JPH04199661A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、さらに詳しく
は、樹脂モールド部をＩｊｉ傷させずにり一トフレーム
上に発生する樹脂のフラッシュバリを除去して、リード
フレームと半導体素子との電気的接続を良好にする気密
封止式半導体装置の製造方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Technical Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a method for removing flash burrs of resin generated on a slot frame without damaging a resin mold part. The present invention relates to a method of manufacturing a hermetically sealed semiconductor device that improves the electrical connection between a lead frame and a semiconductor element.
発明の技術的背景ならびにその問題点
箱型中空樹脂成形体、リードフレーム、半導体チップ、
ボンディングワイヤーおよび蓋材からなる気密封止式の
半導体装置の製造方法において、従来、箱型中空樹脂成
形体を成形する際には、リードフレームを金型内に埋込
んだ後、この金型内で樹脂を射出成形やトランスファー
成形することにより、リードフレームと箱型中空樹脂成
形体とを一体化する、いわゆるインサート成形を行なう
のが一般的である。Technical background of the invention and its problems Box-shaped hollow resin molded body, lead frame, semiconductor chip,
Conventionally, in the manufacturing method of hermetically sealed semiconductor devices consisting of bonding wires and lid materials, when molding a box-shaped hollow resin molded body, after embedding a lead frame in a mold, It is common to perform so-called insert molding, in which the lead frame and the box-shaped hollow resin molded body are integrated by injection molding or transfer molding the resin.
しかしながら、このようなインサート成形では、リード
フレームの表面に樹脂のフラッシュバリが発生するため
、リードフレームと半導体素子との電気的接続を容易に
行なう二とかできないという問題点かあった。However, such insert molding has the problem that flash burrs of the resin occur on the surface of the lead frame, making it impossible to easily electrically connect the lead frame and the semiconductor element.
この問題点を解消するために、従来、あらかじめリード
フレーム上に半導体素子を電気的に接続した後、樹脂成
彩する方法か一般に採用されている。この方法の場合、
成形時に半導体素子か高熱および衝撃を受けるため、半
導体素子の機能か損われ易いという問題点かあった。In order to solve this problem, a method has conventionally been adopted in which semiconductor elements are electrically connected on a lead frame in advance and then painted with resin. In this method,
Since the semiconductor element is exposed to high heat and impact during molding, there is a problem that the function of the semiconductor element is easily damaged.
また、上記フラッ／ユハリを除去してリードフレームと
半導体素子との電気的接続を容易にする方法が試みられ
ている。−例をあげれば、薬品を用いてフラッシュバリ
を溶解剥離させる方法かある。この薬品を用いる方法で
は、フラッシュｐＸりを剥離させることは可能であって
も、薬品処理たけては完全にフラッシュハリを取除くこ
とかできないため、さらにブラッシングなどを行なって
フラッシュハリを取除く必要かあり、樹脂モールド部の
表面か損傷してしまうという問題点かあった。Further, methods have been attempted to facilitate electrical connection between the lead frame and the semiconductor element by removing the above-mentioned flash/edge. -For example, there is a method of dissolving and peeling flash burrs using chemicals. Although it is possible to remove the flash pX using this chemical method, it is not possible to completely remove the flash pX after chemical treatment, so further brushing etc. are required to remove the flash pX. However, there was a problem in that the surface of the resin molded part was damaged.
そこで、本発明者らは上記問題点を一挙に解決し、樹脂
モール１部を損傷させずにリードフレーム上に発生する
樹脂のフラッシュバリを除去して、リードフレームと半
導体素子との電気的接続を良好にしうるとともに、多数
個の半導体装置についてフラッシュバリの除去処理か一
度に行なえる下記のような半導体装置の製造方法を既に
提案している。Therefore, the present inventors solved the above problems all at once, and removed the resin flash burrs that occur on the lead frame without damaging the resin molding part, thereby establishing electrical connection between the lead frame and the semiconductor element. The following semiconductor device manufacturing method has already been proposed, which can improve the quality of semiconductor devices and also perform flash burr removal processing on a large number of semiconductor devices at once.
すなわち、第１図に示す半導体装置を製造するに際して
、
融点または軟化点か箱型成形体を構成する樹脂の成形温
度以上であって、型樹脂成形体を溶解することのない、
溶媒に可溶な有機高分子物質を、リードフレームにおけ
る前記箱型樹脂成形体との非接触予定部分に塗布したの
ち、このリードフレームを金型内に設置した状態で金型
内に樹脂を射出成形して、リードフレームと一体となっ
た箱型樹脂成形体を得る工程と、
前工程で得られたリードフレーム付箱型樹脂成形体を前
記溶媒に浸してリードフレーム上の有機高分子物質を溶
解除去する工程を含む半導体装置の製造方法を提案して
いる（特願昭６３−２０１４６４号参照）。That is, when manufacturing the semiconductor device shown in FIG.
After applying a solvent-soluble organic polymer substance to the portion of the lead frame that is not scheduled to come into contact with the box-shaped resin molded body, the resin is injected into the mold with the lead frame installed in the mold. A step of molding to obtain a box-shaped resin molded body integrated with the lead frame; and a step of soaking the box-shaped resin molded body with the lead frame obtained in the previous step in the solvent to remove the organic polymer substance on the lead frame. A method of manufacturing a semiconductor device including a step of dissolving and removing is proposed (see Japanese Patent Application No. 63-201464).
この半導体装置の製造方法によれば、樹脂モールド部を
損傷させることなく、リードフレーム上に発生する樹脂
フラッシュバリを除去して、リードフレームと半導体素
子との電気的接続を良好にすることができるとともに、
多数個の半導体装置についてフラッシュバリの除去処理
か一度に行なえるという利点がある。According to this method of manufacturing a semiconductor device, resin flash burrs generated on the lead frame can be removed without damaging the resin mold part, thereby improving the electrical connection between the lead frame and the semiconductor element. With,
This method has the advantage that flash burr removal processing can be performed on a large number of semiconductor devices at once.
ところで、この方法において、有機高分子としては、具
体的には、ポリスルホン（ＰＳ） 、ポリエーテルスル
ホン、ポリエチルエーテルケトン、ポリフェニレンオキ
シド、ポリビニルアルコール、アクリル系樹脂、セルロ
ース誘導体なとの熱可塑性樹脂、エポキシ系樹脂、ポリ
イミド系樹脂、フェノール系樹脂などの熱硬化性樹脂等
が用いられているが、これ等の有機高分子では未た耐熱
性が低いために、インサート成形時に融解して金型に付
着してしまうことかあり、そのため金型を時々清掃しな
ければならなかった。また、このように融解した有機高
分子が垂れてリードフレームの側面部に付着することが
あり、この様な場合には、このリードフレームの側面部
には箱型樹脂成形体形成用の樹脂は充填されず、得られ
る半導体装置の外観が不良になることかあった。By the way, in this method, the organic polymer specifically includes polysulfone (PS), polyether sulfone, polyethyl ether ketone, polyphenylene oxide, polyvinyl alcohol, acrylic resin, thermoplastic resin such as cellulose derivative, and epoxy. Thermosetting resins such as polyimide resins, polyimide resins, and phenolic resins are used, but these organic polymers have low heat resistance, so they melt during insert molding and adhere to the mold. Because of this, the mold had to be cleaned from time to time. In addition, the molten organic polymer may drip and adhere to the side surface of the lead frame, and in such cases, the resin for forming the box-shaped resin molded body may not be present on the side surface of the lead frame. In some cases, the semiconductor device was not filled and the appearance of the resulting semiconductor device was poor.
また、この半導体装置の製造方法では、箱型樹脂成形体
としては、通常、エポキシ系樹脂などが用いられている
。そのため、箱型樹脂成形体形成用の樹脂と有機高分子
とか密着し、あるいは、箱型樹脂成形体形成用の樹脂と
り−トフレームを形成している金属ないしは有機高分子
などとが密着してしまう等、成形後に不要となった有機
高分子を除去しにくくなることかあった。Furthermore, in this semiconductor device manufacturing method, epoxy resin or the like is usually used as the box-shaped resin molded body. Therefore, the resin for forming the box-shaped resin molding comes into close contact with the organic polymer, or the metal or organic polymer forming the resin frame for forming the box-shaped resin molding comes into close contact. In some cases, it became difficult to remove organic polymers that were no longer needed after molding.
発明の目的
本発明は、上記のような問題点を解決しようとするもの
であって、樹脂モールド部を損傷させずにリードフレー
ム上に発生する樹脂のフラ・ノシュバリを除去して、リ
ードフレームと半導体素子との電気的接続を良好にする
とともに、多数個の半導体装置についてフラッシュバリ
の除去処理が一度に行なえるような半導体装置の製造方
法を提供することを目的としている。OBJECT OF THE INVENTION The present invention aims to solve the above-mentioned problems, and it is possible to remove resin flakes and burrs that occur on the lead frame without damaging the resin molded part, and to remove the resin burrs that occur on the lead frame. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a semiconductor device that can improve the electrical connection with a semiconductor element and can perform flash burr removal processing on a large number of semiconductor devices at the same time.
発明の概要
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体素子、リ
ードフレーム、および該半導体素子の電極とリードフレ
ームとを電気的に接続するボンディングワイヤーを具備
し、かつ、該半導体素子が収容される凹部を有する箱型
樹脂成形体と、該箱型樹脂成形体の凹部全体を密閉する
蓋材とを具備する半導体装置を製造するに際して、
融点または軟化点が箱型樹脂成形体を構成している樹脂
の成形温度以上であるシリコン樹脂製の被膜が、リード
フレームと前記箱型樹脂成形体との非接触予定部分に形
成されたリードフレームを金型内に設置した後に、金型
内で樹脂を成形して、リードフレームと一体となった箱
型樹脂成形体を得る工程と、
前工程で得られたリードフレーム付箱型樹脂成形体のリ
ードフレーム上に形成されている、シリコン樹脂からな
る被膜を表面処理することにより除去する工程と、
リードフレームのアイランド部に半導体素子をダイボン
ディングした後、該半導体素子の電極とリードフレーム
とをワイヤーボンディングする工程と、
前記箱型樹脂成形体の凹部に蓋材を接着して箱型樹脂成
形体の凹部全体を密閉する工程とからなることを特徴と
している。Summary of the Invention A method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a semiconductor element, a lead frame, and a bonding wire that electrically connects an electrode of the semiconductor element to the lead frame, and a method in which the semiconductor element is housed. When manufacturing a semiconductor device comprising a box-shaped resin molded body having a concave portion and a lid member that seals the entire concave portion of the box-shaped resin molded body, the melting point or softening point of the box-shaped resin molded body is A silicone resin film whose temperature is higher than the molding temperature of the resin is formed in the non-contact area between the lead frame and the box-shaped resin molded body.After the lead frame is installed in the mold, the resin is A process of molding a box-shaped resin molded body integrated with a lead frame, and a step of molding the box-shaped resin molded body with a lead frame obtained in the previous step, which is made of silicone resin and is formed on the lead frame. a step of removing the film by surface treatment; a step of die-bonding a semiconductor element to the island portion of the lead frame and then wire-bonding the electrode of the semiconductor element to the lead frame; and a recess of the box-shaped resin molded body. The method is characterized by the step of sealing the entire concave portion of the box-shaped resin molded body by bonding a lid material to the box-shaped resin molded body.
このような半導体装置の製造方法によれば、樹脂モール
ド部を損傷させずにリードフレーム上に発生する樹脂の
フラッシュバリを除去して、リードフレームと半導体素
子との電気的接続を良好にすることができるとともに、
多数個の半導体装置についてフラッシュバリの除去処理
か一度に行なえる。According to such a method of manufacturing a semiconductor device, it is possible to remove resin flash burrs generated on the lead frame without damaging the resin mold part and improve electrical connection between the lead frame and the semiconductor element. At the same time,
Flash burr removal processing can be performed on multiple semiconductor devices at once.
発明の詳細な説明
以下、本発明に係る半導体装置の製造方法を図に基づい
て具体的に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION A method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention will be specifically described below with reference to the drawings.
第１図は、本発明に係る製造方法により得られる半導体
装置の構成を表わす概略図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing the structure of a semiconductor device obtained by the manufacturing method according to the present invention.
まず、本発明に係る半導体装置の製造方法の第１工程で
は、リードフレーム２と一体となった箱型樹脂成形体１
をインサート成形法によって得る。First, in the first step of the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, a box-shaped resin molded body 1 integrated with a lead frame 2 is manufactured.
obtained by insert molding method.
本発明では、リードフレーム２を金型内に設置する前、
または設置した後に、リードフレーム２上（表面）であ
って、しかも、リードフレーム２と箱型樹脂成形体１と
の非接触予定の部分２ａ、２ｂおよび２ｃに、シリコン
樹脂からなる被膜を形成させる。その後、金型内に樹脂
を注入し、成形（たとえば射出成形）することにより、
リードフレームと一体となった箱型樹脂成形体１を形成
する。In the present invention, before installing the lead frame 2 in the mold,
Alternatively, after installation, a film made of silicone resin is formed on the lead frame 2 (surface) and on the portions 2a, 2b, and 2c where the lead frame 2 and the box-shaped resin molded body 1 are scheduled to be non-contact. . After that, by injecting resin into the mold and molding (e.g. injection molding),
A box-shaped resin molded body 1 integrated with a lead frame is formed.
このように、本発明では、リードフレーム２と箱型樹脂
成形体１との非接触部分にあらかじめ上記シリコン樹脂
被膜が形成されているリードフレーム２を用いるが、こ
のようなシリコン樹脂製の被膜をリードフレーム２の所
定表面２ａ、２ｂおよび２Ｃに形成するには、例えば、
塗布法、印刷技術を利用した塗設方法などを採用するこ
とができる。Thus, in the present invention, the lead frame 2 is used in which the silicone resin coating is previously formed on the non-contact portion between the lead frame 2 and the box-shaped resin molded body 1. For example, to form on predetermined surfaces 2a, 2b and 2C of lead frame 2,
A coating method, a coating method using printing technology, etc. can be adopted.
塗布、あるいは印刷方法としては、具体的には、スクリ
ーン印刷法あるいはコンピュータ制御方式のデイスペン
サーを用いる方法などが挙げられる。Specific examples of the coating or printing method include a screen printing method and a method using a computer-controlled dispenser.
シリコン樹脂としては、エポキシ基、アルコキシ基等の
反応性基を有する前駆体を含む一液型あるいは二液型の
反応性樹脂あるいはゴム（例えば、ＲＴＶゴム（ＲＴＶ
：Ｒｏｏｍ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｖｕｌｃａ
、ｎｉｚｉｎｇ（室温硬化））、シリコーンワニス、ス
トレートシリコーンワニス、変性用シリコーンワニス、
シリコーンアルキッドワニス、シリコーンエポキシワニ
ス、シリコーンウレタンワニス、シリコーンアクリルワ
ニス、シリコーンポリエステルワニス）等が挙げられる
。The silicone resin may be a one-component or two-component reactive resin containing a precursor having a reactive group such as an epoxy group or an alkoxy group, or a rubber (for example, RTV rubber (RTV
:Room temperature Vulca
, nizing (room temperature curing)), silicone varnish, straight silicone varnish, modified silicone varnish,
silicone alkyd varnish, silicone epoxy varnish, silicone urethane varnish, silicone acrylic varnish, silicone polyester varnish), etc.
これらの中ても二液型ＲＴＶゴムが好ましく用いられ、
このような樹脂を用いると、特に塗布性か良好となり、
成形後に被膜の除去が容易となる傾向がある。Among these, two-component RTV rubber is preferably used,
Using such a resin will result in particularly good coating properties,
The film tends to be easier to remove after molding.
本発明では、硬化前のこれ等の樹脂を塗布、あるいは印
刷等の方法を用いることにより、シリコン樹脂製の被膜
（塗膜）をリードフレーム２の所定表面２ａ、２ｂおよ
び２Ｃに形成した後、通常、５０〜１００℃程度の加熱
、風乾等の操作を加えてこの被膜を硬化させる。In the present invention, after forming a silicone resin film (coating film) on predetermined surfaces 2a, 2b, and 2C of the lead frame 2 by applying these resins before curing or using a method such as printing, Usually, this film is cured by heating at about 50 to 100° C., air drying, and the like.
このようなシリコン樹脂製の被膜は、その融点または軟
化点が箱型樹脂成形体を構成している樹脂の成形温度以
上であることが必要である。このようなシリコン樹脂を
用いると、箱型樹脂成形体を形成する際にシリコン樹脂
被膜が加熱されても、この被膜か剥離しにくいという効
果か得られる。The melting point or softening point of such a silicone resin coating must be higher than the molding temperature of the resin constituting the box-shaped resin molded body. When such a silicone resin is used, an effect can be obtained in that even if the silicone resin coating is heated when forming a box-shaped resin molded body, this coating is difficult to peel off.
本発明では、次いて、このような被膜が形成されている
リードフレームを、前述したように金型内に設置しまた
後、たとえば金型内に樹脂を注入し、射出成形するなと
、金型内で樹脂を成形する５：とにより、リードフレー
ムと一体となった箱型樹脂成形体１を形成する。In the present invention, the lead frame on which such a coating is formed is then placed in a mold as described above, and then, for example, resin is injected into the mold and injection molding is performed. A box-shaped resin molded body 1 integrated with a lead frame is formed by molding the resin in a mold (5).
本発明における箱型樹脂成形体１を構成する樹脂として
は、リードフレーム２との密着性の良い熱硬化性樹脂か
用いられ、具体的には、ビスフェノールＡ型、ノボラッ
ク型、クリシンルアミン型などのエポキシ系樹脂、ポリ
アミノビスマレイミド、ポリピロメリットイミドなとの
イミド系樹脂が用いられる。なお、これらの樹脂には硬
化剤、硬化促進剤、充填剤なとか含まれていてもよい。As the resin constituting the box-shaped resin molded body 1 in the present invention, a thermosetting resin with good adhesion to the lead frame 2 is used. Imide resins such as epoxy resins, polyamino bismaleimide, and polypyromellitimide are used. Note that these resins may contain a curing agent, a curing accelerator, a filler, etc.
本発明において、上記インサート成形の条件は、使用す
る樹脂によっても異なるが、通常、圧力１０〜５００
ｋｇ ／ ｃｄ、温度１５０〜２５０℃の条件で加圧加
熱を行なう。In the present invention, the insert molding conditions described above vary depending on the resin used, but usually the pressure is 10 to 500.
Heating under pressure is performed under the conditions of kg/cd and temperature of 150 to 250°C.
次に、本発明に係る製造方法の第２工程では、前工程で
得られたリードフレーム付箱型樹脂成形体のリードフレ
ーム（表面）上に形成されている、シリコン樹脂からな
る被膜を表面処理することにより除去する。このように
被膜を表面処理するには、超音波処理、ウォータージェ
ット（加圧水噴射）処理、液体ホーニング（液体研摩）
処理、サンドブラスト処理、溶剤処理等の方法が挙げら
れる。これらの表面処理法のうちでは、本発明では、特
にウォータージェット（加圧水噴射）処理あるいは液体
ホーニング（液体研摩）処理による方法でリードフレー
ムに表面処理を施すことが好ましく、これらの方法によ
れば、付着しているシリコン樹脂を有機溶剤で溶解させ
なくとも容易に除去でき、箱型樹脂成形体を形成してい
る樹脂の過度の損失を有効に防止することができる。Next, in the second step of the manufacturing method according to the present invention, the coating made of silicone resin formed on the lead frame (surface) of the box-shaped resin molded body with lead frame obtained in the previous step is subjected to surface treatment. Remove by doing. Surface treatment of coatings in this way includes ultrasonic treatment, water jet (pressurized water jet) treatment, liquid honing (liquid polishing).
Examples include methods such as treatment, sandblasting, and solvent treatment. Among these surface treatment methods, in the present invention, it is particularly preferable to perform surface treatment on the lead frame by water jet (pressurized water jet) treatment or liquid honing (liquid polishing) treatment, and according to these methods, The attached silicone resin can be easily removed without dissolving it with an organic solvent, and excessive loss of the resin forming the box-shaped resin molded body can be effectively prevented.
なお、有機溶剤に浸漬して、リードフレーム２上のシリ
コン樹脂を溶解し除去することもできる。Note that the silicone resin on the lead frame 2 can also be dissolved and removed by immersion in an organic solvent.
本発明においては、インサート成形して箱型樹脂成形体
１を製造する際に発生する樹脂のフラッシュバリは、あ
らかじめリードフレーム２上に塗布あるいは印刷等の方
法により形成されているシリコン樹脂被膜の上に載るこ
とになるか、あるいはこのシリコン樹脂被膜かシール材
の役目をして、バリ発生を押えるため、このり−トフレ
ーム２上のシリコン樹脂を上述したような方法で除去す
れば、樹脂モールド部を損傷させずにフランシュバリを
除去することかできる。In the present invention, resin flash burrs that occur when manufacturing the box-shaped resin molded body 1 by insert molding are removed from the silicone resin coating that has been previously formed on the lead frame 2 by coating or printing. If the silicone resin on the support frame 2 is removed by the method described above, the silicone resin film will act as a sealant to prevent burrs from forming, and the resin mold will be removed. Franche burrs can be removed without damaging the parts.
次に、本発明に係る製造方法の第３工程では、リードフ
レームのアイランド２ａに半導体素子３をダイボンディ
ングした後、該半導体素子３の電極とリードフレーム２
と各ワイヤーホンディングする。Next, in the third step of the manufacturing method according to the present invention, after die bonding the semiconductor element 3 to the island 2a of the lead frame, the electrodes of the semiconductor element 3 and the lead frame 2 are bonded.
and each wire honding.
上記ダイボンディングによりリードフレームのアイラン
ド２ａと半導体素子３とが電気的に接続され、また上記
ワイヤーボンディングにより半導体素子３の電極とリー
ドフレーム２とが金線、アルミニウム線などからなるポ
ンデイクワイヤー４を介して電気的に接続される。The island 2a of the lead frame and the semiconductor element 3 are electrically connected by the die bonding, and the electrode of the semiconductor element 3 and the lead frame 2 are connected to each other by the die bonding. electrically connected through the
本発明においては、上記電気的接続を箱型樹脂成形体１
を成形した後に行なっているため、従来のように、箱型
樹脂成形体１の成形時に半導体素子３か高熱および衝撃
を受けることはなく、したかって半導体素子３はその本
来の機能を保持することかできる。In the present invention, the electrical connection is made to the box-shaped resin molded body 1.
Since this is done after molding the box-shaped resin molded body 1, the semiconductor element 3 is not subjected to high heat and impact during molding of the box-shaped resin molded body 1, and therefore the semiconductor element 3 retains its original function. I can do it.
最後に、本発明に係る製造方法の第４工程では、前記箱
型樹脂成形体］の凹部に蓋材５を接着して箱型樹脂成形
体１の凹部全体を密閉する。Finally, in the fourth step of the manufacturing method according to the present invention, the lid material 5 is adhered to the recess of the box-shaped resin molded object to seal the entire recess of the box-shaped resin molded object 1.
本発明で用いられる蓋材５は、特に限定されず、従来公
知の蓋材を用いることかでき、具体的には、石英ガラス
板、サファイア板、透明アルミナ仮、透明プラスチック
板などの透明蓋材、着色カラス板、アルミナ等のセラミ
ックス板、着色プラスチック板なとの不透明蓋材が挙げ
られる。The lid material 5 used in the present invention is not particularly limited, and conventionally known lid materials can be used. Specifically, transparent lid materials such as a quartz glass plate, a sapphire plate, a transparent alumina temporary plate, a transparent plastic plate, etc. Examples include opaque lid materials such as colored glass plates, ceramic plates such as alumina, and colored plastic plates.
蓋材５を箱型樹脂成形体］に接着する際に用いられる接
着剤としては、反応硬化性接着剤（例：エポキシ系接着
剤、イミド系接着剤）、溶剤分散型接着剤（例ニアクリ
ル系接着剤）などのような種々の形態の接着剤を使用す
るこ・とかできる。Adhesives used to bond the lid material 5 to the box-shaped resin molded body include reaction-curing adhesives (e.g. epoxy adhesives, imide adhesives), solvent-dispersed adhesives (e.g. niacryl-based Various forms of adhesives can be used, such as adhesives.
発明の効果
本発明に係る製造方法によれば、樹脂モールド部を損傷
させることなく、リードフレーム上に発生する樹脂のフ
ラッシュバリをウォータージェット処理、液体ホーニン
グ処理等の簡単な方法で除去して、リードフレームと半
導体素子との電気的接続を良好にする二とができるとと
もに、多数個の半導体装置についてフラッシュバリの除
・表処理を一度に行なうことかできる。Effects of the Invention According to the manufacturing method of the present invention, flash burrs of the resin generated on the lead frame can be removed by a simple method such as water jet treatment or liquid honing treatment without damaging the resin mold part. It is possible to improve the electrical connection between the lead frame and the semiconductor element, and also to perform flash burr removal and surface treatment on a large number of semiconductor devices at the same time.
また、本発明の方法を採用することにより、金型内の清
掃作業を簡略化することもてきるし、さらに条件を設定
することにより、金型をほとんど清掃することなく長期
間に渡り成形操作を継続的に行なうことも可能である。In addition, by adopting the method of the present invention, cleaning work inside the mold can be simplified, and by setting conditions, molding operations can be performed for a long period of time without having to clean the mold. It is also possible to perform this continuously.
また、本発明の方法を利用して製造された半導体装置の
外装も非常に良好になる。Moreover, the exterior of the semiconductor device manufactured using the method of the present invention is also very good.
第１図は、本発明に係る製造方法により得られる半導体
装置の構成を表わす概略図である。
１・・・箱型樹脂成形体
２・・・リードフレーム
２ａ・・・非接触予定部分
（リードフレームのアイランド （パッド部））
２ ｂ・非接触予定部分
（リードフレームの内部リート）
２ｃ・・非接触予定部分
（リードフレームの外部リード）
３・・・半導体素子
４・・・ホンディングワイヤー
５・・・蓋材
特許出願人 三井石油化学工業株式会社代理人 弁
理士 鈴 木 俊一部
第 １ 図FIG. 1 is a schematic diagram showing the structure of a semiconductor device obtained by the manufacturing method according to the present invention. 1... Box-shaped resin molded body 2... Lead frame 2a... Portion scheduled for non-contact (island (pad portion) of lead frame) 2 b. Portion scheduled for non-contact (internal lead frame of lead frame) 2c... Non-contact portion (external lead of lead frame) 3...Semiconductor element 4...Honding wire 5...Lid material Patent applicant Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. Representative Patent attorney Shunichi Suzuki Figure 1
Claims (1)
子の電極とリードフレームとを電気的に接続するボンデ
ィングワイヤーを具備し、かつ、該半導体素子が収容さ
れる凹部を有する箱型樹脂成形体と、該箱型樹脂成形体
の凹部全体を密閉する蓋材とを具備する半導体装置を製
造するに際して、融点または軟化点が箱型樹脂成形体を
構成している樹脂の成形温度以上であるシリコン樹脂製
の被膜が、リードフレームと前記箱型樹脂成形体との非
接触予定部分に形成されてあり、このリードフレームを
金型内に設置した後に、金型内で樹脂を成形して、リー
ドフレームと一体となった箱型樹脂成形体を得る工程と
、 前工程で得られたリードフレーム付箱型樹脂成形体のリ
ードフレーム上に形成されている、シリコン樹脂からな
る被膜を表面処理することにより除去する工程と、 リードフレームのアイランド部に半導体素子をダイボン
ディングした後、該半導体素子の電極とリードフレーム
とをワイヤーボンディングする工程と、 前記箱型樹脂成形体の凹部に蓋材を接着して箱型樹脂成
形体の凹部全体を密閉する工程とからなることを特徴と
する半導体装置の製造方法。（２）シリコン樹脂が室温
硬化型樹脂であることを特徴とする請求項第１項記載の
半導体装置の製造方法。(1) A box-shaped resin molded body that includes a semiconductor element, a lead frame, and a bonding wire that electrically connects the electrodes of the semiconductor element and the lead frame, and has a recess in which the semiconductor element is accommodated; When manufacturing a semiconductor device equipped with a lid material that seals the entire concave portion of the box-shaped resin molded body, a silicone resin product whose melting point or softening point is equal to or higher than the molding temperature of the resin constituting the box-shaped resin molded body is used. A coating is formed on the non-contact portion of the lead frame and the box-shaped resin molded body, and after the lead frame is installed in the mold, the resin is molded in the mold to form the lead frame and the resin molded body. The process of obtaining an integrated box-shaped resin molded body, and the removal of the film made of silicone resin formed on the lead frame of the box-shaped resin molded body with lead frame obtained in the previous process by surface treatment. A step of die-bonding the semiconductor element to the island portion of the lead frame and then wire-bonding the electrode of the semiconductor element and the lead frame; A step of bonding a lid material to the recess of the box-shaped resin molded body to form a box. 1. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising the step of sealing the entire concave portion of a resin molded body. (2) The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the silicone resin is a room temperature curable resin.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33187990A JPH04199661A (en) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | Manufacture of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33187990A JPH04199661A (en) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | Manufacture of semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04199661A true JPH04199661A (en) | 1992-07-20 |
Family
ID=18248650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33187990A Pending JPH04199661A (en) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | Manufacture of semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04199661A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5483740A (en) * | 1994-05-26 | 1996-01-16 | Ak Technology, Inc. | Method of making homogeneous thermoplastic semi-conductor chip carrier package |
| US6353257B1 (en) * | 2000-05-19 | 2002-03-05 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Semiconductor package configuration based on lead frame having recessed and shouldered portions for flash prevention |
| JP2010232243A (en) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Renesas Electronics Corp | Method for manufacturing semiconductor device |
-
1990
- 1990-11-29 JP JP33187990A patent/JPH04199661A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5483740A (en) * | 1994-05-26 | 1996-01-16 | Ak Technology, Inc. | Method of making homogeneous thermoplastic semi-conductor chip carrier package |
| US6353257B1 (en) * | 2000-05-19 | 2002-03-05 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Semiconductor package configuration based on lead frame having recessed and shouldered portions for flash prevention |
| JP2010232243A (en) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Renesas Electronics Corp | Method for manufacturing semiconductor device |
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