JPH04216530A - 波長変換素子 - Google Patents
波長変換素子Info
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- JPH04216530A JPH04216530A JP2402606A JP40260690A JPH04216530A JP H04216530 A JPH04216530 A JP H04216530A JP 2402606 A JP2402606 A JP 2402606A JP 40260690 A JP40260690 A JP 40260690A JP H04216530 A JPH04216530 A JP H04216530A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/37—Non-linear optics for second-harmonic generation
- G02F1/377—Non-linear optics for second-harmonic generation in an optical waveguide structure
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/065—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on electro-optical organic material in an optical waveguide structure
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は波長変換素子、特に、非
線形光学材料を利用した波長変換素子に関する。
線形光学材料を利用した波長変換素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近時、ＳＨＧ（ｓｅｃｏｎｄ−ｈａｒｍ
ｏｎｉｃ ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）高出力化のために、
図６の模式図に示されるようなファイバ型の波長変換素
子１００が提案されている。 このものは、外径１〜２μｍ程度のコア部１２０と、こ
のコア部１２０の外周に被着された外径１〜２ｍｍ程度
のクラッド部材１５０とを有する。コア部１２０の材料
としては、有機非線形光学材料が用いられ、一方、クラ
ッド部材１５０としては、ガラス材料が用いられる。
ｏｎｉｃ ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）高出力化のために、
図６の模式図に示されるようなファイバ型の波長変換素
子１００が提案されている。 このものは、外径１〜２μｍ程度のコア部１２０と、こ
のコア部１２０の外周に被着された外径１〜２ｍｍ程度
のクラッド部材１５０とを有する。コア部１２０の材料
としては、有機非線形光学材料が用いられ、一方、クラ
ッド部材１５０としては、ガラス材料が用いられる。
【０００３】このようなファイバ型の波長片変換素子は
、長さ数〜十数ｍｍのガラスキャピラリ内に、溶融させ
たコア材料を毛細管現象で吸い込ませ、しかる後、結晶
化させて製造していた。
、長さ数〜十数ｍｍのガラスキャピラリ内に、溶融させ
たコア材料を毛細管現象で吸い込ませ、しかる後、結晶
化させて製造していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ガラスキャピラリを利用したファイバ型の波長片変換素
子１００には以下の種々の問題があった。すなわち、第
一に、波長変換効率を最適な状態とするためにはコア径
をサブミクロンのオーダで制御しなければならない。し
かしながら、製造に際してコア径、クラッド径は、とも
に最終的な寸法より大きなキャピラリを加熱伸張するこ
とにより作製されるため、コア径の制御が極めて困難で
あるという問題がある。
ガラスキャピラリを利用したファイバ型の波長片変換素
子１００には以下の種々の問題があった。すなわち、第
一に、波長変換効率を最適な状態とするためにはコア径
をサブミクロンのオーダで制御しなければならない。し
かしながら、製造に際してコア径、クラッド径は、とも
に最終的な寸法より大きなキャピラリを加熱伸張するこ
とにより作製されるため、コア径の制御が極めて困難で
あるという問題がある。
【０００５】第二に、波長変換効率はいわゆる相互作用
長に比例するため、高い変換効率を得るためには、ファ
イバ長Ｌを大きくすると共に、クラッド径Ｄの大きなフ
ァイバを用いなければならない。第二高調波のクラッド
／空気界面での反射による位相の乱れ、および第二高調
波、コアの相互干渉を防ぐためである。しかしながら、
コア径ｄとクラッド径Ｄの比は、加熱伸張前のコア径と
クラッド径の比でほぼ決定され、この比は高々１：１０
００程度であるため、これ以上の大きなクラッド径を得
ることは困難であるという問題がある。
長に比例するため、高い変換効率を得るためには、ファ
イバ長Ｌを大きくすると共に、クラッド径Ｄの大きなフ
ァイバを用いなければならない。第二高調波のクラッド
／空気界面での反射による位相の乱れ、および第二高調
波、コアの相互干渉を防ぐためである。しかしながら、
コア径ｄとクラッド径Ｄの比は、加熱伸張前のコア径と
クラッド径の比でほぼ決定され、この比は高々１：１０
００程度であるため、これ以上の大きなクラッド径を得
ることは困難であるという問題がある。
【０００６】第三に、波長変換素子端面１２０ａ，１２
０ａでコア部に有機非線形の光学材料が空気に露出する
為、材料の劣化が生じ、この問題に対処するためにファ
イバ端面に別途、封止層を設ける必要がある。このよう
な実情に鑑み本発明は創案されたものであり、その目的
は上記従来の問題点を解決し、コア径を精度良く制御す
るとともに、クラッド径を容易に大きくでき、さらには
結晶の配向方位の制御ができ、波長変換効率が向上され
た波長変換素子を提供することにある。さらに、ファイ
バ端面の、特に、有機非線形光学材料のコアの劣化を防
止し、結合効率の劣化を防止できる波長変換素子を提供
することにある。
０ａでコア部に有機非線形の光学材料が空気に露出する
為、材料の劣化が生じ、この問題に対処するためにファ
イバ端面に別途、封止層を設ける必要がある。このよう
な実情に鑑み本発明は創案されたものであり、その目的
は上記従来の問題点を解決し、コア径を精度良く制御す
るとともに、クラッド径を容易に大きくでき、さらには
結晶の配向方位の制御ができ、波長変換効率が向上され
た波長変換素子を提供することにある。さらに、ファイ
バ端面の、特に、有機非線形光学材料のコアの劣化を防
止し、結合効率の劣化を防止できる波長変換素子を提供
することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、第１のクラッド部材と、第２のクラッド部
材とをコア部を介して接合して形成される波長変換素子
であって、前記第１のクラッド部材および第２のクラッ
ド部材は、それぞれ、ガラス材料からなるとともに、前
記第１のクラッド部材は、その接合面に形成された溝部
を有し、前記コア部は、有機非線形光学材料からなり、
前記第１のクラッド部材の溝部に充填されているように
構成した。
に本発明は、第１のクラッド部材と、第２のクラッド部
材とをコア部を介して接合して形成される波長変換素子
であって、前記第１のクラッド部材および第２のクラッ
ド部材は、それぞれ、ガラス材料からなるとともに、前
記第１のクラッド部材は、その接合面に形成された溝部
を有し、前記コア部は、有機非線形光学材料からなり、
前記第１のクラッド部材の溝部に充填されているように
構成した。
【０００８】さらに、前記溝部に沿った両側面近傍に、
それぞれ、結晶方位を制御するための電圧を印加する電
極を備えるように構成した。また、さらに、前記溝部は
、その溝部の長手方向の前記第１のクラッド部材の側面
を残すように形成して構成した。
それぞれ、結晶方位を制御するための電圧を印加する電
極を備えるように構成した。また、さらに、前記溝部は
、その溝部の長手方向の前記第１のクラッド部材の側面
を残すように形成して構成した。
【０００９】
【作用】本発明の波長変換素子は、有機非線形光学材料
が充填された溝部を有する第１のクラッド部材と、第２
のクラッド部材とを接合して形成するようにしているの
で、コア径を精度良く制御できるとともに、クラッド径
を容易に大きくできる。また、溝部に沿った両側近傍に
、それぞれ、電圧を印加する電極を備えるように構成し
ているので結晶方位を適宜制御することができる。
が充填された溝部を有する第１のクラッド部材と、第２
のクラッド部材とを接合して形成するようにしているの
で、コア径を精度良く制御できるとともに、クラッド径
を容易に大きくできる。また、溝部に沿った両側近傍に
、それぞれ、電圧を印加する電極を備えるように構成し
ているので結晶方位を適宜制御することができる。
【００１０】また、溝部はその溝部の長手方向の前記第
１のクラッド部材の側面を残すように形成しているので
、有機非線形光学材料のコアの劣化を防止し、結合効率
の劣化を防止できる。
１のクラッド部材の側面を残すように形成しているので
、有機非線形光学材料のコアの劣化を防止し、結合効率
の劣化を防止できる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の波長変換素子の第１実施例を
図１（ａ）ないし（ｃ）に基づいて説明する。図１（ａ
）ないし（ｃ）は、それぞれ、本発明の波長変換素子１
の組み立てまでの過程を経時的に示す分解斜視図および
組み立て後の完成斜視図である。
図１（ａ）ないし（ｃ）に基づいて説明する。図１（ａ
）ないし（ｃ）は、それぞれ、本発明の波長変換素子１
の組み立てまでの過程を経時的に示す分解斜視図および
組み立て後の完成斜視図である。
【００１２】本発明の波長変換素子１は、第１のクラッ
ド部材１０と、第２のクラッド部材２０とをコア部３０
を介し、接合して形成される。前記第１のクラッド部材
１０は、略直方体形状のガラス材料からなり、第２のク
ラッド部材２０との接合面１０ａには溝部１５が形成さ
れる。ガラス材料としては、ＳＦ１５，ＳＦ１，ＳＦ４
，ＬａＦ０２，ＬａＦ０７，Ｌａ０８などの光学ガラス
が挙げられる。
ド部材１０と、第２のクラッド部材２０とをコア部３０
を介し、接合して形成される。前記第１のクラッド部材
１０は、略直方体形状のガラス材料からなり、第２のク
ラッド部材２０との接合面１０ａには溝部１５が形成さ
れる。ガラス材料としては、ＳＦ１５，ＳＦ１，ＳＦ４
，ＬａＦ０２，ＬａＦ０７，Ｌａ０８などの光学ガラス
が挙げられる。
【００１３】溝部１５は後述するコア材を充填し導波路
を形成するためのものであり、従って、この溝部１５は
、通常、クラッド部材１０の中央部長手方向に沿って形
成される。この溝部１５の断面は矩形形状が好ましく、
その断面アスペクト比（幅と高さの比）が０．８〜１．
２であることが好ましい。出来るだけ断面を丸形状に近
付けて発生される第二高周波の強度分布を一様なリング
状にするためである。このような溝部１５は、フォトリ
ソグラフィ法で作製されることが精密加工上好ましい。 フォトリソグラフィ法は一般に、■レジスト塗布工程、
■露光工程、■現像工程、■エッチング工程、■レジス
ト除去工程の一連の工程によって行われる。
を形成するためのものであり、従って、この溝部１５は
、通常、クラッド部材１０の中央部長手方向に沿って形
成される。この溝部１５の断面は矩形形状が好ましく、
その断面アスペクト比（幅と高さの比）が０．８〜１．
２であることが好ましい。出来るだけ断面を丸形状に近
付けて発生される第二高周波の強度分布を一様なリング
状にするためである。このような溝部１５は、フォトリ
ソグラフィ法で作製されることが精密加工上好ましい。 フォトリソグラフィ法は一般に、■レジスト塗布工程、
■露光工程、■現像工程、■エッチング工程、■レジス
ト除去工程の一連の工程によって行われる。
【００１４】
■レジスト塗布工程においては、溝部を形成する第１の
クラッド部材１０の接合面にレジストが塗布される。レ
ジストは、通常、スピンナーによって塗布される。塗布
されたレジスト膜は、通常、溶剤を完全に蒸発させ、か
つレジスト膜とクラッド部材１０との付着性をよくする
ために、塗布後、すみやかにオーブン中で加熱（プリベ
ーキング）される。 ■露光工程において、マスクを用いた紫外線露光により
レジストに溝パターンを露光する。マスキングは、通常
、密着法が用いられる。 ■現像工程において、露光後、レジストを現像液に浸す
かスプレーするかして現像が行われる。レジストがネガ
形の場合は、未露光部分のレジストが溶解され、露光部
分のレジストは残る。現像後、耐エッチング性を増すた
めにポストベーキングする。 ■エッチング工程において、エッチングにより所定深さ
に至るまで、溝加工を行う。 ■レジスト除去工程において、適当な有機溶媒を用いて
レジストを除去する。
クラッド部材１０の接合面にレジストが塗布される。レ
ジストは、通常、スピンナーによって塗布される。塗布
されたレジスト膜は、通常、溶剤を完全に蒸発させ、か
つレジスト膜とクラッド部材１０との付着性をよくする
ために、塗布後、すみやかにオーブン中で加熱（プリベ
ーキング）される。 ■露光工程において、マスクを用いた紫外線露光により
レジストに溝パターンを露光する。マスキングは、通常
、密着法が用いられる。 ■現像工程において、露光後、レジストを現像液に浸す
かスプレーするかして現像が行われる。レジストがネガ
形の場合は、未露光部分のレジストが溶解され、露光部
分のレジストは残る。現像後、耐エッチング性を増すた
めにポストベーキングする。 ■エッチング工程において、エッチングにより所定深さ
に至るまで、溝加工を行う。 ■レジスト除去工程において、適当な有機溶媒を用いて
レジストを除去する。
【００１５】このように形成された溝部１５の中には、
いわゆる非線形光学材料が充填され、コア部３０が形成
される。非線形光学材料は、特に、波長変換効率の大き
い有機系非線形光学材料をもちいるのが好ましい。有機
系非線形光学材料としては、ＭＮＡ（２−メチル−４−
ニトロアニリン）、ＤＡＮ（２−ジメチルアミノ−５−
ニトロアセトアニリド）、ＮＰＰ（Ｎ−（４−ニトロフ
ェリル）−（５）−プロリノール）、ＰＮＰ（２−（Ｎ
−ピロリノール）−５−ニトロピリジン）、ＤＭＮＰ（
３，５−ジメチル−１−（４−ニトロフェニル）ピラゾ
ール）、ＭＭＯＮＳ（３−メチル−４−メトキシ−４′
−ニトロスチルベンゼン）、ＭＮＰ（メタ−ニトロアニ
リン）、ＭＡＰ（３−メチル−（２，４ジニトロフェニ
ル−アミノプロパネイト））、ＰＯＭ（３−メチル−４
ニトロピリジン−１−オキサイド）、ＨＥＸ（ヘキサミ
ン）、ＢＺＬ（ベンジル）等が挙げられる。
いわゆる非線形光学材料が充填され、コア部３０が形成
される。非線形光学材料は、特に、波長変換効率の大き
い有機系非線形光学材料をもちいるのが好ましい。有機
系非線形光学材料としては、ＭＮＡ（２−メチル−４−
ニトロアニリン）、ＤＡＮ（２−ジメチルアミノ−５−
ニトロアセトアニリド）、ＮＰＰ（Ｎ−（４−ニトロフ
ェリル）−（５）−プロリノール）、ＰＮＰ（２−（Ｎ
−ピロリノール）−５−ニトロピリジン）、ＤＭＮＰ（
３，５−ジメチル−１−（４−ニトロフェニル）ピラゾ
ール）、ＭＭＯＮＳ（３−メチル−４−メトキシ−４′
−ニトロスチルベンゼン）、ＭＮＰ（メタ−ニトロアニ
リン）、ＭＡＰ（３−メチル−（２，４ジニトロフェニ
ル−アミノプロパネイト））、ＰＯＭ（３−メチル−４
ニトロピリジン−１−オキサイド）、ＨＥＸ（ヘキサミ
ン）、ＢＺＬ（ベンジル）等が挙げられる。
【００１６】このような有機系非線形光学材料は、一旦
、融解させられた後、溝部１５に充填され、しかる後、
冷却され結晶化させられてコア部３０を形成する。 このように溝部１５に有機系非線形光学材料が充填され
た第１のクラッド部材１０の接合面には、コア部３０を
密封するように第２のクラッド部材２０が被着される。 第２のクラッド部材２０は、通常、直方体形状のものを
用いればよく、その材質は前記第１のクラッド部材１０
のそれと同じものを用いればよい。なお、第１のクラッ
ド部材と第２のクラッド部材２０との接合は、例えば、
光学コンタクトの技術を利用して接着したり、バルサム
、エポキシ樹脂、メタアクリル樹脂、ポリエステル樹脂
等の光学接着剤を使用して行われる。
、融解させられた後、溝部１５に充填され、しかる後、
冷却され結晶化させられてコア部３０を形成する。 このように溝部１５に有機系非線形光学材料が充填され
た第１のクラッド部材１０の接合面には、コア部３０を
密封するように第２のクラッド部材２０が被着される。 第２のクラッド部材２０は、通常、直方体形状のものを
用いればよく、その材質は前記第１のクラッド部材１０
のそれと同じものを用いればよい。なお、第１のクラッ
ド部材と第２のクラッド部材２０との接合は、例えば、
光学コンタクトの技術を利用して接着したり、バルサム
、エポキシ樹脂、メタアクリル樹脂、ポリエステル樹脂
等の光学接着剤を使用して行われる。
【００１７】次いで、本発明の波長変換素子の第２実施
例を図２（ａ）ないし（ｃ）に基づいて説明する。第２
実施例の波長変換素子２が、前記第１実施例のそれと根
本的に異なるのは第１のクラッド部材５０の溝部５５の
端面が露出していない点にある。すなわち、第１のクラ
ッド部材５０に溝部５５を形成するに、第１のクラッド
部材の両側面５０ａ，５０ａを残すように溝部５５を形
成している。
例を図２（ａ）ないし（ｃ）に基づいて説明する。第２
実施例の波長変換素子２が、前記第１実施例のそれと根
本的に異なるのは第１のクラッド部材５０の溝部５５の
端面が露出していない点にある。すなわち、第１のクラ
ッド部材５０に溝部５５を形成するに、第１のクラッド
部材の両側面５０ａ，５０ａを残すように溝部５５を形
成している。
【００１８】このように形成することにより、溝部５５
に充填された有機非線形光学材料結晶は、外部雰囲気か
ら完全に密閉された状態となり、有機非線形光学材料の
劣化が有効に防止できる。次いで、本発明の波長変換素
子の第３実施例を図３（ａ）ないし（ｃ）に基づいて説
明する。
に充填された有機非線形光学材料結晶は、外部雰囲気か
ら完全に密閉された状態となり、有機非線形光学材料の
劣化が有効に防止できる。次いで、本発明の波長変換素
子の第３実施例を図３（ａ）ないし（ｃ）に基づいて説
明する。
【００１９】第３実施例の波長変換素子３が、前記第１
実施例および第２実施例のそれらと根本的に異なるのは
、溝部７５（コア部８０）に沿った両側近傍にそれぞれ
電極９０，９０を配置している点にある。この電極９０
，９０間には電圧が印加され、溝部７５に溶融充填され
た有機非線形光学材料が結晶化する際に、この材料の結
晶方位が制御される。このように結晶方位を制御するこ
とにより変換効率の向上が図られる。なお、図４に示さ
れるように電極９０，９０（図中、斜線で示される）は
、通常、コア部８０に接するのではなく、一定の距離Ｐ
＝２〜５μｍ程度離れて設置される。また、図３（ｂ）
および図４に示されるように電極９０，９０には数本の
リード線９１が配設されており、このリード線９１を介
して電極９０，９０に適宜電圧が印加されるようになっ
ている。なお、このような電極９０，９０およびリード
線９１は、銅、アルミニウム、銀、金、プラチナ等の材
質を用い、フォトリソグラフィー法等の方法によって形
成される。
実施例および第２実施例のそれらと根本的に異なるのは
、溝部７５（コア部８０）に沿った両側近傍にそれぞれ
電極９０，９０を配置している点にある。この電極９０
，９０間には電圧が印加され、溝部７５に溶融充填され
た有機非線形光学材料が結晶化する際に、この材料の結
晶方位が制御される。このように結晶方位を制御するこ
とにより変換効率の向上が図られる。なお、図４に示さ
れるように電極９０，９０（図中、斜線で示される）は
、通常、コア部８０に接するのではなく、一定の距離Ｐ
＝２〜５μｍ程度離れて設置される。また、図３（ｂ）
および図４に示されるように電極９０，９０には数本の
リード線９１が配設されており、このリード線９１を介
して電極９０，９０に適宜電圧が印加されるようになっ
ている。なお、このような電極９０，９０およびリード
線９１は、銅、アルミニウム、銀、金、プラチナ等の材
質を用い、フォトリソグラフィー法等の方法によって形
成される。
【００２０】結晶方位の制御の必要性について以下説明
する。波長変換された第２高調波の出力を大きくするに
は、例えば有機非線形光学材料における第２高調波の屈
折率ｎ２ を一次光の屈折率ｎ１ よりも小さくするほ
うが有利であることが本出願人により既に解析され、提
案されている（特願平２−１８９２０５）。そして、非
線形光学結晶は、一般に結晶の屈折率異方性があり、結
晶配向を適宜行うことによりｎ１ ≧ｎ２ という上述
の条件が達成され得、これにより第２高調波の出力が増
大できるからである。
する。波長変換された第２高調波の出力を大きくするに
は、例えば有機非線形光学材料における第２高調波の屈
折率ｎ２ を一次光の屈折率ｎ１ よりも小さくするほ
うが有利であることが本出願人により既に解析され、提
案されている（特願平２−１８９２０５）。そして、非
線形光学結晶は、一般に結晶の屈折率異方性があり、結
晶配向を適宜行うことによりｎ１ ≧ｎ２ という上述
の条件が達成され得、これにより第２高調波の出力が増
大できるからである。
【００２１】次いで、本発明の波長変換素子の第４実施
例を図５（ａ）ないし（ｃ）に基づいて説明する。第４
実施例の波長変換素子４の特徴は、前記第３実施例と前
記第２実施例の特徴を合わせたものである。すなわち、
波長変換素子４は、溝部１７５に沿った両側近傍にそれ
ぞれ、結晶方位を制御するための電圧を印加する電極１
９０，１９０を備えるとともに、溝部１７５はその溝部
の長手方向の前記第１のクラッド部材の側面１７０ａ，
１７０ａを残すように形成されている。これにより、特
に、コア部の結晶方位を適宜制御することができること
はもとより、有機非線形光学材料のコアの劣化を防止で
きる。
例を図５（ａ）ないし（ｃ）に基づいて説明する。第４
実施例の波長変換素子４の特徴は、前記第３実施例と前
記第２実施例の特徴を合わせたものである。すなわち、
波長変換素子４は、溝部１７５に沿った両側近傍にそれ
ぞれ、結晶方位を制御するための電圧を印加する電極１
９０，１９０を備えるとともに、溝部１７５はその溝部
の長手方向の前記第１のクラッド部材の側面１７０ａ，
１７０ａを残すように形成されている。これにより、特
に、コア部の結晶方位を適宜制御することができること
はもとより、有機非線形光学材料のコアの劣化を防止で
きる。
【００２２】
【発明の効果】本発明の波長変換素子は、有機非線形光
学材料が充填された溝部を有する第１のクラッド部材と
、第２のクラッド部材とを接合して形成するようにして
いるので、コア径を精度良く制御できるとともに、クラ
ッド径を容易に大きくできる。また、溝部に沿った両側
面近傍に、それぞれ、電圧を印加する電極を備えるよう
に構成しているので結晶方位を適宜制御することができ
る。
学材料が充填された溝部を有する第１のクラッド部材と
、第２のクラッド部材とを接合して形成するようにして
いるので、コア径を精度良く制御できるとともに、クラ
ッド径を容易に大きくできる。また、溝部に沿った両側
面近傍に、それぞれ、電圧を印加する電極を備えるよう
に構成しているので結晶方位を適宜制御することができ
る。
【００２３】また、溝部はその溝部の長手方向の前記第
１のクラッド部材の側面を残すように形成しているので
、有機非線形光学材料のコアの劣化を防止し、結合効率
の劣化を防止できる。
１のクラッド部材の側面を残すように形成しているので
、有機非線形光学材料のコアの劣化を防止し、結合効率
の劣化を防止できる。
【図１】（ａ）ないし（ｃ）は、それぞれ、本発明の第
１実施例としての波長変換素子の組み立てまでの過程を
経時的に示す分解斜視図および組み立て後の完成斜視図
である。
１実施例としての波長変換素子の組み立てまでの過程を
経時的に示す分解斜視図および組み立て後の完成斜視図
である。
【図２】（ａ）ないし（ｃ）は、それぞれ、本発明の第
２実施例としての波長変換素子の組み立てまでの過程を
経時的に示す分解斜視図および組み立て後の完成斜視図
である。
２実施例としての波長変換素子の組み立てまでの過程を
経時的に示す分解斜視図および組み立て後の完成斜視図
である。
【図３】（ａ）ないし（ｃ）は、それぞれ、本発明の第
３実施例としての波長変換素子の組み立てまでの過程を
経時的に示す分解斜視図および組み立て後の完成斜視図
である。
３実施例としての波長変換素子の組み立てまでの過程を
経時的に示す分解斜視図および組み立て後の完成斜視図
である。
【図４】図３（ａ）の部分平面図である。
【図５】（ａ）ないし（ｃ）は、それぞれ、本発明の第
４実施例としての波長変換素子の組み立てまでの過程を
経時的に示す分解斜視図および組み立て後の完成斜視図
である。
４実施例としての波長変換素子の組み立てまでの過程を
経時的に示す分解斜視図および組み立て後の完成斜視図
である。
【図６】従来のファイバ型の波長変換素子の斜視図であ
る。
る。
１，２，３，４ 波長変換素子
１０，５０，７０，１７０ 第１のクラッド部材２０
第２のクラッド部材 ３０，３５，８０ コア部 １５，５５，７５，１７５ 溝部 ５０ａ，１７０ａ 第１のクラッド部材の側面９０，
１９０ 電極
第２のクラッド部材 ３０，３５，８０ コア部 １５，５５，７５，１７５ 溝部 ５０ａ，１７０ａ 第１のクラッド部材の側面９０，
１９０ 電極
Claims (5)
- 【請求項１】 第１のクラッド部材と、第２のクラッ
ド部材とをコア部を介して接合して形成される波長変換
素子であって、前記第１のクラッド部材および第２のク
ラッド部材は、それぞれ、ガラス材料からなるとともに
、前記第１のクラッド部材は、その接合面に形成された
溝部を有し、前記コア部は、有機非線形光学材料からな
り、前記第１のクラッド部材の溝部に充填されているこ
とを特徴とする波長変換素子。 - 【請求項２】 前記溝部は断面矩形形状をなし、幅と
高さの比が０．８〜１．２であることを特徴とする請求
項１記載の波長変換素子。 - 【請求項３】 前記溝部は、その溝部の長手方向の前
記第１のクラッド部材の側面を残すように形成されてい
ることを特徴とする請求項１または請求項２記載の波長
変換素子。 - 【請求項４】 前記第１のクラッド部材の溝部は、フ
ォトリソグラフィ法で作製されている請求項１ないしは
請求項３のいずれかに記載の波長変換素子。 - 【請求項５】 第１のクラッド部材と、第２のクラッ
ド部材とをコア部を介して接合して形成される波長変換
素子であって、前記第１のクラッド部材および第２のク
ラッド部材は、それぞれ、ガラス材料からなるとともに
、前記第１のクラッド部材は、その接合面に形成された
溝部と、この溝部に沿った両側近傍にそれぞれ結晶方位
を制御するための電圧を印加する電極を有し、前記コア
部は、有機非線形光学材料からなり、前記第１のクラッ
ド部材の溝部に充填されていることを特徴とする波長変
換素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2402606A JPH04216530A (ja) | 1990-12-17 | 1990-12-17 | 波長変換素子 |
| US07/756,324 US5165004A (en) | 1990-12-17 | 1991-09-06 | Wavelength conversion element |
| GB9119597A GB2252174B (en) | 1990-12-17 | 1991-09-12 | Wavelength conversion element and method of manufacturing the same |
| DE4131410A DE4131410C2 (de) | 1990-12-17 | 1991-09-20 | Verfahren zur Herstellung eines Wellenlängenwandlerelements |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2402606A JPH04216530A (ja) | 1990-12-17 | 1990-12-17 | 波長変換素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04216530A true JPH04216530A (ja) | 1992-08-06 |
Family
ID=18512406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2402606A Pending JPH04216530A (ja) | 1990-12-17 | 1990-12-17 | 波長変換素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5165004A (ja) |
| JP (1) | JPH04216530A (ja) |
| DE (1) | DE4131410C2 (ja) |
| GB (1) | GB2252174B (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5465860A (en) * | 1994-07-01 | 1995-11-14 | Intel Corporation | Method of forming an integrated circuit waveguide |
| US7087179B2 (en) * | 2000-12-11 | 2006-08-08 | Applied Materials, Inc. | Optical integrated circuits (ICs) |
| US7079740B2 (en) * | 2004-03-12 | 2006-07-18 | Applied Materials, Inc. | Use of amorphous carbon film as a hardmask in the fabrication of optical waveguides |
| JP5582868B2 (ja) * | 2010-05-14 | 2014-09-03 | シチズンホールディングス株式会社 | 光デバイス |
| WO2017031303A1 (en) * | 2015-08-18 | 2017-02-23 | University Of Cincinnati | Analyte sensor and method of use |
| US10866487B1 (en) * | 2019-08-19 | 2020-12-15 | Raytheon Company | Monolithically integrated wavelength converted photonic integrated circuit (PIC) and hybrid fabrication thereof |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4859876A (en) * | 1985-09-16 | 1989-08-22 | AT&T Bell Laboratories American Telephone and Telegraph Company | Nonlinear optical materials and devices |
| US4820011A (en) * | 1986-07-07 | 1989-04-11 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Optical wavelength conversion device, and a method of making the same |
| JP2582066B2 (ja) * | 1987-03-19 | 1997-02-19 | 株式会社日立製作所 | 光機能性デバイス |
| JPS6435424A (en) * | 1987-07-30 | 1989-02-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | Production of optical wavelength conversion element |
| JPH01172936A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光波長変換素子の製造方法 |
| US5045364A (en) * | 1990-05-18 | 1991-09-03 | At&T Bell Laboratories | Nonlinear optical devices and methods |
| US5079321A (en) * | 1990-07-16 | 1992-01-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Nonlinear optical acrylic polymers and use thereof in optical and electro-optic devices |
-
1990
- 1990-12-17 JP JP2402606A patent/JPH04216530A/ja active Pending
-
1991
- 1991-09-06 US US07/756,324 patent/US5165004A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-09-12 GB GB9119597A patent/GB2252174B/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-09-20 DE DE4131410A patent/DE4131410C2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5165004A (en) | 1992-11-17 |
| DE4131410A1 (de) | 1992-06-25 |
| GB2252174B (en) | 1995-01-04 |
| DE4131410C2 (de) | 1998-07-16 |
| GB9119597D0 (en) | 1991-10-23 |
| GB2252174A (en) | 1992-07-29 |
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