JPH0421993A - 記憶装置 - Google Patents

記憶装置

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Publication number
JPH0421993A
JPH0421993A JP2126016A JP12601690A JPH0421993A JP H0421993 A JPH0421993 A JP H0421993A JP 2126016 A JP2126016 A JP 2126016A JP 12601690 A JP12601690 A JP 12601690A JP H0421993 A JPH0421993 A JP H0421993A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
logic
address strobe
refresh
strobe signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2126016A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Kijino
来住野 剛
Yoshimi Tachibana
立花 祥臣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
NEC Computertechno Ltd
Original Assignee
NEC Corp
NEC Computertechno Ltd
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Publication date
Application filed by NEC Corp, NEC Computertechno Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP2126016A priority Critical patent/JPH0421993A/ja
Publication of JPH0421993A publication Critical patent/JPH0421993A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は記憶装置に関し、特にCA S (Colu+
+n^ddress 5trobe )ビフォアRA 
S (Row Address 5trobe)リフレ
ッシュ方式によりリフレッシュを行う記憶装置における
リフレッシュ回路の異常終了検出方式に関する。
従来技術 従来、この種の記憶装置においては、データ読出し動作
時にデータのエラーを検出しており、リフレッシュ動作
が正常に終了したかあるいは異常に終了したかの検出を
行っていなかった。
このような従来の記憶装置では、データ読出し動作時の
データエラーの検出でのみエラー発生を検出しているの
で、そのデータエラーがリフレッシュ制御系の故障によ
るものか、あるいは記憶部制御系および記憶部系の故障
によるものかを判別するのが難しいという欠点がある。
発明の目的 本発明は上記のような従来のものの欠点を除去すべくな
されたもので、リフレッシュ制御系の故障を検出するこ
とができ、データエラーがリフレッシュ制御系の故障に
よるものかあるいは記憶部制御系および記憶部系の故障
によるものかの判別を可能とする記憶装置の提供を目的
とする。
発明の構成 本発明による記憶装置は、予め設定されたタイミングで
有効および無効となるカラムアドレスストローブ信号お
よびローアドレスストローブ信号によりリフレッシュ動
作を行う記憶装置であって、前記カラムアドレスストロ
ーブ信号が有効となるタイミングと前記ローアドレスス
トローブ信号が有効となるタイミングとが前記予め設定
されたタイミングか否かを検出する第1の検出手段と、
前記カラムアドレスストローブ信号が無効となるタイミ
ングと前記ローアドレスストローブ信号が無効となるタ
イミングとが前記予め設定されたタイミングか否かを検
出する第2の検出手段と、前記第1および第2の検出手
段により前記カラムアドレスストローブ信号および前記
ローアドレスストローブ信号の有効無効のタイミングが
前記予め設定されたタイミングでないことが検出された
ときに前記リフレッシュ動作の異常を通知する手段とを
設けたことを特徴とする。
本発明による他の記憶装置は、前記カラムアドレススト
ローブ信号が無効となるタイミングと前記ローアドレス
ストローブ信号が有効となるタイミングとが前記予め設
定されたタイミングか否かを検出する第3の検出手段を
本発明による記憶装置に設けたことを特徴とする。
本発明による別の記憶装置は、カラムアドレスストロー
ブ信号とローアドレスストローブ信号とリフレッシュ動
作が行われていることを示すリフレッシュ中信号とによ
り、リフレッシュ動作の起動を示すリフレッシュ起動信
号と、リフレッシュ動作の終了を示すリフレッシュ終了
信号と、カラムアドレスストローブ信号が無効となるタ
イミングを示すカラムアドレスストローブ信号後縁検知
信号と、ローアドレスストローブ信号が有効となるタイ
ミングを示すローアドレスストローブ信号前縁検知信号
とを出力するエツジ検出手段と、前記リフレッシュ起動
信号によりセットされ、前記カラムアドレスストローブ
信号後縁検知信号によりリセットされるフラグ手段と、
前記ローアドレスストローブ信号前縁検知信号と前記フ
ラグ手段のコップリメント出力信号との演算を行う第1
のゲート手段と、前記リフレッシュ終了信号と前記フラ
グ手段の出力信号との演算を行う第2のゲート手段と、
前記第1および第2のゲート手段の出力信号の演算を行
う第3のゲート手段とを設けたことを特徴とする特 許 実施例 次に、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。
第1図は本発明の一実施例の構成を示すブロック図であ
る。図において、エツジ検出回路1はRA S (Ro
w Address 5trobe)信号100と、C
AS(Column Address 5trobe 
)信号101と、リフレッシュ動作が行われていること
を示すリフレッシュ中信号102とを入力し、リフレッ
シュ動作の終了を示すリフレッシュ終了信号103と、
リフレッシュ動作の起動を示すリフレッシュ起動信号1
04と、CAS信号101がインアクティブとなるタイ
ミングを示すCAS後縁検知信号105と、RAS信号
100がアクティブとなるタイミングを示すRAS前縁
検知信号106とを出力する。
フリップフロップ(以下F/Fとする)2はエツジ検出
回路1からのリフレッシュ起動信号104によりセット
され、CAS後縁検知信号105によりリセットされる
また、F/F2はその内容を出力信号107としてアン
ドゲート3に出力(7、その内容の反転値をコップリメ
ント出力信号108としてアントゲ−1・4に出力する
アンドゲート3はエツジ検出回路1からのリフレッシュ
終r信号103とF/F2の出力信号1.07とのアン
ドをとり、アンドゲート出力信号109をオアゲート5
に出力する。
アンドゲート4はエツジ検出回路1からのRAS前縁検
知信号106とF/F2のコップリメント出力信号10
8とのアンドをとり、アンドゲート出力信号11Oをオ
アゲート5に出力する。
オアゲート5はアンドゲート3のアンドゲート出力信号
109とアンドゲート4のアンドゲート出力信号110
とのオアをとり、エラー検出信号11.1を出力する。
エツジ検出回路1はリフレッシュ終了信号+03として
通常論理″0”を出力しており、RAS信号100が論
理“1“から論理“O”に変化し、かつリフレッシュ中
信号102がリフレッシュ動作中を示す論理“1“のと
きに論理“1“を出力する。
また、エツジ検出回路1はリフレッシュ起動信号104
として通常論理“O”を出力しており、CAS信号10
1が論理“0”から論理“1”に変化し、かつリフレッ
シュ中信号102がリフレッシュ動作中を示す論理“1
”で、RAS信号100が論理“0”のときに論理“1
”を出力する。
エツジ検出回路1はCAS後縁検知信号105として通
常論理“0”を出力しており、CAS信号101が論理
“1”から論理“0″に変化し、かつリフレッシュ中信
号102がリフレッシュ動作中を示す論理“1″で、R
AS信号100が論理“1”のときに論理“1”を出力
する。
また、エツジ検出回路]はRAS前縁検知信号10Gと
して通常論理“O”を出力しており、RAS信号IO+
が論理“0”から論理“1”に変化し、かつリフレッシ
ュ中信号102がリフレッシュ動作中を示す論理“1”
のときに論理“1”を出力する。
第2図〜第6図は本発明の一実施例の動作を示すタイミ
ングチャートである。第2図はリフレッシュ動作が正常
終了した場合のタイミングチャートを示し、第3図〜第
6図はリフレッシュ動作が異常終了した場合のタイミン
グチャートを示している。
これら第1図〜第6図を用いて本発明の一実施例の動作
について説明する。
まず、リフレッシュ中信号102が論理“1″で、RA
S信号1.00が論理“0”のときにCAS信号lot
が論理“O”から論理“1”に変化すると、。
エツジ検出回路1はリフレッシュ起動信号104を論理
“1”とするので、F/F2に論理“1”がセットされ
る。
この状態で、RAS信号100か論理“0″から論理“
1”に変化すると、エツジ検出回路1はRAS前縁検知
信号106を論理゛1”とするか、アントゲ−1・′3
てはF/F2からの出力信号107が論理“1”となっ
ても、エツジ検出回路1からのリフレッシュ終了信号1
03が論理゛0”なので、アンドゲート出力信号109
として論理“0”を出力する。
アンドゲート4ではエツジ検出回路1.からのRAS前
縁検知信号106が論理“1”となっても、F/F2か
らのコップリメント出力信号1.08が論理“0”なの
で、アンドゲート出力信号+10として論理“0“を出
力する。
よって、オアゲート5からエラー検出信号1月として論
理“0”が出力され、エラーの発生は検出されない(第
2図参照)。
一方、リフレッシュ中信号102が論理“1”で、RA
S信号100が論理″1″のときに、所定のタイミング
でCAS信号101が論理“1”から論理“0“に変化
すると、エツジ検出回路1はCAS後縁検知信号105
を論理“1”とするので、F/F2が論理“0”にリセ
ットされる。
この状態で、RAS信号100が論理“1″から論理“
0”に変化すると、エツジ検出回路1はリフレッシュ終
了信号ILIを論理“1”とするが、アンドゲート3で
はエツジ検出回路1からのリフレッシュ終了信号103
が論理“1”となっても、F/F2からの出力信号+0
7が論理“0″なので、アンドゲート出力信号109と
して論理“o″を出力する。
アンドゲート4ではF/F2からのコップリメント出力
信号10gが論理“1”となっても、エツジ検出回路1
からのRAS前縁検知信号10Bが論理“0”なので、
アンドゲート出力信号110として論理“0″を出力す
る。
よって、オアゲート5からエラー検出信号111として
論理“0”が出力され、エラーの発生は検出されない(
第2図参照)。
ここで、RAS信号1(1(lがアクティブおよびイン
アクティブとなるタイミングと、CAS信号101がア
クティブおよびインアクティブとなるタイミングとの関
係が逆になった場合、エツジ検出回路1ではリフレッシ
ュ起動信号104を論理“1”としないので、F/F2
に論理”1”がセットされることはなく、F/F2の内
容は論理′0″のままである。
この状態で、RAS信号100が論理“0”から論理“
1”に変化すると、エツジ検出回路1はR〕 2 AS前縁検知信号10Bを論理“1”とするので、アン
ドゲート4ではエツジ検出回路1がらのRAS前縁検知
信号106およびF/F2がらのコップリメント出力信
号108がともに論理“1″となり、アンドゲート出力
信号110として論理“1″を出力する。
よって、オアゲート5からエラー検出信号111として
論理“1”が出力され、エラーの発生が通知される(第
3図参照)。
また、RAS信号100が規定時間よりも早く論理“1
”から論理“0”に゛変化した場合、リフレッシュ起動
信号104が論理11tl+となることによりF/F2
に論理“1”がセットされているときに、エツジ検出回
路1ではCAS後縁信号105を論理″1″とする前に
リフレッシュ終了信号+03を論理“1″とするので、
アンドゲート3ではエツジ検出回路1からのリフレッシ
ュ終了信号103およびF/F2からの出力信号+07
がともに論理“1”となり、アンドゲート出力信号10
9として論理”1”を出力する。
よって、オアゲート5からエラー検出信号111として
論理“1”が出力され、エラーの発生が通知される(第
4図参照)。
この場合、F/F2ではエツジ検出回路1からのCAS
後縁信号105が論理“1″とはならないので、論理“
1″がセットされたままとなる。
さらに、RAS信号100が規定時間よりも早く論理″
0”から論理“1”に変化した場合、すなわちCAS信
号101が論理“0”から論理” 1. ”に変化する
前にRAS信号100が論理“0”から論理“1”に変
化した場合、エツジ検出回路1ではリフレッシュ起動信
号104を論理“1″としないので、F/F2に論理“
1”がセットされることはなく、F/F2の内容は論理
“0”のままである。
この状態で、RAS信号100が論理“0”から論理“
1”に変化すると、エツジ検出回路1はRAS前縁検知
信号10Bを論理“1”とするので、アンドゲート4で
はエツジ検出回路1からのRAS前縁検知信号10Bお
よびF/F2からのコップリメント出力信号108がと
もに論理“1“となり、アンドゲート出力信号11.0
として論理″1”を出力する。
よって、オアゲート5からエラー検出信号I11として
論理“1−”が出力され、エラーの発生が通知される(
第5図参照)。
つまり、上記の場合は第3図に示す場合と同様にしてエ
ラーの発生が通知される。
RAS信号100が論理“0”から論理“1“に変化す
る前にCAS信号101が論理“O”から論理“1“に
変化し、さらに論理“1”から論理“0”に変化した場
合、すなわちRAS信号100が論理“0“から論理“
1”に変化する前にCAS信号101が切れてしまった
場合、CAS信号101が論理“0”から論理“1”に
変化することによりエツジ検出回路1からのリフレッシ
ュ起動信号104が論理“1”となってF/F2に論理
“1”がセットされるが、エツジ検出回路1からのRA
S前縁検知信号106が論理“1″となる前に、CAS
後縁検知信号105が論理“1”となってF/F2が論
理“0”にリセットされる。
これにより、F/F 2からのコップリメント出力信号
108が論理“1”になるので、RAS信号1、 OO
が論理“O”から論理“1”に変化してエツジ検出回路
1からのRAS前縁検知信号10flが論理“1”にな
ると、アンドゲート4からアンドゲト出力信号11Oと
して論理“1”が出力される。
よって、オアゲート5からエラー検出信号1. I 1
として論理“1”が出力され、エラーの発生が通知され
る(第6図参照)。
このように、エツジ検出回路1とF/F2とアンドゲー
ト3,4とオアゲート5とによりリフレッシュ制御系の
RAS信号100およびCAS信号101の動作状態を
監視するようにすることによって、リフレッシュ動作時
の異常を検出することができる。
よって、記憶部(図示せず)からデータを読出すときの
データエラーの原因が、リフレッシュ、制御系の故障に
よるものかあるいは記憶部制御系および記憶部系の故障
によるものかを判別すること] 6 ができる。
発明の効果 以」二説明したように本発明によれば、リフレッシュ制
御系のRAS信号およびCAS信号の動作状態を監視す
るようにすることによって、リフレッシュ制御系の故障
を検出することができ、データエラーがリフレッシュ制
御系の故障によるものかあるいは記憶部制御系および記
憶部系の故障によるものかの判別を可能とすることがで
きるという効果かある。
【図面の簡単な説明】
第1−図は本発明の一実施例の構成を示すブロック図、
第2図〜第6図は本発明の一実施例の動作を示すタイミ
ングチャートである。 主要部分の符号の説明 1・・・・・・エツジ検出回路 2・・・・・・フリップフロップ 5・・・・・・オア
ゲート34・・・・・アンドゲート

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)予め設定されたタイミングで有効および無効とな
    るカラムアドレスストローブ信号およびローアドレスス
    トローブ信号によりリフレッシュ動作を行う記憶装置で
    あって、前記カラムアドレスストローブ信号が有効とな
    るタイミングと前記ローアドレスストローブ信号が有効
    となるタイミングとが前記予め設定されたタイミングか
    否かを検出する第1の検出手段と、前記カラムアドレス
    ストローブ信号が無効となるタイミングと前記ローアド
    レスストローブ信号が無効となるタイミングとが前記予
    め設定されたタイミングか否かを検出する第2の検出手
    段と、前記第1および第2の検出手段により前記カラム
    アドレスストローブ信号および前記ローアドレスストロ
    ーブ信号の有効無効のタイミングが前記予め設定された
    タイミングでないことが検出されたときに前記リフレッ
    シュ動作の異常を通知する手段とを設けたことを特徴と
    する記憶装置。
  2. (2)前記カラムアドレスストローブ信号が無効となる
    タイミングと前記ローアドレスストローブ信号が有効と
    なるタイミングとが前記予め設定されたタイミングか否
    かを検出する第3の検出手段を設けたことを特徴とする
    請求項(1)記載の記憶装置。
  3. (3)カラムアドレスストローブ信号とローアドレスス
    トローブ信号とリフレッシュ動作が行われていることを
    示すリフレッシュ中信号とにより、リフレッシュ動作の
    起動を示すリフレッシュ起動信号と、リフレッシュ動作
    の終了を示すリフレッシュ終了信号と、カラムアドレス
    ストローブ信号が無効となるタイミングを示すカラムア
    ドレスストローブ信号後縁検知信号と、ローアドレスス
    トローブ信号が有効となるタイミングを示すローアドレ
    スストローブ信号前縁検知信号とを出力するエッジ検出
    手段と、前記リフレッシュ起動信号によりセットされ、
    前記カラムアドレスストローブ信号後縁検知信号により
    リセットされるフラグ手段と、前記ローアドレスストロ
    ーブ信号前縁検知信号と前記フラグ手段のコップリメン
    ト出力信号との演算を行う第1のゲート手段と、前記リ
    フレッシュ終了信号と前記フラグ手段の出力信号との演
    算を行う第2のゲート手段と、前記第1および第2のゲ
    ート手段の出力信号の演算を行う第3のゲート手段とを
    設けたことを特徴とする記憶装置。
JP2126016A 1990-05-16 1990-05-16 記憶装置 Pending JPH0421993A (ja)

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JP (1) JPH0421993A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0653652A (ja) * 1991-03-14 1994-02-25 Nec Corp 多層セラミック配線基板とその製造方法
JP2006314659A (ja) * 2005-05-16 2006-11-24 Daiman:Kk 遊技機
JP2006314660A (ja) * 2005-05-16 2006-11-24 Daiman:Kk 遊技機

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0653652A (ja) * 1991-03-14 1994-02-25 Nec Corp 多層セラミック配線基板とその製造方法
JP2006314659A (ja) * 2005-05-16 2006-11-24 Daiman:Kk 遊技機
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