JPH0741410B2 - 半田ディプ処理装置 - Google Patents
半田ディプ処理装置Info
- Publication number
- JPH0741410B2 JPH0741410B2 JP2118469A JP11846990A JPH0741410B2 JP H0741410 B2 JPH0741410 B2 JP H0741410B2 JP 2118469 A JP2118469 A JP 2118469A JP 11846990 A JP11846990 A JP 11846990A JP H0741410 B2 JPH0741410 B2 JP H0741410B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- molten solder
- block
- processing device
- horizontal groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Molten Solder (AREA)
Description
産業上の利用分野 本発明は、多数の電子部品を搭載したリードフレームに
半田被膜を選択的に形成するための半田ディプ処理装置
に関するものである。 従来の技術 多数の電子部品を搭載したリードフレームに半田被膜を
形成することが一般に行われており、前記半田被膜は通
常、ディプ（浸漬）処理により形成される。 液槽内の溶融半田は常にヒータで加熱されており、半田
浴のためにキャリヤ等で液槽上に送り込まれた電子部品
は、リードフレームのフレーム領域を下側にして下降し
溶融半田に接触する。また、前記接触を良好ならしめる
とともに溶融半田の表面酸化を軽減させるために、液槽
内の溶融半田を噴流させることも行われている。 発明が解決しようとする課題 しかし、かかる従来の装置を用いてリードフレームに半
田被膜を形成すると、半田被膜を必要とするリード領域
のみならずフレーム領域にまで半田被膜が形成されてし
まい、それだけ半田を浪費するばかりでなく有害ガスの
発生量も多くなる。そのうえ、リードフレームから析出
した不純物が液槽内の溶融半田に混入し、その累積によ
って溶融半田の組成が経時変化するという課題もあっ
た。 そこで本発明者らは、垂直溝およびその上部に連なる水
平溝を有する半田濡れのよいブロックを溶融半田ととも
に液槽内に設け、垂直溝を通じて水平溝内に導入される
溶融半田にリードフレームのリード領域を接触させる半
田ディプ処理装置を開発し提案してきた。この場合、水
平溝内にリードフレームのリード領域のみを通過させる
ことによって、同領域にのみ半田被膜を形成することが
できる。 リードフレームのリード領域は、リードフレームの長手
方向に間欠的に配列されているので、垂直溝上をリード
領域が通過し終わる都度、垂直溝を通じて水平溝内に溶
融半田が補填されていく。このため、リード領域の上下
両面に半田被膜を同時に形成することができる。また、
垂直溝を通じて上昇した溶融半田は逆流しないので、液
槽内溶融半田の純度を常に高く維持することができる。 しかし、液槽内溶融半田の液面に浮遊する酸化膜が前記
垂直溝内に入り込みやすく、このようなことがあると半
田詰まりを起こすばかりでなく、良質の半田被膜を形成
することが困難になる。
半田被膜を選択的に形成するための半田ディプ処理装置
に関するものである。 従来の技術 多数の電子部品を搭載したリードフレームに半田被膜を
形成することが一般に行われており、前記半田被膜は通
常、ディプ（浸漬）処理により形成される。 液槽内の溶融半田は常にヒータで加熱されており、半田
浴のためにキャリヤ等で液槽上に送り込まれた電子部品
は、リードフレームのフレーム領域を下側にして下降し
溶融半田に接触する。また、前記接触を良好ならしめる
とともに溶融半田の表面酸化を軽減させるために、液槽
内の溶融半田を噴流させることも行われている。 発明が解決しようとする課題 しかし、かかる従来の装置を用いてリードフレームに半
田被膜を形成すると、半田被膜を必要とするリード領域
のみならずフレーム領域にまで半田被膜が形成されてし
まい、それだけ半田を浪費するばかりでなく有害ガスの
発生量も多くなる。そのうえ、リードフレームから析出
した不純物が液槽内の溶融半田に混入し、その累積によ
って溶融半田の組成が経時変化するという課題もあっ
た。 そこで本発明者らは、垂直溝およびその上部に連なる水
平溝を有する半田濡れのよいブロックを溶融半田ととも
に液槽内に設け、垂直溝を通じて水平溝内に導入される
溶融半田にリードフレームのリード領域を接触させる半
田ディプ処理装置を開発し提案してきた。この場合、水
平溝内にリードフレームのリード領域のみを通過させる
ことによって、同領域にのみ半田被膜を形成することが
できる。 リードフレームのリード領域は、リードフレームの長手
方向に間欠的に配列されているので、垂直溝上をリード
領域が通過し終わる都度、垂直溝を通じて水平溝内に溶
融半田が補填されていく。このため、リード領域の上下
両面に半田被膜を同時に形成することができる。また、
垂直溝を通じて上昇した溶融半田は逆流しないので、液
槽内溶融半田の純度を常に高く維持することができる。 しかし、液槽内溶融半田の液面に浮遊する酸化膜が前記
垂直溝内に入り込みやすく、このようなことがあると半
田詰まりを起こすばかりでなく、良質の半田被膜を形成
することが困難になる。
【課題を解決するための手段】本発明によると、多数の
電子部品を搭載したリードフレームのリード領域に半田
被膜を形成すべく溶融半田とともに液槽内に設けられた
ブロックが、前記溶融半田に対して濡れのよい複数のブ
ロック片からなるとともに、前記リード領域を通過させ
るための水平溝を前記溶融半田の液面よりも高い水平面
内に有し、かつ、前記水平溝に連通して下方へ延び前記
液面下に達する偏平な通孔を、互いに隣接する２個のブ
ロック片間に有していることを特徴とする半田ディプ処
理装置が提供される。 作用 このように構成すると、液槽内の溶融半田はその表面張
力によって通孔を通じ水平溝内に導入されるが、前記通
孔は溶融半田の液面下から露出することなく上方へ延び
るので、液面に浮遊する酸化膜を混入させることなく液
槽内の溶融半田を水平溝内に導入させ得て、良質の半田
被膜を形成できるのみならず、通孔内での半田詰まりを
軽減させることができる。 実施例 つぎに、本発明を図面に示した実施例とともに詳しく説
明する。 第１図に示すように、溶融半田１を収容した液槽２内に
は、シーズヒータ３およびブロック４が設けられてお
り、ブロック４は鉛および亜鉛の共晶合金からなる溶融
半田１に対して濡れのよい鉄またはニッケル等の金属で
形成されている。第２図にも示すように、ブロック４は
第１垂直面５の面内に偏平な通孔６を有し、この通孔６
は溶融半田１の液面下に達している。通孔６の上部に連
通して２条の水平溝7,8が設けられており、両水平溝7,8
に挟まれた領域には凹所９があり、両水平溝7,8の外側
にも凹所10,11がある。すなわち、被処理電子部品Ａの
本体部分ａが凹所９内を、リードフレームの両サイドの
リード領域b,cが水平溝7,8内を、そして、両サイドのフ
レーム領域d,eが凹所10,11内をそれぞれ通過できるよう
になっている。水平溝7,8は溶融半田１の液面よりも高
い水平面内に位置し、凹所9,10,11も前記液面よりも高
い位置にある。 第２垂直面12にも、第１垂直面５におけると同様の通孔
13が形成されている。また、第３垂直面14にも前述と同
様の通孔15が形成されており、それぞれは上部で水平溝
7,8に連通している。かかる通孔および水平溝等は、第
２図に示すようにブロック４を７つのブロック片16,17,
18,19,20,21,22およびこれらを一体に結合する適数本の
ボルトで構成することにより、比較的容易に得ることが
できる。 蓋板としてのブロック片22はガス抜き用の穴23を有し、
水平溝7,8が位置する水平面内で開閉できるように、シ
ャフト24で枢着されている。したがって、ブロック片22
を持ち上げて水平溝内や凹所内を清掃することができ
る。 前述の実施例では、通孔を第１ないし第３垂直面に設け
て３連構成となしたが、この連数は任意に選択できる。 発明の効果 以上のように本発明によると、液槽内の溶融半田を常に
高純度に保つことができるのみならず、液面に浮遊する
酸化膜が通孔や水平溝に導入されたり半田詰まりを起こ
すことが軽減されるので、品質および処理能率を改善で
きる。
電子部品を搭載したリードフレームのリード領域に半田
被膜を形成すべく溶融半田とともに液槽内に設けられた
ブロックが、前記溶融半田に対して濡れのよい複数のブ
ロック片からなるとともに、前記リード領域を通過させ
るための水平溝を前記溶融半田の液面よりも高い水平面
内に有し、かつ、前記水平溝に連通して下方へ延び前記
液面下に達する偏平な通孔を、互いに隣接する２個のブ
ロック片間に有していることを特徴とする半田ディプ処
理装置が提供される。 作用 このように構成すると、液槽内の溶融半田はその表面張
力によって通孔を通じ水平溝内に導入されるが、前記通
孔は溶融半田の液面下から露出することなく上方へ延び
るので、液面に浮遊する酸化膜を混入させることなく液
槽内の溶融半田を水平溝内に導入させ得て、良質の半田
被膜を形成できるのみならず、通孔内での半田詰まりを
軽減させることができる。 実施例 つぎに、本発明を図面に示した実施例とともに詳しく説
明する。 第１図に示すように、溶融半田１を収容した液槽２内に
は、シーズヒータ３およびブロック４が設けられてお
り、ブロック４は鉛および亜鉛の共晶合金からなる溶融
半田１に対して濡れのよい鉄またはニッケル等の金属で
形成されている。第２図にも示すように、ブロック４は
第１垂直面５の面内に偏平な通孔６を有し、この通孔６
は溶融半田１の液面下に達している。通孔６の上部に連
通して２条の水平溝7,8が設けられており、両水平溝7,8
に挟まれた領域には凹所９があり、両水平溝7,8の外側
にも凹所10,11がある。すなわち、被処理電子部品Ａの
本体部分ａが凹所９内を、リードフレームの両サイドの
リード領域b,cが水平溝7,8内を、そして、両サイドのフ
レーム領域d,eが凹所10,11内をそれぞれ通過できるよう
になっている。水平溝7,8は溶融半田１の液面よりも高
い水平面内に位置し、凹所9,10,11も前記液面よりも高
い位置にある。 第２垂直面12にも、第１垂直面５におけると同様の通孔
13が形成されている。また、第３垂直面14にも前述と同
様の通孔15が形成されており、それぞれは上部で水平溝
7,8に連通している。かかる通孔および水平溝等は、第
２図に示すようにブロック４を７つのブロック片16,17,
18,19,20,21,22およびこれらを一体に結合する適数本の
ボルトで構成することにより、比較的容易に得ることが
できる。 蓋板としてのブロック片22はガス抜き用の穴23を有し、
水平溝7,8が位置する水平面内で開閉できるように、シ
ャフト24で枢着されている。したがって、ブロック片22
を持ち上げて水平溝内や凹所内を清掃することができ
る。 前述の実施例では、通孔を第１ないし第３垂直面に設け
て３連構成となしたが、この連数は任意に選択できる。 発明の効果 以上のように本発明によると、液槽内の溶融半田を常に
高純度に保つことができるのみならず、液面に浮遊する
酸化膜が通孔や水平溝に導入されたり半田詰まりを起こ
すことが軽減されるので、品質および処理能率を改善で
きる。
第１図は本発明を実施した半田ディプ処理装置の要部の
斜視図、第２図は同装置のブロックの分解斜視図であ
る。 １……溶融半田、２……液槽、４……ブロック、6,13…
…通孔、7,8……水平溝、9,10,11……凹所。
斜視図、第２図は同装置のブロックの分解斜視図であ
る。 １……溶融半田、２……液槽、４……ブロック、6,13…
…通孔、7,8……水平溝、9,10,11……凹所。
Claims (2)
- 【請求項１】多数の電子部品を搭載したリードフレーム
のリード領域に半田被膜を形成すべく溶融半田とともに
液槽内に設けられたブロックが、前記溶融半田に対して
濡れのよい複数のブロック片からなるとともに、前記リ
ード領域を通過させるための水平溝を前記溶融半田の液
面よりも高い水平面内に有し、かつ、前記水平溝に連通
して下方へ延び前記液面下に達する偏平な通孔を、互い
に隣接する２個のブロック片間に有していることを特徴
とする半田ディプ処理装置。 - 【請求項２】ブロックの蓋板を形成するブロック片が、
水平溝を開閉自在にしている請求項１記載の半田ディプ
処理装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2118469A JPH0741410B2 (ja) | 1990-05-08 | 1990-05-08 | 半田ディプ処理装置 |
| US07/696,833 US5199990A (en) | 1990-05-08 | 1991-05-07 | Apparatus for solder-plating a lead-frame carrying electronic components |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2118469A JPH0741410B2 (ja) | 1990-05-08 | 1990-05-08 | 半田ディプ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0422574A JPH0422574A (ja) | 1992-01-27 |
| JPH0741410B2 true JPH0741410B2 (ja) | 1995-05-10 |
Family
ID=14737445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2118469A Expired - Lifetime JPH0741410B2 (ja) | 1990-05-08 | 1990-05-08 | 半田ディプ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0741410B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109623081B (zh) * | 2018-12-06 | 2020-07-07 | 北京航空航天大学 | 一种用于高温合金薄壁毛细管密集阵列钎焊的支撑装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6449364U (ja) * | 1987-09-17 | 1989-03-27 | ||
| JPH01118364A (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-10 | Fujitsu Ltd | 予備半田ディップ方法 |
-
1990
- 1990-05-08 JP JP2118469A patent/JPH0741410B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0422574A (ja) | 1992-01-27 |
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