JPH04206495A - 高周波加熱装置 - Google Patents
高周波加熱装置Info
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- JPH04206495A JPH04206495A JP2338178A JP33817890A JPH04206495A JP H04206495 A JPH04206495 A JP H04206495A JP 2338178 A JP2338178 A JP 2338178A JP 33817890 A JP33817890 A JP 33817890A JP H04206495 A JPH04206495 A JP H04206495A
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- transformer
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- frequency heating
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F38/00—Adaptations of transformers or inductances for specific applications or functions
- H01F2038/003—High frequency transformer for microwave oven
Landscapes
- Control Of High-Frequency Heating Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高周波加熱装置に関するもので、特にインバー
タ回路をもちいて電源周波数を高周波に変換し、トラン
スで昇圧する構成の高周波加熱装置に関する。
タ回路をもちいて電源周波数を高周波に変換し、トラン
スで昇圧する構成の高周波加熱装置に関する。
従来の技術
従来より、インバータ回路を用いてハ、テリーや商用電
源等から得られる単方向電源を高い周波数に変換し、こ
の高周波電力をトランスで昇圧しマグ2)ロンに供給す
る高周波加熱装置が開発されてきた。
源等から得られる単方向電源を高い周波数に変換し、こ
の高周波電力をトランスで昇圧しマグ2)ロンに供給す
る高周波加熱装置が開発されてきた。
第7図に従来例の高周波加熱装置の回路構成を示す。第
7図において、単方向電源1は、ハ、テリー2により構
成されている。その単方向型#1の出力は共振コンデン
サ3、スイッチング素子4、回生用ダイオード5、およ
び、スイッチング素子4を駆動する駆動制御回路6から
なるインハーク回路7に接続されている。トランス8の
1次巻線9はインバータ回路7の出力に接続されており
、インバータ回路7が動作したとき、2次巻線10に高
電圧が発生する巻数比となっている。このようにして得
られる高電圧は倍電圧整流回路11によりさらに昇圧さ
れマグネトロン12のカソード・アノード間に印加され
る。一方、トランス803次巻線13からマグネトロン
12のカソードフィラメント14に低圧電力が供給され
る。カソードフィラメント4が十分加熱されていて熱電
子を放出可能な状態で、アノードカソード間に高電圧が
加わると、マグ2トロン12が発振を開始し高周波を発
生する。
7図において、単方向電源1は、ハ、テリー2により構
成されている。その単方向型#1の出力は共振コンデン
サ3、スイッチング素子4、回生用ダイオード5、およ
び、スイッチング素子4を駆動する駆動制御回路6から
なるインハーク回路7に接続されている。トランス8の
1次巻線9はインバータ回路7の出力に接続されており
、インバータ回路7が動作したとき、2次巻線10に高
電圧が発生する巻数比となっている。このようにして得
られる高電圧は倍電圧整流回路11によりさらに昇圧さ
れマグネトロン12のカソード・アノード間に印加され
る。一方、トランス803次巻線13からマグネトロン
12のカソードフィラメント14に低圧電力が供給され
る。カソードフィラメント4が十分加熱されていて熱電
子を放出可能な状態で、アノードカソード間に高電圧が
加わると、マグ2トロン12が発振を開始し高周波を発
生する。
前記の構成で、スイッチング素子4を数十キロヘルツで
駆動じ、トランス8の小型化をはかっていた。また、電
源をバッテリー2から得ることで、乗用車などの直2i
t電源で利用できる高周波加熱装置を実現していた。
駆動じ、トランス8の小型化をはかっていた。また、電
源をバッテリー2から得ることで、乗用車などの直2i
t電源で利用できる高周波加熱装置を実現していた。
第8図に従来例のトランス8を示す。第8図で、15、
16はトランスの磁路を形成するコアであり、磁路には
ギャップ17が設けられていた。1日は1次巻線であり
、高周波損失を低減するために、細いエナメル被覆銅線
を束ねたり、ツ線を用いていた。
16はトランスの磁路を形成するコアであり、磁路には
ギャップ17が設けられていた。1日は1次巻線であり
、高周波損失を低減するために、細いエナメル被覆銅線
を束ねたり、ツ線を用いていた。
バッテリー2の低い電圧で高周波加熱装置を動作させ、
加熱に必要な出力を得るために、トランス8の1次巻線
18には大電流を流す必要がある。このため、1次イン
ダクタンスは小さく設定され、1次巻線18の巻数は2
−4ターンである。19は2次巻線で、巻線間の耐圧を
高めるため、分割巻としていた。20は3次巻線である
。これらの巻線はポビン21に巻かれている。ギャップ
17を設けであるため1次巻線18と2次巻線19の結
合係数:よO,T〜0.8程度となってい1こ。結合係
数を低く設定することで、マグネトロン12のような非
線形負荷を安定に動作させていた。22はコアカバーで
アリ、キヤ、プスベーサーを兼ねている。23はコア留
めピンであり、トランスの漏洩磁束↓二よる影響で発熱
しないように、非磁性体の黄銅型とLである。
加熱に必要な出力を得るために、トランス8の1次巻線
18には大電流を流す必要がある。このため、1次イン
ダクタンスは小さく設定され、1次巻線18の巻数は2
−4ターンである。19は2次巻線で、巻線間の耐圧を
高めるため、分割巻としていた。20は3次巻線である
。これらの巻線はポビン21に巻かれている。ギャップ
17を設けであるため1次巻線18と2次巻線19の結
合係数:よO,T〜0.8程度となってい1こ。結合係
数を低く設定することで、マグネトロン12のような非
線形負荷を安定に動作させていた。22はコアカバーで
アリ、キヤ、プスベーサーを兼ねている。23はコア留
めピンであり、トランスの漏洩磁束↓二よる影響で発熱
しないように、非磁性体の黄銅型とLである。
発明が解決しようとする課題
マグネトロンは、非線形の負荷特性をもつ。そのため、
前記の構成のようにトランスのけ路にギヤ、プを設けて
、結合係数を0.6〜08くらいに小さくし、マグネト
ロンの非線形性による負荷変動特性の影響を少な(して
いた。しかし、このような構成のものでは、トランスの
磁路に設けたギャップからの漏洩磁束で、周囲の磁性体
が発熱するという課題があった。さらに、1次巻線の漏
れインダクタンス分に相当して無効電流が生し、トラン
スの巻線や共振コンデンサの発熱が大きくなり、高周波
加熱装置の効率を低下させていた。
前記の構成のようにトランスのけ路にギヤ、プを設けて
、結合係数を0.6〜08くらいに小さくし、マグネト
ロンの非線形性による負荷変動特性の影響を少な(して
いた。しかし、このような構成のものでは、トランスの
磁路に設けたギャップからの漏洩磁束で、周囲の磁性体
が発熱するという課題があった。さらに、1次巻線の漏
れインダクタンス分に相当して無効電流が生し、トラン
スの巻線や共振コンデンサの発熱が大きくなり、高周波
加熱装置の効率を低下させていた。
本発明は上記課題を解決するもので、トランスの結合係
数を高くしつつ、マグネトロンの安定駆動が可能で、か
つ、巻線の発熱が少ない高周波加熱装置を得ることを目
的としている。
数を高くしつつ、マグネトロンの安定駆動が可能で、か
つ、巻線の発熱が少ない高周波加熱装置を得ることを目
的としている。
課題を解決するための手段
本発明は前記の目的を達成するために、単方向電源と、
スイッチング素子と、前記スイッチング素子とその駆動
制御回路からなるインバータ回路と、前記インバータ回
路の出力を高圧に変換するトランスとを備え、前記トラ
ンスの出力に接続され高周波を発生するマグネトロンと
、前記トランスは磁路の途中にギャップをもつコアを存
し、前記トランスの1次巻線にリング状のコアを設けた
構成とした。
スイッチング素子と、前記スイッチング素子とその駆動
制御回路からなるインバータ回路と、前記インバータ回
路の出力を高圧に変換するトランスとを備え、前記トラ
ンスの出力に接続され高周波を発生するマグネトロンと
、前記トランスは磁路の途中にギャップをもつコアを存
し、前記トランスの1次巻線にリング状のコアを設けた
構成とした。
作用
本発明の高周波加熱装置は前述のように、1次巻線にリ
ング状のコアを挿入しである。したがって、トランスの
1次巻線にインダクタンス成分が直列に追加される。こ
のため、2次側の負荷変動による入力インピーダンスの
変化が、1次側端子に間接的に現われるため、1次側の
共振回路にあまり影響を与えない。したかって、2次負
荷変動による影響が少ないので、トランスの結合係数を
より高くすることができ、トランスの効率が高く磁束漏
洩の少ない高周波加熱装置を実現可能とするものである
。
ング状のコアを挿入しである。したがって、トランスの
1次巻線にインダクタンス成分が直列に追加される。こ
のため、2次側の負荷変動による入力インピーダンスの
変化が、1次側端子に間接的に現われるため、1次側の
共振回路にあまり影響を与えない。したかって、2次負
荷変動による影響が少ないので、トランスの結合係数を
より高くすることができ、トランスの効率が高く磁束漏
洩の少ない高周波加熱装置を実現可能とするものである
。
実施例
以下、本発明の一実施例を添付図面にもとづいて説明す
る。
る。
第1図は本発明の高周波加熱装置のトランスの斜視図を
示す。第4図と同し構成要素は同符号を附し、説明を省
略する。
示す。第4図と同し構成要素は同符号を附し、説明を省
略する。
第1図において、トランスのギヤ、プ17は、約0.2
であり、トランス2Gの結合係数はほぼ0.9となって
いる。1次巻線18にはリング状のフェライトコア24
が設けられている。1次巻線18の巻数は2ターンであ
る。
であり、トランス2Gの結合係数はほぼ0.9となって
いる。1次巻線18にはリング状のフェライトコア24
が設けられている。1次巻線18の巻数は2ターンであ
る。
第2図にトランスの等価回路を示す。
第2図で、トランスの1次巻線と2次巻線の結合係数は
に12.1次入力インピーダンスはZin、2次負荷は
1次等価負荷に変換して考えZL、1次面列インダクタ
ンスをZs とする。1次インダクタンスLlは規格化
インピーダンスとして1とする。1次面列インダクタン
スZsは第1図に示す°ノング状コア24二こより形成
されるものである。
に12.1次入力インピーダンスはZin、2次負荷は
1次等価負荷に変換して考えZL、1次面列インダクタ
ンスをZs とする。1次インダクタンスLlは規格化
インピーダンスとして1とする。1次面列インダクタン
スZsは第1図に示す°ノング状コア24二こより形成
されるものである。
第3図、第4図には、第2図のトランスの等価回路二こ
おいて、2次負荷が変動したときの入力インピーダンス
の特性を示す。
おいて、2次負荷が変動したときの入力インピーダンス
の特性を示す。
第3図(a)に、直列インダクタンスZsがないとき、
トランス26の結合係数に12をパラメータとし、1次
インピーダンスZin、および、2次負荷zしとの特性
を示す。また、第3図(b)に結合係数に12を0.9
としたときの、2成立列インダクタンスZs、1次イン
ピーダンスZinと、2次負荷ZLとの関係を示す。
トランス26の結合係数に12をパラメータとし、1次
インピーダンスZin、および、2次負荷zしとの特性
を示す。また、第3図(b)に結合係数に12を0.9
としたときの、2成立列インダクタンスZs、1次イン
ピーダンスZinと、2次負荷ZLとの関係を示す。
第4図(a)、 (b)に、2次負荷ZL=10のとき
に対するZ t、=o、 1のときの入力インピーダン
ス変化率εを、結合係数に12および1次面列インダク
タンスZsの変化に対する特性で示した。
に対するZ t、=o、 1のときの入力インピーダン
ス変化率εを、結合係数に12および1次面列インダク
タンスZsの変化に対する特性で示した。
(e =f(20ン/f(0,1)、f(ZL)=(
(1−X+ZL)*X)/((+−1(+ZL)±K)
+(1−K)) この入力インピーダンス変化率εか小さいはと、インバ
ータの共振回路:ま安定動作が可能である。
(1−X+ZL)*X)/((+−1(+ZL)±K)
+(1−K)) この入力インピーダンス変化率εか小さいはと、インバ
ータの共振回路:ま安定動作が可能である。
一方、トランスの結合係数K12は大きいほど、電圧の
変換効率は高い。ところか、第4図(alで示されるよ
うに、トランスの結合係数に12が大きい士、2次負荷
変動に対する1次の入力インピーダンスの変動が大きい
。マグネトロン38の非線形性により、高周波加熱装置
では2次側の負荷ZLは、無限大から数百オーム程度ま
で変化する。したがって、従来の方法では、結合係数を
0.8程度以上にすると、入力インピーダンスが変動率
εが大きいために、インバータ回路29の共振条件が変
わって、スイッチング動作が不安定にあるという問題点
があった。
変換効率は高い。ところか、第4図(alで示されるよ
うに、トランスの結合係数に12が大きい士、2次負荷
変動に対する1次の入力インピーダンスの変動が大きい
。マグネトロン38の非線形性により、高周波加熱装置
では2次側の負荷ZLは、無限大から数百オーム程度ま
で変化する。したがって、従来の方法では、結合係数を
0.8程度以上にすると、入力インピーダンスが変動率
εが大きいために、インバータ回路29の共振条件が変
わって、スイッチング動作が不安定にあるという問題点
があった。
ところが、第4図(b)で示すように、1次面列インダ
クタンスZsを接続すると結合係数に12=0.9と高
い場合でも、入力インピーダンス変動率εを小さくする
ことが可能となった。このため、高い結合係数のトラン
ス26が実現できる。
クタンスZsを接続すると結合係数に12=0.9と高
い場合でも、入力インピーダンス変動率εを小さくする
ことが可能となった。このため、高い結合係数のトラン
ス26が実現できる。
1次面列インダクタンスを構成するために、本実施例で
は第1図に示すようにトランス26の1次巻vA181
こリング状のフェライトコア24を挿入し、トランスボ
ヒン2Iで固定する方法をとっている。
は第1図に示すようにトランス26の1次巻vA181
こリング状のフェライトコア24を挿入し、トランスボ
ヒン2Iで固定する方法をとっている。
この構成をすることによって、安価で特性の安定したト
ランス26が実現できる。
ランス26が実現できる。
第5図に本発明の実施例の高周波加熱装置の回路図を示
す。
す。
バッテリー25は鉛蓄電池である。平滑用コンデンサ2
7がバッテリー25の出力に設けられ、単方向電源28
を形成している。インハーク回路29は共振用コンデン
サ30、回生用ダイオード31、スイッチング素子32
、駆動制御回路33からなる。
7がバッテリー25の出力に設けられ、単方向電源28
を形成している。インハーク回路29は共振用コンデン
サ30、回生用ダイオード31、スイッチング素子32
、駆動制御回路33からなる。
バッテリー25の電源電圧は12Vである。このように
低い電圧の電源の場合、昇圧トランス2601次インダ
クタンス34が小さく、したがって、1次面列インダク
タンス35も小さくてよく、リング状のコアを1次巻線
34に設けることで、必要な1次面列のインダクタンス
が構成できる。
低い電圧の電源の場合、昇圧トランス2601次インダ
クタンス34が小さく、したがって、1次面列インダク
タンス35も小さくてよく、リング状のコアを1次巻線
34に設けることで、必要な1次面列のインダクタンス
が構成できる。
平滑コンデンサ27は′g!、源電圧が安定する目的と
、インバータ回路29のスイッチングノイズの低減の役
目をしている。
、インバータ回路29のスイッチングノイズの低減の役
目をしている。
インバータ回路29の出力はトランス26の1次巻線3
4に印加される。2次e線36には高圧出力があられれ
、倍電圧整流回路37で昇圧整流され、マグネトロン3
8のアノード カソード間に印加される。
4に印加される。2次e線36には高圧出力があられれ
、倍電圧整流回路37で昇圧整流され、マグネトロン3
8のアノード カソード間に印加される。
一方、トランス26の3次巻線39がらマグネトロン3
8のカソードに電力が供給されカソードフィラメントを
加熱し、マグネトロンが発振する。
8のカソードに電力が供給されカソードフィラメントを
加熱し、マグネトロンが発振する。
スイッチング素子32にかがる電圧VCeは、共振用コ
ンデンサ3oとトランス2Gの1次インダクタンス、1
次面列インダクタンスなどからなる共振回路により、第
6図に示すような共振波形となる。
ンデンサ3oとトランス2Gの1次インダクタンス、1
次面列インダクタンスなどからなる共振回路により、第
6図に示すような共振波形となる。
駆動制御回路33はスイッチング素子32にかかる電圧
VCeがゼロの時にオンオフ動作させスイッチング素子
の損失が少なくなるようにしている。この共振回路のQ
(クォリティファクター)は2次負荷変動の影響を受け
る。すなわち、2次負荷が大きい場合には、共振回路の
ダンピング係数が小さく、2次負荷が小さい場合には、
大きくなる。したがって、大きな負荷変動が生しると共
振動作が不安定になる。そこで、本実施例は1次直列イ
ンダクタンスを設シナ、負荷変動の1次側への影響が少
なくすることで、回路の安定動作が可能としている。
VCeがゼロの時にオンオフ動作させスイッチング素子
の損失が少なくなるようにしている。この共振回路のQ
(クォリティファクター)は2次負荷変動の影響を受け
る。すなわち、2次負荷が大きい場合には、共振回路の
ダンピング係数が小さく、2次負荷が小さい場合には、
大きくなる。したがって、大きな負荷変動が生しると共
振動作が不安定になる。そこで、本実施例は1次直列イ
ンダクタンスを設シナ、負荷変動の1次側への影響が少
なくすることで、回路の安定動作が可能としている。
発明の効果
以上のように本発明の高周波加熱装置では以下のような
効果が得られる。
効果が得られる。
(1)トランスの1次巻線に直列インダクタンスを設け
たので、マグ2トロンのような非線形性負荷に安定して
電力を供給でき、トランスの結合係数を高くすることが
できるため、効率が高い。また、トランスの漏洩磁束が
少ないので、トランスの巻線の発熱が少ないとともに、
周囲の金属を誘導加熱することが少ない高周波加熱装置
が実現できる。
たので、マグ2トロンのような非線形性負荷に安定して
電力を供給でき、トランスの結合係数を高くすることが
できるため、効率が高い。また、トランスの漏洩磁束が
少ないので、トランスの巻線の発熱が少ないとともに、
周囲の金属を誘導加熱することが少ない高周波加熱装置
が実現できる。
(2)トランスの1次巻線にリング状のフェライトコア
を設けるという簡単な構成で、低価格で安定動作が可能
な高周波加熱装置が実現できる。
を設けるという簡単な構成で、低価格で安定動作が可能
な高周波加熱装置が実現できる。
第1図は本発明の一実施例における高周波加熱装置のト
ランスの外観斜視図、第2図は同装置のトランスの等価
回路図、第3図、第4図は同装置のトランスの入力イン
ピーダンス特性図、第5図は同装置の回路図、第6図は
同装置のスイ2・チニ・グ素子電圧波形を示す図、第7
図は従来例の高周波加熱装置の回路構成図、第8図は従
来OrgJ装置のトランスの外観斜視図である。 15、16・・・・・・コア、17・・・・・ギヤノブ
、24・・・・リング状コア、26・・・・・・トラン
ス、28・・・・・・単方向電源、29・・・・・・イ
ンバータ回路、32・・・・・スイッチング素子、33
・・・・・・駆動制御回路、38・・・・・マグ2トロ
ン・。 代理人の氏名 弁理士 小鍜冶 明 ほか2名Z+−−
−リシグ状コア 12図 第3図 (’l)L) 114 図 (α) 第6図
ランスの外観斜視図、第2図は同装置のトランスの等価
回路図、第3図、第4図は同装置のトランスの入力イン
ピーダンス特性図、第5図は同装置の回路図、第6図は
同装置のスイ2・チニ・グ素子電圧波形を示す図、第7
図は従来例の高周波加熱装置の回路構成図、第8図は従
来OrgJ装置のトランスの外観斜視図である。 15、16・・・・・・コア、17・・・・・ギヤノブ
、24・・・・リング状コア、26・・・・・・トラン
ス、28・・・・・・単方向電源、29・・・・・・イ
ンバータ回路、32・・・・・スイッチング素子、33
・・・・・・駆動制御回路、38・・・・・マグ2トロ
ン・。 代理人の氏名 弁理士 小鍜冶 明 ほか2名Z+−−
−リシグ状コア 12図 第3図 (’l)L) 114 図 (α) 第6図
Claims (1)
- (1)単方向電源と、スイッチング素子と、前記スイッ
チング素子とその駆動制御回路からなるインバータ回路
と、前記インバータ回路の出力を高圧に変換するトラン
スと、前記トランスの出力に接続され高周波を発生する
マグネトロンとを備え、前記トランスは磁路の途中にギ
ャップをもつコアを有すると共に前記トランスの1次巻
線にリング状のコアを設けた高周波加熱装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2338178A JPH04206495A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 高周波加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2338178A JPH04206495A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 高周波加熱装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04206495A true JPH04206495A (ja) | 1992-07-28 |
Family
ID=18315657
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2338178A Pending JPH04206495A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 高周波加熱装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04206495A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0682836U (ja) * | 1993-04-27 | 1994-11-25 | 株式会社八幡電機製作所 | インバータ用トランスおよびインバータ回路 |
WO2014132480A1 (ja) * | 2013-02-28 | 2014-09-04 | 日東電工株式会社 | 無線電力伝送装置、無線電力伝送装置における入力インピーダンスの負荷変動応答性の調整方法、及び、無線電力伝送装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2338178A patent/JPH04206495A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0682836U (ja) * | 1993-04-27 | 1994-11-25 | 株式会社八幡電機製作所 | インバータ用トランスおよびインバータ回路 |
WO2014132480A1 (ja) * | 2013-02-28 | 2014-09-04 | 日東電工株式会社 | 無線電力伝送装置、無線電力伝送装置における入力インピーダンスの負荷変動応答性の調整方法、及び、無線電力伝送装置の製造方法 |
JP2014168358A (ja) * | 2013-02-28 | 2014-09-11 | Nitto Denko Corp | 無線電力伝送装置、無線電力伝送装置における入力インピーダンスの負荷変動応答性の調整方法、及び、無線電力伝送装置の製造方法 |
EP2985860A4 (en) * | 2013-02-28 | 2016-09-28 | Nitto Denko Corp | WIRELESS POWER TRANSMISSION DEVICE, METHOD FOR SETTING THE LOAD TUNING RESPONSE OF AN INPUT IMPEDANCE IN A WIRELESS POWER TRANSMISSION DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING A WIRELESS POWER TRANSMISSION DEVICE |
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