JP2810309B2 - Method for producing box-shaped resin molded product for semiconductor device - Google Patents

Method for producing box-shaped resin molded product for semiconductor device

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JP2810309B2
JP2810309B2 JP32821993A JP32821993A JP2810309B2 JP 2810309 B2 JP2810309 B2 JP 2810309B2 JP 32821993 A JP32821993 A JP 32821993A JP 32821993 A JP32821993 A JP 32821993A JP 2810309 B2 JP2810309 B2 JP 2810309B2
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semiconductor device
lead frame
resin molded
box
molded product
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研二 桑畑
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Mitsui Chemicals Inc
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置用箱型樹脂
成形体の製造方法に関するものであり、より詳しくは、
リードフレームを金型にインサートして半導体装置用箱
型樹脂成形体とリードフレームとを一体成形する際に、
リードフレーム上、特に、リードフレームと、半導体装
置用箱型樹脂成形体のスペースを形成する壁面とが交差
する部位に発生するフラッシュバリを、成形体に何らの
損傷も与えずに、効率的に除去し、高品質の半導体装置
用箱型樹脂成形体を製造する方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing a box-shaped resin molded product for a semiconductor device.
When the lead frame is inserted into a mold and the box-shaped resin molded body for semiconductor device and the lead frame are integrally molded,
The flash burrs generated on the lead frame, especially at the intersection of the lead frame and the wall surface forming the space of the box-shaped resin molded product for semiconductor devices, can be efficiently removed without causing any damage to the molded product. The present invention relates to a method for producing a high-quality box-shaped resin molded product for a semiconductor device by removing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術およびその問題点】IC、LSIなどの半
導体素子は、周囲の温度や湿度の変化、あるいは微細な
ゴミやほこりに影響され、その特性が微妙に変化してし
まうことや、機械的衝撃によって破損し易いことなどの
理由で、パッケージ内に封止された状態で使用に供され
ている。
2. Description of the Related Art Semiconductor elements such as ICs and LSIs are affected by changes in ambient temperature and humidity, or by minute dust and dust, and their characteristics are delicately changed. Because it is easily damaged by impact, it is used in a state sealed in a package.

【0003】パッケージ方式としては、大別して気密封
止方式と樹脂封止方式とがある。気密封止方式では、一
般にはセラミックスが用いられているが、熱硬化性樹脂
を用いることも試みられている。熱硬化性樹脂を用いる
場合には、リードフレームの一部を構成すると共に、樹
脂中空封止体(半導体装置用箱型樹脂成形体)の中央部
に設けられたリードフレームのアイランド部に接着剤に
よって固着された半導体素子は、インサート成形によっ
て半導体装置用樹脂成形体内に封入され、その両端がパ
ッケージの内側と外側に解放されたリードフレームと、
ボンディングワイヤーによって連結されている。
The package system is roughly classified into a hermetic sealing system and a resin sealing system. In the hermetic sealing system, ceramics are generally used, but attempts have been made to use thermosetting resins. When a thermosetting resin is used, a part of the lead frame is formed, and an adhesive is attached to an island portion of the lead frame provided at the center of the resin hollow sealing body (box-shaped resin molded body for a semiconductor device). The semiconductor element fixed by the above is encapsulated in a resin molding for a semiconductor device by insert molding, and a lead frame whose both ends are opened to the inside and outside of the package,
They are connected by bonding wires.

【0004】ところで、リードフレームと半導体装置用
箱型樹脂成形体との一体成形は、金型内にリードフレー
ムをインサートした後、この金型内で熱硬化性樹脂を射
出成形あるいはトランスファー成形することによりなさ
れる。
By the way, the integral molding of a lead frame and a box-shaped resin molded body for a semiconductor device is performed by inserting a lead frame into a mold and then injection molding or transfer molding a thermosetting resin in the mold. Made by

【0005】しかしながら、この成形方法においては、
リードフレームにおける半導体装置用箱型樹脂成形体内
に位置する部位の表面、特にリードフレームにおける半
導体装置用箱型樹脂成形体内に位置する部位が、半導体
装置用箱型樹脂成形体のスペースを形成する壁部の内面
と交わる部位に、樹脂のフラッシュバリが発生し、リー
ドフレームと半導体素子との電気的接続を妨げるという
問題があった。さらに、フラッシュバリが電気的接続を
妨げない小さなものであっても、微細なゴミの混入さえ
嫌う半導体装置にとっては、このようなフラッシュバリ
は完全に除去しなければならない。
However, in this molding method,
The surface of the portion of the lead frame located in the box-shaped resin molded body for semiconductor device, particularly the portion of the lead frame located in the box-shaped resin molded body for semiconductor device is a wall forming a space of the box-shaped resin molded body for semiconductor device. There is a problem that flash burrs of the resin occur at a portion intersecting with the inner surface of the portion, thereby preventing electrical connection between the lead frame and the semiconductor element. Furthermore, even if the flash burrs are small ones that do not hinder the electrical connection, such flash burrs must be completely removed for a semiconductor device that does not want to mix fine dust.

【0006】従来、このようなフラッシュバリを除去す
る方法としては、例えば、砥粒を用いるブラスト法、薬
品を用いてフラッシュバリを溶解剥離する方法、あるい
は液体を高圧噴射してフラッシュバリを除去する方法な
どが知られている。しかしながら、上記ブラスト方法で
は、樹脂モールド部の表面が砥粒との摩擦によって損傷
するため、樹脂モールド部分の表面をマスキングしなけ
ればならず、製造工程が複雑になるという問題があっ
た。また薬品を用いる方法では、フラッシュバリを剥離
することはできても、完全に取り除くことが極めて困難
であり、さらに、超音波洗浄などを行う必要があるた
め、樹脂モールド部の表面が損傷し、上記ブラスト法と
同様に製造工程が複雑になるという問題があった。
Conventionally, methods for removing such flash burrs include, for example, a blast method using abrasive grains, a method for dissolving and removing flash burrs using chemicals, and a method for removing flash burrs by injecting a high-pressure liquid. Methods are known. However, in the above blast method, since the surface of the resin mold portion is damaged by friction with the abrasive grains, the surface of the resin mold portion must be masked, and there is a problem that the manufacturing process becomes complicated. Also, in the method using chemicals, even though flash burrs can be removed, it is extremely difficult to completely remove them, and furthermore, since ultrasonic cleaning and the like must be performed, the surface of the resin mold portion is damaged, There is a problem that the manufacturing process becomes complicated similarly to the above-mentioned blast method.

【0007】また、液体を高圧噴射する方法では、リー
ドフレームに付着しているフラッシュバリを除去するた
めには、半導体装置用箱型樹脂成形体のフラッシュバリ
が形成された部位に、100Kg/cm2 以上もの高圧
液体を噴射する必要があり、そのため、樹脂モールド部
にクラックが生じ易いという問題があった。
In the method of injecting a liquid at a high pressure, the flash burr adhering to the lead frame is removed by removing 100 kg / cm from a portion of the box-shaped resin molded body for a semiconductor device where the flash burr is formed. It is necessary to inject two or more high-pressure liquids, which causes a problem that cracks are easily generated in the resin mold portion.

【0008】本発明者らは、前記フラッシュバリの除去
方法について、研究を重ねてきたところであり、すで
に、インサート成形前のリードフレームの露出部分、す
なわち、半導体装置用箱型樹脂成形体と接触しない部分
に、融点または軟化点が、該封止体の成形温度以上であ
って、かつ該封止体を溶解することのない溶媒に可溶な
有機高分子物質を塗布しておき、このリードフレームを
金型内に設置した状態で、樹脂を射出またはトランスフ
ァー成形によって一体成形し、得られた樹脂中空封止体
を前記溶媒に浸してリードフレームの有機高分子物質を
溶解除去することによって、その上面に発生したフラッ
シュバリを同時に除去する方法を先に開発し、特許出願
をしている(特開平2−51260号公報参照)。
The present inventors have been studying the flash burr removing method, and do not come into contact with the exposed portion of the lead frame before insert molding, that is, the box-shaped resin molded product for a semiconductor device. An organic polymer substance having a melting point or softening point equal to or higher than the molding temperature of the sealing body and soluble in a solvent that does not dissolve the sealing body is applied to the portion, and the lead frame is In a state of being set in the mold, the resin is integrally molded by injection or transfer molding, and the obtained resin hollow sealing body is immersed in the solvent to dissolve and remove the organic polymer substance of the lead frame. A method for simultaneously removing flash burrs generated on the upper surface has been previously developed and a patent application has been filed (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-51260).

【0009】本発明者らは、前記発明をさらに改良する
過程において、さらに簡単な手段で、確実にフラッシュ
バリのみを除去する方法について研究を継続してきたと
ころ、新たに、成形用金型における半導体装置用箱型樹
脂成形体の中空部成形用突出部のうち、少なくともリー
ドフレームと内部リード部との接触予定表面(内部リー
ド部と接触されるべき表面)を粗面化することにより半
導体装置用箱型樹脂成形体の内部リード部のフラッシュ
バリ表面に凹凸が成形されるという知見を得、さらに、
この凹凸部に、高圧の水を噴射することによって、フラ
ッシュバリを完全に除去できるという新たな知見を得、
この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
In the process of further improving the above invention, the present inventors have continued research on a method of reliably removing only flash burrs by simpler means. For the semiconductor device by roughening at least the surface to be contacted between the lead frame and the internal lead portion (the surface to be contacted with the internal lead portion), of the hollow molding protrusions of the box-shaped resin molded product for the device. The knowledge that irregularities are formed on the flash burr surface of the inner lead part of the box-shaped resin molded body was obtained,
By injecting high-pressure water into these irregularities, we gained new knowledge that flash burrs can be completely removed,
Based on this finding, the present invention has been completed.

【0010】[0010]

【発明の目的】そこで、本発明の目的は、リードフレー
ムや樹脂モールド部の損傷を伴うことなく、フラッシュ
バリを完全に除去できる半導体装置用箱型樹脂成形体を
製造する方法を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a box-shaped resin molded product for a semiconductor device which can completely remove flash burrs without damaging a lead frame or a resin molded portion. is there.

【0011】[0011]

【問題点を解決するための手段】本発明は、前記目的を
達成するために提案されたものであって、成形金型の一
部を特定の表面粗さに粗面化処理することを特徴として
いる。すなわち、本発明によれば、半導体素子が接続さ
れるリードフレームを金型内にインサートし、該金型内
で樹脂を固化させることにより、該リードフレームが一
体とされると共に内部のスペースに前記半導体素子が気
密封入される半導体装置用箱型樹脂成形体を製造する方
法において、前記金型における前記スペースを形成する
ための突出部の前記リードフレームと対向する部位の表
面粗さが0.5ないし20μmとされていることを特徴
とする半導体装置用箱型樹脂成形体の製造方法が提供さ
れる。
Means for Solving the Problems The present invention has been proposed to achieve the above object, and is characterized in that a part of a molding die is subjected to a roughening treatment to a specific surface roughness. And That is, according to the present invention, the lead frame to which the semiconductor element is connected is inserted into a mold, and the resin is solidified in the mold, so that the lead frame is integrated and the internal space is formed in the internal space. In a method of manufacturing a box-shaped resin molded product for a semiconductor device in which a semiconductor element is hermetically sealed, a surface roughness of a portion of the mold opposite to the lead frame of a protrusion for forming the space has a surface roughness of 0.5 And a method of manufacturing a box-shaped resin molded product for a semiconductor device, characterized in that the thickness is 20 to 20 μm.

【0012】従来方法においては、フラッシュバリ表面
は平坦であったため、高圧の水を噴射してもフラッシュ
バリに十分な大きさの剥離力を作用させることができ
ず、フラッシュバリを完全に除去することはできなかっ
たが、上記手段によれば、リードフレームのフラッシュ
バリ表面に、凹凸が形成されるので、その部分に高圧の
水を噴射すると、凹凸部の凸部に高圧水によって、十分
な大きさの剥離力を作用させることができるようにな
り、フラッシュバリをリードフレームから完全に除去す
ることができる。
In the conventional method, since the flash burr surface is flat, even if high-pressure water is injected, a sufficient peeling force cannot be applied to the flash burr, and the flash burr is completely removed. However, according to the above-mentioned means, since irregularities are formed on the flash burr surface of the lead frame, when high-pressure water is sprayed on the portions, sufficient high-pressure water is applied to the convex portions of the irregularities, so that sufficient A large amount of peeling force can be applied, and flash burrs can be completely removed from the lead frame.

【0013】上記手段において、成形金型の表面を粗面
化するためには、例えば、放電加工、あるいは、ショッ
トブラスト法が用いられる。粗面化された金型表面の表
面粗さは、0.5ないし20μmが好ましい。金属表面
の表面粗さがこの範囲にあることにより、フラッシュバ
リの厚さが剥離するのに適切なものとなり、フラッシュ
バリの剥離操作が容易になる。上記のように表面を粗面
化した金型を用いて得られた半導体装置用箱型樹脂成形
体の内部リード部(リードフレームにおける半導体装置
用箱型樹脂成形体のスペースに位置する部位)に形成さ
れたフラッシュバリ表面は、金型と同様に粗面化された
凹凸面となる。なお、本発明において、表面粗さの値
は、JIS B0601-82で定義された値を示しており、凹凸面
の最大高さを示している。
In the above means, in order to roughen the surface of the molding die, for example, electric discharge machining or shot blasting is used. The surface roughness of the roughened mold surface is preferably 0.5 to 20 μm. When the surface roughness of the metal surface is in this range, the thickness of the flash burr becomes appropriate for peeling, and the flash burr peeling operation becomes easy. The inner leads of the box-shaped resin molded product for semiconductor device obtained by using the mold whose surface is roughened as described above (portions of the lead frame located in the space of the box-shaped resin molded product for semiconductor device). The formed flash burr surface becomes an uneven surface which is roughened similarly to the mold. In the present invention, the value of the surface roughness indicates a value defined in JIS B0601-82, and indicates the maximum height of the uneven surface.

【0014】[0014]

【発明の具体的説明】本発明の最大の技術的特徴は、図
1に想像線で示される上型7における、突出部8の先端
面8a、8b、8cが、0.5ないし20μmの表面粗
さに成形されている点にあり、この上型7及び下型9と
の間で樹脂を固化することによって半導体装置用箱型樹
脂成形体1を製造するものである。この方法によれば、
上型7及び下型9間にインサートされたリードフレーム
2の内部リード部2bに形成されるフラッシュバリに、
先端部8a、8b、8cの凹凸に対応する凹凸部が形成
されるので、この凸部に十分な大きさの剥離力を作用さ
せて、フラッシュバリ3を完全に除去することができ
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The most important technical feature of the present invention is that the top surface 8a, 8b, 8c of the protrusion 8 of the upper die 7 shown by the imaginary line in FIG. This is because the resin is solidified between the upper die 7 and the lower die 9 to manufacture the box-shaped resin molded product 1 for a semiconductor device. According to this method,
The flash burr formed on the internal lead portion 2b of the lead frame 2 inserted between the upper die 7 and the lower die 9
Since the irregularities corresponding to the irregularities of the tips 8a, 8b, 8c are formed, the flash burrs 3 can be completely removed by applying a sufficiently large peeling force to the convexes.

【0015】図1において、符号1で示される半導体装
置用箱型樹脂成形体は、リードフレーム2がインサート
された上型7と下型9との間に、射出成形あるいはトラ
ンスファー成形によって、樹脂を固化させることによっ
て成形される。これにより、リードフレーム2が一体と
された半導体装置用箱型樹脂成形体1が得られる。半導
体装置用箱型樹脂成形体1を構成する材料としては、密
着性のよい熱硬化性樹脂、例えば、ビスフェノールA
型、ノボラック型、グリシジルアミン型などのエポキシ
樹脂、ポリアミンビスマレイミド、ポリピロメリットイ
ミドなどのイミド系樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリ
エステル樹脂などの材料が使用される。
In FIG. 1, a box-shaped resin molded product for a semiconductor device indicated by reference numeral 1 is formed by injection molding or transfer molding between an upper mold 7 and a lower mold 9 in which the lead frame 2 is inserted. It is formed by solidifying. Thereby, the box-shaped resin molded product 1 for a semiconductor device in which the lead frame 2 is integrated is obtained. As a material constituting the box-shaped resin molded product 1 for a semiconductor device, a thermosetting resin having good adhesion, for example, bisphenol A
Materials such as epoxy resin such as mold, novolak type and glycidylamine type, imide resin such as polyamine bismaleimide and polypyromellitimide, phenol resin and unsaturated polyester resin are used.

【0016】インサート成形の条件は、使用する樹脂に
よっても異なるが、エポキシ樹脂を使用した場合には、
10ないし500Kgf/cm2 、温度150ないし2
00℃で、1ないし5分の成形条件が好ましい。リード
フレーム2は、42アロイや銅合金からなり、成形の
際、このリードフレーム2の表面、とくに、半導体装置
用箱型樹脂成形体1のスペース10を形成する側壁の内
面10aと内部リード部2bとが直交する部位3a、及
び半導体装置用箱型樹脂成形体1のスペース10を形成
する側壁の内面10bとリードフレーム2のアイランド
部2cとが直交する部位3bにフラッシュバリ3が発生
する。
The conditions for insert molding vary depending on the resin used, but when epoxy resin is used,
10 to 500 kgf / cm 2 , temperature 150 to 2
Molding conditions at 00 ° C. for 1 to 5 minutes are preferred. The lead frame 2 is made of a 42 alloy or a copper alloy. During molding, the surface of the lead frame 2, in particular, the inner surface 10 a of the side wall forming the space 10 of the box-shaped resin molded product 1 for a semiconductor device and the internal lead portion 2 b Flash burrs 3 are generated at a portion 3a where the vertical direction is perpendicular to the portion 3b where the inner surface 10b of the side wall forming the space 10 of the semiconductor device box-shaped resin molded body 1 and the island portion 2c of the lead frame 2 are orthogonal.

【0017】上記の如く形成されたフラッシュバリ3
は、噴射圧力100ないし1500Kgf/cm2 、好
ましくは、20ないし500Kgf/cm2 で、噴射ノ
ズルより高圧水を噴射することにより、フラッシュバリ
3の凸部に十分な剥離力が作用するので、フラッシュバ
リ3は容易に除去される。高圧水の噴射時間はせいぜい
かかっても30秒程度、通常は、20秒以内で完全にフ
ラッシュバリ3を除去でき、この方法によれば、砥粒を
用いたブラスト法に比べ、リードフレーム2の損傷を著
しく抑制することができると共に、粉塵の発生もなく、
薬品による溶解剥離方式と比べても、樹脂モールドの損
傷がないという点で、高度のクリーン度ならびに精密度
が要求される半導体装置の製造方法として適しているも
のであることが理解されよう。
The flash burr 3 formed as described above
Since a sufficient peeling force acts on the convex portion of the flash burr 3 by injecting high-pressure water from the injection nozzle at an injection pressure of 100 to 1500 Kgf / cm 2 , preferably 20 to 500 Kgf / cm 2 , Burrs 3 are easily removed. The flash burrs 3 can be completely removed within at most about 30 seconds of high-pressure water injection, usually within 20 seconds at most. According to this method, compared to the blast method using abrasive grains, the flash burrs 3 are used. Damage can be significantly reduced, and no dust is generated.
It can be understood that the method is suitable as a method for manufacturing a semiconductor device that requires a high degree of cleanliness and precision in that the resin mold is not damaged as compared with the dissolution and peeling method using a chemical.

【0018】フラッシュバリ3を除去した後の半導体装
置用箱型樹脂成形体1には、図2に示されるように、リ
ードフレーム2のアイランド部2cに半導体素子4が載
置され、この半導体素子4は、ボンディングワイヤー5
で、内部リード部2bと半導体素子4が連結される。次
いで、透明ないし半透明のプラスチック板、石英ガラス
板、サファイヤ板、アルミナ板などの蓋材6が、半導体
装置用箱型樹脂成形体1の開口部に接着されて気密封止
された半導体装置が形成される。
After the flash burr 3 is removed, the semiconductor device 4 is mounted on the island portion 2c of the lead frame 2 on the box-shaped resin molded product 1 for a semiconductor device as shown in FIG. 4 is a bonding wire 5
Thus, the internal lead portion 2b and the semiconductor element 4 are connected. Next, a semiconductor device in which a lid member 6 such as a transparent or translucent plastic plate, a quartz glass plate, a sapphire plate, an alumina plate or the like is adhered to the opening of the box-shaped resin molded product for semiconductor device 1 and hermetically sealed is provided. It is formed.

【0019】[0019]

【発明の効果】本発明によれば、リードフレームに形成
されたフラッシュバリを、半導体装置用箱型樹脂成形
体、及びリードフレームに損傷を与えることなく、容易
に、しかも確実に除去することができ、高品質の半導体
装置を製造する方法を提供することができる。
According to the present invention, flash burrs formed on a lead frame can be easily and reliably removed without damaging a box-shaped resin molded product for a semiconductor device and a lead frame. Thus, a method for manufacturing a high-quality semiconductor device can be provided.

【0020】[0020]

【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明す
る。図1に示す如く、リードフレーム2における内部リ
ード部2bとアイランド部2cに厚さ1.5μmの金メ
ッキを施した42アロイ製のリードフレーム2をトラン
スファー成形機の上型7及び下型9の所定の位置にイン
サートした。次いで、ノボラック型エポキシ樹脂を、温
度175℃、圧力70Kg/cm2 、時間2minの条
件下で、インサート成形した後、温度175℃で4時間
の後硬化を行って、図1に示すような半導体装置用箱型
樹脂成形体1を得た。この時、上型7の先端面8a、8
b、8cの表面は、Rzで、3ないし15μmの粗さと
なっており、得られた成形体のフラッシュバリ3の表面
粗さも3ないし15μmであった。
The present invention will be described below in detail with reference to examples. As shown in FIG. 1, the lead frame 2 made of 42 alloy in which the inner lead portion 2b and the island portion 2c of the lead frame 2 are plated with gold having a thickness of 1.5 μm is fixed to the upper die 7 and the lower die 9 of a transfer molding machine. Inserted at position. Next, the novolak-type epoxy resin was insert-molded under the conditions of a temperature of 175 ° C., a pressure of 70 kg / cm 2 and a time of 2 minutes, and then post-cured at a temperature of 175 ° C. for 4 hours to obtain a semiconductor as shown in FIG. A box-shaped resin molded product 1 for an apparatus was obtained. At this time, the tip surfaces 8a, 8
The surfaces of b and 8c had a roughness of 3 to 15 μm in Rz, and the surface roughness of the flash burr 3 of the obtained molded product was also 3 to 15 μm.

【0021】つぎに、該半導体装置用箱型樹脂成形体1
を取り出し水洗したのち、口径0.5mmのノズルから
圧力300Kg/cm2 で水を噴射したところ、リード
フレーム2に形成されたフラッシュバリ3に3秒間噴射
するだけで、フラッシュバリ3は、リードフレーム2か
ら完全に剥離し除去され、一方、リードフレーム2や樹
脂モールド部の損傷は認められなかった。かくして得ら
れたフラッシュバリ3を除去した半導体装置用箱型樹脂
成形体1を乾燥後、リードフレーム2のアイランド部2
cに半導体素子4をエポキシ系銀ペーストでダイボンデ
ィングする。ついで、内部リード部2cと、半導体素子
4の電極とをボンディングワイヤ5(金線)でボンディ
ングするが、フラッシュバリ3は完全に除去されている
ので、電気的に接続不良等のない良好な状態でボンディ
ングでき、ボンディング強度も規格値を満たしていた。
Next, the box-shaped resin molded product 1 for a semiconductor device
Was taken out and washed with water. When water was sprayed from a nozzle having a diameter of 0.5 mm at a pressure of 300 kg / cm 2 , the flash burr 3 formed on the lead frame 2 was simply sprayed for 3 seconds. 2, and the lead frame 2 and the resin mold portion were not damaged. After the flash burr 3 thus obtained is removed, the box-shaped resin molded product 1 for a semiconductor device is dried, and then the island portion 2 of the lead frame 2 is dried.
The semiconductor element 4 is die-bonded to c with an epoxy-based silver paste. Next, the internal lead portion 2c and the electrode of the semiconductor element 4 are bonded with the bonding wire 5 (gold wire). However, since the flash burr 3 is completely removed, there is no electrical connection failure in a good state. And the bonding strength also met the standard value.

【0022】この様に、リードフレームをインサート成
形して得られた箱型樹脂成形体は、その後に行う高圧水
によるクリーニング処理において、噴射する水圧が比較
的低圧でもフラッシュバリ3を除去することができ、し
たがって、リードフレーム2や樹脂モールド部を損傷す
ることなく、成形バリのない良好な箱型樹脂成形体を得
ることができる。
As described above, in the box-shaped resin molded product obtained by insert-molding the lead frame, the flash burr 3 can be removed in the subsequent cleaning process using high-pressure water even when the injected water pressure is relatively low. Therefore, it is possible to obtain a good box-shaped resin molded product without forming burrs without damaging the lead frame 2 and the resin molded portion.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】フラッシュバリが形成された状態の中空封止体
及びリードフレームを示す断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a hollow sealing body and a lead frame in a state where flash burrs are formed.

【図2】フラッシュバリを除去した後の半導体装置を示
す断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing the semiconductor device after removing flash burrs.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体装置用箱型樹脂成形体 2 リードフレーム 4 半導体素子 7 上型(金型) 8 突出部 8a 先端面(リードフレームと対向する部位) 8b 先端面(リードフレームと対向する部位) 8c 先端面(リードフレームと対向する部位) 9 下型(金型) 10 スペース REFERENCE SIGNS LIST 1 Box-shaped resin molded product for semiconductor device 2 Lead frame 4 Semiconductor element 7 Upper die (die) 8 Projection 8a Tip surface (part facing lead frame) 8b Tip surface (part facing lead frame) 8c Tip surface (Part facing the lead frame) 9 Lower die (die) 10 Space

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 半導体素子が接続されるリードフレーム
を金型内にインサートし、該金型内で樹脂を固化させる
ことにより、該リードフレームが一体とされると共に内
部のスペースに前記半導体素子が気密封入される半導体
装置用箱型樹脂成形体の製造方法において、前記金型に
おける前記スペースを形成するための突出部の前記リー
ドフレームと対向する部位の表面粗さが0.5ないし2
0μmとされていることを特徴とする半導体装置用箱型
樹脂成形体の製造方法。
1. A lead frame to which a semiconductor element is connected is inserted into a mold, and a resin is solidified in the mold, whereby the lead frame is integrated and the semiconductor element is placed in an internal space. In the method for manufacturing a box-shaped resin molded product for a semiconductor device to be hermetically sealed, a surface roughness of a portion of the protruding portion for forming the space in the die opposite to the lead frame has a surface roughness of 0.5 to 2
A method for producing a box-shaped resin molded product for a semiconductor device, characterized in that the thickness is 0 μm.
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