JPH04211180A

JPH04211180A - 光電変換装置及び該装置を有する情報処理装置

Info

Publication number: JPH04211180A
Application number: JP2409872A
Authority: JP
Inventors: Shigeyuki Matsumoto; 繁幸松本
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1989-12-14
Filing date: 1990-12-12
Publication date: 1992-08-03

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ビデオカメラ、ファク
シミリ、複写機、イメージリーグ等の画像入力装置、あ
るいはカメラの測距装置等の画像情報処理装置に用いら
れる光電変換装置に関し、より詳細には、フォトトラン
ジスタと当該フォトトランジスタのリフレッシュ動作（
リセット動作）を行うためのトランジスタとを一体に形
成した光電変換装置に関する。［０００２］

【従来の技術】従来、リセット用トランジスタを光トラ
ンジスタと共に一体的に半導体基体に作り込んだ光電変
換装置としては、例えば発明者　火見　忠弘等に付与さ
れた米国特許４，７９１，４６９号明細書や、発明者田
中　信義等に付与された米国特許４，７９４，４４３号
明細書及び発明者　中村　佳夫等に付与された米国特許
４，８６６．２９３号明細書等に記載された光電変換装
置が知られている。［０００３］図１は、従来の光電変換装置の一例を示す
概略的断面図である。［０００４１図１において、ｎ型半導体基板１０１上に
エピタキシャル成長によってｎ−層１０２が形成され、
各セルにおいて層１０１及び１０２はコレクタ領域とな
る。また、各セル内にｐ型ベース領域１０３が形成され
、さらに、ｐ型ベース領域１０３内にｎ　型エミッタ領
域１０４が形成されて、フォトトランジスタとしてのｎ
ｐｎバイポーラトランジスタ（以下、ＢＰＴと記す）を
構成している。［０００５］また、ｐ型ベース領域１０３内にｐ　型ソ
ース領域１０５が形成され、一定距離をおいて、ｎ−層
１０２内にＰ　トレイン領域１０６が形成され、さらに
、酸化膜１０７を介してゲート電極１０８が形成されて
、リセット用のｐチャネルＭｏＳトランジスタ（以下、
リセットＴｒと記す）を構成している。［０００６］　ＢＰＴおよびリセットＴｒの上には絶縁
膜１０９が形成され、トレイン領域１０６に接合したド
レイン電極１１０とｎ　エミッタ領域１０４に接合した
エミッタ電極１１１が各々形成されている。さらに、そ
の上に絶縁膜１１２が形成され、開口部を除く部分は遮
光膜１１３に覆われている。また、基板１０１の裏面に
はコレクタ電極１１４が形成されている。［０００７］　このような光電変換装置の等価回路図を
図２に示す。図２において、２０１はＢＰＴのコレクタ
、２０２はコレクタ電極、２０３はＢＰＴのベース、２
０４はＢＰＴのエミッタ、２０５はエミッタ電極、２０
６はリセットＴｒ、２０７はドレイン電極に接続された
端子、２０８はゲート電極に接続された端子である。［０００８１以下、図２に示した等価回路図について、
基本的な動作を説明する。まず、ＢＰＴのベース２０３
は、所定の電位の初期状態にあるとする。ＢＰＴに光が
入射し、光量に対応したキャリアがベース２０３に蓄積
される（蓄積動作）。ベース電位は、ベースに蓄積され
た電荷によって変化し、その電位変化によってエミッタ
・コレクタ間の電流が制御される。［０００９１次に、浮遊状態にしたエミッタ電極２０５
から入射光量に対応した電気信号を読出す（読出し動作
）。［００１０１なお、ベース２０３に蓄積されたキャリア
の除去動作（リフレッシュ動作）は、エミッタ電極２０
５を接地し、ＭＯＳトランジスタ２０６を介してベース
２０３を初期ベース電位に設定することにより行う。す
なわち、あらかじめ端子２０７を初期ベース電位となる
電位に設定しておき、リフレッシュ動作時にリセットＴ
ｒ２０６をＯＮ状態とすることによって、ベース領域の
キャリアを消滅させることができる。［００１１］以後、同様にして、蓄積、読出し、リフレ
ッシュの各動作が繰り返される。［００１２］　このように、図１および図２に示した光
電変換装置は、光入射により発生したキャリアをベース
領域に蓄積し、その蓄積電荷量によってエミッタ電極と
コレクタ電極との間に流れる電流を制御するものである
。このような光電変換装置においては、蓄積されたキャリ
アを、ＢＰＴにより電荷増幅して読出すので、高出力、
高感度、低雑音の光電変換装置を達成することができる
。［００１３］また、光励起によってベース領域に蓄積さ
れたキャリアによりベース領域に発生する電位■　は、
Ｑ／Ｃ（Ｑはベースに蓄積されたキャリアの電荷量、Ｃ
はベースに接続されている容量）で与えられる。ここで
、光電変換装置が高集積化された場合、セル・サイズの
縮小と共にＱもＣも小さくなる。すなわち、光電変換装
置が高集積化しても、光励起により発生する電位■は、
はぼ一定に保たれる。したがって、このような光電変換
装置は、将来の高解像度化に対しても有利なものである
と言える。［００１４］そして、上述のごとき従来の光電変換装置
においては、ＢＰＴのコレクタ領域とリセットＴｒのチ
ャネル形成領域とが、ｎ−領域１０２として、一体に形
成されていた。したがって、ＢＰＴのコレクタ領域の不
純物濃度とリセットＴｒのチャネル形成領域の不純物濃
度とは、同じであった。［００１５］具体的には、ＢＰＴのコレクタ領域の不純
物濃度は、光電変換装置の光感度およびＫＴＣノイズと
強い相関を有しており、一般に、８×１０１３〜５×１
０１５ｃｍ−３の濃度範囲にあることが望ましいとされ
ている。［００１６］Ｌかし、上述のごとき従来の光電変換装置
には、以下のような課題があった。［００１７］■蓄積蓄積時には、リセットＴｒをＯＦＦ
状態にしなければならないが、リセットＴｒのソース・
トレイン間のリーク電流を防止するためには、ゲート長
を充分とらねばならず、このため、チップサイズが大き
くなってしまっていた。これは、リセットＴｒのチャネ
ル形成領域が低濃度であるためであると思われる。［００１８］■リセツトＴｒのゲートに電圧を印加する
ＢＴストレス試験を行うと、閾値電圧ｖｔｈの変動が通
常のＭＯＳトランジスタより大きかった。その理由は明
らかではないが、酸化膜−８ｉ界面の反転に起因するプ
ールフレンケル型のトラップがキャリアで満たされ、電
流の流れ易い方向へ閾値電圧Ｖ　がシフトするためであ
ると考えられる。［００１９］■リセツトＴｒのチャネル形成領域が低濃
度であるため、電界集中を生じると、ソース領域および
ドレイン領域とチャネル形成領域のＰＮ接合が容易に接
合形状をかえ、耐圧および閾値電圧■　が経時的に大き
くなる、ウオーキングと呼ばれる現象がおこり、リセッ
トＴｒの動作が不安定であった。

【００２０】そこで、前出の米国特許４．　７９１．４
６９号明細書に記載されているようにチャネルとなる反
転層形成部分に不純物をドープしてリーク電流を防止す
ることも考えられる。［００２１１その構成を図３に示す。［００２２］　　１０２’は不純物がドープされたチャ
ネル領域である。

【００２３】しかしながら、チャネルドープしただけで
は、充分に技術課題解決がなされなかった。［００２４］本発明者が数多くの実験を繰り返し行った
結果、その原因は次のような点にあることが判明した。［００２５］すなわち、リセット用ＭＯ８）ランジスタ
は、光トランジスタと一体的に形成されているが故に、
通常のＭＯＳトランジスタ単体でのゲート長やゲート巾
の設定、閾値電圧の設定がそのままこの構成にはあては
まらないことであった。［００２６］具体的には、不純物濃度の低いｎ−層１０
２及びコレクタ電圧の印加されたｎ層１０１がチャネル
の下にあるが為に、図３に示すようにドレイン領域１０
６及びソース領域（ベース領域）１０５より深い個所Ｐ
Ｔで、空乏層ＤＬ同士がつながりパンチスルーしてしま
う為である。［００２７］

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
の光電変換装置における技術的課題を改善し、リセット
Ｔｒが小さく、かつ、閾値電圧の安定した光電変換装置
及び該光電変換装置を搭載した情報処理装置を提供する
ことにある。［００２８］

【課題を解決するための手段】本発明による光電変換装
置は、第１導電型の半導体からなる少なくとも２つの主
電極領域と、前記第１導電型とは異なる第２導電型の半
導体からなる制御電極領域と、を有する光トランジスタ
と、前記制御電極領域と、チャネル領域と、第２導電型
の半導体からなる領域と、前記チャネル領域上に設けら
れたゲート電極と、を有する電界効果型トランジスタと
、を具備し、前記チャネル領域は第１導電型の高不純物
濃度半導体で形成され、その最大深さが前記制御電極領
域及び前記第２導電型の半導体からなる領域のいずれか
一方よりも深い位置に達していることを特徴とする。［００２９］また、本発明による光電変換装置は、前記
主電極領域の一方と前記制御電極領域との間には、高抵
抗領域が設けられ、その中に前記チャネル領域が設けら
れていることを特徴とする。［００３０１さらに、本発明による光電変換装置は、前
記光トランジスタと前記電界効果トランジスタとは、第
１導電型の半導体からなる素子分離領域により囲まれて
いることを特徴とする。［００３１］さらに、本発明による光電変換装置は、前
記チャネル領域内に前記第２導電型の半導体からなる領
域が設けられていることを特徴とする。［００３２］さらに、本発明による光電変換装置は、前
記主電極領域の一方は、第１の基準電圧源に接続可能に
設けられ、前記第２導電型の半導体からなる領域は、第
２の基準電圧源に接続可能に設けられていることを特徴
とする。［００３３］本発明による装置は、請求項１記載の光電
変換装置と、該装置に像を結像する為の光学系と、を有
することを特徴とする。［００３４］また、本発明による装置は、請求項１記載
の光電変換装置の複数と、光源と、該装置に像を結像す
る為の光学系と、を有することを特徴とする。［００３５］本発明による情報処理装置は、請求項７記
載の装置と、前記装置により読み取るべき画像情報を担
持した原稿を保持する手段と、前記装置により読み取ら
れた画像情報を記録する記録手段と、を有することを特
徴とする。［００３６］また、本発明による情報処理装置は、前記
記録手段はインクジェット記録ヘッドであることを特徴
とする。［００３７］さらに、本発明による情報処理装置は、前
記記録ヘッドは、熱エネルギーを利用してインクを吐出
する記録ヘッドであることを特徴とする。［００３８］

【作用】本発明の光電変換装置は、バイポーラトランジ
スタのコレクタ領域およびリセット用トランジスタのチ
ャネル形成領域を形成する第１導電型の半導体領域中の
、前記チャネル形成領域を含む特定の領域を、不純物濃
度の高い領域としたので、前記コレクタ領域および前記
チャネル形成領域をそれぞれ最適な濃度に設定すること
ができる。したがって、光電変換装置のリセット用トラ
ンジスタのゲート幅を小さくし、かつ、閾値電圧を安定
させることができる。［００３９］

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に
説明する。［００４０］（実施例−１）　図４は本実施例に係わる光電変換装置
を示す概略的断面図である。図４において、図１と同じ
符号を付したものは、それぞれ同じものを示す。また、
１１５はリセットＴｒのチャネル形成領域、１１６はチ
ャネル領域を収容するように形成されたｎウェル領域で
ある。［００４１１この図４に示されているように、ｎ領域１
１６をソース・ドレイン領域１０５，１０６よりも深い
位置に形成することにより、トレイン領域１０６とｎ層
１０２との接合により形成される空乏層と、ソース領域
（ベース領域）１０５とｎ−層１０２との接合により形
成される空乏層と、を完全に分離することができる。［００４２］　ＢＰＴのコレクタ領域としてのｎ−領域
の不純物濃度は、光電変換装置の光感度およびＫＴＣノ
イズとの相関を考慮すれば、８×１０１３〜５×１０１
５０ｍ３の濃度範囲にあることが望ましい。また、リセ
ットＴｒのチャネル形成領域１１５の不純物濃度は、リ
セットＴｒのソース領域１０５、ドレイン領域１０６の
濃度およびゲート巾と耐圧とのかね合いで決定されるが
、一般にはＩ　Ｘ　１０１５ｃｍ−”以上であることが
望ましい。

【００４３】したがって、ｎウェル領域１１６の不純物
濃度は、１×１０１５〜１０１７ｃｍ−３が好ましい。［００４４］以上詳細に説明した様に、本実施例によれ
ば、リセット用トランジスタのゲート長を小さくするこ
とができ、かつ、閾値電圧を安定させることができる。したがって、チップサイズが小さく、かつ、動作の安定
性に優れた光電変換装置を提供することができる。［００４５］製造工程における本ｎウェル領域１１６の
形成は、多くの場合において可能である。もちろんこの
ｎウェル領域形成のために一工程を追加してもかまわな
い。しかし、工程簡略化を行うのであれば、チャネルス
トップ（ｎ型）あるいはＢＩＰプロセスのコンクターコ
ンタクト（ＣＮ）等の形成工程と同じ工程でリセットＴ
ｒのチャネル領域に濃度の高い領域を作ることが好まし
い。［００４６］（実施例−２）　図５を参照しながら本発明の実施例２
について説明する。図５は本例の光電変換装置を示す模
式的断面図であり、図４において説明した部分と同じ部
分には同一符号を付与しである。［００４７］　　１２０はｎ　型半導体の素子分離領域
であり、１つの受光部を囲むように形成され、選択酸化
法により形成されたフィールド酸化膜１２１の下に設け
られている。この領域は受光領域外でコレクタ電極に印
加される電圧と同じ電圧Ｖｃｃが印加されるように構成
されている。ＶＢＢはベース領域の電位固定の為の基準
電圧源である。［００４８］ソース領域１０５及びドレイン領域１０６
よりも深い位置に形成されたチャネル領域１１６は、前
述したように素子分離領域１２０と同じ工程にて形成さ
れており、深い部分での空乏層のつながりを防止してい
る。［００４９］本例のような光電変換装置の場合には、特
に、ソース領域１０５及びドレイン領域１０６をベース
１０３より浅く形成をする。また、ｎウェル領域１１６
はソース領域１０５及びトレイン領域１０６下方での空
芝屑のつながりを防止するものであるから、図５に示す
ようにソース領域１０５及びドレイン領域１０６のチャ
ネル側部分の下方のみに設けられてもよいが、図６に示
すようにソース領域１０５及びドレイン領域１０６を収
容するように形成されてもよい。［００５０１重要なのは、エピタキシャル層より不純物
濃度の高い領域が、ソース領域１０５またはドレイン領
域１０６の少なくともいずれか一方より深い位置まで達
していることである。［００５１］とりわけ、本例では基準電圧Ｖｃｃを＋５
Ｖ程度、ＰＭＯ８のドレインに印加される基準電圧ＶＢ
ＢをＶｃｃより小さい±０〜＋２Ｖ程度として動作させ
る為に、上述した本発明の構成が有効である。したがっ
て、固定パターンノイズ低減及び高感皮という利点を失
うことなく、高性能、高信頼性の光電変換装置を提供で
きる。［００５２］そして、ｎウェル領域１１６の存在により
、できる限り光感皮に悪影響を与えないようにする為に
は、ｎウェル領域１１６上には遮光層１１３を設ける。すなわち、実質的な光電変換領域外の位置にｎウェル領
域１１６やＰＭＯＳトランジスタ（１０５，１１６，１
０６，１０８）を形成することが望ましい。［００５３］（製造方法の説明）ｎ型Ｓｉ基板１０１上にエピタキシャル成長によりｎ層
１０２を形成する。［００５４］イオン注入により素子分離領域１２０、ｎ
ウェル領域１１６を形成すべき部分に同時にリンイオン
を注入し、その後選択酸化法によりフィールド酸化膜１
２１を形成する。［００５５］ポロンイオンを注入し、Ｐ型ベース領域１
０３を形成する。［００５６］ゲート絶縁膜を形成した後、ポリシリコン
からなるゲート電極１０８を形成する。［００５７］再びボロンイオンを注入し、ソース領域１
０５及びドレイン領域１０６を形成する。［００５８］その後は、絶縁膜の形成、コンタクトホー
ルの形成、導電層の形成及びパターニング、をくり返し
、配線部を形成する。［００５９］具体的には、ｎ型Ｓｉ基板としては不純物
濃度がＩ　Ｘ　１０”’以上のものを使用する。［００６０１工ピタキシヤル層の厚みは４〜２０μｍの
範囲より選択され、不純物濃度は、Ｉ　Ｘ　１０１４〜
１０１６の範囲より選択される。［００６１］各領域の層厚と不純物濃度の選択範囲は以
下の通りである。［００６２］［００６３］各領域の層厚及び不純物濃度の相対的関係
は、図４や図５に示すような関係をもって上記範囲より
適宜選択される。［００６４］そして前述した光電変換装置は、セラミッ
ク基板上に複数が千鳥状或いは一直線状に配置されて、
センサモジュールを構成する。そして、そのセンサモジ
ュールはアルミの筐体にＬＥＤアレイ等の光源及び短焦
点結像素子アレイ等の光学系と共に配置されてセンサユ
ニットを構成する。［００６５］図７は、本例に係るセンサユニットを用い
て構成した画像情報処理装置として通信機能を有するフ
ァクシミリの一例を示す。ここで、３０２は原稿３５０
を読み取り位置に向けて給送するための給送手段として
の給送ローラ、３０４は原稿３５０を一枚ずつ確実に分
離給送するための分離片である。３０６はセンサユニッ
トに対して読み取り位置に設けられて原稿３５０の被読
み取り面を規制するとともに原稿３５０を搬送する搬送
手段としてのプラテンローラである。［００６６］　３６０は図示の例ではロール紙形態をし
た記録媒体であり、センサユニットにより読み取られた
画像情報あるいはファクシミリ装置等の場合には外部か
ら送信された画像情報がここに再生される。３１０は当
該画像形成をおこなうための記録手段としての記録ヘッ
ドで、サーマルヘッド、インクジェット記録ヘッド等種
々のものを用いることができる。また、この記録ヘッド
は、シリアルタイプのものでも、ラインタイプのもので
もよい。３１２は記録ヘッド３１０による記録位置に対
して記録媒体３６０を搬送するとともにその被記録面を
規制する搬送手段としてのプラテンローラである。［００６７］　３２０は、入力／出力手段としての操作
入力を受容するスイッチやメツセージその他、装置の状
態を報知するための表示部等を配したオペレーションパ
ネルである。［００６８］　３３０は、制御手段としてのシステムコ
ントロール基板であり、各部の制御を行う制御部（コン
トローラー）や、光電変換素子の駆動回路（ドライバー
）、画像情報の処理部（プロセッサー）、送受信部等が
設けられる。３４０は装置の電源である。［００６９］本発明の情報処理装置に用いられる記録手
段としては、例えば米国特許第４７２３１２０号明細書
、同第４７４０７９６号明細書にその代表的な構成や原
理が開示されているものが望ましい。この方式は液体（
インク）が保持されているシートや液路に対応して配置
されている電気熱変換体に、記録情報に対応していて核
沸騰を超える急速な温度上昇を与える少なくとも一つの
駆動信号を印加することによって、電気熱変換体に熱エ
ネルギーを発生せしめ、記録ヘッドの熱作用面に膜沸騰
させて、結果的にこの駆動信号に一対一対応し液体（イ
ンク）内の気泡を形成出来るので有効である。この気泡
の成長、収縮により吐出用開口を介して液体（インク）
を吐出させて、少なくとも一つの滴を形成する。［００７０１更に、記録装置が記録できる最大記録媒体
の幅に対応した長さを有するフルラインタイプの記録ヘ
ッドとしては、上述した明細書に開示されているような
複数記録ヘッドの組み合わせによって、その長さを満た
す構成や一体的に形成された一個の記録ヘッドとしての
構成のいずれでも良い。［００７１１加えて、装置本体に装着されることで、装
置本体との電気的な接続や装置本体からのインクの供給
が可能になる交換自在のチップタイプの記録ヘッド、あ
るいは記録ヘッド自体にインクタンクが一体的に設けら
れたカートリッジタイプの記録ヘッドを用いた場合にも
本発明は有効である。［００７２］

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば高性
能な光電変換装置は小さなものとなる。これは、熱エネ
ルギーを利用して記録を行うインクジェットヘッドもや
はり小型化に向いていることから、小規模な複写機、フ
ァクシミリ装置として有用である。［００７３］本発明は、以上説明した実施例に限定され
ることはない。例えば、光トランジスタとしてはバイポ
ーラトランジスタ以外に電界効果型トランジスタでもよ
いようにあらゆる変形例をも含む。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の光電変換装置の一例を示す概略的断面図
である。

【図２】図１に示した光電変換装置の等価回路図である
。

【図３】図１に示す光電変換装置の一部分を拡大した模
式的断面図である。

【図４】本発明の実施例−１に係わる光電変換装置を示
す模式的断面図である。

【図５】本発明の実施例−２に係わる光電変換装置を示
す模式的断面図である。

【図６１　ＰＭＯＳトランジスタの他の例を示す模式的
断面図である。【図７】本発明による情報処理装置の模式的断面図であ
る。

【符号の説明】

１０１・・・ｎ型基板１０２・・・ｎ−層１０２′・・・チャネル領域１０３・・・ｐ型ベース領域１０４・・・ｎ　型エミッタ領域１０５・・・ｐ　型ソース領域１０６・・・Ｐ　型ドレイン領域１０７・・・酸化膜１０８・・・ゲート電極１０９・・・絶縁膜１１０・・・ドレイン電極１１１・・・エミッタ電極１１２・・・絶縁膜１１３・・・遮光膜１１４・・・コレクタ電極１１５・・・チャネル領域１１６・・・ｎウェル領域１２０・・・素子分離領域１２１・・・フィールド酸化膜２０１・・・ＢＰＴのコレクタ２０２・・・コレクタ電極２０３・・・ＢＰＴのベース２０４・・・ＢＰＴのエミッタ２０５・・・エミッタ電極２０６・・・リセットＴｒ２０７・・・ドレイン電極に接続された端子２０８・・
・ゲート電極に接続された端子３００・・・センサユニ
ット３０２・・・給送ローラ３０４・・・分離片３０６・・・プラテンローラ３１０・・・記録ヘッド３１２・・・プラテンローラ３２０・・・オペレーションパネル３３０・・・システムコントロール基板３４０・・・電
源３５０・・・原稿３６０・・・記録媒体

【図１】

【図２】

【図３】

【図４】

【図５】

【図６】

【図７】

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】　第１導電型の半導体からなる少なくとも
２つの主電極領域と、前記第１導電型とは異なる第２導
電型の半導体からなる制御電極領域と、を有する光トラ
ンジスタと、前記制御電極領域と、チャネル領域と、第
２導電型の半導体からなる領域と、前記チャネル領域上
に設けられたゲート電極と、を有する電界効果型トラン
ジスタと、を具備する光電変換装置において、前記チャ
ネル領域は第１導電型の高不純物濃度半導体で形成され
、その最大深さが前記制御電極領域及び前記第２導電型
の半導体からなる領域のいずれか一方よりも深い位置に
達していることを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】　前記主電極領域の一方と前記制御電極領
域との間には、高抵抗領域が設けられ、その中に前記チ
ャネル領域が設けられている請求項１記載の光電変換装
置。
【請求項３】　前記光トランジスタと前記電界効果トラ
ンジスタとは、第１導電型の半導体からなる素子分離領
域により囲まれている請求項１記載の光電変換装置。
【請求項４】　前記チャネル領域内に前記第２導電型の
半導体からなる領域が設けられている請求項１記載の光
電変換装置。
【請求項５】　前記主電極領域の一方は、第１の基準電
圧源に接続可能に設けられ、前記第２導電型の半導体か
らなる領域は、第２の基準電圧源に接続可能に設けられ
ている特許請求の範囲第１項に記載の半導体装置。
【請求項６】　請求項１記載の光電変換装置と、該装置
に像を結像する為の光学系と、を有する装置。
【請求項７】　請求項１記載の光電変換装置の複数と、
光源と、該装置に像を結像する為の光学系と、を有する
装置。
【請求項８】　請求項７記載の装置と、前記装置により
読み取るべき画像情報を担持した原稿を保持する手段と
、前記装置により読み取られた画像情報を記録する記録
手段と、を有する情報処理装置。
【請求項９】　前記記録手段はインクジェット記録ヘッ
ドである請求項８記載の情報処理装置。
【請求項１０】　　前記記録ヘッドは、熱エネルギーを
利用してインクを吐出する記録ヘッドである請求項９記
載の情報処理装置。