JPH04214309A - 人造大理石製品の硬化処理室構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、人造大理石製品の製造
工程において、同製品の硬化を短時間で行うことができ
、かつ、製品の品質の向上も図ることができる人造大理
石製品の硬化処理室構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】第９図に、従来における人造大理石製品
（カウンター）の製造工程の１例を示す。

【０００３】まず、型処理工程１００　において、前回
使用の型ＦＲＰ　製型）の型処理工程を行う。即ち、型
の内外面を掃除するとともに、型内面に離型剤を塗布す
る。

【０００４】人造大理石製品の表面層（ゲルコート層）
を形成するために、型内面にゲルコートスプレーを施し
１０１　、約６０℃で４０分、表面層の硬化を行う１０
２　。

【０００５】不飽和ポリエステル＋水酸化アルミニウム
や、不飽和ポリエステル＋炭酸カルシウム等を主成分と
して原料調合を行い１０３　、調合原料を型枠内に注入
する１０４。注入後、ヒーターとファンを具備する硬化
室内で、一次硬化を行い１０５　、一定時間（約９０分
）経過後、人造大理石製品を脱型し１０６　、同人造大
理石製品を、６０℃で約３時間、後硬化を行い１０７　
、完全に硬化させる。

【０００６】完全硬化の後、バリ切り、エプロン切断・
接着、特殊加工、補強木接着等の加工を行う１０８　。

【０００７】次にバフ等を用いて仕上げ１０９　、検査
１１０　、包装１１０　を通して出荷することになる１
１１　。

【０００８】また、かかる人造大理石製品の製造工程に
おいて、一次硬化工程は、ヒーターとファンで硬化室内
に対流を起こさせ、人造大理石製品を常温〜６０℃の比
較的低温で加熱することによって行われている。

【０００９】これは、それ以上の高温で硬化すると、熱
に弱いＦＰＲ　樹脂等からなる型に反りや曲がりを生じ
、また、繰り返し使用による低温・高温の繰り返しによ
って、亀裂を生じるからである。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかし、かかる一次硬
化工程は、以下の問題点を有していた。

【００１１】■注型から一次硬化工程を経て脱型するま
でに約９０分間を要し、さらに、６０℃で処理する場合
、脱型後の後硬化にまた３時間を要する。

【００１２】■ヒーターとファンとを用いた対流による
加熱では、人造大理石製品中の温度分布が、外部は高く
、内部は低い状態になるので、内部に気泡を発生し、か
かる気泡がそのまま内部に残留し、内外部の組織や硬化
が不均一になり、製品の物理的強度が劣化し、かつ、色
の深みが得られなくなる。

【００１３】■内部と外部の硬化温度（速度）が相違す
るので、製品に反りや曲がりを発生し、外観上見栄えが
悪く、製品価値を著しく減じることになる。

【００１４】■製品の収縮率が大きく、製品の寸法が不
均一となる。

【００１５】■品質劣化や外観不良等によって、歩留ま
りも悪くなる。

【００１６】■調合原料を注入した型枠の硬化室内への
出入れ作業は、作業者がフォークリフト等の搬送作業機
を利用して行なっており、自動的な出入れ作業ではない
ために、人造大理石製品の製造作業能率が悪い。

【００１７】

【課題を解決するための手段】そこで、本発明では、不
飽和ポリエステルを主成分とする人造大理石を硬化する
ための硬化処理室構造において、硬化処理室を少なくと
も、前後端に開閉自在の遮蔽扉を取付けて、内部を密閉
可能としたトンネル炉と、同トンネル炉内に貫通状態に
配置して、人造大理石を同トンネル炉内に搬送する搬送
装置と、トンネル炉に取付けて、搬送装置により搬送さ
れてきた人造大理石にマイクロウエーブを照射するマイ
クロウエーブ発生装置とから構成したことを特徴とする
人造大理石製品の硬化処理室構造を提供せんとするもの
である。

【００１８】また、マイクロウエーブ発生装置は、トン
ネル炉に複数個の導波管を前後方向に間隔を開けて取付
け、各導波管の先端部をトンネル炉内に下方に向けて開
口させると共に、各導波管の基端をトンネル炉の外部に
おいて、導波本管の先端に接続し、同導波本管の基端を
マイクロウエーブ発生部に接続して構成したことにも特
徴を有する。

【００１９】また、マイクロウエーブ発生装置は、トン
ネル炉に複数個の導波管を前後方向に間隔を開けて取付
け、各導波管の先端部をトンネル炉内に下方に向けて開
口させると共に、各導波管の基端をトンネル炉の外部に
おいてそれぞれマイクロウエーブ発生部に接続したこと
にも特徴を有する。

【００２０】また、上記硬化処理室構造において、硬化
処理室を少なくとも、一側端のみが開口し、同一側開口
端に開閉自在の遮蔽扉を取付けて、内部を密閉可能とし
た炉と、同炉内に配置して、人造大理石を同炉内に搬送
する搬送装置と、炉に取付けて、搬送装置により搬送さ
れてきた人造大理石にマイクロウエーブを照射するマイ
クロウエーブ発生装置とから構成したことにも特徴を有
する。

【００２１】

【実施例】以下、本発明に係る人造大理石の硬化処理室
構造を、添付図に示す実施例を参照して具体的に説明す
る。

【００２２】第１図及び第２図において、Ａは長尺の箱
体形状を有し、密閉構造を具備する硬化処理室である。

【００２３】硬化処理室Ａは、トンネル炉９内に、長手
方向に搬送装置としての搬送コンベア１０を配設してお
り、同搬送コンベア１０の前後端は、トンネル炉９の前
壁１１と後壁１２とを貫通して前後方向に伸延し、それ
ぞれ、型導入コンベア１３及び型導出コンベア１４に接
続している。

【００２４】そして、調合後の原料を注型した樹脂型Ｂ
を、型導入コンベア１３から搬送コンベア１０に移送し
、その後、後述する硬化処理を経て、搬送コンベア１０
から型導出コンベア１４上に移送する。

【００２５】また、硬化処理室Ａは、トンネル炉９の前
壁１１と後壁１２とに昇降自在な遮蔽扉１５，１６　を
取付けている。

【００２６】両遮蔽扉１５，１６　は硬化処理時には完
全に閉鎖されて、トンネル炉９内を完全密閉状態にする
が、樹脂型Ｂを硬化処理室Ａ内に導入する際には遮蔽扉
１５を開口することができ、樹脂型Ｂを硬化処理室Ａか
ら導出する際に遮蔽扉１６を開口することができる。

【００２７】また、トンネル炉９の天井壁１７にはマイ
クロウエーブ発生装置Ｃを取付けており、同発生装置Ｃ
は、天井壁１７に三個の導波管１８，１９，２０を前後
方向に間隔を開けて取付け、各導波管１８，１９，２０
の先端部をトンネル炉９内に下方に向けて開口させると
共に、各導波管１８，１９，２０の基端側を導波本管２
１の先端に接続し、導波本管２１の基端をマイクロウエ
ーブ発生部２４に接続している。

【００２８】かかる構成によって、マイクロウエーブ発
生部２４によって発生したマイクロウエーブを、導波本
管２１及び導波管１８，１９，２０を通してトンネル炉
９内に収納されている樹脂型Ｂ内の人造大理石に照射す
ることができる。

【００２９】しかも、かかる三個の導波管１８，１９，
２０は、トンネル炉９の前後方向に間隔を開けて取付け
ているために、長尺の人造大理石製品、例えばカウンタ
ーを製造する場合にも、人造大理石の内部組織を全体に
わたって効率よく均質化することができる。

【００３０】また、硬化処理室Ａの天井壁１７には撹拌
ファン２２，２３を取付けており、マイクロウエーブの
拡散を効果的に行えるようにしている。

【００３１】ついで、上記構成を有する硬化処理室Ａ及
びマイクロウエーブ装置Ｃを用いて人造大理石の一次硬
化工程について説明する。

【００３２】まず、不飽和ポリエステル＋水酸化アルミ
ニウムや、不飽和ポリエステル＋炭酸カルシウム等を主
成分として原料調合を行った後、調合原料を樹脂型内に
注型する。次に製品の裏面に相当する裏型を組みプレス
する。

【００３３】型組プレス後、トンネル炉９の前壁１１に
設けた遮蔽扉１６を開けて、型導入コンベア１３及び搬
送コンベア１０を介して、トンネル炉９内に、調合原料
を充填した樹脂型Ｂを移送する。

【００３４】次に、遮蔽扉１６を完全に閉じた後、マイ
クロウエーブ発生部２４を作動して、導波本管２１及び
三個の導波管１８，１９，２０を通してマイクロウエー
ブを樹脂型Ｂ内の調合原料に照射して、調合原料内で分
子摩擦運動を行い、加熱・硬化する。

【００３５】しかして、不飽和ポリエステルを主成分と
する調合原料の硬化を、マイクロウエーブを利用して、
調合原料の内部に分子間摩擦運動を生起させることによ
って行うので、調合原料の一次硬化時間の大幅な短縮（
例えば、周波数２４５０ＭＨｚ　のマイクロウエーブを
用いた場合は、５分間）を図ることができる。

【００３６】なお、マイクロウエーブの好ましい周波数
は２４５０ＭＨｚ　である。

【００３７】また、調合原料内部の分子間摩擦運動によ
って、内部空気を上昇させ、外部に容易に排出すること
ができ、その後の処理を経て製造した人造大理石の内部
組織を全体にわたって均質化することができ、引張強度
や耐熱性等の物理・化学的特性を向上することができ、
かつ、色の深みを得ることができ、製品価値を向上する
ことができる。

【００３８】また、調合原料の内部と外部との間に硬化
温度差（硬化速度差）が無いので、人造大理石は全体に
わたって均一に硬化し、反りや曲がりの発生を防止でき
、外観面からも製品価値を向上することができる。

【００３９】さらに、製造された人造大理石は、均一な
品質を確保できるとともに、外観も優れているので、不
良品化の発生率を著しく低減でき、歩留りを向上できる
。

【００４０】次に、硬化処理室Ａの後部壁１２に設けた
遮蔽壁１６を開けて、樹脂型Ｂを搬送コンベア１０上か
ら型導出コンベア１４上に移送した後脱型を行う。

【００４１】その際、第９図に示すように、本実施例に
係る製造工程においても、脱型工程１０５　の後に後硬
化工程１０６　を行うが、上記したマイクロウエーブに
よる硬化処理で人造大理石内に保持される自己発熱を利
用して人造大理石はその後も硬化されることになるので
、後硬化工程１０６　においては、そのまま、常温〜６
０℃で放置することによって、約１時間で完全な硬化を
得ることができると考えられる。

【００４２】しかし、後硬化工程１０６　における硬化
時間も短縮したい場合は、後硬化工程１０６　において
も、第１図及び第２図に示すと同様な硬化処理室Ａとマ
イクロウエーブ発生装置Ｃによる硬化処理を行うことに
よって、後硬化処理の時間を短縮することができる。

【００４３】また、上記したように、樹脂型Ｂを、型導
入コンベア１３上から搬送コンベア１０上に搬送して、
同樹脂型Ｂをトンネル炉９内に導入し、同トンネル炉９
内で硬化処理を行なった後に、同搬送コンベア１０上の
樹脂型Ｂを型導出コンベア１４上に移送するという作業
を自動的かつ円滑に行なうことができるようにしており
、そのために、組合原料の硬化時間の大幅な短縮と相俟
って人造大理石製品の製造作業能率を大幅に向上させる
ことができる。

【００４４】また、第３図は、他の実施例としての硬化
処理室Ａを設置した人造大理石製品の製造設備Ｄの説明
図であり、かかる製造設備Ｄについて説明すると、以下
の通りである。

【００４５】すなわち、製造設備Ｄは、第３図に示すよ
うに、主として、平行に配置した略同一長さの７本のラ
イン１，２，３，４，５，６，７と、各ライン間に設置
した移送ロボットＲ２３，Ｒ３４，Ｒ４５，Ｒ６７　と
で構成されており、上記ライン及び移送ロボットによっ
て、型や混合原料や成形品を蛇行状に移送しながら後述
する各工程を遂行するようにしている。

【００４６】なお、Ｍは成形用の表型、ｍは裏型である
。

【００４７】第１ライン１は、型処理工程と、ゲルコー
トスプレー工程と、ゲルコート硬化工程と、原料調合工
程と、注型工程とを行うラインであり、同第１ライン１
には、第１搬送路１ａと、第１搬送路１ａの略中央に一
端が立体的に交差し、かつ第２ラインの反対側に延出し
た原料搬送路１ｂとを敷設しており、原料搬送路１ｂの
左右側に、それぞれゲルコートスプレーブース１ｃ，１
ｄ　を配設している。１ｅは、各ブースを囲繞している
仕切りである。

【００４８】また、原料搬送路１ｂの他端一側方に原料
調合装置８０を配設しており、原料搬送路１ｂ上に原料
注型装置８１を移動自在に配設して、原料調合装置８０
で調合した原料を第１搬送路１ａと交差点まで搬送でき
るようにしている。

【００４９】また、原料調合装置８０と第１搬送路１ａ
との間に、表型Ｍ及び裏型ｍの置場１ｆを設定している
。

【００５０】そして、後述する型用搬送路２ｃ上で型処
理工程を終えた表型Ｍ及び裏型ｍは、第１搬送路１ａに
よってゲルコートスプレーブース１ｃ，１ｄ　のいずれ
かに搬送され、塗装ロボット１ｇでゲルコートが塗布さ
れ、この工程を終えた各型Ｍ，ｍは、第１搬送路１ａ上
を原料搬送路１ｂとの交差点まで搬送され、第１搬送路
１ａ上を移動しながら、同交差点まで原料搬送路１ｂ上
を搬送されてきた原料注型装置８１によって表型Ｍ中に
混合原料を注型し、同原料の上面を裏型ｍを被覆する。

【００５１】第２ライン２は、主原料硬化工程と、脱型
工程とを行うラインであり、同第２ライン２には、後述
する硬化処理室Ａ内を貫通させた第２搬送路２ａと、第
２搬送路２ａに交差し、かつ第１搬送路１ａ方向に延出
した搬入用搬送路２ｂと、これに平行な型用搬送路２ｃ
とで構成されており、型用搬送路２ｃ上で前記の型処理
工程を行うようにしている。２ｄは型搬入口、２ｅは折
返し部、２ｆは脱型用搬出口、２ｇは成形品搬出路であ
る。

【００５２】そして、第１ライン１で注型を終えた型は
、型搬入口２ｄで第２搬送路２ａに乗換えて、同搬送路
２ａ上に移動しながら、硬化処理室Ａ内で型内の混合原
料を急速に硬化させる。

【００５３】続いて、混合原料が硬化すると第２搬送路
２ａの終端まで搬送され、同搬送路２ａの終端において
、第２、第３搬送路２ａ，３ａ　　間に配設した移送ロ
ボットＲ２３　で、型内の成形品を第３ライン３の始端
に移送することによって脱型が行われ、表型Ｍと裏型ｍ
とは、脱型用搬出口２ｆを通り脱型用搬送路２ｇ及び型
用搬送路２ｃによって、置場１ｆに返送される。

【００５４】第３ライン３は、第３搬送路３ａと、同搬
送路３ａ上の前半部に設けたバリ取り機３ｂ及び同後半
部に設けた裏仕上げ部３ｃとで構成されている。３ｄは
仕切り、３ｅは排気装置である。

【００５５】そして、第３ライン３の前半部でバリ取り
工程を行い、後半部で補強材等取付工事のための裏面切
削作業が行われ、第３搬送路３ａの終端から移送ロボッ
トＲ３４により第４ライン４の始端に移送される。３ｆ
は別途搬入口である。

【００５６】第４ライン４は、上記補強材等取付工程の
残りの補強材の接着、取付部材の取付等の作業を行うラ
インであり、第４搬送路４ａの始端部と第５ラインとの
間に敷設した副資材搬送路４ｂとで構成されている。

【００５７】そして、上記作業を終えた成形品は移送ロ
ボットＲ４５　によって、第５ライン５の始端に移送さ
れる。

【００５８】第５ラインは、タッチアップ工程と後硬化
工程とを行うラインであり、第５搬送路５ａと、同搬送
路５ａの後半部に設けた後硬化用の硬化処理室Ａとで構
成されており、同硬化処理室Ａの後半部を拡幅して内部
に第５搬送路５ａと交差した横搬送路５ｂを設けている
。

【００５９】そして、同第５ライン５の前半部でタッチ
アップ工程を行い、後半部で後硬化工程を行い、横搬送
路５ｂにより第６ラインの始端に移送される。

【００６０】第６ライン６は、検査工程を行うものであ
り、第６搬送路６ａで構成されており、前記各工程での
瑕疵を検査しかつ修正する工程であり、この工程を終え
た成形品は移送ロボットＲ６７　で第７ラインの始端に
移送される。

【００６１】第７ライン７は、包装工程を行うラインで
あり、第７搬送路７ａと包装材料搬送路７ｂとで構成さ
れている。

【００６２】そして、第７搬送路７ａ上の成形品を木箱
、段ボール等の包装材料で出荷できる形態に包装し、同
搬送路７ａの終端からライン外に搬出されて出荷７ｃさ
れる。

【００６３】なお、第３図中、Ｋは工員である。

【００６４】また、上記製造設備Ｄにおいて硬化処理を
行なうための硬化処理室Ａについて説明すると、以下の
通りである。

【００６５】すなわち、硬化処理室Ａは、第４図及び第
５図に示すように、長尺の箱型状に形成したトンネル炉
９の天井壁１７の前部と中央部と後部にそれぞれ一定間
隔を開けて導波管１８，１９，２０を取付け、各導波管
１８，１９，２０の先端部をトンネル炉９内に下方に向
けて開口させると共に、各導波管１８，１９，２０の基
端をトンネル炉９の外部においてそれぞれマイクロウエ
ーブ発生部２４，２５，２６に接続している。

【００６６】かかる構成により、長尺の人造大理石製品
の製造を効率よく確実に行なうことができると共に、三
個の導波管１８，１９，２０にそれぞれ取付けた三個の
マイクロウエーブ発生部２４，２５，２６から高出力の
マイクロウエーブを各導波管１８，１９，２０を通して
確実に人造大理石の硬化時間をより大幅に短縮すること
ができる。

【００６７】そして、個々のマイクロウエーブ発生部２
４，２５，２６を小形化することができ、省エネルギー
化が図れる。

【００６８】次に、もう一つの他の実施例としての硬化
処理室Ａの構造を、第６図〜第８図を参照しながら説明
する。

【００６９】すなわち、硬化処理室Ａは、長尺の箱体形
状をした炉２７の後壁１２にのみ昇降自在な遮蔽扉１６
を取付けている。２８は遮蔽扉昇降用シリンダ、２９は
遮蔽扉閉鎖ロック用シリンダである。

【００７０】そして、硬化処理室Ａ内には、搬送装置と
して、長手方向二一定の間隔を開けて多数個の搬送ロー
ラ３０を軸架すると共に、硬化処理室Ａの後壁１２の近
傍にも型導入・導出ローラ３１を軸架し、これらのロー
ラ３１を同一方向に正逆回転駆動可能としている。

【００７１】また、これらのローラ３０，３１　はプラ
スチックス等の合成樹脂により成形することができる。

【００７２】このようにして、調合後の原料を注型した
樹脂型Ｂを、型導入口・導出ローラ３１から搬送ローラ
３０に移送し、その後、後述する硬化処理を経て、再度
搬送ローラ３０から型導入・導出ローラ３１上に移送す
るようにしている。

【００７３】そして、遮蔽扉１６は硬化処理時には遮蔽
扉昇降用シリンダ２８により完全に閉鎖されると共に、
遮蔽扉閉鎖ロック用シリンダ２９によりロックされて、
炉２７内を完全密閉状態にするが、樹脂型Ｂを硬化処理
室Ａ内に導入する際と、同硬化処理室Ａから導出する際
には、遮蔽扉１６を開口することができる。

【００７４】また、上記した炉２７の天井壁１７の前部
と中央部と後部には、それぞれ一定間隔を開けて導波管
１８，１９，２０を取付け、各導波管１８，１９，２０
の先端部をトンネル炉９内に下方に向けて開口させると
共に、各導波管１８，１９，２０の基端を炉２７の外部
においてそれぞれマイクロウエーブ発生部２４，２５，
２６に接続している。

【００７５】また、硬化処理室Ａの天井壁１７には撹拌
ファン２２，２３，２３を取付けており、各ファン２２
，２３，２３は、それぞれ三個の導波管１８，１９，２
０の先端部の直下方に配置して、各導波管１８，１９，
２０の先端部より放出されるマイクロウエーブを、放出
直後に撹拌して、同マイクロウエーブの拡散を効果的に
行なえるようにしている。

【００７６】また、第６図及び第７図中、３２は排気装
置、３３は点検窓、３５は、硬化処理室Ａの各駆動部を
操作するための操作盤である。

【００７７】上記のような構成により、炉２７内に樹脂
型Ｂを型導入・導出ローラ３１と搬送ローラ３０により
導入し、硬化処理を行なった後は、導入方向とは反対方
向に導出することができる。

【００７８】この際、遮蔽扉１６を一つとし、しかも、
同遮蔽扉１６を遮蔽扉閉鎖ロック用シリンダ２９により
炉２７内を完全密閉状態にすることができるために、マ
イクロウエーブの漏出を確実に防止することができる。

【００７９】そして、導波管１８，１９，２０を炉２７
の長手方向に間隔を開けて取付けると共に、マイクロウ
エーブを放出する各導波管１８，１９，２０の先端部の
直下方に撹拌ファン２２，２３，２３を配置しているた
めに、炉２７内に効率よくマイクロウエーブが拡散され
て、長尺の人造大理石製品でも、人造大理石の内部組織
を全体にわたって効率よくかつ確実に均質化することが
できる。

【００８０】また、本実施例では、導波管を三個設けた
場合について説明してきたが、同導波管の個数はこれに
限らず製品の大きさに応じて二個にすることも、又四個
以上にすることもできる。

【００８１】また、トンネル炉９又は炉２７の内面は、
マイクロウェーブが乱反射して拡散しやすいように、山
型の凹凸面に形成することもできる。

【００８２】

【発明の効果】上記した硬化処理構造により、本発明は
、以下の効果を奏する。

【００８３】■本発明では、不飽和ポリエステルを主成
分とする人造大理石の硬化を、マイクロウエーブを利用
して、人造大理石の内部に分子間摩擦運動を生起させる
ことによって行うので、人造大理石の硬化時間の大巾な
短縮（例えば、５分間）を図ることができる。

【００８４】■人造大理石の内部の分子間摩擦運動によ
って、内部空気を上昇させ、外部に容易に排出すること
ができ、人造大理石の内部組織を全体にわたって均質化
することができ、引張強度や耐熱性等の物理・化学的特
性を向上することができ、かつ、色の深みを得ることが
でき、製品価値を向上することができる。

【００８５】■人造大理石の内部と外部との間に硬化温
度差（硬化速度差）が無いので、人造大理石は全体にわ
たって均一に硬化し、反りや曲りの発生を防止でき、外
観面からも製品価値を向上することができる。

【００８６】■さらに、製造された人造大理石は、均一
な品質を確保できるとともに、外観も優れているので、
不良品の発生率を著しく低減でき、歩留りを向上できる
。

【００８７】■硬化処理室のトンネル炉内に搬送装置を
配置し、同搬送装置により人造大理石をトンネル炉内に
導入すると共に、硬化処理後はトンネル炉外に導出する
ようという作業を自動的かつ円滑に行なうことができる
ために、上記■の硬化時間の大幅な短縮と相俟って人造
大理石製品の製造作業能率を大幅に向上させることがで
きる。

【００８８】■マイクロウエーブ発生装置には、マイク
ロウエーブ発生部に接続した導波管を複数個設け、導波
管をトンネル炉の前後方向に間隔を開けて取付けて、各
導波管の先端部をトンネル炉内に下方に向けて開口させ
ているために、長尺の人造大理石製品、例えば、カウン
ターを製造する場合にも、人造大理石の内部組織を全体
にわたって効率よく均質化することができる。

【００８９】■複数個の導波管にそれぞれマイクロウエ
ーブ発生部を取付けることにより、個々のマイクロウエ
ーブ発生部から高出力のマイクロウエーブを各導波管を
通して確実に人造大理石に照射することができて、人造
大理石の硬化時間をより大幅に短縮することができる。

【００９０】■上記■においては、個々のマイクロウエ
ーブ発生部を小型化することができ、省エネルギー化が
図れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】　　本発明に係る人造大理石製品の硬化処理室
構造の断面側面図。

【図２】　　同平面図。

【図３】　　他の実施例としての人造大理石製品の製造
設備の平面説明図。

【図４】　　同製造設備に用いる硬化処理室の断面側面
図。

【図５】　　同平面図。

【図６】　　もう一つの他の実施例としての硬化処理室
の平面図。

【図７】　　同断面側面図。

【図８】　　同正面図。

【図９】　　従来の人造大理石製品の製造工程のフロー
チャート。

【符号の説明】

Ａ　　硬化処理室 Ｂ　　樹脂型 Ｃ　　マイクロウエーブ発生装置 ９　　トンネル炉 １０　　搬送コンベア １１　　搬送コンベア １２　　後壁 １３　　型導入コンベア １４　　型導出コンベア １５　　遮蔽扉 １６　　遮蔽扉 １７　　天井壁 １８　　導波管 １９　　導波管 ２０　　導波管 ２１　　導波本管 ２２　　撹拌ファン ２３　　撹拌ファン ２４　　マイクロウエーブ発生部 ２５　　マイクロウエーブ発生部 ２６　　マイクロウエーブ発生部 ２７　　炉

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　不飽和ポリエステルを主成分とする人
   造大理石を硬化するための硬化処理室構造において、硬
   化処理室Ａを少なくとも、前後端に開閉自在の遮蔽扉１
   ５，１６　を取付けて、内部を密閉可能としたトンネル
   炉９と、同トンネル炉９内に貫通状態に配置して、人造
   大理石を同トンネル炉９内に搬送する搬送装置と、トン
   ネル炉９に取付けて、搬送装置により搬送されてきた人
   造大理石にマイクロウエーブを照射するマイクロウエー
   ブ発生装置Ｃとから構成したことを特徴とする人造大理
   石製品の硬化処理室構造。
2. 【請求項２】　　マイクロウエーブ発生装置Ｃは、トン
   ネル炉９に複数個の導波管１８，１９，２０を前後方向
   に間隔を開けて取付け、各導波管１８，１９，２０の先
   端部をトンネル炉９内に下方に向けて開口させると共に
   、各導波管１８，１９，２０の基端をトンネル炉９の外
   部において、導波本管２１の先端に接続し、同導波本管
   ２１の基端をマイクロウエーブ発生部２４に接続して構
   成したことを特徴とする請求項１記載の人造大理石製品
   の硬化処理室構造。
3. 【請求項３】　　マイクロウエーブ発生装置Ｃは、トン
   ネル炉９に複数個の導波管１８，１９，２０を前後方向
   に間隔を開けて取付け、各導波管１８，１９，２０の先
   端部をトンネル炉９内に下方に向けて開口させると共に
   、各導波管１８，１９，２０の基端をトンネル炉９の外
   部においてそれぞれマイクロウエーブ発生部２４，２５
   ，２６に接続したことを特徴とする請求項１記載の人造
   大理石製品の硬化処理室構造。
4. 【請求項４】　　不飽和ポリエステルを主成分とする人
   造大理石を硬化するための硬化処理室構造において、硬
   化処理室Ａを少なくとも、一側端のみが開口し、同一側
   開口端に開閉自在の遮蔽扉１６を取付けて、内部を密閉
   可能とした炉２７と、同炉２７内に配置して、人造大理
   石を同炉２７内に搬送する搬送装置と、炉２７に取付け
   て、搬送装置により搬送されてきた人造大理石にマイク
   ロウエーブを照射するマイクロウエーブ発生装置Ｃとか
   ら構成したことを特徴とする人造大理石製品の硬化処理
   室構造。