JPH04229619A - 化学的腐食から保護する作用をなす導電性コーティングをチャンバの内側金属面上に有するプラズマエッチング装置と、それを形成する方法 - Google Patents

化学的腐食から保護する作用をなす導電性コーティングをチャンバの内側金属面上に有するプラズマエッチング装置と、それを形成する方法

Info

Publication number
JPH04229619A
JPH04229619A JP3113422A JP11342291A JPH04229619A JP H04229619 A JPH04229619 A JP H04229619A JP 3113422 A JP3113422 A JP 3113422A JP 11342291 A JP11342291 A JP 11342291A JP H04229619 A JPH04229619 A JP H04229619A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chamber
plasma etching
plasma
coating
conductive coating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3113422A
Other languages
English (en)
Inventor
Robert J Steger
ロバート　ジェイ　スティーガー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JPH04229619A publication Critical patent/JPH04229619A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • H01J37/32495—Means for protecting the vessel against plasma
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10S156/914—Differential etching apparatus including particular materials of construction

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、内側金属面上に保護
作用をなす伝導性コーティングが設けられているプラズ
マエッチング装置のプラズマエッチングチャンバと、そ
の様な保護作用をなすコーティングを形成する方法に関
する。
【０００２】
【従来技術とその問題点】半導体ウェーハなどの物質の
プラズマエッチングに使用される装置のプラズマエッチ
ングチャンバは、普通は、エッチングチャンバの壁にア
ルミニウムなどの金属を使って構成される。或る種のガ
ス、例えば塩素などのハロゲンガス、を使用してプラズ
マエッチングを行うときには、金属壁の腐食が起きる可
能性がある。そのために、該チャンバに面する金属面、
即ち、該チャンバ壁の内側面の上に保護コーティングを
形成する必要があった。
【０００３】チャンバ壁に使用される金属がアルミニウ
ムであるときには、通常、アルミニウムは陽極処理され
、その結果として得られる酸化アルミニウムコーティン
グは、ハロゲンガスによるアルミニウムへの腐食作用に
対する所要の化学的保護作用をなす。しかし、プラズマ
エッチングチャンバの内側アルミニウム面を陽極処理す
れば、エッチングチャンバに使用される反応ガスによる
化学的腐食の問題を少なくとも部分的には解決出来るけ
れども、この様な陽極処理は、他の問題を引き起こす。 エッチングチャンバ壁上の陽極処理されたコーティング
は、絶縁体であるので、接地された金属チャンバ面への
プラズマ電気接触が不十分となってアーク放電、高プラ
ズマ電位及び接地不良を引起し、プロセスの反復性及び
プロセス制御の問題を引き起こす結果をもたらす。 更に、プラズマは、グランドを捜し求めて、絶縁性コー
ティングのクラックにしばしば集中して、その場所に化
学的腐食を集中させることがあるので、この様な電気的
な問題は、更なる化学的腐食の問題を引き起こす可能性
がある。
【０００４】従って、プラズマエッチング装置の電気的
機能を妨げることなくプラズマエッチング装置のエッチ
ングチャンバの内側金属面の化学的腐食に対する保護手
段を提供することが望ましい。更に、その保護手段は、
エッチングチャンバ内でエッチングされる半導体ウェー
ハ上に形成されている又は形成されるべき集積回路装置
を全く劣化させてはならない。
【０００５】
【発明の概要】従って、本発明の目的は、プラズマエッ
チングチャンバの電気的機能を妨げずにチャンバ内に存
在する反応ガスによる化学的腐食からプラズマエッチン
グチャンバの内側壁が保護される様になっているプラズ
マエッチング装置を提供することである。
【０００６】本発明の他の目的は、プラズマエッチング
チャンバの電気的機能を妨げずにチャンバ内に存在する
反応ガスによる化学的腐食に対する保護作用をすること
の出来る伝導性コーティングをチャンバの内側金属面に
付けることによりプラズマエッチングチャンバの内側壁
をその様な化学的腐食作用から保護するようになってい
るプラズマエッチング装置を提供することである。
【０００７】本発明の他の目的は、プラズマエッチング
チャンバの電気的機能を妨げずに、且つ、エッチングチ
ャンバ内でエッチングされる半導体ウェーハ上に形成さ
れている又は形成されるべき集積回路装置を全く劣化さ
せずに、チャンバ内に存在する反応ガスによる化学的腐
食に対する保護作用をすることの出来る伝導性コーティ
ングをチャンバの内側金属面に付けることによりプラズ
マエッチングチャンバの内側壁をその様な化学的腐食作
用から保護するようになっているプラズマエッチング装
置を提供することである。
【０００８】本発明の他の目的は、プラズマエッチング
チャンバの電気的機能を妨げずにチャンバ内に存在する
反応ガスによる化学的腐食に対する保護作用をすること
の出来る炭素をベースとする伝導性コーティングをチャ
ンバの内側金属面に付けることによりプラズマエッチン
グチャンバの内側壁をその様な化学的腐食作用から保護
するようになっているプラズマエッチング装置を提供す
ることである。
【０００９】本発明の他の目的は、その様な電気伝導性
保護コーティングをプラズマエッチングチャンバの内側
金属面上に形成する方法を提供することである。本発明
のこれらの目的及びその他の目的は、以下の記述と、添
付図面とから明らかであろう。
【００１０】
【実施例】図１−３は、反応ガスが導入される金属壁の
あるプラズマエッチングチャンバを有する数種類のプラ
ズマエッチングシステムを示す。各場合に、エッチング
チャンバの露出する内側金属面は、プラズマエッチング
プロセスで使用される反応ガスによる金属面の化学的腐
食を防止することの出来る電気伝導性の材料から成る保
護層でコーティングされている。
【００１１】図１は、閉鎖される金属反応チャンバ２２
を含む平行板プラズマエッチング装置２０を示し、この
反応チャンバ２２は、上板２４と、側壁２６と、底板２
８とから成り、チャンバ２２を部分的に真空排気する真
空ポンプ（図示せず）への接続部と、弁制御される導管
３４を通して反応ガスをチャンバ２２へ供給する反応ガ
ス供給源３２とがある。プラズマエッチング装置２０は
、更に、接地されたアノード板４０に平行にチャンバ２
２に装置されたカソード板３８に高周波エネルギーを供
給する高周波電源３６を含む。ウェーハ１０は、カソー
ド３８に面する接地されたアノード板４０に載置される
。真空ポンプへの接続部は、カソード３８に供給される
高周波エネルギーにより形成される反応ガスプラズマを
閉じ込めるために反応ガスをアノード４０とカソード３
８との間の領域に引き込む様に構成されている。
【００１２】本発明に従って、伝導性コーティング４２
が金属チャンバ２２の内側面に、即ち、上板２４、側壁
２６、及び底板２８の内面と、アノード板４０の下側面
とに形成されており、これは、ウェーハ１０のプラズマ
エッチング時にチャンバ２２内を流れる反応ガスによる
化学的腐食からそれらの面を保護することが出来る。 『伝導性コーティング』という用語は、５０００ｍｈｏ
ｓ／ｃｍ　以上の伝導率を有するコーティングを意味す
る。
【００１３】プラズマエッチングプロセス時にチャンバ
内の反応ガスによる化学的腐食から金属チャンバ面を充
分に保護するために、伝導性コーティング１０は少なく
とも約０．２μｍ　（２０００Å）の最小コーティング
厚みを有する。保護コーティングの厚みは、約１μｍ　
（１０，０００Å）にまで及んでもよい。もっと厚いコ
ーティングを利用してもよいけれども、所望の保護作用
を得るには不必要であり、また、厚過ぎれば、プロセス
を妨げたりチャンバ内に望ましくない粒子源をもたらし
たりすることがある。
【００１４】伝導性コーティング１０は、金属面に付け
られたときに該面に付着することが出来て、下にある金
属面をチャンバ内の反応ガスによる化学的腐食から保護
する如何なる伝導性コーティング材料から成ることも出
来る。従って、伝導性コーティングは、割合に化学的に
不活性の材料、即ち、反応ガスによる化学的腐食を受け
ない材料でなければならない。
【００１５】保護伝導性コーティングは、プラズマエッ
チングプロセス中にチャンバ内に存する他の反応条件に
も耐えることが出来なければならないが、その条件は、
典型的プラズマエッチングプロセス時に使用される反応
温度及び真空条件を含み、これらはそれぞれ、その典型
的プラズマエッチングプロセス時に約１０℃ないし約７
０℃、及び５ミリＴｏｒｒないし約１５００ミリＴｏｒ
ｒの範囲にわたるものである。
【００１６】本発明の好適な実施例によると、プラズマ
促進化学蒸着（プラズマ−ＣＶＤ）により形成される炭
素コーティングは、伝導性の表面を提供しながらもエッ
チングチャンバの露出される内側金属面に対して所望の
化学的保護作用を与えるので、チャンバ内のプラズマエ
ッチング条件、即ち、電気的性質は、金属チャンバ壁上
の保護炭素コーティングの存在によっては変化しないこ
とが見出されている。
【００１７】プラズマ促進ＣＶＤプロセスを使うことに
より、またコーティングが伝導性であるので、本来の状
態で、即ち、エッチング装置を分解せずに、エッチング
チャンバの金属面上に該コーティングを形成することが
出来る。更に、後に伝導性コーティングの修理又は更新
が必要になったらば、同じ蒸着方法を使って別の層を既
存の層の上に容易に付けることが出来る。
【００１８】プラズマエッチング処理を妨げずに所望の
化学的保護作用を得るために内側金属面に付けることの
出来る他の伝導性コーティング材料の例としては、窒化
チタン（ＴｉＮ）、スズ酸インジウム（ＩｎＳｎＯ）、
炭化ケイ素（ＳｉＣ）、炭化チタン（ＴｉＣ）、及び炭
化タンタル（ＴａＣ）がある。保護伝導性コーティング
材料が炭素から成るときには、保護コーティングのプラ
ズマ促進ＣＶＤ形成に使われるガスは、窒素又は水素（
又はその両方）と炭素ガス源とを包含することが出来る
。炭素ガス源は、例えば　ＣＨ４　、　Ｃ２Ｈ５　、Ｃ
３Ｈ５、ＣＨ１０などのガス状の炭化水素と、例えばエ
テン、エチン、プロペン、プロピン、ブテン、ブチン、
などのガス状の不飽和炭化水素とを含む、炭素と水素と
の如何なるガス状の結合体から成っていてもよい。ジシ
アン（Ｃ２Ｎ２）　やシアン化水素（ＨＣＮ）などの、
炭素及び窒素又は炭素、水素及び窒素の結合体を含有す
るガス状の化合物を使うこともできる。
【００１９】例えば、チャンバの温度を約２０℃（即ち
、ほぼ周囲温度）ないし約５００℃に保つことによって
保護伝導性コーティングをプラズマエッチングチャンバ
の内側金属面上に形成することが出来るが、これに限定
されるものではない。チャンバ内を約１ミリＴｏｒｒな
いし約５００ミリＴｏｒｒにわたる圧力に保ちながら、
伝導性コーティング材料の源を含む反応ガスを約１０標
準立方ｃｍ／秒（ｓｃｃｍ）ないし約１０００ｓｃｃｍ
の割合でチャンバの中に流し込むことが出来る。伝導性
コーティング層をプラズマ促進ＣＶＤ形成する際に、も
っと高い圧力を使用することも可能ではあるが、その様
な高圧は、プラズマを収縮させる結果となるので不都合
である。上記範囲内の圧力を使えば、チャンバ中に均一
な強度の、より拡散したプラズマが生じて、保護コーテ
ィングがエッチングチャンバの内面上により均一に蒸着
する結果となる。
【００２０】好適な実施例では、反応ガスは、保護コー
ティングのガス状の源と、水素又は窒素ガスとの、約６
０／４０ないし約４０／６０の、最も好ましくは約５０
／５０体積％の混合割合の混合物から成る。チャンバの
中への反応ガスの流入が始まるとき、例えば約１００Ｋ
Ｈｚ　ないし約１００ＭＨｚ　の周波数で作動する高周
波電源又は約１０９　ないし約１０１１ヘルツ（１−１
００ギガヘルツ）の周波数のマイクロ波源、即ち、電磁
波源を使って、蒸着時にプラズマが発火されて、約２０
０ワットないし約１０００ワットにわたるパワーレベル
に保たれる。
【００２１】蒸着は、金属プラズマエッチングチャンバ
の内側壁に少なくとも０．２μｍ　の最小コーティング
厚みを蒸着させるのに充分な時間にわたって実行される
。この様な最小コーティング厚みを得るのに必要な時間
は、正確には、蒸着プロセス時に使用されるＣＶＤ条件
について経験的に決定することが出来るが、チャンバの
形態はチャンバ毎に異なり、それは、与えられたＣＶＤ
反応パラメータの組についての蒸着速度に影響を与える
。
【００２２】図２は、平行板反応イオンエッチングモー
ドのプラズマエッチング装置５０を示しており、この装
置も、上板５４、側壁５６及び底板５８から成る実質的
に閉じた金属反応チャンバ５２を包含しており、チャン
バの内部を部分的に真空排気するための真空ポンプ（図
示せず）への接続部６０と、弁制御される導管装置６４
を通して反応ガスをチャンバへ通じさせるガス供給源６
２と、カソード構造６８及び接地されたアノードとして
役立つ底板５８へ高周波エネルギーを供給する高周波電
源６６とがある。
【００２３】図１に示されているプラズマエッチング装
置２０とは対照的に、プラズマエッチング装置５０では
、ウェーハ１０はカソード６８上に載置されるが、これ
は、設置されたアノード底板５８から遮蔽され且つ分離
されている。本発明に従って、保護伝導性コーティング
７２は、上記したのとほぼ同じ態様で金属チャンバの内
側面上に形成されて図示されている。
【００２４】図３は、他の反応イオンエッチングモード
のプラズマエッチング装置８０を示し、この装置も、プ
ラズマエッチング装置２０及び５０と同じく、カリフォ
ルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ・イン
クから市販されている。プラズマエッチング装置８０は
、上部分８４、側壁８６及び底板８８から成る円筒状金
属反応チャンバ８２を含んでおり、チャンバの内部を部
分的に真空排気するための真空ポンプ（図示せず）への
接続部９０がある。ガス供給源９２は、チャンバ８２に
接続されて、チャンバの頂部のガス分配リング１０４へ
の弁及び導管装置９４を通してチャンバへ反応ガスを供
給する。六角形のカソード９８が高周波電源９６に接続
されている。。側壁８８、上部分８４及び底板８８を含
むプラズマエッチングチャンバ８２の壁は、装置の接地
されたアノードを形成する。前述のプラズマエッチング
チャンバの場合と同様に、本発明に従って、前述のとほ
ぼ同様の態様で金属チャンバ８２の内側金属面上に保護
伝導性コーティング１０２が形成される。
【００２５】図１に示されている平行板プラズマエッチ
ング装置２０は比較的に高圧のシステムであり、役１０
０ミリＴｏｒｒないし約数Ｔｏｒｒの圧力範囲で作動す
るので、相当の流量の反応ガスを装置に流入させること
を必要とするものである。対照的に、反応イオンエッチ
ング装置５０及び８０は、約１ないし約１００ミリＴｏ
ｒｒの範囲の低圧で作動させられるので、通常プラズマ
エッチング時に相当低いガス流量を使用する。
【００２６】従って、叙上において伝導性コーティング
７２及び１０２は、チャンバ２２における保護コーティ
ング４２の形成について記載した蒸着条件と実質的に同
様にして一般的に形成されるものと述べられているけれ
ども、上記の流量及び圧力の範囲の下端の値は、本発明
の保護伝導性コーティングを、図２及び３に示されてい
る様な金属チャンバの内側面上に蒸着させるときに使用
されることが理解されよう。
【００２７】本発明を説明すると、炭素の保護伝導性コ
ーティングを、図１−３に図示し且つ前述したものと同
様のプラズマエッチングチャンバの内側金属面上に蒸着
させることが出来る。チャンバを約３０℃の温度に保ち
、その間にＣＨ４　ガス及びＨ２　ガスの５０／５０体
積％の混合物を１００ｓｃｃｍの割合でチャンバの中に
流入させ、その間、真空ポンプを通してチャンバを真空
排気してチャンバ内の圧力を約６０ミリＴｏｒｒに保つ
。高周波エネルギー源からエネルギーを得るプラズマを
チャンバ内で発火させて、蒸着中４００ワットのパワー
レベルに保つことが出来る。約２０分後、プラズマを消
し、ガス流を止めることが出来る。
【００２８】蒸着完了後、内側の金属チャンバ面上には
、プラズマエッチングチャンバの電気的特性と抵触する
ことなく、後のプラズマエッチングプロセス時に使用さ
れる反応ガスによる腐食からの金属面の所望の化学的保
護をなすのに充分な厚みを全面にわたって有する炭素の
接着性の層が蒸着していることになる。よって、本発明
は、エッチングチャンバ内で行われるプラズマエッチン
グプロセスに使用される反応ガスによる化学的腐食から
金属を保護するために伝導性コーティングを内側金属面
に付けた改良されたプラズマエッチング装置と、そのコ
ーティングされたチャンバを形成する方法とを提供する
ものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、或る種類のプラズマエッチング装置の
垂直断面図であり、プラズマエッチングチャンバの内側
金属面を化学的腐食から保護するためにプラズマエッチ
ングチャンバの内側金属面に付けられた保護伝導性コー
ティングを示す。
【図２】図２は、他の種類のプラズマエッチング装置の
垂直断面図であり、プラズマエッチングチャンバの内側
金属面を化学的腐食から保護するためにプラズマエッチ
ングチャンバの内側金属面に付けられた保護伝導性コー
ティングを示す。
【図３】図３は、更に他の種類のプラズマエッチング装
置の垂直断面図であり、プラズマエッチングチャンバの
内側金属面を化学的腐食から保護するためにプラズマエ
ッチングチャンバの内側金属面に付けられた保護伝導性
コーティングを示す。
【図４】図４は、プラズマエッチングチャンバのき内側
金属面上に化学的保護作用をする伝導性コーティングを
形成するプロセスを示す流れ図である。
【符号の説明】
１０　　ウェーハ ２０　　５０　　８０プラズマエッチング装置２２　　
金属反応チャンバ ２４　　５４　　上板 ２６　　５６　　側壁 ２８　　５８　　底板 ３４　　導管 ３８　　カソード板 ４０　　アノード板 ４２　　導電性コーティング ６０　　接続部 ６４　　導管装置 ６６　　高周波電源 ６８　　カソード構造

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　内側金属面を有するエッチングチャン
    バを備えたプラズマエッチング装置であって、前記チャ
    ンバ内で使用される反応ガスによる化学的腐食から前記
    金属面を保護することの出来る導電性コーティングが前
    記内側金属面上に形成されていることを特徴とするプラ
    ズマエッチング装置。
  2. 【請求項２】　　前記導電性コーティングは、少なくと
    も約０．２μｍ　から約１ミクロンにわたる厚みを有す
    ることを特徴とする請求項１に記載のプラズマエッチン
    グ装置。
  3. 【請求項３】　　前記導電性コーティングは炭素コーテ
    ィングから成ることを特徴とする請求項１に記載のプラ
    ズマエッチング装置。
  4. 【請求項４】　　前記炭素コーティングが設けられてい
    る前記金属プラズマエッチングチャンバはアルミニウム
    から成り、前記反応ガスはハロゲン含有ガスを含み、前
    記炭素コーティングは前記アルミニウム面を前記ハロゲ
    ン含有ガスによる化学的腐食から保護することを特徴と
    する請求項３に記載のプラズマエッチング装置。
  5. 【請求項５】　　アルミニウム製プラズマエッチングチ
    ャンバと、１種類以上のハロゲン含有ガスを含むことの
    出来る反応ガス源と、このガスを前記チャンバ内に導入
    する手段と、前記チャンバ内の電極に電気的に接続され
    てその中にプラズマを発生させる電磁エネルギー源とか
    ら成る、半導体ウェーハをプラズマエッチングする装置
    であって、前記チャンバの内側アルミニウム面上に、前
    記プラズマエッチング時に前記チャンバ内で使用される
    前記反応ガスによる化学的腐食から前記アルミニウム面
    を保護することの出来る、約０．２ミクロンないし約１
    ミクロンのプラズマ促進ＣＶＤ伝導性コーティングが形
    成されていることを特徴とする装置。
  6. 【請求項６】　　前記アルミニウム面上に設けられる前
    記プラズマ促進ＣＶＤ伝導性炭素コーティングは、約２
    ００ないし約１０００ワットの範囲内のパワーレベルで
    前記チャンバ内にプラズマを維持しながら、前記チャン
    バを約２０℃ないし約５００℃の範囲内の温度に保ち、
    前記チャンバ内の圧力を約１ミリＴｏｒｒないし約５０
    ０ミリＴｏｒｒの範囲内に保ち、且つ、ガス状炭素源と
    、水素、窒素、及び両者の混合物から成るグループから
    選択された第２のガスとの混合物を約１０ないし約１０
    ００ｓｃｃｍの範囲内の割合で前記チャンバ内に流入さ
    せながら前記コーティングを設けることにより形成され
    ることを特徴とする請求項５に記載の装置。
  7. 【請求項７】　　前記チャンバに流入する前記ガス状混
    合物は、概ね、前記ガス状炭素源が４０体積％で前記第
    ２ガスが６０体積％の割合から、前記ガス状炭素源が約
    ６０体積％で前記第２ガスが４０体積％の割合までの範
    囲内にあることを特徴とする請求項６に記載の装置。
  8. 【請求項８】　　プラズマエッチング時にプラズマエッ
    チング装置の金属エッチングチャンバ内で使用される反
    応ガスによる化学的腐食から前記エッチングチャンバの
    内側金属面を保護するために該内側金属面上に伝導性コ
    ーティングを形成するプロセスであって、ａ）　　前記
    チャンバを約２０℃ないし約５００℃の範囲内の温度に
    保ち、 ｂ）　　前記チャンバを約１ミリＴｏｒｒないし約５０
    ０ミリＴｏｒｒの圧力範囲内に保ち、 ｃ）　　約１０ｓｃｃｍないし約１０００ｓｃｃｍの割
    合で、前記チャンバの前記内側金属面上に前記伝導性コ
    ーティングを形成することの出来るガス状混合物を前記
    チャンバに流入させ、 ｄ）　　前記ガス状混合物の前記流入時に、約２００な
    いし約１０００ワットの範囲内のパワーレベルでプラズ
    マを前記チャンバ内に維持し、 ｅ）　　少なくとも約０．２μｍ　の前記伝導性コーテ
    ィングが前記チャンバの前記チャンバの前記内側金属面
    上に形成されるまで前記プロセスを行うことから成るこ
    とを特徴とするプロセス。
  9. 【請求項９】　　前記ガス状混合物は、約４０体積％か
    らの、前記伝導性コーティングを形成することの出来る
    １種類以上のガスと、約４０ないし約６０体積％の、水
    素、窒素、及び前記ガスの混合物から成るグループから
    選択された第２のガスとから成ることを特徴とする請求
    項８に記載のプロセス。
  10. 【請求項１０】　　前記伝導性コーティングは炭素コー
    ティングであり、前記伝導性炭素コーティングを形成す
    ることの出来る前記の１種類以上のガスは、炭素及び水
    素を含む１種類以上のガスと；炭素及び窒素を含む１種
    類以上のガスと；炭素、水素、及び窒素を含む１種類以
    上のガスと；その混合物とから成るグループから選択さ
    れることを特徴とする請求項８に記載のプロセス。
JP3113422A 1990-05-21 1991-05-17 化学的腐食から保護する作用をなす導電性コーティングをチャンバの内側金属面上に有するプラズマエッチング装置と、それを形成する方法 Pending JPH04229619A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US526220 1990-05-21
US07/526,220 US5085727A (en) 1990-05-21 1990-05-21 Plasma etch apparatus with conductive coating on inner metal surfaces of chamber to provide protection from chemical corrosion

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04229619A true JPH04229619A (ja) 1992-08-19

Family

ID=24096434

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3113422A Pending JPH04229619A (ja) 1990-05-21 1991-05-17 化学的腐食から保護する作用をなす導電性コーティングをチャンバの内側金属面上に有するプラズマエッチング装置と、それを形成する方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5085727A (ja)
EP (1) EP0458205B1 (ja)
JP (1) JPH04229619A (ja)
KR (1) KR910020193A (ja)
DE (1) DE69113110T2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07176524A (ja) * 1993-11-05 1995-07-14 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置用素材及びその製造方法
US7602111B2 (en) 2005-07-12 2009-10-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Plasma accelerating apparatus and plasma processing system including secondary electron amplification coating layer formed at inner wall of channel
JP2014101238A (ja) * 2012-11-16 2014-06-05 Toyo Tanso Kk 単結晶ＳｉＣ基板の表面処理方法及び単結晶ＳｉＣ基板
JP2018133483A (ja) * 2017-02-16 2018-08-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

Families Citing this family (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6046425A (en) * 1991-05-31 2000-04-04 Hitachi, Ltd. Plasma processing apparatus having insulator disposed on inner surface of plasma generating chamber
US5477975A (en) * 1993-10-15 1995-12-26 Applied Materials Inc Plasma etch apparatus with heated scavenging surfaces
US6024826A (en) * 1996-05-13 2000-02-15 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with heated source of a polymer-hardening precursor material
US5772832A (en) * 1991-06-27 1998-06-30 Applied Materials, Inc Process for etching oxides in an electromagnetically coupled planar plasma apparatus
US6077384A (en) 1994-08-11 2000-06-20 Applied Materials, Inc. Plasma reactor having an inductive antenna coupling power through a parallel plate electrode
US6063233A (en) 1991-06-27 2000-05-16 Applied Materials, Inc. Thermal control apparatus for inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna
US6036877A (en) * 1991-06-27 2000-03-14 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with heated source of a polymer-hardening precursor material
US6238588B1 (en) 1991-06-27 2001-05-29 Applied Materials, Inc. High pressure high non-reactive diluent gas content high plasma ion density plasma oxide etch process
US6074512A (en) * 1991-06-27 2000-06-13 Applied Materials, Inc. Inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna and modular confinement magnet liners
US6488807B1 (en) 1991-06-27 2002-12-03 Applied Materials, Inc. Magnetic confinement in a plasma reactor having an RF bias electrode
US6165311A (en) * 1991-06-27 2000-12-26 Applied Materials, Inc. Inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna
US6514376B1 (en) 1991-06-27 2003-02-04 Applied Materials Inc. Thermal control apparatus for inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna
KR100281345B1 (ko) * 1992-12-01 2001-03-02 조셉 제이. 스위니 전자기 결합성 플래너 플라즈마 장치에서의 산화물 에칭 공정
US5366585A (en) * 1993-01-28 1994-11-22 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for protection of conductive surfaces in a plasma processing reactor
US5486235A (en) * 1993-08-09 1996-01-23 Applied Materials, Inc. Plasma dry cleaning of semiconductor processing chambers
US5865896A (en) 1993-08-27 1999-02-02 Applied Materials, Inc. High density plasma CVD reactor with combined inductive and capacitive coupling
EP0648861A1 (en) * 1993-10-15 1995-04-19 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing apparatus
EP0648858A1 (en) * 1993-10-15 1995-04-19 Applied Materials, Inc. Methods of coating plasma etch chambers and apparatus for plasma etching workpieces
US5565036A (en) * 1994-01-19 1996-10-15 Tel America, Inc. Apparatus and method for igniting plasma in a process module
FR2722939B1 (fr) * 1994-07-22 1996-08-23 Alcatel Fibres Optiques Torche a plasma par induction
US5641375A (en) * 1994-08-15 1997-06-24 Applied Materials, Inc. Plasma etching reactor with surface protection means against erosion of walls
JP3362552B2 (ja) * 1995-03-10 2003-01-07 東京エレクトロン株式会社 成膜処理装置
TW279240B (en) 1995-08-30 1996-06-21 Applied Materials Inc Parallel-plate icp source/rf bias electrode head
US6156663A (en) * 1995-10-03 2000-12-05 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for plasma processing
US6054013A (en) 1996-02-02 2000-04-25 Applied Materials, Inc. Parallel plate electrode plasma reactor having an inductive antenna and adjustable radial distribution of plasma ion density
US6036878A (en) 1996-02-02 2000-03-14 Applied Materials, Inc. Low density high frequency process for a parallel-plate electrode plasma reactor having an inductive antenna
US5788799A (en) * 1996-06-11 1998-08-04 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for cleaning of semiconductor process chamber surfaces
US5904778A (en) * 1996-07-26 1999-05-18 Applied Materials, Inc. Silicon carbide composite article particularly useful for plasma reactors
JP3019002B2 (ja) * 1996-09-20 2000-03-13 日本電気株式会社 ドライエッチング装置及びドライエッチング方法
JP3594759B2 (ja) * 1997-03-19 2004-12-02 株式会社日立製作所 プラズマ処理方法
US6132551A (en) * 1997-09-20 2000-10-17 Applied Materials, Inc. Inductive RF plasma reactor with overhead coil and conductive laminated RF window beneath the overhead coil
US6464843B1 (en) * 1998-03-31 2002-10-15 Lam Research Corporation Contamination controlling method and apparatus for a plasma processing chamber
EP1068632B1 (en) * 1998-03-31 2006-11-15 Lam Research Corporation Contamination controlling method and plasma processing chamber
US6467490B1 (en) * 1998-08-31 2002-10-22 Texas Instruments Incorporated Process for using a high nitrogen concentration plasma for fluorine removal from a reactor
US6589437B1 (en) 1999-03-05 2003-07-08 Applied Materials, Inc. Active species control with time-modulated plasma
US6408786B1 (en) 1999-09-23 2002-06-25 Lam Research Corporation Semiconductor processing equipment having tiled ceramic liner
US6227140B1 (en) 1999-09-23 2001-05-08 Lam Research Corporation Semiconductor processing equipment having radiant heated ceramic liner
US6673198B1 (en) 1999-12-22 2004-01-06 Lam Research Corporation Semiconductor processing equipment having improved process drift control
US6733681B1 (en) 2000-03-31 2004-05-11 Seagate Technology Llc Laterally supported handle wafer for through-wafer reactive-ion etch micromachining
US6401652B1 (en) 2000-05-04 2002-06-11 Applied Materials, Inc. Plasma reactor inductive coil antenna with flat surface facing the plasma
US20030165689A1 (en) * 2001-12-14 2003-09-04 Miller Edward A. Articles spray coated with non-melting polymer
US20040134427A1 (en) * 2003-01-09 2004-07-15 Derderian Garo J. Deposition chamber surface enhancement and resulting deposition chambers
US7118781B1 (en) * 2003-04-16 2006-10-10 Cree, Inc. Methods for controlling formation of deposits in a deposition system and deposition methods including the same
JP2005039004A (ja) * 2003-07-18 2005-02-10 Hitachi High-Technologies Corp プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法
US7303996B2 (en) * 2003-10-01 2007-12-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. High-K gate dielectric stack plasma treatment to adjust threshold voltage characteristics
US7087529B2 (en) * 2003-10-02 2006-08-08 Amcol International Corporation Chemical-mechanical polishing (CMP) slurry and method of planarizing surfaces
CN100346839C (zh) * 2003-10-07 2007-11-07 陈锦星 等离子纳米催化消毒净化器
JP4312063B2 (ja) * 2004-01-21 2009-08-12 日本エー・エス・エム株式会社 薄膜製造装置及びその方法
JP4628900B2 (ja) * 2005-08-24 2011-02-09 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
US7514125B2 (en) * 2006-06-23 2009-04-07 Applied Materials, Inc. Methods to improve the in-film defectivity of PECVD amorphous carbon films
US9224582B2 (en) 2007-11-29 2015-12-29 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for depositing electrically conductive pasting material
US20140356985A1 (en) 2013-06-03 2014-12-04 Lam Research Corporation Temperature controlled substrate support assembly
CN105702561B (zh) * 2014-12-12 2018-09-18 韩国东海炭素株式会社 半导体处理组件再生方法
JP7022651B2 (ja) * 2018-05-28 2022-02-18 東京エレクトロン株式会社 膜をエッチングする方法及びプラズマ処理装置
US10704141B2 (en) * 2018-06-01 2020-07-07 Applied Materials, Inc. In-situ CVD and ALD coating of chamber to control metal contamination

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS554937A (en) * 1978-06-27 1980-01-14 Fujitsu Ltd Dry etching method
JPS5582782A (en) * 1978-12-18 1980-06-21 Fujitsu Ltd Dry etching method
JPS6173332A (ja) * 1984-09-18 1986-04-15 Toshiba Corp 光処理装置
JPS61264730A (ja) * 1985-05-20 1986-11-22 Fujitsu Ltd アルミニウムのエツチング方法
JPS63138737A (ja) * 1986-12-01 1988-06-10 Hitachi Ltd ドライエッチング方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5687667A (en) * 1979-12-20 1981-07-16 Toshiba Corp Reactive ion etching method
US4419201A (en) * 1981-08-24 1983-12-06 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Apparatus and method for plasma-assisted etching of wafers
US4427516A (en) * 1981-08-24 1984-01-24 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Apparatus and method for plasma-assisted etching of wafers
JPS59184527A (ja) * 1983-04-05 1984-10-19 Canon Inc 気相法装置
US4693777A (en) * 1984-11-30 1987-09-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus for producing semiconductor devices
JPS63277751A (ja) * 1987-05-11 1988-11-15 Rikagaku Kenkyusho 低ガス放出壁面を有する真空容器

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS554937A (en) * 1978-06-27 1980-01-14 Fujitsu Ltd Dry etching method
JPS5582782A (en) * 1978-12-18 1980-06-21 Fujitsu Ltd Dry etching method
JPS6173332A (ja) * 1984-09-18 1986-04-15 Toshiba Corp 光処理装置
JPS61264730A (ja) * 1985-05-20 1986-11-22 Fujitsu Ltd アルミニウムのエツチング方法
JPS63138737A (ja) * 1986-12-01 1988-06-10 Hitachi Ltd ドライエッチング方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07176524A (ja) * 1993-11-05 1995-07-14 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置用素材及びその製造方法
US7602111B2 (en) 2005-07-12 2009-10-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Plasma accelerating apparatus and plasma processing system including secondary electron amplification coating layer formed at inner wall of channel
JP2014101238A (ja) * 2012-11-16 2014-06-05 Toyo Tanso Kk 単結晶ＳｉＣ基板の表面処理方法及び単結晶ＳｉＣ基板
JP2018133483A (ja) * 2017-02-16 2018-08-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
US10957515B2 (en) 2017-02-16 2021-03-23 Tokyo Electron Limited Plasma processing method and plasma processing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
EP0458205B1 (en) 1995-09-20
DE69113110D1 (de) 1995-10-26
KR910020193A (ko) 1991-12-19
US5085727A (en) 1992-02-04
EP0458205A3 (en) 1992-04-08
EP0458205A2 (en) 1991-11-27
DE69113110T2 (de) 1996-05-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH04229619A (ja) 化学的腐食から保護する作用をなす導電性コーティングをチャンバの内側金属面上に有するプラズマエッチング装置と、それを形成する方法
US6838012B2 (en) Methods for etching dielectric materials
US5268200A (en) Method of forming plasma etch apparatus with conductive coating on inner metal surfaces of chamber to provide protection from chemical corrosion
KR101107542B1 (ko) 플라즈마 반응기용 용사 이트리아 함유 코팅
US8394231B2 (en) Plasma process device and plasma process method
US6274496B1 (en) Method for single chamber processing of PECVD-Ti and CVD-TiN films for integrated contact/barrier applications in IC manufacturing
KR100355914B1 (ko) 저온플라즈마를이용한직접회로제조방법
US20170121813A1 (en) Method and apparatus for cleaning a cvd chamber
US8128831B2 (en) Plasma etching method and computer-readable storage medium
JP2519383B2 (ja) 窒化物上の酸化物層のエッチング方法
US5680013A (en) Ceramic protection for heated metal surfaces of plasma processing chamber exposed to chemically aggressive gaseous environment therein and method of protecting such heated metal surfaces
US8293335B2 (en) Yttria-coated ceramic components of semiconductor material processing apparatuses and methods of manufacturing the components
JP3488734B2 (ja) プラズマ処理反応器内の導電性の面を保護するための方法及び装置
EP0768388B1 (en) Method and apparatus for forming amorphous carbon film
JP2002158179A (ja) プラズマ励起ｃｖｄプロセスのプラズマエッジ効果の低減
US5827408A (en) Method and apparatus for improving the conformality of sputter deposited films
US20020168483A1 (en) Method for forming film by plasma
US6863926B2 (en) Corrosive-resistant coating over aluminum substrates for use in plasma deposition and etch environments
KR20200001631A (ko) 반응성 가스 전구체를 사용한 프로세싱 챔버로부터의 하이-k 막들의 선택적인 인-시튜 세정
KR20100078334A (ko) 플라즈마 처리장치 및 반사 방지막 형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19971006