JPH04211130A - 半導体装置作製方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

［０００１］

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の作製方法に
関するものである。 ［０００２］本発明は半導体の一表面に密接して透明電
極を形成するとともに、この透明電極を構成する元素ま
たはこの電極内の２．３価のＰ型温加物または５．６価
のＮ型添加物の一部をその内側の半導体中にレーザまた
はそれと同様の強光エネルギを照射することにより添加
するとともに、その領域での半導体のシート抵抗を下げ
、さらに電極とドープさせた領域の半導体とを実質的に
一体化することを目的としている。 ［０００３］本発明は４族元索を主成分とする非単結晶
半導体とその半導体の上面または下面に設けられた添加
物を含有する酸化物または窒化物を主成分とする透明電
極とを有する半導体装置に対し、非単結晶半導体を構成
する元素または添加物とが互いにドープしあい半導体と
電極とを一体化または実質的に一体化させることを目的
としている。

【０００４】

【従来の技術】従来より半導体装置に発生した再結合中
心または準位に対しては熱アニールがその密度を減少さ
せる方法として知られている。これは３００〜７００℃
の温度における水素または不活性ガス中におけるアニー
ル（除熱）により、半導体特に単結晶半導体またはこの
上部に絶縁ゲイト型電解効果半導体装置等のゲイト絶縁
物を設けたいわゆるＭＩＳ構造（金属−絶縁物特に酸化
珪素−半導体特に珪素）の半導体装置において、界面の
遅い準位を相殺したりまたは単結晶半導体中の格子歪を
除去していた。 ［０００５］また高温アニールとして、７００〜１２０
０℃例えば１０００℃により単結晶半導体中にホウ素（
Ｂ）、リン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）等を注入し、その後の
アニールにより、この注入により発生した無定型状態を
もとあった如く単結晶化することが知られていた。 ［０００６］Ｌかしこれらのいずれにおいても、その基
本思想においてはより単結晶化することによりその結晶
中の不対結合手またはベイカンシ（空穴）を消滅させる
ことを前提としているものである。 ［０００７１本発明はかかる従来より知られた熱アニー
ル方法ではなく、レーザ光またはそれと同様の強光エネ
ルギ（以下総称してＬ−アニールという）を半導体に加
え、その結果半導体特に半導体表面またはその近傍の半
導体をキュアせんとしたものである。 ［０００８］さらに本発明はかかるＬ−アニールが単結
晶よりも非単結晶に対して有効であり、かつこの非単結
晶即ちＣＶＤ法等の方法により基板上に形成された多結
晶またはアモルファス半導体またはグロー放電法、プラ
ズマＣＶＤ法等により形成された水素を含有したアモル
ファスまたは結晶粒径が１０〜１００への微小径を有す
る多結晶に対して特に有効である。 ［０００９］

【発明が解決しようとする課題】かかる非単結晶半導体
はきわめて多数の不対結合手を一般に有しているため、
不純物が１０１９〜１０２１ｃｍ−３の多量にドープさ
れた実質的に導体として用いる場合、またはかかる非単
結晶半導体中にその被膜の形成と同時にその不対接合手
と水素とを結合させて中和させることにより半導体とし
て用いる場合が知られている。しかし前者に関しては、
その不純物の量を１０２０ｃｍ−３〜５０原子％と多量
にドープするとその不純物が析出し、いわゆる偏析をお
こし、不純物の塊を半導体中に発生させ、電気的に何等
活性にならなくなってしまう。即ち、その半導体中での
活性度（半導体中のＰまたはＮ型に活性になった量／半
導体中に混入している不純物の量）がきわめて０．　１
〜１０％と低くなってしまった。また他方、水素がドー
プされた非単結晶半導体にあっては、その系に電極を形
成したりさらに低い温度でのアニール３００〜７００℃
を行うと、その半導体中の水素は水素化物例えば５ｉ−
Ｈ結合より遊離し、半導体中より外へＨ２として放出さ
れてしまい、熱アニールによりかえって再結合中心の密
度が大きくなってしまった。 ［００１０１

【課題を解決するための手段］本発明はかかる欠点を除
去したもので、半導体中にその固溶限界以上のＰまたは
Ｎ型を有する２、３価または５．６価の添加物が添加さ
れた場合、その活性度を結晶化を高めることにより１０
０％に近く高め、ひいてはその半導体中での電気伝導度
を高めること、およびこの処理または３００〜７００℃
の低温アニールのため、放出されてしまう水素またはハ
ロゲン元素の如き再結合中心中和物を再び半導体中に化
学的に活性の状態にて添加し、不対結合手と結合せしめ
ることにより半導体中の再結合中心の密度を低くさせた
ものである。 ［００１１］加えて本発明はＬ−アニールの際、半導体
上表面に形成される電極特に透明電極中の添加物または
その構成元素の一部を半導体中に移動させ、その境界を
これまでの面の概念より領域の概念にまで拡大したこと
を特徴としている。その結果、かかる電極下の半導体は
不純物の活性度が高められ、かつその電気伝導度がきわ
めて大きく金属と同程度に近い伝導度を有する。即ちフ
ェルミレベルが実質的に縮退した状態にまでさせ得るこ
とがわかった。 ［００１２］以下に本発明に用いられた本発明の実施例
を図面に従って説明する。 ［００１３］ 【実施例】図１は本発明に用いられた半導体装置の実施
例である。 ［００１４］図１（Ａ）に半導体基板（１）を示してい
る。この半導体基板は珪素等の単結晶半導体がその代表
例である。この単結晶半導体はその上表部にＭＩＳ構造
が設けられていても、また半導体基板の一部にイオン注
入等により不純物がドープされていて部分的に非単結晶
になっていてもよい。本発明はかかる半導体に対しＬア
ニールを行った。Ｌ−アニールに用いられたレーザはＣ
Ｗレーザである。出力は１０〜７０Ｗであった。ミラー
を用いて位置を連続的にスキャンさせた。かくすること
により、半導体基板表面の近傍０．　１〜３μの深さの
半導体層がアニールされた。しかしこのＬ−アニールは
半導体−絶縁膜界面またその近傍にある界面準位の消滅
にはあまり効果がなかった。加えて半導体中を流れる少
数キャリアによる微小電流のリーク防止に対しては余り
有効ではなかった。 ［００１５ｔ本発明はかかる欠点を除去するため、この
半導体を高周波誘導により励起された化学的に活性状態
の水素等の再結合中心中和物を有する一気圧以下に保た
れた雰囲気に浸した。この雰囲気の温度は室温（−７０
〜＋２００℃）においても可能である。減圧状態の炉を
外側より０．１〜１００　ＭＨｚ　、例えば１３．　５
ＭＨｚにて高周波誘導により水素または水素にヘリュー
ム等の不活性ガスまたは一部に塩素、弗素等のハロゲン
元素が０．０１〜３原子％の濃度に混合された雰囲気を
励起した。そのため例えば水素はＨ２よりＨ，Ｈまたは
Ｈと化学的に活性の発生基の水素となり得る。この水素
は半導体または絶縁体中をまったくなんの支障もなく侵
入し、半導体、絶縁体またはその界面に存在する半導体
例えは珪素の不対結合手または絶縁体例えば酸化珪素中
の珪素または酸素の不対結合手と結合し、電気的に中和
させた。 ［００１６］その結果、イオン注入等により破壊されて
いた半導体層は、欠陥密度を１０２２ｃｍ−３より１０
１９〜１０１７ｃｍ−３にまで下げることができ、それ
をさらに１／１０〜１１５０に下げることができた。特
にレーザアニールが例えばＭＩＳ、ＦＥＴのソース、ド
レインを構成する不純物層の欠陥密度をその接合部を広
げることなく可能であるに対し、誘導アニールはこの接
合部またはこの近傍または半導体と絶縁膜との界面での
不対結合手・準位を少なくさせることに効果があった。 また加えて、レーザアニールが界面上により近い領域の
アニールであるのに対し、このＬ−アニールにより処理
しきれない半導体表面より３〜１０μと深い位置での欠
陥を中和させてアニールを行うため誘導アニールはきわ
めて有効であった。 ［００１７ｔ図１（Ｂ）は基板（３）上に半導体層（１
）を形成させたものである。この半導体または半導体層
はシラン等の珪化物全体による熱分解法を利用して５０
０〜９００℃の温度で形成したものである。この半導体
層の作製のため、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏ
ｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）は本発明者の発明による特
公昭５１−１３８９に基づいて実施した。さらにまたは
発明人の出願になるグロー放電法、プラズマＣＶＤ法等
特顆昭５３−６７５０７（昭和５３年６月５日提出）に
基づいて実施した。かかる方法により形成された半導体
層（１）は非単結晶半導体よりなり、かつその半導体中
に選択的にまたは基板表面と概略平行にＰＮ接合、ＰＩ
Ｎ接合、ＰＮＰＮ・・・ＰＮ接合の多重接合が形成され
ており、さらにまたはかかる非単結晶半導体には絶縁ゲ
イト型電界効果トランジスタまたはその集積化した半導
体装置が設けられている。例えば本発明人の発明になる
出願５３−１２４０２２（昭和５３年１０月７日）に記
されている。 ［００１８］かかる非単結晶半導体に対し、選択的にま
たは全面に図１（Ａ）と同様のし一アニールを行うと、
半導体表面または表面より２〜３μの深さまでの格子欠
陥を格子を構成する元素同志を結合させることにより１
／１０３〜１／１０５　にその密度をさせることができ
た。しかし同時にかかる半導体を構成していた元素と水
素等とが結合して中和し、不対結合手はその一部がＳｉ
Ｈ結合よりＳｉ−に変化し、かえって不対結合手を発生
させてしまった。この時水素は５ｉ−Ｈより水素同志が
互いに結合しあい、Ｈ２として半導体中に安定な状態で
残っているのみであることがわかった。即ち、過程Ｉ　
　５ｔ−Ｈ＋Ｈ−８ｔ　　→　Ｓｉ　　Ｓｉ＋Ｈ２過程
２　５ｉ−Ｈ＋Ｈ−８ｉ　　→　２Ｓｉ−＋Ｈ［００１
９］　この過程２の多い場合はかえってより結晶化を促
し、再結合中心の密度を過程１より単結晶化に近づけた
にもかかわらず、増加させてしまうことが判明した。換
言すれば、過程１により珪素同志が互いに共有結合をし
、単結晶に近づくため電気伝導度は約１００倍にも増加
したにもかかわらず、再結合中心の密度はグロー放電等
で作られた被膜にあってはＬ−アニール前が１０１７〜
１０１８ｃｍ−３に対し１０１８〜１０１９ｃｍ−３と
この半導体中での水素の含有量は約２０〜３０モル％と
不変であるにもかかわらす１桁も増加してしまうことが
わかった。 即ちこの事実は遊離した水素は水素同志結合し、きわめ
て短い時間では、その水素が再び珪素の不対結合手と結
合しきれないことがわかった。

【００２０】また減圧ＣＶＤ法等で形成された非単結晶
の半導体被膜はあらかじめ再結合中心中和物が含有して
いないため、Ｌ−アニールによりその結晶粒界を１０〜
１０００Ａより０．　１μ〜５０μにまで大きくし、よ
り単結晶化させることができた。それにレーザとして前
記したＣＷ発振ではなく、パルス巾が１０〜１００ｎ秒
のルビーレーザ、ガラスレーザ（出力１０〜１０００Ｍ
Ｗ）を用いても同様である。その結果ＰまたはＮ型の不
純物がドープされていない状態の真性半導体（この場合
はバックグランドレベルの不純物のドープがある場合の
半導体をも含む）においてその欠陥密度が１０”ｃｍに
までさげることができた。しかし半導体として用いるた
めには、この密度を１０１４〜１０１６ｃｍ−３または
それ以下に下げる必要がある。さらにまた半導体層の表
面より深い部分での密度も同様に下げるため、本発明に
おいてはこのＬ−アニールと同時またはその後に誘導ア
ニールを加えたことを特徴としている。この誘導アニー
ルはマイクロ波により基板より離れた位置にてあらかじ
め前記した中和物を化学的に励起しそれを基板上にまで
導いてもよい。マイクロ波は３０〜２００Ｗの出力で例
えば２．４６ＧＨｚ　を用いた。反応系は１気圧以下例
えば０．０１〜１０Ｔｏ　ｒ　ｒとし、その雰囲気は水
素または水素にヘリュームを３０〜５０％添加した中和
物を用いた。かかる雰囲気中に本半導体装置を１０分〜
１時間設置することにより、前記した欠陥密度は１０１
５〜１０１６ｃｍ−３にまで下げることができた。この
欠陥密度はその被膜の作製方法がグロー放電法、プラズ
マＣＶＤ法、クラスタ蒸着法、減圧ＣＶＤ法、または真
空蒸着法、イオンブレーティング法等には無関係となり
、本発明のＬ−アニールと誘導アニールとを合わせるこ
とにより作製方法にはあまり依存することなく半導体の
本来あるべき状態にまで近づけることができた。 ［００２１１図２は本発明の他の実施例であり、半導体
上に透明電極を形成した場合を示す。 ［００２２１図２（Ａ）において、基板（３）はガラス
、セラミックまたはガラエポ等の複合材、カプトン、ポ
リイミド等の有機物の絶縁基板、さらにステンレス・ス
チール、チタンまたは窒化チタン等の導体基板、さらに
前記した絶縁基板上に選択的に導体を設けた複合基板で
あってもよい。 ［００２３］　これらの基板上に半導体層（１）を非単
結晶構造に形成した。この半導体の作製方法はプラズマ
ＣＶＤ法を用い、珪化物を主成分とした。この半導体中
にはＰＮ接合、ＰＩＮ接合またはＰＮＰＮ・・・ＰＮ多
重接合、ＰＩＮＩ・・・ＩＰＩＮ多重接合を形成した。 半導体層の厚さは０．５〜５μの厚さである。さらにこ
の上面に酸化スズ、酸化インジューム、酸化アンチモン
またはそれらの混合物をさらにまたはスズ、インジュー
ム、アンチモンの窒化物またはそれらの混合物よりなる
導電膜（２）を単層または多層の電極として同様のプラ
ズマＣＶＤ法により０．０５〜３μの厚さに作製した。 この導電膜は光学的に透明であり、レーザ光、可視光に
対する光吸収が小さいことを特徴としている。 ［００２４］さらにこの図２（Ａ）に対しＬ−アニール
を加え、図２（Ｂ）に示される如く透明電極（２）と半
導体層（１）の境界に遷移領域（５）を設け、導電層の
構成物の一部であるスズまたは酸素または窒素さらに半
導体中でＰ型の導電型を示すインジューム（Ｉｎ）、ガ
リューム（Ｇａ）、アルミニューム（ＡＩ）、ボロン（
Ｂ）または亜鉛（Ｚｎ）、カドミューム（Ｃｄ）を添加
物として添加させた。特に単体では金属は特性を有し、
半導体中ではＰ型導電型を有するＩｎまたはＩｎとＢと
の混合の添加物はこの遷移領域でのＰ型の導電率をきわ
めて高くするのに効果があった。 ［００２５］　このＬ−アニールはＩｎ、Ｂの溶融量を
その溶融限界である１０２０ｃｍ−３の濃度より１０〜
１０３倍高め、過飽和の状態でかつ偏析をおこさせない
という特徴を有し、１０２０ｃｍ−３〜３０原子％特に
０．３〜３原子％の添加はホールに対する不純物が散乱
をおこさせることなく導電率を高めるのにきわめて効果
があった。本発明はこの後さらにこのＬ−アニールによ
り非単結晶半導体の結晶粒界の径が１０〜１００ＯＡよ
り１〜５０μの大きさになり、単結晶に近づくことによ
りその伝導度を１０〜１０３倍にできた。 ［００２６］ＬかしこのＬ−アニールによる不対結合手
の発生を防止するため、さらにこの後回２（Ｂ）に対し
誘導アニールを実施し、不対結合手に対し活性状態の水
素を添加して電気的に中和させた。かくすることにより
、光電変換装置特に太陽電池等における光が透過する側
での短波長領域における光電変換効率を向上でき、ひい
ては０．３〜０．５μの波長領域でのコレクション効果
を９５〜１００％にすることができた。 ［００２７］また透明電極下の半導体をＮ型にぜんとす
るならば、透明電極への添加物をアンチモン（ｓｂ）。 砒素（Ａｓ）、　リン（Ｐ）のどとき５価の添加物また
はテルル（Ｔｅ）、セレン（Ｓｅ）の如き６価の添加物
を酸化スズまたは窒化スズまたは窒化アンチモンの如き
窒化物の透明電極に１０２０ｃｍ−３〜３０原子％の濃
度に添加すればよい。この添加物のうち特にｓｂまたは
ｓｂとＰとの混合物はＬ−アニールにより同様にその電
極直下の半導体層をＮ型化し、かつその添加量の固溶限
界を越えた濃度にして偏析をおこすことなく１００％に
近い活性度を持つＮ型とすることができた。 ［００２８］かくの如きＬ−アニールにより非単結晶半
導体は単結晶化にすすみ、また透明電極の一部成分また
は添加物を５０〜５Ｘ１０３Ａの深さ特に５００への如
ききわめて浅い深さにドープできた。このドープ面は電
極ともまた半導体とも密着できる遷移領域であり、この
抵抗率は１０−１〜１０−４Ωｃｍ−１と金属に近く、
量子論的にはフェルミレベルの縮退した状態になってい
るものと推定される。またこの遷移領域かうすいため、
光電変換装置においては短波長の光により励起を起こさ
せて電子ホール対を発生させ、かつその両者を再結合中
心を水素等の中和物で中和しているため、再結合するこ
となく電極に導くことができた。 ［００２９］加えてこの発明においては、Ｌ−アニール
によって強制的にアニールされるため、一部の元素例え
ば酸素または窒素の半導体を構成する元素と局部反応を
して局部的低級酸化珪素または窒化珪素を作り絶縁膜に
する等の不良モードを１００〜１５０℃の高温放置等で
発生させることもなくきわめて信頼性の優れたものであ
った。 ［００３０１図２（Ｃ）は透明電極（２）を下側に形成
し、かつ半導体層（１）を上側に形成させた場合である
。かかる場合、基板（３）がガラス等であった場合は下
側のガラス側からのレーザ光の入射によるアニールが好
ましい。しかし半導体層が０．０５〜２μと薄い場合は
上側から半導体層を通してのし一アニールを行ってもよ
い。 ［００３１］その結果、図２（Ｂ）と同様に図２（Ｄ）
に示す如く遷移領域（５）が形成された。レーザ光の照
射方向により半導体層はその結晶粒径が大きくなり、下
側から照射された場合は半導体層の下部が大きく上部が
小さい状態に、図２　（Ｂ）と同様に上側から照射され
ると半導体層（１）の上部が大きく下部が結晶として小
さくなる。これより深さ方向の結晶粒径をレーザ光の照
射向き、強さおよび照射時間により制御できることがわ
かった。 ［００３２］図２（Ｅ）は透明電極を上側（２）、さら
に下側（４）に半導体層（１）をはさんで形成させた場
合である。その結果、Ｌ−アニールにより遷移領域（３
）はＰ型にまた（６）はＮ型に作り、いわゆるＰＮ接合
を適当に作ることができる。もちろん図面の実施例にお
いては、下側電極（４）をＳｎとｓｂとの化合物より作
った導体電極を基板上の下地金属上に形成し、上側から
のレーザ光の下側電極の反射を利用してこの電極の一部
を半導体層に添加する方法をとってもよい。逆にＮＩＰ
接合を作ることも添加物と上側の電極が５．６価の添加
物を有し、下側の電極が３または２価の添加物を有する
といい。 ［００３３］　これらのＬ−アニールの後半導体層全体
におけるＬ−アニールにより発生した不対結合手を再結
合中心中和物であるＨ、Ｈｅ等の誘導アニールにより中
和して電気的に不活性にすることは半導体装置として動
作させるためにはきわめて重要なことである。 ［００３４］図２　（Ａ）　、　　（Ｃ）においては、
基板上または半導体層上にＮまたはＰ型の導電型の半導
体層を作ることと、またこの半導体層内にＰＮ接合その
他の接合を作ることを明記しなかった。しかしＣＶＤ法
、プラズマＣＶＤ法、グロー放電法等においては、これ
らの導電型の半導体は半導体層の形成と同時にＰ型にあ
ってはＢを、Ｎ型にあってはＰを不純物として添加して
作製すればよい。またこの濃度が固溶限界を越え、また
非単結晶半導体においてはその活性度が３〜３０％しか
ないため、これらはＬ−アニールを行うことにより９０
〜１００％にすることができ、きわめて半導体としての
構造敏感性を有せしめることができるようになった。 ［００３５］図２（Ｇ）は透明電極を導体層上に選択的
に設けた一例である。 ［００３６］その結果、シアロー接合（５〜２００八）
を図２（Ｈ）の如＜（５）、（５”）として作ることが
できる。 ［００３７１図３は本発明を実施するための製造装置の
一例である。図面に基づいてこれまでどおり記述を行い
ながら装置の概要を説明する。 ［００３８］基板上に半導体が形成された基板（１１）
は入力チャンバ（２０）よりローダ（２８）によって出
力チャンバ（２１）に至る。チャンバ（２３）は０．０
１〜１００Ｔｏｒｒ特に０．１〜１０Ｔｏｒｒの減圧状
態にて行うため、中和物の気体を（１５）より水素、（
１６）よりヘリューム等の不活性ガス、　（１７）より
ＨＣＩ等のハロゲン元素が導入される。また排気はニー
ドルバルブ（１８）を経て真空ポンプ（１９）にて排気
される。 ［００３９］　レーザ光はレーザ（１２）よりミラー（
１３）をへて基板上に走査されてＬ−アニールがなされ
る。この装置においてはこのレーザが照射されると同じ
位置のチャンバの外部に高周波誘導炉が備えつけである
。この高周波誘導炉（２２）は電圧加熱方式をとり、１
３．５６ＭＨｚ　、１００Ｗ　〜ＩＫＷを用いた。この
後、これら全体を３００〜７００℃に低温アニールをす
る炉（２５）、さらにその後ろは独立して特別の高周波
誘導炉（２４）が設けられている。この誘導炉もこの基
板（１１）と対向するように平行平板方式であってもよ
い。 ［００４０１かくすることによりチャンバ内に放電が起
こり、発生基（ラジカル状）の化学的に活性状態にある
水素その他が半導体中にドープされ、不対結合手と結合
して中和させることができた。加えて従来Ｌ−アニール
は空気中においてのみ得なかったが、かくすることによ
り水素中、不活性ガス特にヘリューム中で実施すること
ができ、その結果、照射面上のリング状のＬ−アニール
特有の縞模様の発生を減少させることができた。

【００４１】本発明においては、Ｌ−アニールに用いら
れたのはＱスイッチパルス発振レーザまたはＣＷレーザ
を用いたが、これと同様の効果をもたらすものにフラッ
シュ等の発生をキセノン等のランプを用いて行ってもよ
い。その基板はきわめて速い昇温と降温を行うことによ
り、半導体または半導体中の添加物のミクロな移動は高
温の実質的に溶融状態で行い得ても不純物の偏析等大き
な移動は行い得す、熱アニール法における固溶限界以上
の濃度の不純物または添加物を半導体中に析出させるこ
となく添加させることを特徴としている。 ［００４２１本発明のこれまでの実施例において、透明
電極はそのまま残置せしめている。しかしこの電極を一
部エッチング液で除去して再度新しい透明電極を形成さ
せてもよいことはいうまでもない。また第一の透明電極
を例えば窒化物により１００〜１０００Ａの厚さに形成
した後、光アニールし、さらに第二の透明電極を酸化物
により０．１〜２μの厚さに形成してもよい。 ［００４３］また本発明のこれまでの実施例は半導体は
珪素を主体として説明した。しかしＳｉ　　Ｇｅ＋−（
０＜ｘ＜１）　、　　Ｓ　ｉ　　Ｓｎ＋−（０＜ｘ＜１
）　、　Ｓ　ｉ　　Ｃ］−（０，５＜ｘ＜１）またはＳ
ｎの如き４族の半導体またはＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ等
の３．５族の化合物半導体、さらにまたは半導体の一部
にＳ　ｉｘ　０２−　　（０＜ｘ＜２）　、　Ｓ　ｉｘ
　Ｎ４−　　　（０＜Ｘ＜４）等の低級酸化物、低級窒
化物でかかる半導体の一部を形成させ、そのエネルギバ
ンド巾を連続的にＷ−Ｎ構造に変化させた半導体を用い
てもよいことはいうまでもない。 ［００４４］本発明の実施例において、透明電極は酸化
スズ、酸化インジュームまたは酸化アンチモン等の酸化
物導電性透明電極を主として記した。しかし化学的にさ
らに安定な窒化物の導電性透明電極を窒化スズ、窒化イ
ンジューム、窒化アンチモン、窒化チタン、窒化ゲルマ
ニュームを用いてもよく、さらに窒化珪素とこれらの混
合物を導電性透明電極として用いてもよい。 ［００４５］加えて半導体層と酸化物透明電極との境界
に１０〜５０Ａのトンネル電流を流すきわめて薄い膜厚
の窒化物を設けた半導体装置にも本発明を適用できるこ
とはいうまでもない。 ［００４６］

【本発明の効果】さらに本発明における半導体装置は光
電変換装置、特に太陽電池のみではなく、ＭＩＳ、ＦＥ
Ｔを用いた集積回路、発光素子、半導体レーザその他ト
ランジスタ、ダイオード等のすべての半導体装置に適用
できることはいうまでもない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を実施するための半導体装置の例を示す
。

【図２】本発明の他の実施例を示すための半導体装置の
例を示す。

【図３】本発明を実施するための製造装置の一例である
。

【符号の説明】

１　半導体層 ２　導電膜 ３　基板 ４　下側電極 ５　遷移領域

【図１】

【図２】

【図３】

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】４族元素を主成分とする非単結晶半導体の
   一主面にレーザまたはそれと同様の強光エネルギーを照
   射することにより光アニールを行った後、前記半導体を
   高周波またはマイクロ波によるプラズマ状態の水素、ハ
   ロゲン元素または不活性ガス雰囲気に配置して３００〜
   ７００℃の温度の加熱雰囲気で熱アニールを行うことを
   特徴とした半導体装置作製方法。