JP2000192298A - 基板めっき装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 めっき処理終了後の被めっき基板の取り出し
が容易で、めっき液中の添加剤が陽極電極板表面に接触
し分解することを防止し、添加剤の不足によりめっき表
面が粗くなることがなく、且つ電解めっき時の電流の通
過の支障となる陽極電極板表面で発生する酸素ガスを速
やかに除去でき、均一な金属めっき膜が形成できる基板
めっき装置を提供すること。 【解決手段】 不溶解性の陽極電極板１３と被めっき基
板Ｗを対向して配置すると共に、該陽極電極板１３と被
めっき基板Ｗの間に多孔質の中性隔膜又は陽イオン交換
膜１４からなる隔膜を配置しめっき槽本体１１内を陽極
室１５と陰極室１６に隔離し、該被めっき基板Ｗに金属
めっきを施す基板めっき装置１０において、陽極電極板
１３、被めっき基板Ｗ及び隔膜を垂直に配置すると共
に、少なくとも陰極室１６中のめっき液を排出できるめ
っき液排出機構を設け、めっき終了後に該陰極室のめっ
き液を排出し、該陰極室１６から被めっき基板Ｗを取り
出せるようにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウエハ等の基
板に電解めっきで銅等の金属めっきを施す基板めっき装
置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造プロセスでは、銅めっき等の
金属めっき工程はウエハの配線用又は膜付用として多用
されている。このような金属めっきを電解めっきで行な
う電解めっき装置において、陽極電極に溶解性電極（含
リン銅電極）を用いた場合、陽極電極の定期的な交換に
加え、表面のブラックフィルムの管理、パーティクル対
策等が問題となる。

【０００３】そこで、銅めっきを行なう電解めっき装置
の陽極電極を不溶解性の電極材料を用いた不溶解性陽極
電極とすると、陽極電極の定期的な交換が不必要にな
り、被めっき基板の近傍のパーティクルの存在が抑制さ
れるという利点がある反面、めっき液中の添加剤が陽極
表面で分解し、添加剤が不足し、被めっき基板のめっき
表面が粗い状態となると同時に、添加剤の分解によりス
ライムが生成されるという問題もある。これを防止する
には、添加剤が陽極電極表面に接触し分解しないように
陽極電極と陰極電極（被めっき基板）の間に隔膜を配置
し、めっき槽内を該隔膜で陽極室と陰極室に隔離すれば
よいが、陽極電極表面に発生する酸素ガスをめっきに支
障とならないように早期に離脱させる必要がある。

【０００４】また、めっき処理終了後の被めっき基板を
陰極室のめっき液中から、抜き出すための被めっき基板
引抜機構が必要となる。被めっき基板をめっき液中から
引き抜く際、表面に付着しためっき液の液滴が飛散し、
周囲を汚染しないようにするためには、この被めっき基
板引抜機構が複雑となる。特に、半導体製造工程では、
配線用又は膜付用の金属めっき装置をクリーンルームに
設置することが多く、クリーンルームの汚染防止の点か
ら、細心の注意を払わなくてはならず、被めっき基板引
抜機構も複雑なものとなる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上述の点に鑑
みてなされたもので、めっき処理終了後の被めっき基板
をめっき液の無い状態から取り出すことができ、被めっ
き基板の取り出しが容易な基板めっき装置を提供するこ
とを目的とする。

【０００６】また、めっき液中の添加剤が陽極電極板表
面に接触し分解することを防止し、添加剤の不足により
めっき表面が粗くなることを防止し、且つ電解めっき時
の電流の通過の支障となる陽極電極板表面で発生する酸
素ガスを速やかに除去できる、膜厚の均一な金属めっき
膜が形成できる基板めっき装置を提供することを目的と
する。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
請求項１に記載の発明は、不溶解性の陽極電極板と被め
っき基板を対向して配置すると共に、該陽極電極板と被
めっき基板の間に多孔質の中性隔膜又は陽イオン交換膜
からなる隔膜を配置しめっき槽内を陽極室と陰極室に隔
離し、該被めっき基板に金属めっきを施す基板めっき装
置において、陽極電極板、被めっき基板及び隔膜を垂直
に配置すると共に、少なくとも陰極室中のめっき液を排
出できるめっき液排出機構を設け、めっき終了後に該陰
極室のめっき液を排出し、該陰極室から被めっき基板を
取り出せるように構成したことを特徴とする。

【０００８】上記のように陽極電極板、被めっき基板及
び隔膜を垂直に配置することにより、陽極電極板表面で
発生し、めっきに支障となる酸素を速やかに陽極室から
排出することができる。また、陰極室中のめっき液を排
出できるめっき液排出機構を設け、めっき終了後に該陰
極室のめっき液を排出し、被めっき基板を取り出せるよ
うに構成するので、従来のようにめっき終了後の被めっ
き基板をめっき液から引き抜くための複雑な被めっき基
板引抜機構を必要としない。

【０００９】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載の基板めっき装置において、陰極室のめっき液を
排出しても、隔膜で隔離された陽極室の液は循環状態又
は液充満状態に保持されていることを特徴とする。

【００１０】上記のように、陰極室のめっき液を排出し
ても、陽極室の液は循環状態又は液充満状態に保持され
るので、陰極室のめっき液を排出することにより、多孔
質の中性隔膜又は陽イオン交換膜からなる隔膜が大気等
の乾燥した気体に曝され、隔膜の陰極室側表面に付着し
ためっき液中の成分、例えば硫酸銅の結晶が生成される
傾向、また乾燥により隔膜が変質する傾向になるが、陽
極室の液が該隔膜に僅かに浸透し、陰極側表面が湿潤状
態にあるから、この結晶の生成や隔膜の変質を防止でき
る。

【００１１】また、請求項３に記載の発明は、請求項１
又は２に記載の基板めっき装置において、陰極室は密閉
型に構成され、陽極室はその上部が開放された開放型と
し液がオーバーフローできる構成としたことを特徴とす
る。

【００１２】上記のように、陽極室を開放型とし液がオ
ーバーフローできる構成としたので、陽極電極板表面で
発生した酸素ガスは上部開放部を通って、液から分離し
易くなる。

【００１３】また、請求項３に記載の基板めっき装置に
おいて、陽極電極板表面から発生するガスを液と分離す
るため陽極室をオーバーフローした液を収容するオーバ
ーフロー室を設けたことを特徴とする。

【００１４】上記のようにオーバーフロー室を設けるこ
とにより、陽極室からオーバーフローした液は該オーバ
ーフロー室に流れ込み一時的に該オーバーフロー室に滞
留する間に液と酸素ガスは分離される。そして液は自然
流下により下方に流出し、酸素ガスは上部より排出され
る。

【００１５】また、請求項１乃至３のいずれか１つに記
載の基板めっき装置において、隔膜の片面又は両面に液
と電気の通過に支障とならない多孔体の補強板を設けた
ことを特徴とする。

【００１６】上記のように、隔膜の片面又は両面に液と
電気の通過に支障とならない多孔体の補強板を設けたこ
とにより、陰極室にめっき液が充満され、陰極室の液圧
が陽極室の液圧以上になっても隔膜が陰極室側に突出
（変形）することがなく、隔膜と被めっき基板及び隔膜
と陽極電極板の位置の間隔が平行に維持され、被めっき
基板に膜厚の均一なめっき膜が形成できる。

【００１７】また、請求項５に記載の発明は請求項１乃
至４のいずれか１つに記載の基板めっき装置において、
陽極電極板と隔膜の間に陽極電極板表面から発生するガ
スが該隔膜表面又は補強板に付着することを防止する泡
防御材を設けたことを特徴とする。

【００１８】陽極電極板と隔膜の間に泡防御材を設ける
ことにより、めっき処理中に不溶解性の陽極電極板の表
面から発生する泡状の酸素ガスが隔膜や補強板に付着す
ることが防止される。この結果、この泡により電場が乱
され（電流の流れが乱され）ることなく、被めっき基板
面に均一な膜厚のめっき膜が形成できる。

【００１９】また、請求項１乃至５のいずれか１つに記
載の基板めっき装置において、陽極室を循環する液は添
加剤を除いた電解銅めっき液の基本液、即ちＣｕＳＯ₄
・５Ｈ₂Ｏ、Ｈ₂ＳＯ₄、Ｃｌ^-からなる液で添加剤は入っ
ていな液であることを特徴とする。

【００２０】また、陽極室を循環する液はＨ₂ＳＯ₄であ
ることを特徴とする。

【００２１】上記のように陽極室を循環する液を添加剤
を含まない電解銅めっき液の基本液又はＨ₂ＳＯ₄とする
ことにより、陽極電極板に接触する液は添加剤を含まな
い液であるから、陽極電極板に添加剤が接触し分解し不
足することがなくなり、被めっき基板に表面の滑らかな
めっき膜を形成することができる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態例を図
面に基づいて説明する。なお、本実施形態例では銅（Ｃ
ｕ）めっきを行なう基板めっき装置を例に説明する。図
１は本発明に係る基板めっき装置の構成を示す図であ
る。図示するように基板めっき装置１０はめっき槽本体
１１と側板１２を具備している。めっき槽本体１１と側
板１２は対向して配置され、めっき槽本体１１の側板１
２に対向する面に凹部空間Ａが形成されている。また、
側板１２の下端はヒンジ機構（図示せず）で、めっき槽
本体１１の該凹部空間Ａを開閉できるようになってい
る。

【００２３】めっき槽本体１１の底体１１ａの凹部空間
の底面には不溶解性の陽極電極板１３が配置され、側板
１２のめっき槽本体１１側の面には被めっき基板Ｗが装
着されている。これにより、側板１２でめっき槽本体１
１の凹部空間Ａを閉じた場合、陽極電極板１３と被めっ
き基板Ｗは所定の間隔を設けて対向配置されることにな
る。また、めっき槽本体１１には多孔質の中性隔膜又は
陽イオン交換膜１４が陽極電極板１３と被めっき基板Ｗ
の間に位置するように取り付けられ、めっき槽本体１１
の凹部空間Ａを該多孔質の中性隔膜又は陽イオン交換膜
１４で陽極室１５と陰極室１６に隔離している。

【００２４】また、多孔質の中性隔膜又は陽イオン交換
膜１４の両面又は片面（図では陽極室１５側の面）は多
孔体補強板１７で補強されている。この多孔体補強板１
７は多数のパンチング穴が形成された樹脂板で液と電気
の流れに支障がなく、後に詳述するように、陰極室１６
の液圧や陰極室１６のめっき液を排出した際に、陽極室
の液圧に耐え、多孔質の中性隔膜又は陽イオン交換膜１
４を変形させない強度を有するものであればよい。

【００２５】めっき槽本体１１の上下には、上部ヘッダ
１８、下部ヘッダ１９がそれぞれ設けられており、上部
ヘッダ１８の空隙１８ａと下部ヘッダの空隙１９ａはそ
れぞれ陰極室１６に連通している。また、陽極室１５の
下部はめっき槽本体１１に設けられた陽極室液の入口１
１ｂに連通し、上部は陽極室液のオーバーフロー口１１
ｃに連通している。また、めっき槽本体１１の側部には
オーバーフロー口１１ｃに隣接してオーバーフロー室２
０が設けられている。また、陽極室１５の陽極電極板１
３と多孔質の中性隔膜又は陽イオン交換膜１４の間には
めっき処理に際し、陽極電極板１３の表面で発生する泡
状の酸素（Ｏ₂）ガスが多孔質の中性隔膜又は陽イオン
交換膜１４及び多孔体補強板１７に付着することを防止
する泡防御材３２が設けられている。

【００２６】２１はめっき液タンクであり、該めっき液
タンク２１に収容されためっき液Ｑ ₁はポンプ２２で配
管２３を通して下部ヘッダ１９の空隙１９ａに供給さ
れ、該空隙１９ａから陰極室１６を満たし、更に上部ヘ
ッダ１８の空隙１８ａ及び配管２４を通ってめっき液タ
ンク２１に戻る。また、２５は陽極液タンクであり、該
陽極液タンク２５に収容された陽極室液Ｑ₂はポンプ２
６で配管２７を通して陽極室１５に供給され、該陽極室
１５を満たした後、オーバーフロー口１１ｃからオーバ
ーフローしてオーバーフロー室２０に流れ込み、一時的
に滞留した後、排出口２０ａ及び配管２８を通って陽極
液タンク２５に戻るようになっている。

【００２７】ここで、陰極室１６は密閉型に構成され、
陽極室１５はその上部が大気に開放された開放型となっ
ている。

【００２８】めっき槽本体１１の凹部空間Ａの外周縁部
には環状のパッキン２９が設けられており、側板１２で
凹部空間Ａを閉じることにより、該パッキン２９は被め
っき基板Ｗの外周表面に当接し、陰極室１６を密閉空間
とする。該パッキン２９の陰極室１６の反対側には外部
陰極端子３０が設けられ、側板１２で凹部空間Ａを閉じ
た状態で外部陰極端子３０の先端は被めっき基板Ｗの導
電部に当接して、電気的に導通すると共に、該パッキン
２９によりめっき液Ｑ₁に接液しないようになってい
る。外部陰極端子３０と陽極電極板１３の間にはめっき
電源３１が接続されている。

【００２９】上記構成の基板めっき装置１０において、
陰極室１６にめっき液Ｑ₁を充満させ循環させると共
に、陽極室１５には陽極室液Ｑ₂を充満させオーバーフ
ローさせながら循環し、めっき電源３１から不溶解性の
陽極電極板１３と陰極となる被めっき基板Ｗの間に電流
を通電することにより、被めっき基板Ｗの表面にめっき
膜が形成される。ここでは、めっき液Ｑ₁としてＣｕＳ
Ｏ₄・５Ｈ₂ＯとＨ₂ＳＯ₄とＣｌ^-と添加剤との混合溶液
を用い、陽極室液Ｑ₂としてＨ₂ＳＯ₄、又はＣｕＳＯ₄・
５Ｈ₂ＯとＨ₂ＳＯ₄とＣｌ^-が混合された（添加剤を含ま
ない）、所謂基本液を用いる。

【００３０】このめっき処理に際して、陽極電極板１３
の表面から酸素（Ｑ₂）ガスが泡状になって発生する
が、陽極電極板１３、多孔質の中性隔膜又は陽イオン交
換膜１４及び多孔体補強板１７は垂直に配置されている
から、この酸素ガスは陽極室１５内の陽極室液Ｑ₂中を
スムーズに上昇し、該陽極室液Ｑ₂がオーバーフロー口
１１ｃからオーバーフローしてオーバーフロー室２０に
流れ込むと同時に排出され、該陽極室液Ｑ₂が一時的に
滞留している間に酸素ガスは分離し、酸素ガス排出口２
０ｂから外部に放出される。また、陽極電極板１３と多
孔質の中性隔膜又は陽イオン交換膜１４の間には泡防御
材３２が設けられているので、この泡状の酸素ガスが多
孔質の中性隔膜又は陽イオン交換膜１４や多孔体補強板
１７に付着することがない。

【００３１】陽極室液Ｑ₂中に酸素ガスが泡状に存在す
ると陽極電極板１３と被めっき基板Ｗの間の電場を乱し
（電流の流れを乱し）、膜厚の均一なめっき膜を形成で
きないという問題があるが、ここでは上記のように発生
した泡状の酸素ガスが陽極室液Ｑ₂中から迅速に外部に
抜け出るので、被めっき基板Ｗの面上に均一な膜厚のめ
っき膜を形成できる。

【００３２】また、陽極室１５を流れる陽極室液Ｑ₂に
は上記のように添加剤を含まないめっき液Ｑ₁の基本液
（ＣｕＳＯ₄・５Ｈ₂Ｏ、Ｈ₂ＳＯ₄、Ｃｌ^-）又はＨ₂ＳＯ
₄を用いているので、陽極電極板１３に添加材が接触し
て分解してスライムを生成することもなく、分解により
めっき液Ｑ₁中の添加剤が不足して、被めっき基板Ｗに
表面の粗いめっき膜が形成されるということもない。ま
た、Ｈ₂ＳＯ₄は導電性が高いから、めっきに影響を与え
ることなく、且つ液の補給用としてめっき装置に付帯す
る液供給装置に常備されているので、Ｈ₂ＳＯ₄の溶液を
陽極室液Ｑ₂に使用することは容易である。

【００３３】上記のように陽極室１５は上部が開放され
た開放型であるから、該陽極室１５内の液圧は高くなら
ないのに対して、陰極室１６は密閉型であるので、めっ
き液Ｑ₁の流過抵抗で液圧が陽極室１５の液圧より多少
高くなる。そこでもし、多孔体補強板１７を設けられて
いないと、膜厚の薄い多孔質の中性隔膜又は陽イオン交
換膜１４は陰極室１６の液圧に押され、陽極室１５側に
押され湾曲した形状となり、該多孔質の中性隔膜又は陽
イオン交換膜１４と被めっき基板Ｗとの間の間隔が均一
とならない。その結果、被めっき基板Ｗ上に膜厚の均一
なめっき膜が形成されないという問題がある。

【００３４】この原因は多孔質の中性隔膜又は陽イオン
交換膜１４の表面電位が均等であるため、多孔質の中性
隔膜又は陽イオン交換膜１４と被めっき基板Ｗとの間の
間隔が均一とならない分、その電場も均一にならないこ
とによると考えられる。ここでは多孔体補強板１７を設
けているので、多孔質の中性隔膜又は陽イオン交換膜１
４が変形することなく、被めっき基板Ｗとの間の間隔が
常に均一となるから、被めっき基板Ｗ上に膜厚の均一な
めっき膜を形成できる。

【００３５】めっき処理が終了し、被めっき基板Ｗの陰
極室１６から取り出す場合は、陰極室１６のめっき液Ｑ
₁を配管２３を通してめっき液タンク２１に戻し、陰極
室１６からめっき液Ｑ₁を排出した状態で、被めっき基
板Ｗを取り出す。これにより、めっき液Ｑ₁中から被め
っき基板Ｗを抜き取るのと異なり、被めっき基板Ｗの引
き抜きが極めて容易となり（例えば、ロボットハンドで
容易にピックアップできる）、複雑な構成の被めっき基
板Ｗの抜取機構を必要としない。

【００３６】更に、陰極室１６からめっき液Ｑ₁を排出
することにより、多孔質の中性隔膜又は陽イオン交換膜
１４が大気に曝されることになる。多孔質の中性隔膜又
は陽イオン交換膜１４が大気に曝されるとめっき液Ｑ₁
のＣｕＳＯ₄の結晶が生成されたり、多孔質の中性隔膜
又は陽イオン交換膜１４が乾燥することにより、膜質が
変化する等の問題が起こるが、ここでは陽極室１５に陽
極室液Ｑ₂が充満しているから、僅かの陽極室液Ｑ₂が多
孔質の中性隔膜又は陽イオン交換膜１４を浸透して、そ
の陰極１５側の表面を湿潤状態にしているので、このよ
うなＣｕＳＯ₄の結晶の生成や膜質の変化は起こらな
い。

【００３７】なお、上記実施形態例では、Ｃｕめっきを
行なう基板めっき装置を例に説明したが、本発明はＣｕ
めっきに限定されるものではなく、他の金属のめっきに
も用いることができる。

【００３８】

【発明の効果】以上説明したように各請求項に記載の発
明によれば、下記のような優れた効果が得られる。

【００３９】請求項１に記載の発明によれば、陽極電極
板、被めっき基板及び隔膜を垂直に配置することによ
り、陽極電極板表面で発生するめっきに支障となる泡状
の酸素ガスを速やかに陽極室から排出させることができ
ると共に、陰極室中のめっき液を排出できるめっき液排
出機構を設け、めっき終了後に該陰極室のめっき液を排
出し、被めっき基板を取り出せるように構成するので、
従来のようにめっき終了後の被めっき基板をめっき液か
ら引き抜くための複雑な被めっき基板引抜機構を必要と
しない。

【００４０】また、請求項２に記載の発明によれば、陰
極室のめっき液を排出しても、陽極室の液は循環状態又
は液充満状態に保持されるので、陰極室のめっき液を排
出することにより、多孔質の中性隔膜又は陽イオン交換
膜からなる隔膜が大気等の乾燥した気体に曝され、隔膜
の陰極側表面にめっき液中の成分、例えば硫酸銅の結晶
が生成される傾向、また乾燥により隔膜が変質する傾向
になるが、陽極室の液が該隔膜に僅かに浸透し、その陰
極側表面が湿潤状態にあるから、この結晶の生成や隔膜
の変質を防止できる。

【００４１】また、請求項３に記載の発明によれば、陽
極室を開放型とし液がオーバーフローできる構成とした
ので、陽極電極板表面で発生した酸素ガスは上部開放部
を通って、液から分離し易くなる。

【００４２】また、請求項４に記載の発明によれば、隔
膜の片面又は両面に液と電気の通過に支障とならない多
孔体の補強板を設けたことにより、陰極室にめっき液が
充満され、陰極室の液圧が陽極室の液圧以上になっても
隔膜が陽極室側に突出（変形）することがなく、隔膜と
被めっき基板及び隔膜と陽極電極板の位置の間隔が平行
に維持され、被めっき基板に膜厚の均一なめっき膜が形
成される。

【００４３】また、請求項５に記載の発明によれば、陽
極電極板と隔膜の間に泡防御材を設けることにより、め
っき処理中に不溶解性の陽極電極板の表面から液中に泡
が発生するが、この泡が隔膜や補強板に付着することが
防止され、この泡により電場が乱される（電流の流れが
乱される）ことなく、被めっき基板面に均一な膜厚のめ
っき膜が形成できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る基板めっき装置の構成を示す図で
ある。

【符号の説明】

１０ 基板めっき装置 １１ めっき槽本体 １２ 側板 １３ 陽極電極板 １４ 多孔質の中性隔膜又は陽イオン交換膜 １５ 陽極室 １６ 陰極室 １７ 多孔体補強板 １８ 上部ヘッダ １９ 下部ヘッダ ２０ オーバーフロー室 ２１ めっき液タンク ２２ ポンプ ２３ 配管 ２４ 配管 ２５ 陽極液タンク ２６ ポンプ ２７ 配管 ２８ 配管 ２９ パッキン ３０ 外部陰極端子 ３１ めっき電源 ３２ 泡防御材

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 富岡 賢哉 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 鈴木 憲一 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 Ｆターム(参考） 4K024 AA09 AB01 BA11 BB12 CB02 CB07 CB13 CB18 CB26 GA15 4M104 BB04 DD52 HH20

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 不溶解性の陽極電極板と被めっき基板を
   対向して配置すると共に、該陽極電極板と被めっき基板
   の間に多孔質の中性隔膜又は陽イオン交換膜からなる隔
   膜を配置しめっき槽内を陽極室と陰極室に隔離し、該被
   めっき基板に金属めっきを施す基板めっき装置におい
   て、 前記陽極電極板、前記被めっき基板及び前記隔膜を垂直
   に配置すると共に、少なくとも前記陰極室中のめっき液
   を排出できるめっき液排出機構を設け、 めっき終了後に前記陰極室のめっき液を排出し、該陰極
   室から被めっき基板を取り出せるように構成したことを
   特徴とする基板めっき装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板めっき装置におい
   て、 前記陰極室のめっき液を排出しても、前記隔膜で隔離さ
   れた陽極室の液は循環状態又は液充満状態に保持されて
   いることを特徴とする基板めっき装置。
3. 【請求項３】 請求項１又は２に記載の基板めっき装置
   において、 前記陰極室は密閉型に構成され、 前記陽極室はその上部が開放された開放型とし、液がオ
   ーバーフローできる構成としたことを特徴とする基板め
   っき装置。
4. 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれか１つに記載の
   基板めっき装置において、 前記隔膜の片面又は両面に液と電気の通過に支障となら
   ない多孔体の補強板を設けたことを特徴とする基板めっ
   き装置。
5. 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれか１つに記載の
   基板めっき装置において、 前記陽極電極板と前記隔膜の間に該陽極電極板表面から
   発生するガスが該隔膜表面又は前記補強板に付着するこ
   とを防止する泡防御材を設けたことを特徴とする基板め
   っき装置。