JPH04206823A - 化学気相成長装置 - Google Patents
化学気相成長装置Info
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- JPH04206823A JPH04206823A JP33746390A JP33746390A JPH04206823A JP H04206823 A JPH04206823 A JP H04206823A JP 33746390 A JP33746390 A JP 33746390A JP 33746390 A JP33746390 A JP 33746390A JP H04206823 A JPH04206823 A JP H04206823A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体製造プロセスで使用する化学気相成
長装置に関し、特に常温で液体であるアルコラ−１・（
金属とアルコールの塩）系液体反応材料を気化させたガ
スを用いて半導体ウェハに膜を生成する化学気相成長装
置に関するものである。
長装置に関し、特に常温で液体であるアルコラ−１・（
金属とアルコールの塩）系液体反応材料を気化させたガ
スを用いて半導体ウェハに膜を生成する化学気相成長装
置に関するものである。
近年、半導体製造プロセスにおいて段差被覆性向上など
のために、常温で液体であるアルコラード（金属とアル
コールの塩）系液体反応材料を気化させたガスを用いて
半導体ウェハに薄膜を生成することが行われている。ま
ｔこ、生成した薄膜を高高処理し、軟化させ平坦化する
などの目的で、リン、ボロンなどの不純物を１・−ビッ
グする必要があり、複数種の材料を供給する化学気相成
長装置が望まれる。
のために、常温で液体であるアルコラード（金属とアル
コールの塩）系液体反応材料を気化させたガスを用いて
半導体ウェハに薄膜を生成することが行われている。ま
ｔこ、生成した薄膜を高高処理し、軟化させ平坦化する
などの目的で、リン、ボロンなどの不純物を１・−ビッ
グする必要があり、複数種の材料を供給する化学気相成
長装置が望まれる。
第２図は、従来のこの種の化学気相成長装置の反応ガス
供給系を示す断面図である。同図ではアルコラ−１・系
液体材料としてテ）−ラエトキシシラン（Ｓ ｒ （
ＯＣ２Ｈ５） ４； 以下Ｔ Ｆ、 ＯＳと称す〕、
ドーピング用としてｌ・リンチルホスフィン〔Ｐ（ＣＩ
（３）３；以下ＴＭＰと称す〕、キャリアガスにＮ２ガ
ス、ＴＥ０１及びＴＭＰと反応させるガスに０３ガスを
用いた例を示している。図において、（１）は供給され
た０２を無声放電などにより、一部０３に変えるオゾン
発生器、（２ａ）は内部に液体ＴＥＯＳを保持する材料
タンク、（３ａ）は圧送された液体ＴＥＯ３の質量流量
を正確に測量して送＋１１出す液体マスフローコントロ
ーラ、（４ａ）は一定量正確に測量して送り出された液
体Ｔ” Ｅ ＯＳを、加熱とキャリアーＮ２て気化する
気化器である。
供給系を示す断面図である。同図ではアルコラ−１・系
液体材料としてテ）−ラエトキシシラン（Ｓ ｒ （
ＯＣ２Ｈ５） ４； 以下Ｔ Ｆ、 ＯＳと称す〕、
ドーピング用としてｌ・リンチルホスフィン〔Ｐ（ＣＩ
（３）３；以下ＴＭＰと称す〕、キャリアガスにＮ２ガ
ス、ＴＥ０１及びＴＭＰと反応させるガスに０３ガスを
用いた例を示している。図において、（１）は供給され
た０２を無声放電などにより、一部０３に変えるオゾン
発生器、（２ａ）は内部に液体ＴＥＯＳを保持する材料
タンク、（３ａ）は圧送された液体ＴＥＯ３の質量流量
を正確に測量して送＋１１出す液体マスフローコントロ
ーラ、（４ａ）は一定量正確に測量して送り出された液
体Ｔ” Ｅ ＯＳを、加熱とキャリアーＮ２て気化する
気化器である。
また同様に、（２ｂ）は内部に液体’Ｉ” Ｍ Ｐを保
持ずろ材料タンク、（３１））ば圧送された液体Ｔ Ｍ
Ｐの質量流量を正確に測量して送り出す液体マスフロ
ーコントローラ、（４ｂ）は一定量正確に測量して送り
出された液体ＴＭＰを、加熱とキャリアーＮ２で気化す
る気化器、である。（５）はそれぞれの気化器（４ａ）
、（４ｂ）からのＴＥ０１．、ＴＭＰを含んだＮ２ガス
、及びオゾン発生器（１）からの０３を含ん′Ｉ′！０
２ガスを混合するガスヘッド、（６）は前記混合ガスを
供給するガス噴出口（図示せず）を有するガス噴出面で
ある。（７）は加熱保持された半導体ウェハ、（８）は
気化器（４ａ） （４，ｂ）からガスヘッド（５）まで
の配管、（９）ばオ・ノン発生器（１）に供給する０２
ガスを測量する質量流量計である。
持ずろ材料タンク、（３１））ば圧送された液体Ｔ Ｍ
Ｐの質量流量を正確に測量して送り出す液体マスフロ
ーコントローラ、（４ｂ）は一定量正確に測量して送り
出された液体ＴＭＰを、加熱とキャリアーＮ２で気化す
る気化器、である。（５）はそれぞれの気化器（４ａ）
、（４ｂ）からのＴＥ０１．、ＴＭＰを含んだＮ２ガス
、及びオゾン発生器（１）からの０３を含ん′Ｉ′！０
２ガスを混合するガスヘッド、（６）は前記混合ガスを
供給するガス噴出口（図示せず）を有するガス噴出面で
ある。（７）は加熱保持された半導体ウェハ、（８）は
気化器（４ａ） （４，ｂ）からガスヘッド（５）まで
の配管、（９）ばオ・ノン発生器（１）に供給する０２
ガスを測量する質量流量計である。
このように構成された化学気相成長装置を用いる薄膜形
成は、以下のようにして行われる。材料タンク（２ａ）
内の液体’Ｉ’ Ｅ ＯＳはＮ２ガスの圧力にヨリＷ１
体マスフローコン）−ローラ（３ａ）に圧送される。液
体マスフローコノｌ−ローラでは質量流量に応じて熱が
奪われる現象を利用して、液体ＴＥＯ８の質量流量を正
確に計量供給する。正確に計量供給された液体ＴＥＯ８
は気化器（４ａ）で一定温度に加熱されるとともにキャ
リアーＮ２を加えられ、十分に気化されたＴ Ｅ ＯＳ
ガスを含んＩ’ｉ Ｎ ２ガスとなる。また同様に、材
料タンク（２ｂ）内の液体ＴＭ Ｐ ｌｉＮ ２ガスの
圧力により液体マスフローコントローラ（３ｂ）に圧送
され質量流量を正確に計量供給される。正確に計量供給
された液体’Ｉ’ Ｍ Ｐは気化器（４ｂ）で一定温度
に加熱されるとともにキャリアーＮ２を加えられ、十分
に気化されたＴＭＰを含んだＮ２ガスとなる。このよう
にそれぞれ別に気化されたＴＥ０１およびＴＭＰは、配
管（８）により合流しガス・ベツド（５）に送り込まれ
る。なお、配管（８）は気化したＴＥＯ８ＸＴＭＰが再
液化しないように加熱される（図示せず）。またオゾン
発生器（１）には、質量流量計（９）で正確に計量され
た０２ガスが供給され、一部Ｏ１に変えられ同しくガス
・ベツド（５）に送り込まれる。以上のようにして、ガ
ス、ベツド（５）にＴＥ０１．ＴＭＰを含んだＮ２ガス
、０３を含／しだ０２ガスが供給混合され、ガス噴出面
（６）より加熱保持された半導体ウェハ（７）に前記混
合ガスが吹きつけられ、化学気相成長により薄膜が形成
される。
成は、以下のようにして行われる。材料タンク（２ａ）
内の液体’Ｉ’ Ｅ ＯＳはＮ２ガスの圧力にヨリＷ１
体マスフローコン）−ローラ（３ａ）に圧送される。液
体マスフローコノｌ−ローラでは質量流量に応じて熱が
奪われる現象を利用して、液体ＴＥＯ８の質量流量を正
確に計量供給する。正確に計量供給された液体ＴＥＯ８
は気化器（４ａ）で一定温度に加熱されるとともにキャ
リアーＮ２を加えられ、十分に気化されたＴ Ｅ ＯＳ
ガスを含んＩ’ｉ Ｎ ２ガスとなる。また同様に、材
料タンク（２ｂ）内の液体ＴＭ Ｐ ｌｉＮ ２ガスの
圧力により液体マスフローコントローラ（３ｂ）に圧送
され質量流量を正確に計量供給される。正確に計量供給
された液体’Ｉ’ Ｍ Ｐは気化器（４ｂ）で一定温度
に加熱されるとともにキャリアーＮ２を加えられ、十分
に気化されたＴＭＰを含んだＮ２ガスとなる。このよう
にそれぞれ別に気化されたＴＥ０１およびＴＭＰは、配
管（８）により合流しガス・ベツド（５）に送り込まれ
る。なお、配管（８）は気化したＴＥＯ８ＸＴＭＰが再
液化しないように加熱される（図示せず）。またオゾン
発生器（１）には、質量流量計（９）で正確に計量され
た０２ガスが供給され、一部Ｏ１に変えられ同しくガス
・ベツド（５）に送り込まれる。以上のようにして、ガ
ス、ベツド（５）にＴＥ０１．ＴＭＰを含んだＮ２ガス
、０３を含／しだ０２ガスが供給混合され、ガス噴出面
（６）より加熱保持された半導体ウェハ（７）に前記混
合ガスが吹きつけられ、化学気相成長により薄膜が形成
される。
しかるに、従来の化学気相成長装置においては、複数種
の反応材料をそれぞれ別に測量しそのまま別々に気化さ
せていたため、反応材料の種類針だけ気化器の数が必要
でありスペース、費用がかかる七１．メインテナノスが
たいへんであるという問題点があった。また、気化器の
状態が変動すると複数種の反応材料のバランスが崩れる
ため、不純物のドーバノ１−濃度が変動してしまうとい
う問題点もある。この発明は乙の様な事情に鑑みてなさ
れたもので、その目的とするところは、スペースを必要
とせず、安価で、安定して複数種の反応材料を供給でさ
る化学気相成長装置を提供するものである。
の反応材料をそれぞれ別に測量しそのまま別々に気化さ
せていたため、反応材料の種類針だけ気化器の数が必要
でありスペース、費用がかかる七１．メインテナノスが
たいへんであるという問題点があった。また、気化器の
状態が変動すると複数種の反応材料のバランスが崩れる
ため、不純物のドーバノ１−濃度が変動してしまうとい
う問題点もある。この発明は乙の様な事情に鑑みてなさ
れたもので、その目的とするところは、スペースを必要
とせず、安価で、安定して複数種の反応材料を供給でさ
る化学気相成長装置を提供するものである。
この発明に係る化学気相成長装置は、常温て液体である
複数種のアルコラート系液体反応材料を液相でそれぞれ
別に測量する液体マスフローコン１−ローラーと、この
反応材量を合流させて、まとめて気化させる気化室とを
備えたことを特徴としたものである。
複数種のアルコラート系液体反応材料を液相でそれぞれ
別に測量する液体マスフローコン１−ローラーと、この
反応材量を合流させて、まとめて気化させる気化室とを
備えたことを特徴としたものである。
この発明における化学気相成長装置は、複数種の液体反
応材料を測量後、液体のまま合流させて、まとめて気化
させるようにしたため、気化器が１台で済む。このため
スペースを必要とぜず、安価てメインテナンスが簡単に
なる。また、気化器の状態が変動（ッても複数種の反応
材料のバランスが崩れずに全体の流量が変動するだけで
あるため不純物のドーパン）・濃度が変動せず、安定し
て複数種の反応材料を供給できる。
応材料を測量後、液体のまま合流させて、まとめて気化
させるようにしたため、気化器が１台で済む。このため
スペースを必要とぜず、安価てメインテナンスが簡単に
なる。また、気化器の状態が変動（ッても複数種の反応
材料のバランスが崩れずに全体の流量が変動するだけで
あるため不純物のドーパン）・濃度が変動せず、安定し
て複数種の反応材料を供給できる。
以下、乙の発明の一実施例を図について説明する。第１
図はこの発明の一実施例による化学気相成長装置の構造
を示す断面図である。この場合アルコラ−１・系液体ソ
ースとしてテトラエトキジシラン（’Ｔ’Ｅ；Ｏ８）、
ドーピング用として１〜リメヂルホスフイン（Ｔ Ｍ
Ｉ） ） 、キャリアガスにＮ２ガス、’Ｉ’ Ｅ Ｏ
Ｓ及びＴ Ｍ Ｐと反応させろガスに０．ガスを用いた
例を図について示す。図において（１）は供給された０
２を無声放電などにより、一部０３に変えろオゾン発生
器、（２ａ）は内部に液体ＴＥＯ８を保持するイ、！料
りンク。（３ａ）は圧送された８１体′■゛ＥＯ８の質
量流量を正確に測量して送り出す液体マスフ１１− コ
ントローラ、また同様に、（２ｈ）は内部に液体１”
Ｍ Ｐを保持する材料クック、（３ｂ）は圧送された液
体Ｔ Ｍ Ｐの質量流量を正確に測量して送り出す液体
マスフローコノ１−ローラである。（４）はそれぞれの
液体マスフローコンｌ−ローラから測量して送り出され
た液体ＴＥＯ３と液体ＴＭＰを、加熱キャリアーＮ２て
気化する気化器である。（５）は気化器（４）からのＴ
Ｅ０１．ＴＭＰを含んだ Ｎ２ガス、及び副シン発生器
（１）からの０３を含んだ０２ガスを混合するガスメベ
ツド、（６）は前記混合ガスを供給するガス噴出口（図
示せず）を有するガス噴出面−Ｃある。（７）は加熱保
持された半導体ウェハ、（８）は気化器（４）からガス
ヘッド（５）までの配管、（９）はオゾン発生器（１）
に供給する０２ガスを測量する質量流量計である。
図はこの発明の一実施例による化学気相成長装置の構造
を示す断面図である。この場合アルコラ−１・系液体ソ
ースとしてテトラエトキジシラン（’Ｔ’Ｅ；Ｏ８）、
ドーピング用として１〜リメヂルホスフイン（Ｔ Ｍ
Ｉ） ） 、キャリアガスにＮ２ガス、’Ｉ’ Ｅ Ｏ
Ｓ及びＴ Ｍ Ｐと反応させろガスに０．ガスを用いた
例を図について示す。図において（１）は供給された０
２を無声放電などにより、一部０３に変えろオゾン発生
器、（２ａ）は内部に液体ＴＥＯ８を保持するイ、！料
りンク。（３ａ）は圧送された８１体′■゛ＥＯ８の質
量流量を正確に測量して送り出す液体マスフ１１− コ
ントローラ、また同様に、（２ｈ）は内部に液体１”
Ｍ Ｐを保持する材料クック、（３ｂ）は圧送された液
体Ｔ Ｍ Ｐの質量流量を正確に測量して送り出す液体
マスフローコノ１−ローラである。（４）はそれぞれの
液体マスフローコンｌ−ローラから測量して送り出され
た液体ＴＥＯ３と液体ＴＭＰを、加熱キャリアーＮ２て
気化する気化器である。（５）は気化器（４）からのＴ
Ｅ０１．ＴＭＰを含んだ Ｎ２ガス、及び副シン発生器
（１）からの０３を含んだ０２ガスを混合するガスメベ
ツド、（６）は前記混合ガスを供給するガス噴出口（図
示せず）を有するガス噴出面−Ｃある。（７）は加熱保
持された半導体ウェハ、（８）は気化器（４）からガス
ヘッド（５）までの配管、（９）はオゾン発生器（１）
に供給する０２ガスを測量する質量流量計である。
このように構成された、化学気相成長装置を用いる薄膜
形成は、以下のようにして行われる。タンク（２ａ）内
の液体ＴＥＯ８はＮ２ガスの圧力により液体マスフロー
コントローラ（３ａ）に圧送される。
形成は、以下のようにして行われる。タンク（２ａ）内
の液体ＴＥＯ８はＮ２ガスの圧力により液体マスフロー
コントローラ（３ａ）に圧送される。
ン夜体マスフローコツトローうてＩＪ、￥ｔｉｔ流社に
応して熱が奪われる現象を利用して液体７Ｉ’ Ｅ Ｏ
Ｓの質量流量を正確に計量供給する。また同様に、タン
ク（２ｂ）内の液体Ｔ Ｍ ＰはＮ２ガスの圧力により
液体マスフローコノｌ−ローラ（３ｂ）に圧送サレ’Ｊ
ｌｆＪ、流量を正確に計量供給される。正確に計量供給
された液体ＴＥＯ８と液体ＴＭＰは混合され、気化器（
４）で一定温度に加熱されるとともにキャリアーＮ２を
加えられ、十分に気化されたＩ’ＥＯ８と丁゛ＭＰを含
んだＮ２ガスとなる。このように気化され１こＴＥ０１
及びＴＭＰＩま、配管（８）によりガス−ベツド（５）
に送り込まれる。なお、配管（８）は気化したＴＥ０１
．ＴＭＰが再液化しないように加熱される（図示せず）
。またオゾン発生器（１）には、質量流量計（９）で正
確に計量されｔコ０２ガスが供給さ第１、一部０３に変
えられ同じくガス・＼ラド（５）に送り込まれる。以上
のようにして、ガスメベツド（５）にＴＥ０１．ＴＭＩ
）を含んだＮ２ガス、０３ガスを夫君ｌど０２ガスが供
給混合され、ガス噴出面（６）より加熱保持された半導
体ウェハ（７）に前記混合ガスか吹きつけられ、化学気
相成長によす薄膜が形成される。
応して熱が奪われる現象を利用して液体７Ｉ’ Ｅ Ｏ
Ｓの質量流量を正確に計量供給する。また同様に、タン
ク（２ｂ）内の液体Ｔ Ｍ ＰはＮ２ガスの圧力により
液体マスフローコノｌ−ローラ（３ｂ）に圧送サレ’Ｊ
ｌｆＪ、流量を正確に計量供給される。正確に計量供給
された液体ＴＥＯ８と液体ＴＭＰは混合され、気化器（
４）で一定温度に加熱されるとともにキャリアーＮ２を
加えられ、十分に気化されたＩ’ＥＯ８と丁゛ＭＰを含
んだＮ２ガスとなる。このように気化され１こＴＥ０１
及びＴＭＰＩま、配管（８）によりガス−ベツド（５）
に送り込まれる。なお、配管（８）は気化したＴＥ０１
．ＴＭＰが再液化しないように加熱される（図示せず）
。またオゾン発生器（１）には、質量流量計（９）で正
確に計量されｔコ０２ガスが供給さ第１、一部０３に変
えられ同じくガス・＼ラド（５）に送り込まれる。以上
のようにして、ガスメベツド（５）にＴＥ０１．ＴＭＩ
）を含んだＮ２ガス、０３ガスを夫君ｌど０２ガスが供
給混合され、ガス噴出面（６）より加熱保持された半導
体ウェハ（７）に前記混合ガスか吹きつけられ、化学気
相成長によす薄膜が形成される。
なお上記実施例では、液体反応材料としてＴＥ０１（テ
トラエ１−キシシラノ）、ドーピング用液体材料として
ＴＭＰ（＋−リメチルホスフィン）の２種類としたが、
気化させて反応させる液体材料であれば何種類でもよく
、例えば、ジエチルシラン［ＳｉＨ□（Ｃ２Ｈ５） ２
） 、正燐酸トリメチル［ＰＯ（ＯＣＨ３）３；略称”
Ｉ”ＭＰＩ、はう酸トリンデルＣＢ （ＯＣＨ３） ３
．略称ＴＭＯＢＩなど非常に多くの材料が考えられる。
トラエ１−キシシラノ）、ドーピング用液体材料として
ＴＭＰ（＋−リメチルホスフィン）の２種類としたが、
気化させて反応させる液体材料であれば何種類でもよく
、例えば、ジエチルシラン［ＳｉＨ□（Ｃ２Ｈ５） ２
） 、正燐酸トリメチル［ＰＯ（ＯＣＨ３）３；略称”
Ｉ”ＭＰＩ、はう酸トリンデルＣＢ （ＯＣＨ３） ３
．略称ＴＭＯＢＩなど非常に多くの材料が考えられる。
また、上記実施例ではキャリアガス及び液体材料を圧送
するガスとしてＮ２ガスとしたが、化学気相成長に適し
た不活性ガスであれば何でも良い。
するガスとしてＮ２ガスとしたが、化学気相成長に適し
た不活性ガスであれば何でも良い。
まｔこ、」−記実施例では反応オ」料と反応させろガス
に０３ガスとしたが、その必要はなく、液体ソースに応
して０２ガスやＮ２０なと多くが考えられ、ウェハ温度
によっては不要の場合も考えられる。
に０３ガスとしたが、その必要はなく、液体ソースに応
して０２ガスやＮ２０なと多くが考えられ、ウェハ温度
によっては不要の場合も考えられる。
また、」１記実施例では液体材料を送りこむ手段として
ガスによる圧送としたが、その必要はなくポツプなどを
用いてもよい。
ガスによる圧送としたが、その必要はなくポツプなどを
用いてもよい。
また、」１記実施例では液体＋イ料を気化させる手段と
して加熱とともにキャリアーＮ２を加えたが、必ずしも
その必要はなく、超音波を用いたり、低圧状態を利用ず
ろ方法などでも同様の効果を奏する。
して加熱とともにキャリアーＮ２を加えたが、必ずしも
その必要はなく、超音波を用いたり、低圧状態を利用ず
ろ方法などでも同様の効果を奏する。
以上のようにこの発明によれば、常温て液体であるアル
コラ−１・系液体反応材料をｎｌ相で測量した後加熱し
気化させ、チャンバに供給ずろ反応ガス供給系をもつ化
学気相成長装置において、複数種の反応材料をそれぞれ
別に測量したのち合流させ、まとめて気化させるため気
化器が１台で済むため、スペースを必要とせず、安価で
メインテナンスが簡単な、化学気相成長装置が得られる
。また、気化器の状態が変動しても複数種の反応材料の
バランスが崩れずに全体の流量が変動するだけであるた
め、不純物のドーバノ１−濃度が変動ぜず、安定して複
数種の反応材料を供給できる化学気相成長装置が得られ
る。
コラ−１・系液体反応材料をｎｌ相で測量した後加熱し
気化させ、チャンバに供給ずろ反応ガス供給系をもつ化
学気相成長装置において、複数種の反応材料をそれぞれ
別に測量したのち合流させ、まとめて気化させるため気
化器が１台で済むため、スペースを必要とせず、安価で
メインテナンスが簡単な、化学気相成長装置が得られる
。また、気化器の状態が変動しても複数種の反応材料の
バランスが崩れずに全体の流量が変動するだけであるた
め、不純物のドーバノ１−濃度が変動ぜず、安定して複
数種の反応材料を供給できる化学気相成長装置が得られ
る。
第１図は乙の発明に係る化学気相成長装置の構造を示す
断面図、第２図は従来の化学気相成長装置の構造を示す
断面図である。 図において、（３ａ）は液体ＴＥＯＳマスフローコン）
・ｏ−ラ、（３ｂＨ，ｆＭ体ＴＭｐマスフローコントロ
ーラ、（４）は気化器、である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。
断面図、第２図は従来の化学気相成長装置の構造を示す
断面図である。 図において、（３ａ）は液体ＴＥＯＳマスフローコン）
・ｏ−ラ、（３ｂＨ，ｆＭ体ＴＭｐマスフローコントロ
ーラ、（４）は気化器、である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 常温で液体である複数種のアルコラート系液体反応材
料を液相でそれぞれ別に測量する液体マスフローコント
ローラと、この反応材量を合流させて、まとめて気化さ
せる気化室とを備えた化学気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33746390A JPH04206823A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 化学気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33746390A JPH04206823A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 化学気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04206823A true JPH04206823A (ja) | 1992-07-28 |
Family
ID=18308880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33746390A Pending JPH04206823A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 化学気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04206823A (ja) |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP33746390A patent/JPH04206823A/ja active Pending
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