブタン酸エチルが５６％の収率で生成していた。 １Ｈ−ＮＭＲ （ＣＤＣｌ３， ＴＭＳ） δ １．１
８ （３Ｈ， ｔ， Ｊ＝７Ｈｚ）， １．２５ （３
Ｈ， ｔ， Ｊ＝７Ｈｚ），２．４２ （２Ｈ， ｔ，
Ｊ＝７Ｈｚ）， ２．９５ （２Ｈ， ｑ， Ｊ＝７
Ｈｚ），３．４７ （２Ｈ， ｔ， Ｊ＝７Ｈｚ），
３．５０ （２Ｈ， ｑ， Ｊ＝７Ｈｚ），４．１６
（２Ｈ， ｑ， Ｊ＝７Ｈｚ）． ＩＲ （ｎｅａｔ） ν（Ｃ＝Ｏ） １７４０ｃｍ−１
．Ｍａｓｓ ｍ／ｅ （ｒｅｌ． ｉｎｔ．） １
３１ （４）， １１５ （５）， ８７ （１５），
７３ （１０）， ５９ （１９），４５ （３４）
， ４３ （２９）， ４１ （２９）， ３１ （９
２）， ２９ （１００），２７ （７０）， １５
（１６）．
【００４６】実施例２６
２０ｍｌのオートクレーブにメタンスルホン酸β−
フェネチル（０．１５８ｍｌ， １ｍｍｏｌ）， Ｅｔ
ＯＨ（０．６ ｍｌ， １０ ｍｍｏｌ）， Ｃｏ２（
ＣＯ）８（３２．５ ｍｇ， ０．１ ｍｍｏｌ），
ＮａＩ（７６．８ ｍｇ， ０．５ ｍｍｏｌ）、およ
びＴＭＵ（１．４ ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５０ ａｔｍ
）を封入した後、１００℃で２４時間反応させた。反応
混合液をエーテル‐３Ｎ−ＨＣｌ水溶液から抽出し、有
機層を水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減
圧下に留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー（展開溶媒；ヘキサン：クロロホルム＝ １
： １）により単離精製した結果、３ − フェニルプ
ロピオン酸エチルとβ−フェネチルエチルエーテルの混
合物を１１３．３ ｍｇ得た。１Ｈ−ＮＭＲの測定の結
果、３−フェニルプロピオン酸エチルが６１％の収率で
生成していた。 １Ｈ−ＮＭＲ （ＣＤＣｌ３， ＴＭＳ） δ １．２
２ （３Ｈ， ｔ， Ｊ＝７Ｈｚ）， ２．６２ （２
Ｈ， ｍ），２．９７ （２Ｈ， ｍ）， ４．１４
（２Ｈ， ｑ， Ｊ＝７Ｈｚ）， ７．２４ （５Ｈ，
ｂｓ）． ＩＲ （ｎｅａｔ） ν（Ｃ＝Ｏ） １７３８ｃｍ−１
．Ｍａｓｓ ｍ／ｅ （ｒｅｌ． ｉｎｔ．） １
７８ （６）， １０７ （２０）， １０５ （３１
）， １０４ （６８）， ９１ （５１），７９ （
２１）， ７８ （２２）， ７７ （３０）， ６５
（１７）， ５１（３７），４３ （１９）， ４２
（１５）， ３９ （３１）， ２９ （１６），
２８ （１６），２７ （１００）， １５ （２１）
．
フェネチル（０．１５８ｍｌ， １ｍｍｏｌ）， Ｅｔ
ＯＨ（０．６ ｍｌ， １０ ｍｍｏｌ）， Ｃｏ２（
ＣＯ）８（３２．５ ｍｇ， ０．１ ｍｍｏｌ），
ＮａＩ（７６．８ ｍｇ， ０．５ ｍｍｏｌ）、およ
びＴＭＵ（１．４ ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５０ ａｔｍ
）を封入した後、１００℃で２４時間反応させた。反応
混合液をエーテル‐３Ｎ−ＨＣｌ水溶液から抽出し、有
機層を水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減
圧下に留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー（展開溶媒；ヘキサン：クロロホルム＝ １
： １）により単離精製した結果、３ − フェニルプ
ロピオン酸エチルとβ−フェネチルエチルエーテルの混
合物を１１３．３ ｍｇ得た。１Ｈ−ＮＭＲの測定の結
果、３−フェニルプロピオン酸エチルが６１％の収率で
生成していた。 １Ｈ−ＮＭＲ （ＣＤＣｌ３， ＴＭＳ） δ １．２
２ （３Ｈ， ｔ， Ｊ＝７Ｈｚ）， ２．６２ （２
Ｈ， ｍ），２．９７ （２Ｈ， ｍ）， ４．１４
（２Ｈ， ｑ， Ｊ＝７Ｈｚ）， ７．２４ （５Ｈ，
ｂｓ）． ＩＲ （ｎｅａｔ） ν（Ｃ＝Ｏ） １７３８ｃｍ−１
．Ｍａｓｓ ｍ／ｅ （ｒｅｌ． ｉｎｔ．） １
７８ （６）， １０７ （２０）， １０５ （３１
）， １０４ （６８）， ９１ （５１），７９ （
２１）， ７８ （２２）， ７７ （３０）， ６５
（１７）， ５１（３７），４３ （１９）， ４２
（１５）， ３９ （３１）， ２９ （１６），
２８ （１６），２７ （１００）， １５ （２１）
．
【００４７】実施例２７
２０ｍｌのオートクレーブにメタンスルホン酸シト
ロネリル（０．２１０ ｍｌ， １ ｍｍｏｌ）， Ｅ
ｔＯＨ（０．６ ｍｌ， １０ ｍｍｏｌ） ， Ｃｏ
２（ＣＯ）８（３２．３ ｍｇ， ０．１ ｍｍｏｌ）
， ＮａＩ（７６．３ ｍｇ， ０．５ ｍｍｏｌ）、
およびＴＭＵ（１．４ ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５０ ａ
ｔｍ）を封入した後、１００℃で２４時間反応させた。 反応混合液をエーテル‐３Ｎ−ＨＣｌ水溶液から抽出し
、有機層を水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒
を減圧下に留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（展開溶媒；ヘキサン：クロロホルム＝
１ ： １）により単離精製した結果、４，８−ジメチ
ル−７−ノネン酸エチルとシトロネリルエチルエーテル
の混合物を１６６．９ ｍｇ得た。１Ｈ−ＮＭＲの測定
の結果、４，８−ジメチル−７−ノネン酸エチルが７６
％の収率で生成していた。 １Ｈ−ＮＭＲ （ＣＤＣｌ３， ＴＭＳ） δ ０．９
２ （３Ｈ， ｄ， Ｊ＝５Ｈｚ）， １．０６〜２．
１５ （７Ｈ， ｍ），１．２５ （３Ｈ， ｔ， Ｊ
＝７Ｈｚ）， １．６１ （３Ｈ， ｓ）， １．６９
（３Ｈ， ｓ），２．３２ （２Ｈ， ｔ， Ｊ＝８
Ｈｚ）， ４．１４（２Ｈ， ｑ， Ｊ＝７Ｈｚ）． ＩＲ （ｎｅａｔ） ν（Ｃ＝Ｏ） １７４０ｃｍ−１
．Ｍａｓｓ ｍ／ｅ （ｒｅｌ． ｉｎｔ．） １
０１ （５）， ８３ （５）， ８２ （５）， ６
９ （５５）， ６８ （５），６７ （１０），５６
（１１）， ５５ （３５）， ４５ （６）， ４
３ （８），４２ （１２）， ４１ （１００），
３９ （２５）， ２９ （９３）， ２８（１７），
２７ （４８）．
ロネリル（０．２１０ ｍｌ， １ ｍｍｏｌ）， Ｅ
ｔＯＨ（０．６ ｍｌ， １０ ｍｍｏｌ） ， Ｃｏ
２（ＣＯ）８（３２．３ ｍｇ， ０．１ ｍｍｏｌ）
， ＮａＩ（７６．３ ｍｇ， ０．５ ｍｍｏｌ）、
およびＴＭＵ（１．４ ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５０ ａ
ｔｍ）を封入した後、１００℃で２４時間反応させた。 反応混合液をエーテル‐３Ｎ−ＨＣｌ水溶液から抽出し
、有機層を水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒
を減圧下に留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（展開溶媒；ヘキサン：クロロホルム＝
１ ： １）により単離精製した結果、４，８−ジメチ
ル−７−ノネン酸エチルとシトロネリルエチルエーテル
の混合物を１６６．９ ｍｇ得た。１Ｈ−ＮＭＲの測定
の結果、４，８−ジメチル−７−ノネン酸エチルが７６
％の収率で生成していた。 １Ｈ−ＮＭＲ （ＣＤＣｌ３， ＴＭＳ） δ ０．９
２ （３Ｈ， ｄ， Ｊ＝５Ｈｚ）， １．０６〜２．
１５ （７Ｈ， ｍ），１．２５ （３Ｈ， ｔ， Ｊ
＝７Ｈｚ）， １．６１ （３Ｈ， ｓ）， １．６９
（３Ｈ， ｓ），２．３２ （２Ｈ， ｔ， Ｊ＝８
Ｈｚ）， ４．１４（２Ｈ， ｑ， Ｊ＝７Ｈｚ）． ＩＲ （ｎｅａｔ） ν（Ｃ＝Ｏ） １７４０ｃｍ−１
．Ｍａｓｓ ｍ／ｅ （ｒｅｌ． ｉｎｔ．） １
０１ （５）， ８３ （５）， ８２ （５）， ６
９ （５５）， ６８ （５），６７ （１０），５６
（１１）， ５５ （３５）， ４５ （６）， ４
３ （８），４２ （１２）， ４１ （１００），
３９ （２５）， ２９ （９３）， ２８（１７），
２７ （４８）．
【００４８】実施例２８
２０ｍｌのオートクレーブにｐ−トルエンスルホン
酸−５−ヘキセニル（０．２０６ ｍｌ， １ ｍｍｏ
ｌ）， ＥｔＯＨ（０．６ ｍｌ， １０ ｍｍｏｌ）
， Ｃｏ２（ＣＯ）８（３３．９ ｍｇ， ０．１ｍｍ
ｏｌ）， ＮａＩ（７６．３ ｍｇ， ０．５ ｍｍｏ
ｌ）、およびＴＭＵ（１．４ ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５
０ａｔｍ）を封入した後、１００℃で２４時間反応させ
た。反応混合液をエーテル‐３Ｎ−ＨＣｌ水溶液から抽
出し、有機層を水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥した。 溶媒を減圧下に留去した後、残渣をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィー（展開溶媒；ヘキサン：クロロホルム
＝１：１）により単離精製した結果、６−ヘプテン酸エ
チルが７３％ （１１４．３ ｍｇ） の収率で生成し
ていた。 １Ｈ−ＮＭＲ （ＣＤＣｌ３， ＴＭＳ） δ １．２
４ （３Ｈ， ｔ， Ｊ＝７Ｈｚ）， １．３０〜２．
１７ （６Ｈ， ｍ），２．３２ （２Ｈ， ｔ， Ｊ
＝７Ｈｚ）， ４．１３ （２Ｈ， ｑ， Ｊ＝７Ｈｚ
），５．０４ （２Ｈ， ｍ）， ５．８４ （１Ｈ，
ｍ）．ＩＲ （ｎｅａｔ） ν（Ｃ＝Ｏ） １７３９
ｃｍ−１ ν（Ｃ＝Ｃ） １６４２
ｃｍ−１．
酸−５−ヘキセニル（０．２０６ ｍｌ， １ ｍｍｏ
ｌ）， ＥｔＯＨ（０．６ ｍｌ， １０ ｍｍｏｌ）
， Ｃｏ２（ＣＯ）８（３３．９ ｍｇ， ０．１ｍｍ
ｏｌ）， ＮａＩ（７６．３ ｍｇ， ０．５ ｍｍｏ
ｌ）、およびＴＭＵ（１．４ ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５
０ａｔｍ）を封入した後、１００℃で２４時間反応させ
た。反応混合液をエーテル‐３Ｎ−ＨＣｌ水溶液から抽
出し、有機層を水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥した。 溶媒を減圧下に留去した後、残渣をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィー（展開溶媒；ヘキサン：クロロホルム
＝１：１）により単離精製した結果、６−ヘプテン酸エ
チルが７３％ （１１４．３ ｍｇ） の収率で生成し
ていた。 １Ｈ−ＮＭＲ （ＣＤＣｌ３， ＴＭＳ） δ １．２
４ （３Ｈ， ｔ， Ｊ＝７Ｈｚ）， １．３０〜２．
１７ （６Ｈ， ｍ），２．３２ （２Ｈ， ｔ， Ｊ
＝７Ｈｚ）， ４．１３ （２Ｈ， ｑ， Ｊ＝７Ｈｚ
），５．０４ （２Ｈ， ｍ）， ５．８４ （１Ｈ，
ｍ）．ＩＲ （ｎｅａｔ） ν（Ｃ＝Ｏ） １７３９
ｃｍ−１ ν（Ｃ＝Ｃ） １６４２
ｃｍ−１．
【００４９】実施例２９
２０ｍｌのオートクレーブにメタンスルホン酸ドデ
シル（０．２５６ ｍｌ， １ ｍｍｏｌ），ＥｔＯＨ
（０．６ ｍｌ， １０ ｍｍｏｌ）， Ｃｏ２（ＣＯ
）８（３５．１ ｍｇ， ０．１ ｍｍｏｌ）， Ｎａ
Ｉ（７７．０ｍｇ， ０．５ ｍｍｏｌ）、およびＴＭ
Ｕ（１．４ ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５０ ａｔｍ）を封
入した後、１００℃で２４時間反応させた。反応混合液
をエーテル‐３Ｎ−ＨＣｌ水溶液から抽出し、有機層を
水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧下に
留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー（展開溶媒；クロロホルム）により単離精製した結果
、トリデカン酸エチルが７９％ （１９１ ｍｇ） の
収率で生成していた。 １Ｈ−ＮＭＲ （ＣＤＣｌ３， ＴＭＳ） δ ０．８
９ （３Ｈ， ｔ， Ｊ＝７Ｈｚ）， １．０７〜１．
７９ （２０Ｈ， ｍ），１．２４ （３Ｈ， ｔ，
Ｊ＝７Ｈｚ）， ２．３１ （２Ｈ， ｔ， Ｊ＝７Ｈ
ｚ），４．１５ （２Ｈ， ｑ， Ｊ＝７Ｈｚ）．ＩＲ
（ｎｅａｔ） ν（Ｃ＝Ｏ） １７４１ｃｍ−１．Ｍ
ａｓｓ ｍ／ｅ （ｒｅｌ． ｉｎｔ．） １５７
（６）， １０１ （４３）， ８９ （１３），
８８ （１００）， ８３ （５），７３ （１７），
７１ （６）， ７０ （１５）， ６９ （１２）
， ６１ （１８），６０ （１６）， ５７ （２１
）， ５６ （７）， ５５ （３０）， ４５ （１
１），４３ （５３）， ４２ （１１）， ４１ （
５０），３９ （８）， ２９ （６３），２８ （７
）， ２７ （２１）， １８ （１０）．
シル（０．２５６ ｍｌ， １ ｍｍｏｌ），ＥｔＯＨ
（０．６ ｍｌ， １０ ｍｍｏｌ）， Ｃｏ２（ＣＯ
）８（３５．１ ｍｇ， ０．１ ｍｍｏｌ）， Ｎａ
Ｉ（７７．０ｍｇ， ０．５ ｍｍｏｌ）、およびＴＭ
Ｕ（１．４ ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５０ ａｔｍ）を封
入した後、１００℃で２４時間反応させた。反応混合液
をエーテル‐３Ｎ−ＨＣｌ水溶液から抽出し、有機層を
水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧下に
留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー（展開溶媒；クロロホルム）により単離精製した結果
、トリデカン酸エチルが７９％ （１９１ ｍｇ） の
収率で生成していた。 １Ｈ−ＮＭＲ （ＣＤＣｌ３， ＴＭＳ） δ ０．８
９ （３Ｈ， ｔ， Ｊ＝７Ｈｚ）， １．０７〜１．
７９ （２０Ｈ， ｍ），１．２４ （３Ｈ， ｔ，
Ｊ＝７Ｈｚ）， ２．３１ （２Ｈ， ｔ， Ｊ＝７Ｈ
ｚ），４．１５ （２Ｈ， ｑ， Ｊ＝７Ｈｚ）．ＩＲ
（ｎｅａｔ） ν（Ｃ＝Ｏ） １７４１ｃｍ−１．Ｍ
ａｓｓ ｍ／ｅ （ｒｅｌ． ｉｎｔ．） １５７
（６）， １０１ （４３）， ８９ （１３），
８８ （１００）， ８３ （５），７３ （１７），
７１ （６）， ７０ （１５）， ６９ （１２）
， ６１ （１８），６０ （１６）， ５７ （２１
）， ５６ （７）， ５５ （３０）， ４５ （１
１），４３ （５３）， ４２ （１１）， ４１ （
５０），３９ （８）， ２９ （６３），２８ （７
）， ２７ （２１）， １８ （１０）．
【００５０
】実施例３０ ２０ｍｌのオートクレーブにメタンスルホン酸ドデ
シル（０．２５６ ｍｌ， １ ｍｍｏｌ），ＥｔＯＨ
（０．６ ｍｌ， １０ ｍｍｏｌ）， Ｃｏ２（ＣＯ
）８（３４．７ ｍｇ， ０．１ ｍｍｏｌ）， Ｎａ
Ｉ（７６．６ｍｇ， ０．５ ｍｍｏｌ）、およびＮＭ
Ｐ（１．４ ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５０ ａｔｍ）を封
入した後、１００℃で２４時間反応させた。ＧＬＣ分析
によりわずかに原料が残っていた。反応混合液をエーテ
ル‐３Ｎ−ＨＣｌ水溶液から抽出し、有機層を水洗後、
硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧下に留去した
後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開
溶媒；クロロホルム）により単離精製した結果、トリデ
カン酸エチルが７５％の収率で生成していた。
】実施例３０ ２０ｍｌのオートクレーブにメタンスルホン酸ドデ
シル（０．２５６ ｍｌ， １ ｍｍｏｌ），ＥｔＯＨ
（０．６ ｍｌ， １０ ｍｍｏｌ）， Ｃｏ２（ＣＯ
）８（３４．７ ｍｇ， ０．１ ｍｍｏｌ）， Ｎａ
Ｉ（７６．６ｍｇ， ０．５ ｍｍｏｌ）、およびＮＭ
Ｐ（１．４ ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５０ ａｔｍ）を封
入した後、１００℃で２４時間反応させた。ＧＬＣ分析
によりわずかに原料が残っていた。反応混合液をエーテ
ル‐３Ｎ−ＨＣｌ水溶液から抽出し、有機層を水洗後、
硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧下に留去した
後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開
溶媒；クロロホルム）により単離精製した結果、トリデ
カン酸エチルが７５％の収率で生成していた。
【００５１】実施例３１
２０ｍｌのオートクレーブにメタンスルホン酸ドデ
シル（０．２５６ ｍｌ， １ ｍｍｏｌ），ＥｔＯＨ
（０．６ ｍｌ， ５ ｍｍｏｌ）， Ｃｏ２（ＣＯ）
８（３２．６ ｍｇ， ０．１ ｍｍｏｌ），ＮａＩ（
７６．３ｍｇ， ０．５ ｍｍｏｌ）、およびＤＭＰＵ
（１．４ ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５０ ａｔｍ）を封入
した後、１００℃で２４時間反応させた。ＧＬＣ分析に
よりわずかに原料が残っていた。反応混合液をエーテル
‐３Ｎ−ＨＣｌ水溶液から抽出し、有機層を水洗後、硫
酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧下に留去した後
、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶
媒；クロロホルム）により単離精製した結果、トリデカ
ン酸エチルが６６％の収率で生成していた。
シル（０．２５６ ｍｌ， １ ｍｍｏｌ），ＥｔＯＨ
（０．６ ｍｌ， ５ ｍｍｏｌ）， Ｃｏ２（ＣＯ）
８（３２．６ ｍｇ， ０．１ ｍｍｏｌ），ＮａＩ（
７６．３ｍｇ， ０．５ ｍｍｏｌ）、およびＤＭＰＵ
（１．４ ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５０ ａｔｍ）を封入
した後、１００℃で２４時間反応させた。ＧＬＣ分析に
よりわずかに原料が残っていた。反応混合液をエーテル
‐３Ｎ−ＨＣｌ水溶液から抽出し、有機層を水洗後、硫
酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧下に留去した後
、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶
媒；クロロホルム）により単離精製した結果、トリデカ
ン酸エチルが６６％の収率で生成していた。
【００５２】実施例３２
２０ｍｌのオートクレーブにメタンスルホン酸
シクロヘキシル（０．１４０ ｍｌ， １ｍｍｏｌ），
ＥｔＯＨ（０．６ ｍｌ， １０ ｍｍｏｌ）， （
Ｐｈ３Ｐ）２ＰｄＣｌ２（３６．０ ｍｇ， ０．０５
ｍｍｏｌ），ＮａＩ（７５．６ ｍｇ， ０．５ ｍ
ｍｏｌ）、およびＴＭＵ（１．４ ｍｌ）を入れ、ＣＯ
（５０ ａｔｍ）を封入した後、１００℃で２４時間反
応させた。反応混合液をエーテル‐３Ｎ−ＨＣｌ水溶液
から抽出し、有機層を水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥
した。溶媒を減圧下に留去した後、残渣をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー（展開溶媒；ヘキサン：クロロ
ホルム＝ １ ： １）により単離精製した結果、シク
ロヘキサンカルボン酸エチルとシクロヘキサンエチルエ
ーテルの混合物を５２．４ｍｇ得た。１Ｈ−ＮＭＲの測
定の結果、シクロヘキサンカルボン酸エチルが３４％の
収率で生成していた。 １Ｈ−ＮＭＲ （ＣＤＣｌ３， ＴＭＳ） δ １．２
３ （３Ｈ， ｔ， Ｊ＝７Ｈｚ），１．３０〜 ２．
５４ （１１Ｈ， ｍ），４．１２ （２Ｈ， ｑ，
Ｊ＝７Ｈｚ）．ＩＲ （ｎｅａｔ） ν（Ｃ＝Ｏ） １
７３８ｃｍ−１．Ｍａｓｓ ｍ／ｅ （ｒｅｌ． ｉ
ｎｔ．） １３１ （４）， ８７ （１５）， ７
３ （１０）， ５９ （１９）， ４５ （３４），
４３ （２９）， ４１ （２９）， ３１ （９２）
， ２９ （１００）， ２７ （７０），１５ （１
６）．
シクロヘキシル（０．１４０ ｍｌ， １ｍｍｏｌ），
ＥｔＯＨ（０．６ ｍｌ， １０ ｍｍｏｌ）， （
Ｐｈ３Ｐ）２ＰｄＣｌ２（３６．０ ｍｇ， ０．０５
ｍｍｏｌ），ＮａＩ（７５．６ ｍｇ， ０．５ ｍ
ｍｏｌ）、およびＴＭＵ（１．４ ｍｌ）を入れ、ＣＯ
（５０ ａｔｍ）を封入した後、１００℃で２４時間反
応させた。反応混合液をエーテル‐３Ｎ−ＨＣｌ水溶液
から抽出し、有機層を水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥
した。溶媒を減圧下に留去した後、残渣をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー（展開溶媒；ヘキサン：クロロ
ホルム＝ １ ： １）により単離精製した結果、シク
ロヘキサンカルボン酸エチルとシクロヘキサンエチルエ
ーテルの混合物を５２．４ｍｇ得た。１Ｈ−ＮＭＲの測
定の結果、シクロヘキサンカルボン酸エチルが３４％の
収率で生成していた。 １Ｈ−ＮＭＲ （ＣＤＣｌ３， ＴＭＳ） δ １．２
３ （３Ｈ， ｔ， Ｊ＝７Ｈｚ），１．３０〜 ２．
５４ （１１Ｈ， ｍ），４．１２ （２Ｈ， ｑ，
Ｊ＝７Ｈｚ）．ＩＲ （ｎｅａｔ） ν（Ｃ＝Ｏ） １
７３８ｃｍ−１．Ｍａｓｓ ｍ／ｅ （ｒｅｌ． ｉ
ｎｔ．） １３１ （４）， ８７ （１５）， ７
３ （１０）， ５９ （１９）， ４５ （３４），
４３ （２９）， ４１ （２９）， ３１ （９２）
， ２９ （１００）， ２７ （７０），１５ （１
６）．
【００５３】実施例３３
２０ｍｌのオートクレーブに３−メタンスルホ
ニルオキシブタン酸エチル（０．１７０ ｍｌ， １
ｍｍｏｌ）， ＥｔＯＨ（０．６ ｍｌ， １０ ｍｍ
ｏｌ）， （Ｐｈ３Ｐ）２ＰｄＣｌ２（６９．８ ｍｇ
， ０．１ｍｍｏｌ）， ＮａＩ（１５２．９ ｍｇ，
１．０ ｍｍｏｌ）、およびＴＭＵ（１．４ ｍｌ）
を入れ、ＣＯ（５０ ａｔｍ）を封入した後、１００℃
で２４時間反応させた。反応混合液をエーテル‐３Ｎ−
ＨＣｌ水溶液から抽出し、有機層を水洗後、硫酸マグネ
シウムで乾燥した。溶媒を減圧下に留去した後、残渣を
シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒；ヘキ
サン：クロロホルム＝ １ ： ２）により単離精製し
た結果、２−メチルコハク酸ジエチルが４２％の収率で
生成していた。 １Ｈ−ＮＭＲ （ＣＤＣｌ３， ＴＭＳ） δ １．２
２ （３Ｈ， ｄ， Ｊ＝７Ｈｚ）， １．２５ （３
Ｈ， ｔ， Ｊ＝７Ｈｚ），１．２６ （３Ｈ， ｔ，
Ｊ＝７Ｈｚ）， ２．３９ （１Ｈ， ｄｄ， Ｊ＝
１６．４ａｎｄ ６．１Ｈｚ）， ２．７２ （１Ｈ，
ｄｄ， Ｊ＝１６．４ａｎｄ ８．１Ｈｚ），２．９
０ （１Ｈ， ｄｄｑ， Ｊ＝８．１ ａｎｄ ６．１
ａｎｄ ７．２Ｈｚ），４．１３ （２Ｈ， ｑ，
Ｊ＝７Ｈｚ）， ４．１５ （２Ｈ， ｑ， Ｊ＝７Ｈ
ｚ）．ＩＲ （ｎｅａｔ） ν（Ｃ＝Ｏ） １７３７ｃ
ｍ−１．
ニルオキシブタン酸エチル（０．１７０ ｍｌ， １
ｍｍｏｌ）， ＥｔＯＨ（０．６ ｍｌ， １０ ｍｍ
ｏｌ）， （Ｐｈ３Ｐ）２ＰｄＣｌ２（６９．８ ｍｇ
， ０．１ｍｍｏｌ）， ＮａＩ（１５２．９ ｍｇ，
１．０ ｍｍｏｌ）、およびＴＭＵ（１．４ ｍｌ）
を入れ、ＣＯ（５０ ａｔｍ）を封入した後、１００℃
で２４時間反応させた。反応混合液をエーテル‐３Ｎ−
ＨＣｌ水溶液から抽出し、有機層を水洗後、硫酸マグネ
シウムで乾燥した。溶媒を減圧下に留去した後、残渣を
シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒；ヘキ
サン：クロロホルム＝ １ ： ２）により単離精製し
た結果、２−メチルコハク酸ジエチルが４２％の収率で
生成していた。 １Ｈ−ＮＭＲ （ＣＤＣｌ３， ＴＭＳ） δ １．２
２ （３Ｈ， ｄ， Ｊ＝７Ｈｚ）， １．２５ （３
Ｈ， ｔ， Ｊ＝７Ｈｚ），１．２６ （３Ｈ， ｔ，
Ｊ＝７Ｈｚ）， ２．３９ （１Ｈ， ｄｄ， Ｊ＝
１６．４ａｎｄ ６．１Ｈｚ）， ２．７２ （１Ｈ，
ｄｄ， Ｊ＝１６．４ａｎｄ ８．１Ｈｚ），２．９
０ （１Ｈ， ｄｄｑ， Ｊ＝８．１ ａｎｄ ６．１
ａｎｄ ７．２Ｈｚ），４．１３ （２Ｈ， ｑ，
Ｊ＝７Ｈｚ）， ４．１５ （２Ｈ， ｑ， Ｊ＝７Ｈ
ｚ）．ＩＲ （ｎｅａｔ） ν（Ｃ＝Ｏ） １７３７ｃ
ｍ−１．
【００５４】実施例３４
２０ｍｌのオートクレーブにメタンスルホン酸オク
チル（０．１８８ ｍｌ， １ ｍｍｏｌ），Ｈ２Ｏ（
０．１８ ｍｌ， １０ ｍｍｏｌ）， Ｃｏ２（ＣＯ
）８（３３．９ ｍｇ， ０．１ ｍｍｏｌ）， Ｎａ
Ｉ（７６．６ｍｇ， ０．５ ｍｍｏｌ）、およびＴＭ
Ｕ（１．４ ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５０ ａｔｍ）を封
入した後、１００℃で２４時間反応させた。反応混合液
をエーテル‐３Ｎ−ＨＣｌ水溶液から抽出し、有機層を
水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧下に
留去した結果、ノナン酸を７７％（１２２．４ ｍｇ）
得た。 １Ｈ−ＮＭＲ （ＣＤＣｌ３， ＴＭＳ） δ ０．９
（３Ｈ， ｂｔ）， １．３０ （１２Ｈ， ｂｒ）
，２．３６ （２Ｈ， ｔ， Ｊ＝７Ｈｚ）， ９．５
（１Ｈ， ｂｒ）．
チル（０．１８８ ｍｌ， １ ｍｍｏｌ），Ｈ２Ｏ（
０．１８ ｍｌ， １０ ｍｍｏｌ）， Ｃｏ２（ＣＯ
）８（３３．９ ｍｇ， ０．１ ｍｍｏｌ）， Ｎａ
Ｉ（７６．６ｍｇ， ０．５ ｍｍｏｌ）、およびＴＭ
Ｕ（１．４ ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５０ ａｔｍ）を封
入した後、１００℃で２４時間反応させた。反応混合液
をエーテル‐３Ｎ−ＨＣｌ水溶液から抽出し、有機層を
水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧下に
留去した結果、ノナン酸を７７％（１２２．４ ｍｇ）
得た。 １Ｈ−ＮＭＲ （ＣＤＣｌ３， ＴＭＳ） δ ０．９
（３Ｈ， ｂｔ）， １．３０ （１２Ｈ， ｂｒ）
，２．３６ （２Ｈ， ｔ， Ｊ＝７Ｈｚ）， ９．５
（１Ｈ， ｂｒ）．
【０００５５】実施例３５
２０ｍｌのオートクレーブにメタンスルホン酸ドデ
シル（０．２５６ ｍｌ， １ ｍｍｏｌ），Ｈ２Ｏ（
０．１８ ｍｌ， １０ ｍｍｏｌ）， Ｃｏ２（ＣＯ
）８（３４．８ ｍｇ， ０．１ ｍｍｏｌ）， Ｎａ
Ｉ （７６．０ｍｇ， ０．５ ｍｍｏｌ）、および
ＴＭＵ（１．４ ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５０ ａｔｍ）
を封入した後、１００℃で２４時間反応させた。反応混
合液をエーテル‐３Ｎ−ＨＣｌ水溶液から抽出し、有機
層を水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧
下に留去した結果、トリデカン酸を８８％（１８９．０
ｍｇ）得た。 １Ｈ−ＮＭＲ （ＣＤＣｌ３， ＴＭＳ） δ ０．９
（３Ｈ， ｂｔ）， １．２７ （２０Ｈ， ｂｒ）
，２．４０ （２Ｈ， ｔ， Ｊ＝７Ｈｚ）， ４．９
（１Ｈ， ｂｒ）．
シル（０．２５６ ｍｌ， １ ｍｍｏｌ），Ｈ２Ｏ（
０．１８ ｍｌ， １０ ｍｍｏｌ）， Ｃｏ２（ＣＯ
）８（３４．８ ｍｇ， ０．１ ｍｍｏｌ）， Ｎａ
Ｉ （７６．０ｍｇ， ０．５ ｍｍｏｌ）、および
ＴＭＵ（１．４ ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５０ ａｔｍ）
を封入した後、１００℃で２４時間反応させた。反応混
合液をエーテル‐３Ｎ−ＨＣｌ水溶液から抽出し、有機
層を水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧
下に留去した結果、トリデカン酸を８８％（１８９．０
ｍｇ）得た。 １Ｈ−ＮＭＲ （ＣＤＣｌ３， ＴＭＳ） δ ０．９
（３Ｈ， ｂｔ）， １．２７ （２０Ｈ， ｂｒ）
，２．４０ （２Ｈ， ｔ， Ｊ＝７Ｈｚ）， ４．９
（１Ｈ， ｂｒ）．
【０００５６】実施例３６
２０ｍｌのオートクレーブに１、４ージメタンスル
ホニルオキシブタン（２４８．１ ｍｇ， １ ｍｍｏ
ｌ）， ＥｔＯＨ（１．２ ｍｌ， ２０ ｍｍｏｌ）
， Ｃｏ２（ＣＯ）８（３４．１ ｍｇ， ０．１ ｍ
ｍｏｌ），ＮａＩ（７５．４ ｍｇ， ０．５ ｍｍｏ
ｌ）、およびＴＭＵ（１．４ ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５
０ ａｔｍ）を封入した後、１００℃で２４時間反応さ
せた。反応混合液をエーテル‐３Ｎ−ＨＣｌ水溶液から
抽出し、有機層を水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥した
。溶媒を減圧下に留去した後、残渣をシリカゲルカラム
クロマトグラフィー（展開溶媒；ヘキサン：クロロホル
ム＝１：３）により単離精製した結果、アジピン酸ジエ
チルを７８％（１５７．２ ｍｇ）得た。 １Ｈ−ＮＭＲ （ＣＤＣｌ３， ＴＭＳ） δ １．
２５ （６Ｈ， ｔ， Ｊ＝７Ｈｚ）， １．
６７ （４Ｈ， ｍ），２．３３ （４Ｈ，
ｍ）， ４．１５ （４Ｈ， ｑ， Ｊ＝７Ｈ
ｚ）．
ホニルオキシブタン（２４８．１ ｍｇ， １ ｍｍｏ
ｌ）， ＥｔＯＨ（１．２ ｍｌ， ２０ ｍｍｏｌ）
， Ｃｏ２（ＣＯ）８（３４．１ ｍｇ， ０．１ ｍ
ｍｏｌ），ＮａＩ（７５．４ ｍｇ， ０．５ ｍｍｏ
ｌ）、およびＴＭＵ（１．４ ｍｌ）を入れ、ＣＯ（５
０ ａｔｍ）を封入した後、１００℃で２４時間反応さ
せた。反応混合液をエーテル‐３Ｎ−ＨＣｌ水溶液から
抽出し、有機層を水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥した
。溶媒を減圧下に留去した後、残渣をシリカゲルカラム
クロマトグラフィー（展開溶媒；ヘキサン：クロロホル
ム＝１：３）により単離精製した結果、アジピン酸ジエ
チルを７８％（１５７．２ ｍｇ）得た。 １Ｈ−ＮＭＲ （ＣＤＣｌ３， ＴＭＳ） δ １．
２５ （６Ｈ， ｔ， Ｊ＝７Ｈｚ）， １．
６７ （４Ｈ， ｍ），２．３３ （４Ｈ，
ｍ）， ４．１５ （４Ｈ， ｑ， Ｊ＝７Ｈ
ｚ）．
Claims (5)
- 【請求項１】 第ＶＩＩＩ族遷移金属錯体触媒および
一般式 Ｒ１−ＯＳＯ２Ｒ２ （式中、Ｒ１はアルキル基であり、Ｒ２はアルキル基、
アラルキル基、またはアリール基である。）で示される
アルキルスルホネートと一酸化炭素および一般式Ｒ３−
ＯＨ （式中、Ｒ３は水素原子、アルキル基、アラルキル基、
またはアルケニル基である。）で示される水またはアル
コールとを反応させることからなる一般式Ｒ１−ＣＯＯ
Ｒ３ （式中、Ｒ１およびＲ３は上記と同じである。）で示さ
れるカルボン酸類の製法。 - 【請求項２】 第ＶＩＩＩ族遷移金属錯体触媒および
一般式 Ｒ２Ｏ２ＳＯ−Ｒ４−ＯＳＯ２Ｒ２ （式中、Ｒ２はアルキル基、アラルキル基、またはアリ
ール基であり、Ｒ４はアルキレン基である。）で示され
るアルキルスルホネートと一酸化炭素および一般式Ｒ３
−ＯＨ （式中、Ｒ３は水素原子、アルキル基、またはアルケニ
ル基で示される水またはアルコールとを反応させること
からなる一般式 Ｒ３ＯＣＯ−Ｒ４−ＣＯＯＲ３ （式中、Ｒ３およびＲ４は上記と同じである。）で示さ
れるカルボン酸類の製法。 - 【請求項３】 ヨウ化物イオン源存在下に行う請求項
１または２に記載のカルボン酸類の製法。 - 【請求項４】 塩基存在下に行う請求項３に記載のカ
ルボン酸類の製法。 - 【請求項５】 非プロトン性極性溶媒中で行う請求項
１、２、３または４に記載のカルボン酸類の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2415089A JPH04230343A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | カルボン酸類の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2415089A JPH04230343A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | カルボン酸類の製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04230343A true JPH04230343A (ja) | 1992-08-19 |
Family
ID=18523497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2415089A Pending JPH04230343A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | カルボン酸類の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04230343A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013241434A (ja) * | 2013-07-18 | 2013-12-05 | Osaka Gas Co Ltd | ９，９−ビス（カルボキシアリール）フルオレン類およびそのエステルの製造方法 |
-
1990
- 1990-12-27 JP JP2415089A patent/JPH04230343A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013241434A (ja) * | 2013-07-18 | 2013-12-05 | Osaka Gas Co Ltd | ９，９−ビス（カルボキシアリール）フルオレン類およびそのエステルの製造方法 |
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