JP2668727B2 - Mold for molding box-shaped resin molded article and method of manufacturing semiconductor device using this mold - Google Patents

Mold for molding box-shaped resin molded article and method of manufacturing semiconductor device using this mold

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JP2668727B2
JP2668727B2 JP4387389A JP4387389A JP2668727B2 JP 2668727 B2 JP2668727 B2 JP 2668727B2 JP 4387389 A JP4387389 A JP 4387389A JP 4387389 A JP4387389 A JP 4387389A JP 2668727 B2 JP2668727 B2 JP 2668727B2
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resin molded
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forming
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茂 片山
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三井石油化学工業株式会社
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Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は、箱型樹脂成形体成形用金型およびこの金型
を用いた半導体装置の製造方法に関し、さらに詳しく
は、半導体装置を構成するリードフレーム上に、箱型樹
脂成形体を構成する樹脂のフラッシュバリの発生を防止
することができるリードフレーム付箱型樹脂成形体成形
用金型、およびこの金型を用いることによって、リード
フレームと半導体素子との電気的接続を良好にする気密
封止式半導体装置の製造方法に関する。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a mold for molding a box-shaped resin molded product and a method of manufacturing a semiconductor device using the mold, and more particularly, to a method for manufacturing a semiconductor device using a lead frame. In addition, a mold for molding a box-shaped resin molded product with a lead frame capable of preventing the occurrence of flash burrs of the resin constituting the box-shaped resin molded product, and by using this mold, a lead frame and a semiconductor element can be formed. The present invention relates to a method for manufacturing a hermetically sealed semiconductor device, which makes good electrical connection of the device.

発明の技術的背景ならびにその問題点 箱型中空樹脂成形体、リードフレーム、半導体チッ
プ、ボンディングワイヤーおよび蓋材からなる気密封止
式の半導体装置の製造方法において、従来、箱型中空樹
脂成形体を成形する際には、リードフレームを金型内に
埋込んだ後、この金型内で樹脂を射出成形やトランスフ
ァー成形することにより、リードフレームと箱型中空樹
脂成形体とを一体化する、いわゆるインサート成形を行
なうのが一般的である。
Technical background of the invention and its problems In a method of manufacturing a hermetically sealed semiconductor device comprising a box-shaped hollow resin molded product, a lead frame, a semiconductor chip, a bonding wire and a lid member, a conventional method is to use a box-shaped hollow resin molded product. When molding, after embedding the lead frame in the mold, by injection molding or transfer molding the resin in this mold, the lead frame and the box-shaped hollow resin molded body are integrated, so-called Generally, insert molding is performed.

しかしながら、このようなインサート成形では、リー
ドフレームの表面に樹脂のフラッシュバリが発生するた
め、リードフレームと半導体素子との電気的接続が容易
に行なうことができないという問題点があった。
However, in such insert molding, since flash burrs of the resin occur on the surface of the lead frame, there has been a problem that electrical connection between the lead frame and the semiconductor element cannot be easily performed.

この問題点を解消するために、従来、あらかじめリー
ドフレーム上に半導体素子を電気的に接続した後、樹脂
成形する方法が一般に採用されている。
In order to solve this problem, a method in which a semiconductor element is electrically connected on a lead frame in advance and then molded with resin has been generally adopted.

しかしながら、この方法では、成形時に半導体素子が
高熱および衝撃を受けるため、半導体素子の機能が損わ
れ易いという問題点があった。
However, this method has a problem that the function of the semiconductor element is easily deteriorated because the semiconductor element receives high heat and impact during molding.

また、上記フラッシュバリを除去してリードフレーム
と半導体素子との電気的接続を容易にする方法が試みら
れている。たとえば砥粒を用いてフラッシュバリを除去
するブラスト方法、薬品を用いてフラッシュバリを溶解
剥離する方法、液体を高圧噴射してフラッシュバリを除
去する方法(特開昭60−1502033号公報)がある。
Further, a method has been attempted in which the flash burrs are removed to facilitate electrical connection between the lead frame and the semiconductor element. For example, there are a blast method for removing flash burrs using abrasive grains, a method for dissolving and removing flash burrs using chemicals, and a method for removing flash burrs by injecting a high-pressure liquid (Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-1502033). .

しかしながら、上記ブラスト方法では、樹脂モールド
部の表面が損傷するため、樹脂モールド部分の表面をマ
スキングしなければならず、製造工程が複雑になるとい
う問題点があった。また、薬品を用いる方法では、フラ
ッシュバリを剥離させることは可能であっても、完全に
フラッシュバリを取除くことができず、さらにブラッシ
ングなどを行なう必要があるため、樹脂モールド部の表
面が損傷し、上記ブラスト法と同様の問題点があった。
また、液体を高圧噴射する方法では、リードフレームの
表裏面に付着しているフラッシュバリを除去しなければ
ならないため、噴射ノズルを2個具備する複雑な構造を
有する高圧液体噴射装置を必要とするという問題点があ
った。
However, in the above blast method, since the surface of the resin mold portion is damaged, the surface of the resin mold portion must be masked, and there is a problem that the manufacturing process becomes complicated. Also, in the method using chemicals, even though flash burrs can be removed, the flash burrs cannot be completely removed, and furthermore, brushing or the like must be performed. However, there is a problem similar to the blast method.
Further, in the method of injecting a liquid at a high pressure, it is necessary to remove flash burrs adhering to the front and back surfaces of the lead frame. Therefore, a high-pressure liquid ejecting apparatus having a complicated structure including two ejection nozzles is required. There was a problem.

発明の目的 本発明は、上記のような問題点を解決しようとするも
のであって、半導体装置を構成するリードフレーム上
に、箱型樹脂成形体を構成する樹脂のフラッシュバリの
発生を防止することができるリードフレーム付箱型樹脂
成形体成形用金型、およびこの金型を用いることによっ
て、リードフレームと半導体素子との電気的接続を良好
にする気密封止式半導体装置の製造方法を提供すること
を目的としている。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, and to prevent the generation of flash burrs of a resin constituting a box-shaped resin molded product on a lead frame constituting a semiconductor device. Provided is a mold for molding a box-shaped resin molded body with a lead frame, and a method for manufacturing a hermetically sealed semiconductor device that improves electrical connection between a lead frame and a semiconductor element by using the mold. The purpose is to do.

発明の概要 本発明に係る箱型樹脂成形体成形用金型は、半導体装
置を構成するリードフレーム付箱型樹脂成形体を製造す
る際に用いられる成形用金型であって、 該成形用金型における箱型樹脂成形体の中空部形成用
突出部がパーティングフェイスから突出し、該中空部形
成用突出部におけるリードフレームのアイランドとの接
触予定面がパーティングフェイスと平行な平面であり、
かつ該中空部形成用突出部におけるリードフレームの内
部リードとの接触予定面がテーパー状に設けられている
ことを特徴としている。
SUMMARY OF THE INVENTION A mold for molding a box-shaped resin molded product according to the present invention is a molding die used when manufacturing a box-shaped resin molded product with a lead frame constituting a semiconductor device. The projection for forming a hollow portion of the box-shaped resin molded product in the mold projects from the parting face, and the surface to be contacted with the island of the lead frame in the projection for forming the hollow portion is a plane parallel to the parting face,
Further, the surface of the hollow portion forming projection that is to be in contact with the internal lead of the lead frame is provided in a tapered shape.

本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体素子、
リードフレーム、および該半導体素子の電極とリードフ
レームとを電気的に接続するボンディングワイヤーを具
備し、かつ、該半導体素子が収容される凹部を有する箱
型樹脂成形体と、該箱型樹脂成形体の凹部全体を密閉す
る蓋材とを具備する半導体装置を製造するに際して、 成形用金型における箱型樹脂成形体の中空部形成用突
出部がパーティングフェイスから突出し、該中空部形成
用突出部におけるリードフレームのアイランドとの接触
予定面がパーティングフェイスと平行な平面であり、か
つ該中空部形成用突出部におけるリードフレームの内部
リードとの接触予定面がテーパー状に設けられている金
型内に、リードフレームを設置した状態で樹脂を加圧注
入して、リードフレームと一体となった箱型樹脂成形体
を得る工程と、 リードフレームのアイランドに半導体素子をダイボン
ディングした後、該半導体素子の電極とリードフレーム
とをワイヤーボンディングする工程と、 前記箱型樹脂成形体の凹部に蓋材を接着して箱型樹脂
成形体の凹部全体を密閉する工程とからなることを特徴
としている。
A method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, a semiconductor element,
A box-shaped resin molded body having a lead frame, a bonding wire for electrically connecting the electrode of the semiconductor element and the lead frame, and having a recess for accommodating the semiconductor element, and the box-shaped resin molded body When manufacturing a semiconductor device including a lid member for sealing the entire concave portion, the hollow portion forming protrusion of the box-shaped resin molding in the molding die protrudes from the parting face, and the hollow portion forming protrusion is formed. A die in which the surface of the lead frame to be contacted with the island is a plane parallel to the parting face, and the surface of the hollow portion forming projection that is to be contacted with the inner lead of the lead frame is tapered. A step of injecting resin under pressure with a lead frame installed therein to obtain a box-shaped resin molded body integrated with the lead frame; A step of wire-bonding a semiconductor device to the island of the frame and then wire-bonding the electrodes of the semiconductor element and the lead frame; It is characterized in that it comprises a step of sealing the whole.

発明の具体的説明 以下、本発明に係る箱型樹脂成形体成形用金型および
この金型を用いた半導体装置の製造方法を図に基づいて
具体的に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Hereinafter, a box-shaped resin molded body molding die according to the present invention and a semiconductor device manufacturing method using the die will be specifically described with reference to the drawings.

第1図は、本発明に係る箱型樹脂成形体成形用金型を
用いた半導体装置の製造方法における一工程概略図であ
り、第2図は、本発明に係る箱型樹脂成形体成形用金型
のうち、箱型樹脂成形体の中空部形成用突出部を有する
金型の断面説明図であり、第3図は、本発明に係る製造
方法により得られる半導体装置の構成を表わす概略図で
ある。
FIG. 1 is a schematic view of one step in a method of manufacturing a semiconductor device using a mold for molding a box-shaped resin molded product according to the present invention, and FIG. FIG. 3 is an explanatory cross-sectional view of a mold having a protrusion for forming a hollow portion of a box-shaped resin molded body, of which FIG. 3 is a schematic view showing a configuration of a semiconductor device obtained by a manufacturing method according to the present invention. Is.

まず、本発明に係る半導体装置の製造方法の第1工程
では、リードフレーム2と一体となった箱型樹脂成形体
1をインサート成形法によって得る。その際に本発明で
は、第1図、第2図に示すような成形用金型3a,3b、す
なわち箱型樹脂成形体1の中空部形成用突出部4がパー
ティングフェイス5から突出し、該中空部形成用突出部
4におけるリードフレームのアイランド2aとの接触予定
面がパーティングフェイス5と平行な平面であり、かつ
該中空部形成用突出部4におけるリードフレームの内部
リード2bとの接触予定面がテーパー状に設けられている
金型を用いる。本発明で用いられる成形用金型3aにおけ
る中空部形成用突出部4の最適寸法は、リードフレーム
2の材質、形状等により異なるが、概ね以下のような範
囲にある。すなわち、上記中空部形成用突出部4におけ
るリードフレームのアイランド2aとの接触予定面のパー
ティングフェイス5からの突出差Aが10〜100μmであ
り、中空部形成用突出部4の側面角部のパーティングフ
ェイスからの突出差Bが5〜50μmである。
First, in the first step of the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, the box-shaped resin molded body 1 integrated with the lead frame 2 is obtained by the insert molding method. At this time, in the present invention, the molding dies 3a and 3b as shown in FIGS. 1 and 2, that is, the projections 4 for forming the hollow portion of the box-shaped resin molded article 1 project from the parting face 5, and The surface of the hollow portion forming protrusion 4 that is to be in contact with the island 2a of the lead frame is a plane parallel to the parting face 5, and the hollow portion forming protrusion 4 is to be in contact with the lead 2b of the lead frame. A die whose surface is tapered is used. The optimum size of the hollow portion forming projection 4 in the molding die 3a used in the present invention varies depending on the material, shape, etc. of the lead frame 2, but is generally in the following range. That is, the protrusion difference A from the parting face 5 of the surface to be in contact with the island 2a of the lead frame in the hollow portion forming protrusion 4 is 10 to 100 μm, and the side surface corner portion of the hollow portion forming protrusion 4 is The protrusion difference B from the parting face is 5 to 50 μm.

本発明では、上記のような金型3a,3b内にリードフレ
ーム2を設置した状態で樹脂を注入し、射出成形する。
In the present invention, a resin is injected and injection-molded in a state where the lead frame 2 is installed in the molds 3a and 3b as described above.

本発明においては、上記のような箱型樹脂成形体の中
空部形成用突出部4を有する金型3aを用いることによっ
て、リードフレーム2の弾性を利用してリードフレーム
のアイランド2aおよび内部リード2bを該金型3aに密着さ
せ、次いで、樹脂を金型内に注入して成形するので、得
られる箱型樹脂成形体1の凹部内のリードフレーム2、
すなわちアイランド2aおよび内部リード2b上に、樹脂の
フラッシュバリが発生することはない。また本発明に係
る半導体装置の製造方法では、リードフレーム2に前処
理する必要がない。
In the present invention, the use of the mold 3a having the projecting portion 4 for forming the hollow portion of the box-shaped resin molded body as described above allows the lead frame island 2a and the internal lead 2b to be utilized by utilizing the elasticity of the lead frame 2. Is closely adhered to the mold 3a, and then resin is injected into the mold for molding, so that the lead frame 2 in the recess of the obtained box-shaped resin molded body 1,
That is, flash burrs of the resin do not occur on the island 2a and the internal leads 2b. Further, in the semiconductor device manufacturing method according to the present invention, it is not necessary to pretreat the lead frame 2.

本発明における箱型樹脂成形体1を構成する樹脂は、
耐熱性樹脂であり、具体的には、エポキシ樹脂、ポリイ
ミド樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、
シリコーン樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリフェニレンサ
ルファイド(PPS)、ポリブチレンテレフタレート(PB
T)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエーテルエー
テルケトン(PEEK)、液晶ポリマー、ポリアミドイミド
などの熱可塑性樹脂が用いられ、硬化剤、硬化促進剤、
充填剤なども含む。
The resin forming the box-shaped resin molded body 1 in the present invention is
It is a heat-resistant resin, specifically, an epoxy resin, a polyimide resin, a phenol resin, an unsaturated polyester resin,
Thermosetting resin such as silicone resin, polyphenylene sulfide (PPS), polybutylene terephthalate (PB
T), polyether sulfone (PES), polyether ether ketone (PEEK), liquid crystal polymer, polyamide imide, and other thermoplastic resins are used, and curing agents, curing accelerators,
Also includes fillers and the like.

本発明において、上記インサート成形の条件は、使用
する樹脂によっても異なるが、通常、圧力10〜500kg/cm
2、温度100〜250℃の条件で加圧加熱を行なう。
In the present invention, the conditions for the insert molding are different depending on the resin used, but usually, the pressure is 10 to 500 kg / cm.
2. Pressurized and heated at a temperature of 100 to 250 ° C.

次に、本発明に係る製造方法の第2工程では、リード
フレームのアイランド2aに半導体素子6をダイボンディ
ングした後、該半導体素子6の電極とリードフレーム2
とをワイヤーボンディングする。
Next, in the second step of the manufacturing method according to the present invention, after the semiconductor element 6 is die-bonded to the island 2a of the lead frame, the electrode of the semiconductor element 6 and the lead frame 2 are
And wire bonding.

上記半導体素子6としては、具体的には、DRAM、SRA
M、ROMなどのメモリー素子、CCDイメージセンサー、MOS
イメージセンサーなどのイメージセンサー素子が挙げら
れる。
Specific examples of the semiconductor element 6 include DRAM and SRA.
Memory elements such as M and ROM, CCD image sensor, MOS
An image sensor element such as an image sensor can be used.

上記ダイボンディングによりリードフレームのアイラ
ンド2aと半導体素子6とが電気的に接続され、また上記
ワイヤーボンディングにより半導体素子6の電極とリー
ドフレーム2とが金線、アルミニウム線などからなるボ
ンディングワイヤー7を介して電気的に接続される。
The island 2a of the lead frame is electrically connected to the semiconductor element 6 by the die bonding, and the electrode of the semiconductor element 6 and the lead frame 2 are connected by the wire bonding via the bonding wire 7 made of a gold wire, an aluminum wire, or the like. Are electrically connected.

本発明においては、上記電気的接続を箱型樹脂成形体
1を成形した後に行なっているため、従来のように、箱
型樹脂成形体1の成形時に半導体素子6が高熱および衝
撃を受けることはなく、したがって半導体素子6はその
本来の機能を保持することができる。
In the present invention, since the electrical connection is performed after the box-shaped resin molded body 1 is formed, the semiconductor element 6 is not subject to high heat and impact when the box-shaped resin molded body 1 is formed as in the related art. Therefore, the semiconductor element 6 can retain its original function.

最後に、本発明に係る製造方法の第3工程では、前記
箱型樹脂成形体1の凹部に蓋材8を接着して箱型樹脂成
形体1の凹部全体を密閉する。
Finally, in the third step of the manufacturing method according to the present invention, the lid member 8 is adhered to the concave portion of the box-shaped resin molded body 1 to seal the entire concave portion of the box-shaped resin molded body 1.

本発明で用いられる蓋材8は、特に限定されず、従来
公知の蓋材を用いることができ、具体的には、石英ガラ
ス板、サファイア板、透明アルミナ板、透明プラスチッ
ク板などの透明蓋材、着色ガラス板、アルミナ等のセラ
ミックス板、着色プラスチック板などの不透明蓋材が挙
げられる。
The lid 8 used in the present invention is not particularly limited, and a conventionally known lid can be used. Specifically, a transparent lid such as a quartz glass plate, a sapphire plate, a transparent alumina plate, or a transparent plastic plate can be used. And opaque lids such as colored glass plates, ceramic plates such as alumina, and colored plastic plates.

本発明において、上記のような蓋材8を箱型樹脂成形
体1に接着する際に用いられる接着剤としては、エポキ
シ系接着剤、イミド系接着剤、アクリル系接着剤などが
挙げられる。
In the present invention, examples of the adhesive used for bonding the lid member 8 to the box-shaped resin molded body 1 include an epoxy-based adhesive, an imide-based adhesive, and an acrylic-based adhesive.

発明の効果 本発明に係る製造方法によれば、 成形用金型における箱型樹脂成形体の中空部形成用突
出部がパーティングフェイスから突出し、該中空部形成
用突出部におけるリードフレームのアイランドとの接触
予定面がパーティングフェイスと平行な平面であり、か
つ該中空部形成用突出部におけるリードフレームの内部
リードとの接触予定面がテーパー状に設けられている金
型内に、リードフレームを設置した状態で樹脂を加圧注
入して、リードフレームと一体となった箱型樹脂成形体
を得る工程を経て、半導体素子とリードフレームのアイ
ランドとの間および半導体素子の電極とリードフレーム
との間を電気的に接続して半導体装置を製造するので、
樹脂モールド部を損傷させることなくリードフレーム上
における樹脂のフラッシュバリの発生を容易に防止する
ことができ、リードフレームと半導体素子との電気的接
続を良好にすることができるという効果がある。
Effect of the Invention According to the manufacturing method of the present invention, the protrusion for forming the hollow portion of the box-shaped resin molded product in the molding die projects from the parting face, and the island of the lead frame in the protrusion for forming the hollow portion is The lead frame is placed in a mold in which the surface to be contacted with the parting face is a plane parallel to the parting face, and the surface to be contacted with the internal lead of the lead frame in the projection for forming the hollow portion is tapered. The resin is pressure-injected in the installed state, and through a step of obtaining a box-shaped resin molded body integrated with the lead frame, the gap between the semiconductor element and the island of the lead frame and between the electrode of the semiconductor element and the lead frame. Since the semiconductor device is manufactured by electrically connecting the two,
There is an effect that it is possible to easily prevent the flash flash of the resin on the lead frame without damaging the resin mold portion, and to improve the electrical connection between the lead frame and the semiconductor element.

また、本発明に係る半導体装置の製造方法では、上記
のような金型を用いるので、リードフレームに前処理を
施す工程を必要とせず、製造工程が簡素化されている。
Further, in the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, since the mold as described above is used, the manufacturing process is simplified without requiring the step of pretreating the lead frame.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は、本発明に係る箱型樹脂成形体成形用金型を用
いた半導体装置の製造方法における一工程概略図であ
り、第2図は、本発明に係る箱型樹脂成形体成形用金型
のうち、中空部形成用突出部を有する金型の断面説明図
であり、第3図は、本発明に係る製造方法により得られ
る半導体装置の構成を表わす概略図である。 1……箱型樹脂成形体 2……リードフレーム 2a……接触予定部分(リードフレームのアイランド) 2b……接触予定部分(リードフレームの内部リード) 2c……接触予定部分(リードフレームの外部リード) 3a,3b……射出成形用金型 4……中空部形成用突出部 5……パーティングフェイス 6……半導体素子 7……ボンディングワイヤー 8……蓋材
FIG. 1 is a schematic view of one step in a method of manufacturing a semiconductor device using a mold for molding a box-shaped resin molded product according to the present invention, and FIG. FIG. 3 is a cross-sectional explanatory view of a die having a hollow portion forming protrusion of the die, and FIG. 3 is a schematic diagram showing a configuration of a semiconductor device obtained by a manufacturing method according to the present invention. 1 ... box-shaped resin molded body 2 ... lead frame 2a ... contact planned portion (lead frame island) 2b ... contact planned portion (internal lead frame lead) 2c ... contact planned portion (lead frame external lead) 3a, 3b: Mold for injection molding 4: Protrusion for forming hollow part 5: Parting face 6: Semiconductor element 7: Bonding wire 8: Lid material

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】半導体装置を構成するリードフレーム付箱
型樹脂成形体を製造する際に用いられる成形用金型であ
って、 該成形用金型における箱型樹脂成形体の中空部形成用突
出部がパーティングフェイスから突出し、該中空部形成
用突出部におけるリードフレームのアイランドとの接触
予定面がパーティングフェイスと平行な平面であり、か
つ該中空部形成用突出部におけるリードフレームの内部
リードとの接触予定面がテーパー状に設けられているこ
とを特徴とする箱型樹脂成形体成形用金型。
1. A molding die used for manufacturing a box-shaped resin molded product with a lead frame which constitutes a semiconductor device, wherein a projection for forming a hollow portion of the box-shaped resin molded product in the molding die is provided. The part protrudes from the parting face, the surface of the hollow part forming projection that is to come into contact with the island of the lead frame is a plane parallel to the parting face, and the internal lead of the lead frame at the hollow part forming projection is A surface-contacting surface is provided in a tapered shape.
【請求項2】前記中空部形成用突出部におけるリードフ
レームのアイランドとの接触予定面のパーティングフェ
イスからの突出差が10〜100μmであり、かつ前記中空
部形成用突出部の側面角部のパーティングフェイスから
の突出差が5〜50μmであることを特徴とする請求項第
1項に記載の箱型樹脂成形体成形用金型。
2. The protrusion difference between the parting face of the surface of the lead frame to be contacted with the island in the protrusion for forming the hollow portion from the parting face is 10 to 100 μm, and the side surface corner of the protrusion for forming the hollow portion is formed. The box-shaped resin molded body molding die according to claim 1, wherein a protrusion difference from the parting face is 5 to 50 μm.
【請求項3】半導体素子、リードフレーム、および該半
導体素子の電極とリードフレームとを電気的に接続する
ボンディングワイヤーを具備し、かつ、該半導体素子が
収容される凹部を有する箱型樹脂成形体と、該箱型樹脂
成形体の凹部全体を密閉する蓋材とを具備する半導体装
置を製造するに際して、 成形用金型における箱型樹脂成形体の中空部形成用突出
部がパーティングフェイスから突出し、該中空部形成用
突出部におけるリードフレームのアイランドとの接触予
定面がパーティングフェイスと平行な平面であり、かつ
該中空部形成用突出部におけるリードフレームの内部リ
ードとの接触予定面がテーパー状に設けられている金型
内に、リードフレームを設置した状態で樹脂を加圧注入
して、リードフレームと一体となった箱型樹脂成形体を
得る工程と、 リードフレームのアイランドに半導体素子をダイボンデ
ィングした後、該半導体素子の電極とリードフレームと
をワイヤーボンディングする工程と、 前記箱型樹脂成形体の凹部に蓋材を接着して箱型樹脂成
形体の凹部全体を密閉する工程とからなることを特徴と
する半導体装置の製造方法。
3. A box-shaped resin molded article comprising a semiconductor element, a lead frame, and a bonding wire for electrically connecting an electrode of the semiconductor element and the lead frame, and having a recess for accommodating the semiconductor element. When manufacturing a semiconductor device comprising: and a lid member for sealing the entire concave portion of the box-shaped resin molded product, the hollow-portion-forming projection of the box-shaped resin molded product in the molding die protrudes from the parting face. The surface of the hollow portion forming projection that is to contact the island of the lead frame is a plane parallel to the parting face, and the surface of the hollow portion forming projection that is to contact the internal lead of the lead frame is tapered. The resin is pressurized and injected into the mold provided in the shape of the lead frame with the lead frame installed. A step of obtaining a shape, a step of die-bonding a semiconductor element to an island of a lead frame, a step of wire-bonding an electrode of the semiconductor element and a lead frame, Sealing the entire recess of the box-shaped resin molded product.
【請求項4】前記中空部形成用突出部におけるリードフ
レームのアイランドとの接触予定面のパーティングフェ
イスからの突出差が10〜100μmであり、かつ前記中空
部形成用突出部の側面角部のパーティングフェイスから
の突出差が5〜50μmである射出成形用金型を用いるこ
とを特徴とする請求項第3項に記載の半導体装置の製造
方法。
4. A difference in projection between a parting face of the surface of the lead frame and the surface of the lead frame which is to come into contact with the island in the projection for forming a hollow portion is 10 to 100 μm, and a corner of a side surface of the projection for forming the hollow portion is formed. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 3, wherein an injection molding die having a protrusion difference from the parting face of 5 to 50 μm is used.
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