JPH04199751A - 太陽電池 - Google Patents
太陽電池Info
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- JPH04199751A JPH04199751A JP2335086A JP33508690A JPH04199751A JP H04199751 A JPH04199751 A JP H04199751A JP 2335086 A JP2335086 A JP 2335086A JP 33508690 A JP33508690 A JP 33508690A JP H04199751 A JPH04199751 A JP H04199751A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/543—Solar cells from Group II-VI materials
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本ツヒ明は、エネルギー変換効率の高い太陽電池に開す
るものである。
るものである。
１、゛を来の技術
従来の化合物薄膜を用いた太陽電池は、第５図及び第６
図に示すように、広いバンドギャップを持つ化合物半導
体薄膜（窓層として機能する）と、狭いバンドギャップ
を持つ化合物薄膜（吸収層として機能する）のへテロ接
合で構成されでいる。
図に示すように、広いバンドギャップを持つ化合物半導
体薄膜（窓層として機能する）と、狭いバンドギャップ
を持つ化合物薄膜（吸収層として機能する）のへテロ接
合で構成されでいる。
ところで、高いエフ、ルキー変１す！効率を得るため乙
こ一番必要とされる条件は、界面においてキャリアの再
結合のない高品質なヘテロ接合を作ることである。高品
質なヘテロ界面は、その作製方法や膜形成の順序と関係
が深く、ＣｃｌＳ／ＣｄＴｅ系においては、第５図むこ
示したような、透光性電極２８／窓Ｎ３８ （Ｃ（Ｉｓ
）／吸収層 ４ Ｂ（ＣｄＴ ｅ） ／電極５８の順に
形成するブチがずくれでいる。このことは、 たとえは
、“１−ニス・１゛つ・リーノ（ＵＳ ［）Ｆ月ζＲｅ
ｐ）”（＋９８８）に 掲載されでいる ５′シンーノ
イ＋１．１、ノｊじミウノ、７−１１）イド ソーラー
４：１１ス （’ｌ’ｌ＋１ｎ−Ｆｉ Ｉｎ （、
ａｄｍｉｕｍ ’ｔ’ｅｌ １ｕｒｉ、ｄｃＳｏｌ
ａｒ Ｃｅ１ｌｓ） ”の１）３０以降（こ述へられ
ている。一方、ＣｄＳ／Ｃ（酉ｎ５ｅ２系においてａＪ
、第６図に示したような、電極５９／吸収層／］−９（
ＣｕＩｎＳｅ２）／窓ＷＥ：３９ （ＣｄＳ） ／透光
性電極２９の順に形成する方かずくれていると考えられ
ており、この系での高いエネルギー変換効率を実現して
いる太陽電池はずへてこの構成である。
こ一番必要とされる条件は、界面においてキャリアの再
結合のない高品質なヘテロ接合を作ることである。高品
質なヘテロ界面は、その作製方法や膜形成の順序と関係
が深く、ＣｃｌＳ／ＣｄＴｅ系においては、第５図むこ
示したような、透光性電極２８／窓Ｎ３８ （Ｃ（Ｉｓ
）／吸収層 ４ Ｂ（ＣｄＴ ｅ） ／電極５８の順に
形成するブチがずくれでいる。このことは、 たとえは
、“１−ニス・１゛つ・リーノ（ＵＳ ［）Ｆ月ζＲｅ
ｐ）”（＋９８８）に 掲載されでいる ５′シンーノ
イ＋１．１、ノｊじミウノ、７−１１）イド ソーラー
４：１１ス （’ｌ’ｌ＋１ｎ−Ｆｉ Ｉｎ （、
ａｄｍｉｕｍ ’ｔ’ｅｌ １ｕｒｉ、ｄｃＳｏｌ
ａｒ Ｃｅ１ｌｓ） ”の１）３０以降（こ述へられ
ている。一方、ＣｄＳ／Ｃ（酉ｎ５ｅ２系においてａＪ
、第６図に示したような、電極５９／吸収層／］−９（
ＣｕＩｎＳｅ２）／窓ＷＥ：３９ （ＣｄＳ） ／透光
性電極２９の順に形成する方かずくれていると考えられ
ており、この系での高いエネルギー変換効率を実現して
いる太陽電池はずへてこの構成である。
以１−に述べたように、Ｃｄ Ｔ ｃやＣｕＩｎＳｅ２
のｌ＼テロ接合の相手として両古−ともＣｄ Ｓが一番
適しでいると考えられているか、その理由として、前者
は、接合界面においてＣｃｌＳと（： ｄ Ｔ ｅとの
固溶体層が格子不整合を緩和するためてあり、後者にお
いては、ＣｄＳとＣｕ Ｉ ｎＳ ｔルとの格子不整合
がきわめて小さいためである。
のｌ＼テロ接合の相手として両古−ともＣｄ Ｓが一番
適しでいると考えられているか、その理由として、前者
は、接合界面においてＣｃｌＳと（： ｄ Ｔ ｅとの
固溶体層が格子不整合を緩和するためてあり、後者にお
いては、ＣｄＳとＣｕ Ｉ ｎＳ ｔルとの格子不整合
がきわめて小さいためである。
発明が解決すべき課題
ところで、Ｃｃｌ ｉ’ ｅ系薄膜太陽電池のより高効
率化のために従来から用いられている方法として、Ｃ（
〕Ｓをより薄くする（０．Ｉ７Ｊ、ｍ以Ｆ）試みや２．
１、り広いパンドギー１−ツブなもつ半導体、たとえは
、ＣｄＺｎＳや透明導電性酸化膜（Ｓ１１０２、Ｉ ′
ｌ” ０、ＺｎＯ等）とのへテロ接合構成の試みによ一
ノで、太陽光の短波長光の感度向−にがはかられている
。
率化のために従来から用いられている方法として、Ｃ（
〕Ｓをより薄くする（０．Ｉ７Ｊ、ｍ以Ｆ）試みや２．
１、り広いパンドギー１−ツブなもつ半導体、たとえは
、ＣｄＺｎＳや透明導電性酸化膜（Ｓ１１０２、Ｉ ′
ｌ” ０、ＺｎＯ等）とのへテロ接合構成の試みによ一
ノで、太陽光の短波長光の感度向−にがはかられている
。
しかし、０ｑ者の場合、ＣｄＳとＣｄ ′ｒｅとの固溶
体層が界面に形成されるために、それ（゛）の厚さを考
慮する必要が生じ、ＣｄＳのｊブさをＯ，１７１ｍ以下
に制ｉ卸して製造することは非常に困難である。
体層が界面に形成されるために、それ（゛）の厚さを考
慮する必要が生じ、ＣｄＳのｊブさをＯ，１７１ｍ以下
に制ｉ卸して製造することは非常に困難である。
また、後者の５ｉ（みはＣｄＴｅとのへテロ界面時１７
１が１３目人てｊ；ｌ： Ｃｄ Ｓ ／ Ｃｄ Ｔ ｅ
に１七ぺ優れたものが１拝られでおらず、結果どして太
陽電池の高効率化が予想されるはとはかられてはいない
。
１が１３目人てｊ；ｌ： Ｃｄ Ｓ ／ Ｃｄ Ｔ ｅ
に１七ぺ優れたものが１拝られでおらず、結果どして太
陽電池の高効率化が予想されるはとはかられてはいない
。
本発明は、この様な従来の太陽電池の課題を解決し、よ
り高効率な太陽電池を実現することを目的とずろ。
り高効率な太陽電池を実現することを目的とずろ。
課題を解決するための１段
本発明は、基板」−ξこ形成された下部電極、第１の半
導体層、第２の１玉導体ＪＦ、Ｑ、−１一部電極よりな
り前記１：部電極あるいは上部電極の一方が、櫛形電極
であり、それと接する半導体層（第１の二１′導体層と
吋ひ゛、もう−・方を第２の半導体層と呼ぶ）に透光性
保護膜を設けてなり、前記下部あるいは上部電極のうち
櫛形電極側より光を人的する太陽電池である。
導体層、第２の１玉導体ＪＦ、Ｑ、−１一部電極よりな
り前記１：部電極あるいは上部電極の一方が、櫛形電極
であり、それと接する半導体層（第１の二１′導体層と
吋ひ゛、もう−・方を第２の半導体層と呼ぶ）に透光性
保護膜を設けてなり、前記下部あるいは上部電極のうち
櫛形電極側より光を人的する太陽電池である。
また、本発明は、基板−１−に順次形成した、下部電極
と、前記下部電極を一方の電極とする低エネルギー光用
太陽電池と、高エネルギー光用太陽電池と、前記高エネ
ルギー光用太陽電池の一方の電極となろに１部電極とを
倫え、前記低３１ネルキー光用太陽電池と高エネルギー
光用太陽電池の相接する半導体層が同一の伝導型であり
、それらの゛１′導体層の一方に接続形成された中間電
極を有する太陽電池で、前記高エネルギー光用太陽電池
とし゛Ｃ櫛形の」−１部電極を持つ太陽電池である。
と、前記下部電極を一方の電極とする低エネルギー光用
太陽電池と、高エネルギー光用太陽電池と、前記高エネ
ルギー光用太陽電池の一方の電極となろに１部電極とを
倫え、前記低３１ネルキー光用太陽電池と高エネルギー
光用太陽電池の相接する半導体層が同一の伝導型であり
、それらの゛１′導体層の一方に接続形成された中間電
極を有する太陽電池で、前記高エネルギー光用太陽電池
とし゛Ｃ櫛形の」−１部電極を持つ太陽電池である。
作用
本発明は、櫛形゛電極と半導体の表面１月結合速度を抑
えるための透光性保護膜を光の入射側に備えた半導体と
、それより大きなバンドギャップを持つ半導体とのへテ
ロ接合によって構成できる。従って、透光性保護膜を通
して直接太陽光を吸収層に取り込めるために、ｔ；Ｃ来
の窓層な通して吸収層に太陽光を取り込むヘテロ接合型
太陽電池に比へ短波長の光をより多く取り込める。しか
も、その・＼テロ接合が、透光性保護膜を備えた半導体
より大きなバンドギャップを持つ半導体との接合である
場合は、発生できる電圧を充分大きくとることもでき、
エネルギー変換効率の高効率化がはかれる。
えるための透光性保護膜を光の入射側に備えた半導体と
、それより大きなバンドギャップを持つ半導体とのへテ
ロ接合によって構成できる。従って、透光性保護膜を通
して直接太陽光を吸収層に取り込めるために、ｔ；Ｃ来
の窓層な通して吸収層に太陽光を取り込むヘテロ接合型
太陽電池に比へ短波長の光をより多く取り込める。しか
も、その・＼テロ接合が、透光性保護膜を備えた半導体
より大きなバンドギャップを持つ半導体との接合である
場合は、発生できる電圧を充分大きくとることもでき、
エネルギー変換効率の高効率化がはかれる。
さらに、以上に述へた太陽電池を高エネルキー光用の太
陽電池とするタンデム型太陽電池では、太陽光の取りこ
ぼしか少なくより高効率化がはかれる。
陽電池とするタンデム型太陽電池では、太陽光の取りこ
ぼしか少なくより高効率化がはかれる。
実施例
以下、本発明の実施例について図面な参ｐ、ｐ シで説
明する。
明する。
第１図は本発明、の太陽電池の一実施例を示している。
すなわち、カラス基板ｌに形成した下部電極２上に、第
２の半導体層としてＣｄＳｉ膜：３（ｎ型半導体）を１
）ｔ ｍ程度の膜厚で形成し、さらにその上に、第１
の半導体としてＣ（１′ｒｅ薄膜４（ｐ型半導体）を１
０ ）ｔ ｒｎｎ変度形成、そのＣｄ Ｔ ｅ薄膜４の
表面に、櫛形電極５と透光性保護膜６とを形成したもの
である。さらに詳しく述べると、下部電極２としては、
熱的プロセスを経てもＣｄＳと激しく反応しない材４゛
・１、例えは、ＩＴＯやＳｉ＋０２等を用い、櫛形の」
二部電極５には、Ａｕ、Ｎｉ等を用いてＣｄ Ｔ ｃ薄
膜とオーミック接触をとり、透光性保護膜６として、ポ
リイミド系の有機保護膜やシリコンの酸化物あるいは窒
化物等をソフトなプロセスで形成しｌて用いる。
２の半導体層としてＣｄＳｉ膜：３（ｎ型半導体）を１
）ｔ ｍ程度の膜厚で形成し、さらにその上に、第１
の半導体としてＣ（１′ｒｅ薄膜４（ｐ型半導体）を１
０ ）ｔ ｒｎｎ変度形成、そのＣｄ Ｔ ｅ薄膜４の
表面に、櫛形電極５と透光性保護膜６とを形成したもの
である。さらに詳しく述べると、下部電極２としては、
熱的プロセスを経てもＣｄＳと激しく反応しない材４゛
・１、例えは、ＩＴＯやＳｉ＋０２等を用い、櫛形の」
二部電極５には、Ａｕ、Ｎｉ等を用いてＣｄ Ｔ ｃ薄
膜とオーミック接触をとり、透光性保護膜６として、ポ
リイミド系の有機保護膜やシリコンの酸化物あるいは窒
化物等をソフトなプロセスで形成しｌて用いる。
ここで用いた透光性保護膜６は、Ｃｄ Ｔ ｃ薄膜表面
に存在する欠陥や表面準位を極めて減少させる効果があ
り、その結果として半導体表面１′Ｊ近に光電こよって
誘起された電子−正孔対の再結合を抑制し、光電流とし
て寄与できるようになる。
に存在する欠陥や表面準位を極めて減少させる効果があ
り、その結果として半導体表面１′Ｊ近に光電こよって
誘起された電子−正孔対の再結合を抑制し、光電流とし
て寄与できるようになる。
第２図には、従来技術のところですてに述へた第５図の
ような従来構成の太陽電池に、ＣｄＳ薄膜３８側から光
を入射した場合の収光率の波長依存性をＡで示し、本発
明の構成（第１図）の太陽電池にＣｄＴｅ薄膜４側（櫛
形電極５側）から光を入射した収光率の波長依存性をＢ
て示している。依存性ＡとＢとの比較で明かなように、
短波長域における収光率が本発明の構成によって、著し
く向」ニし、結果として太陽光から得られる光電流も従
来にくらべ著しく向」ニした。発生できる電圧について
は、従来構成のものと比へ大差はないが、エネルギー変
換効率においても著しく向」−シた。
ような従来構成の太陽電池に、ＣｄＳ薄膜３８側から光
を入射した場合の収光率の波長依存性をＡで示し、本発
明の構成（第１図）の太陽電池にＣｄＴｅ薄膜４側（櫛
形電極５側）から光を入射した収光率の波長依存性をＢ
て示している。依存性ＡとＢとの比較で明かなように、
短波長域における収光率が本発明の構成によって、著し
く向」ニし、結果として太陽光から得られる光電流も従
来にくらべ著しく向」ニした。発生できる電圧について
は、従来構成のものと比へ大差はないが、エネルギー変
換効率においても著しく向」−シた。
さらに、エネルギー変換効率を向上させるだめの他の実
施例を第３図に示している。すなわち、長波長光用の太
陽電池Ｓ１と短波長用の太陽電池Ｓ２を積層し、中間電
極７を設けてその両者の太陽電池の共通電極とし、電気
的には並列にしかつ、それぞれ独立に電流、電圧を取り
出す構成のタンテｘｘＷν太陽電池である。即ぢ、具体
的には、カラスあるいはセラミック基板１７上に下部電
極２７としてＭｏを配置し、その上にＣｕＴｎＳｅ２８
７／Ｃｄ５３７のへテロ接合を形成して長波長光用の太
陽電池Ｓｉとし、その太陽電池Ｓ１のＣｄＳ薄膜３７の
層を共用層として、第１図に示した本発明の太陽電池を
短波長光用Ｓ２を構成するためにＣｄＴｅあるいはＣｄ
ＺｎＴｅ１膜４７を堆積してＣｄ５３７とのＪ＼テロ接
合を形成する。また、櫛形電極５７や保護膜６７はすて
に述べたとおりに構成する。
施例を第３図に示している。すなわち、長波長光用の太
陽電池Ｓ１と短波長用の太陽電池Ｓ２を積層し、中間電
極７を設けてその両者の太陽電池の共通電極とし、電気
的には並列にしかつ、それぞれ独立に電流、電圧を取り
出す構成のタンテｘｘＷν太陽電池である。即ぢ、具体
的には、カラスあるいはセラミック基板１７上に下部電
極２７としてＭｏを配置し、その上にＣｕＴｎＳｅ２８
７／Ｃｄ５３７のへテロ接合を形成して長波長光用の太
陽電池Ｓｉとし、その太陽電池Ｓ１のＣｄＳ薄膜３７の
層を共用層として、第１図に示した本発明の太陽電池を
短波長光用Ｓ２を構成するためにＣｄＴｅあるいはＣｄ
ＺｎＴｅ１膜４７を堆積してＣｄ５３７とのＪ＼テロ接
合を形成する。また、櫛形電極５７や保護膜６７はすて
に述べたとおりに構成する。
中間電極７７は、第３図に示したようにＣｄＳ薄膜３７
を階段状に形成し、その平坦部にＩ ｎで設けるか、そ
れぞれの太陽電池の直列抵抗を十分減らずために、第４
図に示したように太陽電池Ｓｉと８２との開にＩ ｉ’
Ｏの電極を形成した構成のものでもよい。
を階段状に形成し、その平坦部にＩ ｎで設けるか、そ
れぞれの太陽電池の直列抵抗を十分減らずために、第４
図に示したように太陽電池Ｓｉと８２との開にＩ ｉ’
Ｏの電極を形成した構成のものでもよい。
以上のような構成においては、Ｓｉ及びＳ２の太陽電池
に高品質に形成てきるＣ ｕ Ｉ ｎＳ ｅ２／ Ｃｄ
Ｓ系とＣｄＳ／ＣｄＴｅ系のへテロ接合が巧みに利用で
き、従来のタンデム型太陽電池より高いエネルギー変換
効率を得ることができる。
に高品質に形成てきるＣ ｕ Ｉ ｎＳ ｅ２／ Ｃｄ
Ｓ系とＣｄＳ／ＣｄＴｅ系のへテロ接合が巧みに利用で
き、従来のタンデム型太陽電池より高いエネルギー変換
効率を得ることができる。
なお、上記実施例では、」二部電極の一方が櫛形電極で
あったが、下部電極が櫛形であってもよい。
あったが、下部電極が櫛形であってもよい。
発明の効果
以」二説明したところから明らかなように、本発明によ
ってエネルギー変換効率が高く低コストな太陽電池の構
成を提供することがてぎる。
ってエネルギー変換効率が高く低コストな太陽電池の構
成を提供することがてぎる。
第１図は本発明の太陽電池の１実施例を示す斜視図、第
２図は従来の太陽電池の収光率の波長依存性（Ａに示す
）と第１図に示した本発明の構成の収光率の波長依存性
（＋３ に示ず）を示すグラフ、第３図は本発明のタン
デム型太陽電池の１実施例を示す斜視図、第４図はその
タンデム型太陽電池の他の実施例を示す斜視図、第５図
および第６図は従来の太陽電池の構成を示す斜視図であ
る。 ｌ・・・法板、２・・・下部電極、３・・・第２の半導
体層、４・・・第１の半導体層、５・・・−Ｌ部電極、
６・・・保護膜、７・・・中間電極、８・・・低エネル
ギー光吸収用半導体層、Ｓｉ・・・低エネルギー光用太
陽電池、Ｓ２・・・高エネルギー光用太陽電池。 代理人 弁理士 松 １）正 道 ＝１１− Ｖ ― ＊γ７Ａ＋ 第３図 第５図 第４図 第６図 ｕ＊′
２図は従来の太陽電池の収光率の波長依存性（Ａに示す
）と第１図に示した本発明の構成の収光率の波長依存性
（＋３ に示ず）を示すグラフ、第３図は本発明のタン
デム型太陽電池の１実施例を示す斜視図、第４図はその
タンデム型太陽電池の他の実施例を示す斜視図、第５図
および第６図は従来の太陽電池の構成を示す斜視図であ
る。 ｌ・・・法板、２・・・下部電極、３・・・第２の半導
体層、４・・・第１の半導体層、５・・・−Ｌ部電極、
６・・・保護膜、７・・・中間電極、８・・・低エネル
ギー光吸収用半導体層、Ｓｉ・・・低エネルギー光用太
陽電池、Ｓ２・・・高エネルギー光用太陽電池。 代理人 弁理士 松 １）正 道 ＝１１− Ｖ ― ＊γ７Ａ＋ 第３図 第５図 第４図 第６図 ｕ＊′
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）基板上に形成された下部電極と、第１の半導体層
と、第２の半導体層と、上部電極とを備え、前記下部電
極あるいは上部電極の一方が、櫛形電極であり、その櫛
形電極と接する前記第１半導体層に、透光性保護膜を設
けてなり、前記櫛形電極側より光を入射することを特徴
とする太陽電池。 （２）第１の半導体層のバンドギャップが前記第２の半
導体層のバンドギャップにくらべ小さいことを特徴とす
る請求項１記載の太陽電池。（３）第１の半導体層がＣ
ｄＴｅよりなり、前記第２の半導体層がＣｄＳよりなる
ことを特徴とする請求項１記載の太陽電池。 （４）第１の半導体層がＣｕＩｎＳｅ＿２よりなり、前
記第２の半導体層がＣｄＳよりなることを特徴とする請
求項１記載の太陽電池。 （５）透光性保護膜がポリイミド系有機薄膜からなるこ
とを特徴とする請求項１、２、３又は４記載の太陽電池
。 （６）透光性保護膜がＳｉ系薄膜からなることを特徴と
する請求項１、２、３又は４記載の太陽電池。 （７）下部電極と、その下部電極を一方の電極とする低
エネルギー光用太陽電池と、高エネルギー光用太陽電池
と、その高エネルギー光用太陽電池の一方の電極となる
上部電極とが、基板上に順次形成され、前記低エネルギ
ー光用太陽電池と前記高エネルギー光用太陽電池の相接
する半導体層同士が同一の伝導型であり、それらの半導
体層の一方に接続形成された中間電極が存在する太陽電
池であって、前記高エネルギー光用太陽電池として櫛形
の上部電極を持つことを特徴とする太陽電池。 （８）低エネルギー光用太陽電池はＣｕＩｎＳｅ＿２、
ＣｕＩｎＴｅ＿２あるいはＣｄ＿（＿１＿−＿ｘ＿）Ｈ
ｇ＿ｘＴｅのいずれかのうちの一つの上にＣｄＳが形成
されてなることを特徴とする請求項７記載の太陽電池。 （９）中間電極として透明導電性薄膜が前記低エネルギ
ー光用太陽電池と高エネルギー光用太陽電池の間に積層
して構成されたことを特徴とする請求項７又は８記載の
太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2335086A JPH04199751A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | 太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2335086A JPH04199751A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | 太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04199751A true JPH04199751A (ja) | 1992-07-20 |
Family
ID=18284615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2335086A Pending JPH04199751A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | 太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04199751A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0902339A1 (fr) * | 1997-09-09 | 1999-03-17 | Asulab S.A. | Cadran formé d'une cellule solaire notamment pour pièce d'horlogerie |
| US6067277A (en) * | 1997-09-09 | 2000-05-23 | Asulab S.A. | Dial formed of a solar cell in particular for a timepiece |
-
1990
- 1990-11-29 JP JP2335086A patent/JPH04199751A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0902339A1 (fr) * | 1997-09-09 | 1999-03-17 | Asulab S.A. | Cadran formé d'une cellule solaire notamment pour pièce d'horlogerie |
| US6067277A (en) * | 1997-09-09 | 2000-05-23 | Asulab S.A. | Dial formed of a solar cell in particular for a timepiece |
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