JPH02246106A - 電子部品半田ディプ処理装置 - Google Patents

電子部品半田ディプ処理装置

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Publication number
JPH02246106A
JPH02246106A JP1066523A JP6652389A JPH02246106A JP H02246106 A JPH02246106 A JP H02246106A JP 1066523 A JP1066523 A JP 1066523A JP 6652389 A JP6652389 A JP 6652389A JP H02246106 A JPH02246106 A JP H02246106A
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JP
Japan
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molten solder
lead
solder
slit
block body
Prior art date
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Application number
JP1066523A
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English (en)
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JPH0587354B2 (ja
Inventor
Akira Zenitani
明 銭谷
Osamu Sasanuma
笹沼 修
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ZENIYA SANGYO KK
Original Assignee
ZENIYA SANGYO KK
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Publication date
Application filed by ZENIYA SANGYO KK filed Critical ZENIYA SANGYO KK
Priority to JP1066523A priority Critical patent/JPH02246106A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、リードフレーム付きの半導体集積回路素子や
、リードフレームのフレーム部分で連結されている多数
の電子部品の各リード部分に、またはプリント基板の鋼
層部分に半田の表面層を形成する工程において用いられ
る半田ディプ処理装置に関するものである。
従来の技術 リードフレームを用いて製造されまたは連結されている
電子部品の製造段階において、同部品のリード部分に半
田の表面層を形成することが一般に行われており、かか
る表面層は通常、ディプ(浸漬)処理によって形成され
る。
液槽内の溶融半田は常にヒータで加熱されており、半田
浴のためにキャリヤ等で液槽上に送り込まれた電子部品
は、そのリードフレーム部を下側にして下降し、溶融半
田に接触する。液槽内の溶融半田を噴流させておくこと
も行われており、この場合、溶融半田の表面酸化を軽減
させ得るとともに、前記接触を良好ならしめることがで
きる。
発明が解決しようとする課題 電子部品のリードフレーム部がコ字状の断面形状を有し
ている場合、その両翼部を同時に溶融半田に接触させる
ことができる。しかし、平坦なリードフレームを用いた
電子部品の場合は、その−方の翼部をディプ処理したの
ち、上下を反転させて他方の翼部をディプ処理しなけれ
ばならず、しかも、前記反転は、最初のディプ処理で翼
部に付着した溶融半田が完全に固化するのを待って行わ
なければならない。このため、工数および処理時間がか
さみ、処理能率の向上を図り難いという課題があった。
また、半田のディプ処理を必要とするのはリード部分だ
けであるのに、フレーム部分にまで溶融半田が付着して
しまい、はなはだ不経済という課題もあった。
さらに、リード部分から析出した不純物が液槽内の溶融
半田に混入して累積し、溶融半田の組成に経時変化を生
じやすいという課題もあった。
課題を解決するための手段 本発明によると、溶融半田を収容する液槽内に、前記溶
融半田に対して濡れのよいブロック体を、その頭部が前
記溶融半田の液面から突出するように配設される。前記
ブロック体は、前記溶融半田を前記液面よりも高い位置
に導くための垂直方向スリットを有するとともに、前記
頭部には電子部品を通過させるための水平方向スリット
を有し、前記水平方向スリットは前記垂直方向スリット
と断面T字状に合する構成となされる。
作用 このような構成であるので、液層内の溶融半田は、濡れ
のよいブロック体の垂直方向スリット内を通じて上昇し
、液面よりも高い水平方向スリット内に達して自体の表
面張力で保持される。そして、水平方向スリット内をリ
ードフレーム部のリード部分またはプリント基板が水平
位で通過することにより、その金属表面に溶融半田が接
触するのであり、水平位での半田浴が可能となる。しか
も、この半田浴に必要な溶融半田は、垂直方向スリット
を通し液槽内から順次に供給されていくため、リード部
分またはプリント基板側から析出した不純物が液槽内の
溶融半田に混入して累積するようなことがない。また、
半田浴はスリット内で進行していくため、溶融半田の表
面酸化を最少限に抑え得るのみならず、スリット内通過
時のしごき作用によって密着性の良い薄い半田層を能率
よく形成することができる。
また、かかるブロック体の2個を1対として左右対称に
並設しておくと、平坦リードフレームの両翼部をそれぞ
れのブロック体で同時にディプ処理することができるし
、ブロック体の幅または水平方向スリットの有効部奥行
をリードフレーム部のリード部分通過幅に合わせておく
だけで、半田層を必要とする部分にのみ半田ディプ処理
を施すことができ、半田の浪費を防ぐことができる。
実施例 つぎに、本発明を図面に示した実施例とともに説明する
第1図に示すように、溶融半田1を収容してなる液槽2
は、シーズヒータ3およびブロック体4を内蔵している
。鉛および亜鉛の共晶合金からなる溶融半田1に対して
濡れのよい鉄またはニッケル等の金属からなるブロック
体4は、第2図にも示すように複数の垂直方向スリット
5を有するとともに、溶融半田1の液面から突出した頭
部4aに、一つの水平方向スリット6を有している。7
はブロック体吊り下げ金具を示す。水平方向スリット6
は、垂直方向スリット5と断面T字状に合しているとと
もに、その有効奥行Aを決定するための空洞部8に連通
している。垂直方向スリット5のギャップ幅Bは0.1
2mm〜0.2聰に、そして、水平方向スリット6のギ
ャップ幅Cは0.18Il1m〜0.25mにそれぞれ
設定することができる。
垂直方向スリットS内に侵入した溶融半田は液面1aを
越えて水平方向スリット6に達し、自体の表面張力で保
持される。そして、被加工電子部品9のリードフレーム
部10のリード部分10aが水平方向スリット6内を水
平位で通過することにより、リード部分10aに溶融半
田が接触する。
垂直方向スリット5は複数存在するので、前記接触によ
る半田浴は繰り返し連続的に行われ、しかも、この半田
浴は水平方向スリット6内で進行してい(。一方、リー
ドフレーム10の多数のリード部分10aは所定距離を
隔てて並んでいるので、垂直方向スリット5の上端がそ
こを通過するリード部分10aで閉じられても、それは
瞬時的なものであり、次の瞬間には新たな溶融半田が垂
直方向スリット5を通じて順次に供給されていく。また
、リードフレーム部10のフレーム部分10bは空洞部
8内を通過し、空洞部8内には溶融半田が存在しないの
で、フレーム部分10bには溶融半田が付着しない。
垂直方向スリット5は、その全体または一部分が少々傾
斜していてもよく、途中で枝状に分岐していてもよい。
また、ブロック体4の奥行寸法りを水平方向スリット6
の奥行Aに合わせてもよいが、空洞部8の側壁は被加工
電子部品を移送させる場合にガイドの役割を果たす。
水平方向スロット6の長手方向に対して垂直方向スリッ
ト5の上端が直角に合する要はなく、第3図に示す実施
例のように傾斜させておくと、垂直方向スリット−つ当
たりの溶融半田供給量を増やすことができる。垂直方向
スリットは一つであってもよい。
第4図に示す実施例のものでは、1対のブロック体4を
相対向するように組み合わせてなり、その中間部11に
被加工電子部品の本体部分が通過するようになっている
被加工電子部品9のフレーム部10をブロック体4内に
送り込み、かつ脱出させるための移送手段は、ブロック
体4の入口側および出口側に適数対のローラを設けるこ
とにより達成できる。各対の2個のローラは、リードフ
レーム部10のフレーム部分10aを上下から挟んで被
加工電子部品を搬送させる。
なお、被加工電子部品は半導体製品に限られず、プリン
ト基板等であってもよい。
発明の効果 以上のように本発明によると、リードフレーム部のリー
ド部分等に対する水平位半田浴を水平方向スリット内で
達成できるのであり、溶融半田の表面酸化を最少限に抑
えて常に良好な半田表面層を形成することができる。ま
た、ブロック体の2個を1対として左右対称に並設する
ことによっては、平坦リードフレームの両翼部を同時に
半田浴させ得るのであり、ブロック体の幅または水平方
向スリットの有効部幅を、リードフレーム部のリード部
分通過幅に合わせておくだけで、リード部分にのみ半田
表面層を形成でき、溶融半田の浪費を防ぐことができる
。また、液槽内溶融半田の経時変化を防止し得るととも
に、密着性のよい薄い半田層を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明を実施した半田ディプ処理装置の斜視図
、第2図は同装置のブロック体と被加工電子部品との関
係を示す一部破断斜視図、第3図および第4図はそれぞ
れ本発明の他の実施例の要部の斜視図である。 1・・・・・・溶融半田、2・・・・・・液槽、4・・
・・・・ブロック体、5・・・・・・垂直方向スリット
、6・・・・・・水平方向スリット、9・・・・・・被
加工電子部品、10・・・・・・リードフレーム部、1
0a・・・・・・リード部分、10b・・・・・・フレ
ーム部分。 特許出願人    銭谷産業株式会社 !−一一一溶扁火岑田 2−−−−  Jイt 6−−−− フpカに弓スリ、ト

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  溶融半田を収容する液槽内に、前記溶融半田に対して
    濡れのよいブロック体を、その頭部が前記溶融半田の液
    面から突出するように配設してなり、前記ブロック体は
    、前記溶融半田を前記液面よりも高い位置に導くための
    垂直方向スリットを有するとともに、前記頭部には電子
    部品を通過させるための水平方向スリットを有し、前記
    水平方向スリットは前記垂直方向スリットと断面T字状
    に合していることを特徴とする電子部品半田ディプ処理
    装置。
JP1066523A 1989-03-18 1989-03-18 電子部品半田ディプ処理装置 Granted JPH02246106A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1066523A JPH02246106A (ja) 1989-03-18 1989-03-18 電子部品半田ディプ処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1066523A JPH02246106A (ja) 1989-03-18 1989-03-18 電子部品半田ディプ処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02246106A true JPH02246106A (ja) 1990-10-01
JPH0587354B2 JPH0587354B2 (ja) 1993-12-16

Family

ID=13318319

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1066523A Granted JPH02246106A (ja) 1989-03-18 1989-03-18 電子部品半田ディプ処理装置

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JP (1) JPH02246106A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5199990A (en) * 1990-05-08 1993-04-06 Zeniya Industry Co., Ltd. Apparatus for solder-plating a lead-frame carrying electronic components
JPH05101994A (ja) * 1991-10-03 1993-04-23 Zeniya Sangyo Kk 半田デイツプ処理装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5199990A (en) * 1990-05-08 1993-04-06 Zeniya Industry Co., Ltd. Apparatus for solder-plating a lead-frame carrying electronic components
JPH05101994A (ja) * 1991-10-03 1993-04-23 Zeniya Sangyo Kk 半田デイツプ処理装置

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JPH0587354B2 (ja) 1993-12-16

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