JPH04229431A - 相交換型の可逆性光記録担体 - Google Patents

相交換型の可逆性光記録担体

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JPH04229431A
JPH04229431A JP3140381A JP14038191A JPH04229431A JP H04229431 A JPH04229431 A JP H04229431A JP 3140381 A JP3140381 A JP 3140381A JP 14038191 A JP14038191 A JP 14038191A JP H04229431 A JPH04229431 A JP H04229431A
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シュテファン、イゼルボルン
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ゲルト、フィッシャー
Hartmut Hibst
ハルトムート、ヒブスト
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BASF SE
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザー光の入射によ
って情報を繰り返し記録することができ、消去すること
ができ、かつ読み取ることができるような、少なくとも
１つの支持体および少なくとも１つの相交換型の記憶層
を有する光記録担体に関し、この場合記録担体は、異な
る光学的挙動の少なくとも３つの可逆的に互いに切換可
能の状態を有し、かつ記憶層中に結晶相および非晶質相
の異なる容量分を有し、少なくとも１対の状態の間での
反射能の差は、非晶質状態と、結晶状態との間の場合よ
りも大きい。
【０００２】
【従来の技術】此処数年来、所謂相交換媒体は、可逆的
な光情報記録のために使用されている。このための例は
、テルル、セレン、テルルもしくはセレンを基礎とする
カルコゲニド合金または強力な放射、例えばレーザー光
の作用下で可逆的に非晶質状態から結晶状態に処理され
うるＩＩＩ−Ｖの半導体材料である。記録の場合、情報
は、記憶材料が相応して照射されることによって媒体の
非晶質領域中および結晶領域中で変換される。この場合
、非晶質領域および結晶領域は、光反射能、光透過率も
しくは光吸収率、屈折率または誘電率のような物理的大
きさによって特性決定することができる異なる光学的挙
動を有する。また、例えば比抵抗のような電気的性質に
関連して種々の挙動が示される。
【０００３】一般に、記録された情報を読み取るために
、非晶質領域および結晶領域の異なる反射能がレーザー
光に対して使用される。付加的に、読み取りの際には異
なる光透過率が利用される。
【０００４】情報を読み取るためには、書き込む場合よ
りも少ない強度のレーザー光が使用され、したがって記
録されたパターンは、読み取りの際に非晶質領域および
結晶領域によって変化されることはない。
【０００５】接続される２つの状態が非晶質相中もしく
は結晶相中に存在するような光記録媒体の例は、欧州特
許出願公開第２１２３３６号明細書；米国特許第３５３
０４４１号明細書；米国特許第３９７１８７４号明細書
および米国特許第４２７８７３４号明細書に見い出すこ
とができる。
【０００６】相交換方法の特徴として、記憶材料のパタ
ーン相の変化は、明らかに利用されず、光学的性質に対
してパターンの性質の種々の影響がしばしば利用される
。例えば、欧州特許出願公開第１９５５３２号明細書の
場合には、一般に常用されている概念“相交換方法”の
代わりに“光学的定数交換方法”の概念が使用された。 光学的定数とは、屈折率および吸光係数のことであり、
既に双方の数値の一方のみの変化により、一般に反射能
の望ましい変化が生じる。相応して、欧州特許出願公開
第２６５２０４号明細書には、相交換の際に関与した相
の特徴として直接に種々の反射能が記載されている。
【０００７】この種の相交換の定義は、明らかなことで
はない。例えば、欧州特許出願公開第１８４４５２号明
細書には、同様に異なる反射能の２つの状態を示す可逆
的な光記録方法および光記録媒体が記載されている。し
かし、この異なる反射能の２つの状態を示す原因は、異
なる構造の２つの安定な結晶状態を形成するという、記
載された記憶材料の性質にある。
【０００８】米国特許第４７１９６１５号明細書には、
同様に異なる反射能の２つの状態を有する可逆的な光記
憶媒体が記載されている。この異なる反射能の２つの状
態を有する原因は、表面が気泡状に変形されていること
にあり、この変形は、この変形はレーザー光によって惹
起されうるが、不成功に帰する。
【０００９】製造後に一般に非晶質で存在する記憶媒体
は、欧州特許出願公開第１８０１０３号明細書の記載に
相応して、結晶状態に置くために差当りエネルギーパル
スに晒される。そのために、しばしばレーザー光を用い
ての記憶媒体の照射が実施される。この過程は、活性化
（Ｆｏｒｍｉｅｒｕｎｇ）または初期化（Ｉｎｉｔｉａ
ｌｉｓｉｅｒｕｎｇ）と呼称される。
【００１０】一般に、書き込み過程の場合には、記憶層
の結晶領域は、高い強度のレーザー光によって融点を越
えて加熱され、通常使用される記憶材料の場合には、こ
の融点は、数百℃であることができる。レーザー光が照
射された個所を去った場合には、直ちに迅速に冷却が行
なわれる。この冷却の結果として、結晶領域は、非晶質
領域に変換される。消去過程の場合には、非晶質領域は
、僅かな強度のレーザー光によって、溶融温度よりも低
い結晶化温度になるまで加熱され、ひいては元の結晶領
域に変化される。また、付加的に逆に結晶化によって書
き込まれ、かつ非晶質化によって消去される。
【００１１】迅速なデータの伝達を可能にしようとする
ために、書き込みの際にも消去の際にも必要とされる時
間は、できるだけ短くなければならない。従って、著し
く短いレーザーパルスで消去可能である材料が切に求め
られた。
【００１２】しかし、正にこの材料は極めて劣悪な状態
でのみ書き込むことができることが判明した。それとい
うのも、書き込み過程の間に著しく迅速に進行する消去
過程も開始されるからである。従って、記憶材料を所望
の個所で完全に非晶質状態に処理することは、成功しな
い。常に結晶性残分が留まったままである。この挙動は
、“自己消去”と呼称することができる。この自己消去
によって、公知の記録担体の場合には、２つの状態の反
射能の差は、減少され、欠陥なしに読み取るのに必要と
される信号の高さもしくは十分に高い信号／雑音比は、
部分的に達成されない。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の課題
は、信号の減退および劣悪な信号／雑音比の問題が自己
消去により解決されるような相交換媒体を基礎とする光
記録担体を提供することであった。相応する記憶層は、
迅速な消去可能性にも拘らず異なる結晶度の情報を有す
る領域の高い安定性を保証しなければならず、記録担体
は、十分に耐食性でなければならない。
【００１４】
【課題を解決するための手段】それに応じて、冒頭に記
載した記録担体が見い出された。
【００１５】この種の有利な記録担体は、本明細書の記
載から認めることができる。
【００１６】ところで、意外なことに、異なる結晶容量
分を有する部分結晶性領域間の反射率の差がむしろ非晶
質領域と、結晶領域との間の反射率の差よりも大きいよ
うな光記録担体が存在することが見い出された。このこ
とは、迅速に結晶する材料を使用した場合には、部分的
な自己消去は有利であることを意味する。その理由は、
最も大きい信号は書き込みの際に非晶質の最終状態が達
成されない場合にのみ得られるからである。
【００１７】本発明による記録担体の相交換型記録媒体
として、公知のカルコゲニド合金およびＩＩＩ−Ｖ半導
体材料は、適当である（Ｓａｔｏ他；”Ｏｐｔｉｃａｌ
　　Ｄａｔａ　　Ｓｔｏｒａｇｅ　　Ｍｅｅｔｉｎｇ”
，Ｇｏｒｄｏｎ．Ｒ．　　Ｋｎｉｇｈｔ，Ｃｌａｒｋ　
　Ｎ．Ｋｕｒｔｚ，編集、Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ　　１０
７８（１９８９）、第１１頁〜第１３頁参照）。記載し
た種類の有利な記憶媒体は、少なくとも９０重量％がＧ
ｅＴｅまたはＧｅＳｂ２Ｔｅ４からなる。
【００１８】記憶媒体は、異なる結晶度の範囲に関連し
て光学的性質の差の大きさを生じさせおよび／またはこ
の範囲での安定化に貢献する、１０重量％までの１つま
たはそれ以上の成分を含有することができる。この成分
は、有利に完全された耐食性が達成されるような程度に
選択することができる。また、この成分は、耐食性のみ
を改善することができる。相交換媒体中に１０重量％ま
で含有されていてもよい、この種の成分の例は、セレン
、硫黄およびクロムである。
【００１９】相交換媒体は、周知のように最高で薄層の
形で使用される。薄層は、緻密な材料の場合よりも僅か
な熱容量を有し、したがって光強度は比較的に僅かであ
ることを記載することができる。薄層は、一般に物理的
析出方法、例えばスパッタリングまたは蒸着等によって
支持体上に施こされる。
【００２０】適当な支持体の例は、ガラス、ポリカーボ
ネート、ポリメチルメタクリレートまたはポリ塩化ビニ
ルである。最も頻繁に使用される材料は、支持体を通し
て相交換層を露光することができるようにするために透
明であり、かつ先に存在する情報を見い出すことができ
るような予防手段が講じられている。このための典型的
な例は、例えばドイツ連邦共和国特許（Ｃ２）第３０３
２７６９号明細書に記載されているように円形またはス
クリュー状のシュプール溝（Ｓｐｕｒｒｉｌｌｅ）また
は種々の情報セクター（Ｓｅｋｔｏｒｉｎｆｏｒｍａｔ
ｉｏｎ）である。
【００２１】記憶層の少なくとも片側には、誘電性層が
備えられていてもよい。この有利に透明な層は、抗反射
層として作用することができおよび／または摩耗および
／または腐食に抗する保護層として作用することができ
る。この種の層は、有利に炭化物、酸化物、窒化物、硫
化物（ＺｎＳ）またはこれらの混合物からなる。特に好
ましいのは、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４またはこれらの混合物
からなる窒化物層である。本発明によれば、誘電性層の
層厚が等しい場合に記載の窒化物層の１つの選択に依存
せず効果が生じることが見い出された。
【００２２】誘電性層は、透明な支持体と、記憶層との
間に配置されているのが有利である。特に有利な実施態
様の場合には、記憶層の両側に誘電性層が取り付けられ
ている。
【００２３】金属反射層は、記憶層および場合によって
は誘電性層からなる層系と、支持体または前記層系の支
持体から離れた側との間に取り付けられているのが有利
である。この場合には、例えばアルミニウムからなる金
属反射層が重要である。アルミニウム層の厚さは、１０
ｎｍよりも大きく、有利に２０ｎｍよりも大きく、特に
有利には２５ｎｍよりも大きい。また、反射層として誘
電性単一層または多重層を使用することもできる。好ま
しい反射層は、５０％よりも大きい反射能を有する。
【００２４】本発明の特に好ましい１つの実施態様の場
合、記録担体は、記憶層の両側に透明な誘電性層が配置
されかつ層系の支持体から離れた側に金属反射層が取り
付けられているような層系からなる。
【００２５】特に好ましい本発明による記録担体は、支
持体ならびにその上に記載の順序で配置された、層厚５
０〜２００ｎｍを有するＡｌＮおよび／またはＳｉ３Ｎ
４からなる第１の誘電性層、層厚１０〜５０ｎｍを有す
るＧｅＴｅまたはＧｅＳｂ２Ｔｅ４からなる記憶層、層
厚１５〜１００ｎｍを有するＡｌＮおよび／またはＳｉ
３Ｎ４からなる第２の誘電性層および２０ｎｍよりも大
きい層厚を有するＡｌ層からなる。
【００２６】本発明による記録担体は、次のように定め
ることができる： １）　　差当り実験により公知方法（例えば、スペクト
ル偏光解析）を用いて、相交換層の非晶質および結晶の
形の光学的に一定の屈折率ｎおよび吸光係数ｋならびに
場合によっては他の層（誘電性層、反射層、支持体）の
光学的に一定の屈折率ｎおよび吸光係数ｋが定められる
。 ２）　　次いで、複素誘電率は、それぞれ記憶層の非晶
質および結晶の形に対して計算される。方程式（１）に
よって定義された複素誘電率ｅおよび光学的定数ｎおよ
びｋは、方程式（２）および（３）を使用しながら明ら
かに互いに換算することができる： ｅ＝ｅ１＋ｉｅ２　　（１） ｅ１＝ｎ２−ｋ２　　（２） ｅ２＝２ｎｋ　　　　　　（３） ３）　　こうして得られた、記憶層の非晶質形（ｅａ）
および結晶形（ｅｋ）の誘電率を用いて、コーエン（Ｒ
．Ｗ．Ｃｏｈｅｎ）他、ＰｈｙｓｉｃａｌＲｅｖｉｅｗ
、Ｂ８、１９７３、第３６８９頁以降に記載された方法
により非晶質相（ｅｘ）の任意の容量分ｘを有する記憶
層の誘電率は、定めることができる。全層に関連して、
非晶質容量分ｘ（０≦ｘ≦１）で明らかに属する誘電率
ｅｘが得られる方程式（４）：
【００２７】
【数１】 が存在する。複素数ｅｘ（ｅｘ＝ｅ１ｘ＋ｉｅ２ｘ）は
、方程式（２）および（３）により異なる非晶質容量分
ｘを有する層に関して光学的定数ｎｘおよびｋｘを生じ
る。 ４）　　関与した層の層厚は適当に選択されることに注
目すべきである。公知の屈折率ｎ１、ｎ２、ｎ３・・・
、吸光係数ｋ１、ｋ２、ｋ３・・・および層厚ｄ１、ｄ
２、ｄ３・・・　　を有する任意の順序の層に関しては
、反射能または透過能は、例えばヘブンズ（Ｏ．Ｓ．Ｈ
ｅａｖｅｎｓ），”ＯｐｔｉｃａｌＰｒｏｐｅｒｔｉｅ
ｓ　　ｏｆ　　Ｔｈｉｎ　　Ｓｏｌｉｄ　　Ｆｉｌｍｓ
”，Ｂｕｔｔｅｒｗｏｒｔｈｓ　　Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉ
ｃＰｕｂｌｉｃａｔｉｏｎｓ，Ｌｏｍｄｏｎ，１９５５
、第６９頁〜第７２頁に記載の方法により計算すること
ができる。 ５）　　相応する計算プログラムの場合には、好ましい
方法で全ての関与した層の層厚ならびに記憶層中の非晶
質容量分は、変えることができ、かつ反射能の最大の差
に関連して記載の状態および未記載の状態によって最適
にすることができる。
【００２８】本発明による記録担体は、少なくとも１つ
の記憶層および少なくとも１個の支持体を有する。この
種の多重記録担体は、例えば支持体、記憶層および場合
によっては誘電性層からなる２個の記録担体を適当に互
いに結合させることによって得ることができる。このた
めに、２個の記録担体は、例えば２つの記憶層が向かい
合って存在するように接着することができる。
【００２９】個々の層の製造には、一般にスパッタリン
グ方法が有効であることが判明した。それというのも、
このスパッタリング方法は、材料組成および層厚の良好
な際限可能性を保証するからである。もう１つの適当な
析出方法は、蒸着である。
【００３０】製造後に一般に非晶質形で存在する本発明
による記憶媒体は、差当り初期化しなければならず、こ
の場合書き込みまたは消去の場合よりも少なくとも１０
倍長いパルス時間を有する１つまたはそれ以上のレーザ
ーパルスは、有効であることが判明した。初期化により
、記憶媒体は、一般に結晶状態にもたらされる。部分結
晶状態が最大の反射率を有する場合には、記憶媒体は、
初期化によって最大の反射率に相当する部分結晶状態に
もたらされる。
【００３１】書き込みは、結晶容量分を有する１つの状
態で記憶媒体を処理するレーザーパルスを用いて行なわ
れ、この場合この結晶容量分は、異なる結晶容量分を有
する全ての可能な状態の下で初期化された状態の際に最
高の反射率の差を有する。消去は、比較的に低い強度の
レーザーパルスを用いて行なわれ、この場合結晶状態は
再び形成される。
【００３２】このことから、本発明による記録担体は、
数多くの重要な利点を有する。書き込み過程は、より迅
速に行なうことができる。それというのも、完全に非晶
質の状態が達成されるまで待つ必要がないからである。 消去過程の場合の利点は、なお一層明らかである。この
場合、非晶質状態から結晶状態への移行は、結晶状態か
ら非晶質状態への逆方向の移行の場合よりも緩徐に進行
する。その理由は、差当り種晶を形成しなければならな
いからである。更に、本発明による記録担体の１つの特
別な利点は、既に多数の種晶が部分結晶領域中に存在す
るので、部分結晶領域の結晶化が非晶質の状態からの結
晶化の場合よりも迅速に進行することにある。
【００３３】この利点の意味は、緩徐の消去性の性質を
有する記録担体の場合に消去光線が楕円形の形でなけれ
ばならないものと推測することができる。この結果、書
き込みレーザーとともに第２のレーザーは、専ら消去過
程に必要とされる。１つのレーザーを有する装置が、２
つのレーザーを有する装置の場合よりも安価で簡単であ
ることは、明らかである。
【００３４】本発明による記録担体のもう１つの利点は
、結晶容量分を確定しなければならない正確さが比較的
に低いことによって明らかであり、したがって結晶容量
分の小さい変動に対して信号の僅かな感度のみが存在す
る。
【００３５】
【実施例】実施例１〜４は、公知技術水準によるもので
あり、すなわち最大の反射率の差は、非晶質相と、結晶
相との間で生じる。実施例５〜１９は、本発明によるも
のであり、すなわち最大の反射率の差は、部分結晶相と
、結晶相との間で生じる。実施例１〜１０の場合、記憶
層はＧｅＳｂ２Ｔｅ４からなり、実施例１１〜１９の場
合には、ＧｅＴｅからなる。
【００３６】実施例５〜１９の本発明による記録担体は
、上記に詳説した計算方法に相応して得られた。計算の
場合、実験的にスペクトル偏光解析により定められた光
学的定数は、例えばＧｅＳｂ２Ｔｅ４の記憶層に関連し
て非晶質状態でｎａ＝４．４およびｋａ＝１．７であり
、かつ結晶状態でｎｃ＝４．４およびｋｃ＝３．２５で
あった。ＡｌＮ層の光学的定数は、ｎ＝２．０およびｋ
＝０であり、Ａｌ層の光学的定数は、ｎ＝１．９９およ
びｋ＝７．０であった。支持体は、光学的定数ｎ＝１．
５およびｋ＝０を有していた。
【００３７】ＧｅＳｂ２Ｔｅ４の記憶層を有する記録担
体に関連して、完全に非晶質状態および完全に結晶状態
の見い出された光学的定数の使用下で、非晶質相の容量
分ｘを有する全記憶層は、光学的定数ｎｘ＝４．４およ
びｋｘ＝ｋｃ＋（ｋａ−ｋｃ）ｘを有することが判明し
た。
【００３８】更に、計算した場合、関与した全層の光学
的定数の使用下で非晶質相のそれぞれの層厚および容量
分ｘは変動され、かつ反射能が計算された。
【００３９】最適化の計算の結果として、最大の反射率
の差が部分結晶相と、結晶相との間で生じることを実験
的に証明することができるような本発明による記録担体
が見い出された。
【００４０】同様に、実施例１１〜１９の本発明による
記録担体の場合には、ＧｅＴｅ記憶層を用いて実施され
た。実施例１〜３公知技術水準による３個の記録担体を
、第１のＡｌＮ層、ＧｅＳｂ２Ｔｅ４記憶層および第２
のＡｌＮ層をガラス支持体上にスパッタすることにより
製造した（層厚は第１表を参照のこと）。ＡｌＮ層をＡ
ｌ陰極（陰極出力：０．４ｋＷ）の反応性マグネトロン
スパッタリングによって製造し、この場合には、スパッ
タガスとしてアルゴン（２．６×１０−３ミリバール）
と窒素（２．４×１０−３ミリバール）との混合物を使
用した。ＧｅＳｂ２Ｔｅ４記憶層をＧｅＳｂ２Ｔｅ４タ
ーゲットのＲＦダイオードスパッタリングによって得た
（陰極出力：０．１ｋＷ；析出速度２０．４ｎｍ／ｍｉ
ｎ；支持体とターゲットとの距離５６ｍｍ）。スパッタ
ガスとしてアルゴン（１×１０−２ミリバール）を使用
した。スパッタ開始前の残留ガス圧は、少なくとも１０
−６ミリバールであった。
【００４１】非晶質状態で得られたＧｅＳｂ２Ｔｅ４記
憶層は、種々のパルス出力および／またはパルス時間の
レーザー光の使用によって任意の高い結晶容量分を有す
る全ての状態に変換することができた。結晶限界を越え
させるために、５０ｎｓおよび８ｍＷまたは２００ｎｓ
および４ｍＷのレーザーパルスが必要とされた。４ｍＷ
のレーザー出力およびより短いパルス時間の場合には、
より低い結晶容量分を有する状態が得られた。実施例４
〜１０ガラス支持体上に順次に第１のＡｌＮ層、ＧｅＳ
ｂ２Ｔｅ４記憶層、第２のＡｌＮ層およびＡｌ層を析出
することにより、７個の記録担体を製造した。ＡｌＮ層
およびＧｅＳｂ２Ｔｅ４層は、実施例１〜３の場合と同
様に製造された。ＤＣマグネトロンスパッタリングによ
るＡｌ層およびＡｌＮ層の析出には、同じターゲットを
使用した。Ａｌ層を析出する際のスパッタガスとしては
、アルゴン（５×１０−３ミリバール）を使用した。そ
れぞれの層厚は、第１表に記載されている。Ａｌ層の厚
さは、それぞれ２５ｎｍであった。
【００４２】公知技術水準による実施例１〜４で得られ
た記録担体は、波長７８０ｎｍのレーザー光を用いて照
射した際に結晶相の容量分の光学的反射能に依存するこ
とを示し、この依存により、記憶媒体の完全な非晶質状
態と、完全な結晶状態との間の反射能の最高の差が生じ
た（第１表参照）。
【００４３】実施例５〜１０の本発明による記録担体の
場合には、部分結晶性の弱い反射状態と、完全に結晶性
の強い反射状態との間の反射能の最高の差が生じた（第
１表参照）。反射能は、最小の範囲内で結晶相の容量分
に対する比較的に小さい依存性を示した。こうして、実
施例５の記録担体に関連して、５５〜６０％までの結晶
容量分の部分結晶状態は、非晶質状態の場合よりも小さ
い反射能を有することが見い出された。光学的反射能の
最大の差は、実施例５〜１０の記録担体の場合にはそれ
ぞれ異なる結晶容量分に関連して部分結晶状態で見い出
された。結果は、第１表に総括されている。
【００４４】
【表１】 実施例１１〜１９ ガラス支持体上に順次に第１のＡｌＮ層、ＧｅＴｅ記憶
層、第２のＡｌＮ層およびＡｌ層を析出した。実施例４
〜１０の場合と同じ条件下で層を製造したが；しかしＧ
ｅＴｅの析出速度は、１４．８ｎｍ／ｍｉｎであった。 それぞれの層厚は、第２表に記載されている。Ａｌ層の
厚さは、それぞれ１００ｎｍであった。
【００４５】
【表２】 ＧｅＳｂ２Ｔｅ４記憶層を有する実施例５〜１０の本発
明による記録担体の場合と全く同様に、実施例１１〜１
９の本発明による記録担体の場合にも、部分結晶性の弱
い反射状態と、完全に結晶性の強い反射状態との間の反
射能の最高の差が生じることが見い出された。
【００４６】実施例５〜１９の本発明による記録担体の
場合には、記憶層の組成に依存せずに次の挙動が見い出
された：記憶層および第２のＡｌ層の一定の厚さに関連
して、減少する結晶容量分を有する部分結晶状態の場合
には、第１のＡｌＮ層の増大する厚さをもって最大の反
射率が生じることが見い出された。これとは異なり、記
憶層および第１のＡｌＮ層の一定の厚さに関連して、増
大する結晶容量分を有する部分結晶状態の場合には、第
２のＡｌＮ層の増大する厚さをもって最大の反射率が生
じることが見い出された。
【００４７】Ａｌ層の厚さは、少なくとも２０ｎｍを選
択した場合には、データに何らの影響も示さなかった。 記憶層の層厚は、データに対する影響を確認することな
しに少なくとも２０〜５０ｎｍの範囲内で変動させるこ
とができた。
【００４８】結晶相の種々の容量分は、レーザーパルス
（レーザー出力：１〜８ｍＷ；パルス時間：５０ｎｓ〜
１μｓ）を用いて照射することによって調節された。
【００４９】最大の反射率の場合に第１表および第２表
に記載の結晶容量分を測定するために、測定された反射
能を、結晶相（１−ｘ）の異なる容量分に対して計算さ
れた（珪酸に関しては上記参照）反射能と比較した。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　少なくとも１つの支持体および少なく
    とも１つの相交換型の記憶層を有する光記録担体におい
    て、異なる光学的挙動の少なくとも３つの状態を有し、
    可逆的に互いに切換可能であり、異なる光学的挙動の少
    なくとも３つの状態が結晶相および非晶質相の異なる容
    量分を記憶層中に有し、少なくとも１対の状態の間での
    反射能の差が非晶質状態と、結晶状態との間の場合より
    も大きいことを特徴とする、光記録担体。
JP3140381A 1990-06-16 1991-06-12 相交換型の可逆性光記録担体 Withdrawn JPH04229431A (ja)

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DE4019301A DE4019301A1 (de) 1990-06-16 1990-06-16 Reversibler optischer aufzeichnungstraeger vom phasenwechsel-typ
DE4019301.2 1990-06-16

Publications (1)

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