JPH0422574A - 半田ディプ処理装置 - Google Patents
半田ディプ処理装置Info
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- JPH0422574A JPH0422574A JP11846990A JP11846990A JPH0422574A JP H0422574 A JPH0422574 A JP H0422574A JP 11846990 A JP11846990 A JP 11846990A JP 11846990 A JP11846990 A JP 11846990A JP H0422574 A JPH0422574 A JP H0422574A
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- molten solder
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- 238000005476 soldering Methods 0.000 title 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 53
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 24
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
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- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
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- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013022 venting Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Molten Solder (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、多数の電子部品を搭載したリードフレームに
半田被膜を選択的に形成するための半田ディプ処理装置
に関するものである。
半田被膜を選択的に形成するための半田ディプ処理装置
に関するものである。
従来の技術
多数の電子部品を搭載したリードフレームに半田被膜を
形成することが一般に行われており、前記半田被膜は通
常、ディプ(浸漬)処理により形成される。
形成することが一般に行われており、前記半田被膜は通
常、ディプ(浸漬)処理により形成される。
液槽内の溶融半田は常にヒータで加熱されており、半田
浴のためにキャリヤ等で液槽上に送り込まれた電子部品
は、リードフレームのフレーム領域を下側にして下降し
溶融半田に接触する。また、前記接触を良好ならしめる
とともに溶融半田の表面酸化を軽減させるために、液槽
内の溶融半田を噴流させることも行われている。
浴のためにキャリヤ等で液槽上に送り込まれた電子部品
は、リードフレームのフレーム領域を下側にして下降し
溶融半田に接触する。また、前記接触を良好ならしめる
とともに溶融半田の表面酸化を軽減させるために、液槽
内の溶融半田を噴流させることも行われている。
発明が解決しようとする課題
しかし、かかる従来の装置を用いてリードフレームに半
田被膜を形成すると、半田被膜を必要とするリード領域
のみならずフレーム領域にまで半田被膜が形成されてし
まい、それだけ半田を浪費するばかりでな(有害ガスの
発生量も多(なる。
田被膜を形成すると、半田被膜を必要とするリード領域
のみならずフレーム領域にまで半田被膜が形成されてし
まい、それだけ半田を浪費するばかりでな(有害ガスの
発生量も多(なる。
そのうえ、リードフレームから析出した不純物が液槽内
の溶融半田に混入し、その累積によって溶融半田の組成
が経時変化するという課題もあった。
の溶融半田に混入し、その累積によって溶融半田の組成
が経時変化するという課題もあった。
そこで本発明者らは、垂直溝およびその上部に連なる水
平溝を有する半田濡れのよいブロックを溶融半田ととも
に液槽内に設け、垂直溝を通じて水平溝内に導入される
溶融半田にリードフレームのリード領域を接触させる半
田ディプ処理装置を開発し提案してきた。この場合、水
平溝内にリードフレームのリード領域のみを通過させる
ことによって、同領域にのみ半田被膜を形成することが
できる。
平溝を有する半田濡れのよいブロックを溶融半田ととも
に液槽内に設け、垂直溝を通じて水平溝内に導入される
溶融半田にリードフレームのリード領域を接触させる半
田ディプ処理装置を開発し提案してきた。この場合、水
平溝内にリードフレームのリード領域のみを通過させる
ことによって、同領域にのみ半田被膜を形成することが
できる。
リードフレームのリード領域は、リードフレームの長手
方向に間欠的に配列されているので、垂直溝上をリード
領域が通過し終わる都度、垂直溝を通じて水平溝内に溶
融半田が補填されていく。
方向に間欠的に配列されているので、垂直溝上をリード
領域が通過し終わる都度、垂直溝を通じて水平溝内に溶
融半田が補填されていく。
このため、リード領域の上下両面に半田被膜を同時に形
成することができる。また、垂直溝を通じて上昇した溶
融半田は逆流しないので、液槽内溶融半田の純度を常に
高く維持することができる。
成することができる。また、垂直溝を通じて上昇した溶
融半田は逆流しないので、液槽内溶融半田の純度を常に
高く維持することができる。
しかし、液槽内溶融半田の液面に浮遊する酸化膜が前記
垂直溝内に入り込みやすく、このようなことがあると半
田詰まりを起こすばかりでな(、良質の半田被膜を形成
することが困難になる。
垂直溝内に入り込みやすく、このようなことがあると半
田詰まりを起こすばかりでな(、良質の半田被膜を形成
することが困難になる。
課題を解決するための手段
本発明によると、多数の電子部品を搭載したリードフレ
ームのリード領域に半田被膜を形成すべく溶融半田とと
もに液槽内に設けられたブロックが、前記リード領域を
通過させるための水平溝を前記溶融半田の液面よりも高
い水平面内に有するとともに、前記水平溝に連通して下
方へ延び前記液面下に達する偏平な通孔を有する。
ームのリード領域に半田被膜を形成すべく溶融半田とと
もに液槽内に設けられたブロックが、前記リード領域を
通過させるための水平溝を前記溶融半田の液面よりも高
い水平面内に有するとともに、前記水平溝に連通して下
方へ延び前記液面下に達する偏平な通孔を有する。
作用
このように構成すると、液槽内の溶融半田はその表面張
力によって通孔を通じ水平溝内に導入されるが、前記通
孔は溶融半田の液面下から露出することな(上方へ延び
るので、液面に浮遊する酸化膜を混入させることなく液
槽内の溶融半田を水平溝内に導入させ得て、良質の半田
被膜を形成できるのみならず、通孔内での半田詰まりを
軽減させることができる。
力によって通孔を通じ水平溝内に導入されるが、前記通
孔は溶融半田の液面下から露出することな(上方へ延び
るので、液面に浮遊する酸化膜を混入させることなく液
槽内の溶融半田を水平溝内に導入させ得て、良質の半田
被膜を形成できるのみならず、通孔内での半田詰まりを
軽減させることができる。
実施例
つぎに、本発明を図面に示した実施例とともに詳しく説
明する。
明する。
第1図に示すように、溶融半田1を収容した液槽2内に
は、シーズヒータ3およびブロック4が設けられており
、ブロック4は鉛および亜鉛の共晶合金からなる溶融半
田1に対して濡れのよい鉄またはニッケル等の金属で形
成されている。第2図にも示すように、ブロック4は第
1垂直面5の面内に偏平な通孔6を有し、この通孔6は
溶融半田1の液面下に達している。通孔6の上部に連通
して2条の水平溝7,8が設けられており、雨水平溝7
,8に挟まれた領域には凹所9があり、雨水平溝7,8
の外側にも凹所10,11がある。
は、シーズヒータ3およびブロック4が設けられており
、ブロック4は鉛および亜鉛の共晶合金からなる溶融半
田1に対して濡れのよい鉄またはニッケル等の金属で形
成されている。第2図にも示すように、ブロック4は第
1垂直面5の面内に偏平な通孔6を有し、この通孔6は
溶融半田1の液面下に達している。通孔6の上部に連通
して2条の水平溝7,8が設けられており、雨水平溝7
,8に挟まれた領域には凹所9があり、雨水平溝7,8
の外側にも凹所10,11がある。
すなわち、被処理電子部品Aの本体部分aが凹所9内を
、リードフレームの両サイドのリード領域す、cが水平
溝7,8内を、そして、両サイドのフレーム領域d、e
が凹所10,11内をそれぞれ通過できるようになって
いる。水平溝7,8は溶融半田1の液面よりも高い水平
面内に位置し、凹所9.10.11も前記液面よりも高
い位置にある。
、リードフレームの両サイドのリード領域す、cが水平
溝7,8内を、そして、両サイドのフレーム領域d、e
が凹所10,11内をそれぞれ通過できるようになって
いる。水平溝7,8は溶融半田1の液面よりも高い水平
面内に位置し、凹所9.10.11も前記液面よりも高
い位置にある。
第2垂直面12にも、第1垂直面5におけると同様の通
孔13が形成されている。また、第3垂直面14にも前
述と同様の通孔15が形成されており、それぞれは上部
で水平溝7,8に連通している。かかる通孔および水平
溝等は、第2図に示すようにブロック4を7つのブロッ
ク片16,17.18,19.20.21.22および
これらを一体に結合する適数本のボルトで構成すること
により、比較的容易に得ることができる。
孔13が形成されている。また、第3垂直面14にも前
述と同様の通孔15が形成されており、それぞれは上部
で水平溝7,8に連通している。かかる通孔および水平
溝等は、第2図に示すようにブロック4を7つのブロッ
ク片16,17.18,19.20.21.22および
これらを一体に結合する適数本のボルトで構成すること
により、比較的容易に得ることができる。
蓋板としてのブロック片22はガス抜き用の穴23を有
し、水平溝7,8が位置する水平面内で開閉できるよう
に、シャフト24で枢着されている。したがって、ブロ
ック片22を持ち上げて水平溝内や凹所内を清掃するこ
とができる。
し、水平溝7,8が位置する水平面内で開閉できるよう
に、シャフト24で枢着されている。したがって、ブロ
ック片22を持ち上げて水平溝内や凹所内を清掃するこ
とができる。
前述の実施例では、通孔を第1ないし第3垂直面に設け
て3連構成となしたが、この連数は任意に選択できる。
て3連構成となしたが、この連数は任意に選択できる。
発明の効果
以上のように本発明によると、液槽内の溶融半田を常に
高純度に保つことができるのみならず、液面に浮遊する
酸化膜が通孔や水平溝に導入されたり半田詰まりを起こ
すことが軽減されるので、品質および処理能率を改善で
きる。
高純度に保つことができるのみならず、液面に浮遊する
酸化膜が通孔や水平溝に導入されたり半田詰まりを起こ
すことが軽減されるので、品質および処理能率を改善で
きる。
第1図は本発明を実施した半田ディプ処理装置の要部の
斜視図、第2図は同装置のブロックの分解斜視図である
。 1・・・・・・溶融半田、2・・・・・・液槽、4・・
・・・・ブロック、6,13・・・・・・通孔、7,8
・・・・・・水平溝、9゜10.11・・・・・・凹所
。
斜視図、第2図は同装置のブロックの分解斜視図である
。 1・・・・・・溶融半田、2・・・・・・液槽、4・・
・・・・ブロック、6,13・・・・・・通孔、7,8
・・・・・・水平溝、9゜10.11・・・・・・凹所
。
Claims (2)
- (1)多数の電子部品を搭載したリードフレームのリー
ド領域に半田被膜を形成すべく溶融半田とともに液槽内
に設けられたブロックが、前記リード領域を通過させる
ための水平溝を前記溶融半田の液面よりも高い水平面内
に有するとともに、前記水平溝に連通して下方へ延び前
記液面下に達する偏平な通孔を有していることを特徴と
する半田ディプ処理装置。 - (2)前記ブロックが前記水平面内で開閉自在な蓋板を
含む複数のブロック片で組み立てられていることを特徴
とする請求項1記載の半田ディプ処理装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2118469A JPH0741410B2 (ja) | 1990-05-08 | 1990-05-08 | 半田ディプ処理装置 |
US07/696,833 US5199990A (en) | 1990-05-08 | 1991-05-07 | Apparatus for solder-plating a lead-frame carrying electronic components |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2118469A JPH0741410B2 (ja) | 1990-05-08 | 1990-05-08 | 半田ディプ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0422574A true JPH0422574A (ja) | 1992-01-27 |
JPH0741410B2 JPH0741410B2 (ja) | 1995-05-10 |
Family
ID=14737445
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2118469A Expired - Lifetime JPH0741410B2 (ja) | 1990-05-08 | 1990-05-08 | 半田ディプ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0741410B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109623081A (zh) * | 2018-12-06 | 2019-04-16 | 北京航空航天大学 | 一种用于高温合金薄壁毛细管密集阵列钎焊的支撑装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6449364U (ja) * | 1987-09-17 | 1989-03-27 | ||
JPH01118364A (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-10 | Fujitsu Ltd | 予備半田ディップ方法 |
-
1990
- 1990-05-08 JP JP2118469A patent/JPH0741410B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6449364U (ja) * | 1987-09-17 | 1989-03-27 | ||
JPH01118364A (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-10 | Fujitsu Ltd | 予備半田ディップ方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109623081A (zh) * | 2018-12-06 | 2019-04-16 | 北京航空航天大学 | 一种用于高温合金薄壁毛细管密集阵列钎焊的支撑装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0741410B2 (ja) | 1995-05-10 |
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