JPH04195745A - 光ディスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ この発明は、光によって情報を記録再生する光ディスク
に関するものである。

〔従来の技術］ 第４図は従来の光ディスクを示す断面図である。

図において、　（１）はたとえばポリカーボネートより
なるプラスチック基板、　（３）は記録層、　（５）は
エポキシ系の樹脂保護層である。

一般に、光ディスクの基板材料には、透明プラスチック
基板（１）が量産性に優れるのでよく用いられる。とこ
ろが、プラスチック基板（１）の場合、長期間湿度の高
い状態に置かれると基板（１）の加水分解により反りが
発生したり、周囲の環境が変化すると、−時的な基板の
吸湿過程により反ったりする。大きな反りが発生すると
、アクチエエータ−のフォーカスサーボが安定に追従で
＆　す＜　す’Ｊ、誤動作やエラーな生じるという問題
があった。

そこで、例えば特開昭６０−１９７９６４号公報や特開
平１−２９２６３９号公報に示されるように、基板（１
）の、記録膜（３）と反対側の面に、５ｉｚＮ−表面硬
化膜や防湿膜を形成しても護な。

［発明が解決しようとする課題コ しかヒな、がら、これら有機系膜や無機系膜の一部のも
のは、これらの反り変形をある程度防止することはでき
るが、周囲の温度が変化して、基板（１）の熱膨張率と
記録膜（３）の熱膨張率が異なるために発生する反りに
関しては考慮されておらず、また周囲の温度湿度変化が
急激である場合に発生する大きな反りは防止できない。

これは、有機系膜では、熱特性がプラスチックに比較的
近く透湿性が大きいこと、無機系膜の一部のものは、防
湿性に欠けることによる。さらに、これらの膜は、長期
的にみた場合、プラスチック基板（１）の表面が基板内
部の水分により加水分解して変質し剥離が発生したり、
膜が劣化して反り防止効果が劣化するほか、基板内部に
欠陥（ボイド）が発生したりして、長期慣頼性に欠けて
いた。

この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたものであり、良好な反り防止効果が帰られるととも
に、良好な膜の付着力と長期信頼性が得られる光ディス
クを提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］ この発明に係る光ディスクは、基板の記録膜を形成する
面と反対側の面に、ＳｉＮｘで示されＸがｘ＜４／３を
満たす反り防止膜を形成したものである。

［作用］ 二の発明における光ディスクは、記録膜と反対側の面に
ＳｉＮｘ　で示されＸがＸ＜４／３を満たす反り防止膜
を形成したので、記録膜と反対側の基板面に記録膜と同
等の膨張率をもった膜が形成され、基板の両側で対照構
造となることにより、周囲温度が変化して熱膨張が発生
しても基板の両面で起こる現象が同等で、変化が相殺さ
れてディスクの反り変形が防止される。

また、表面の極性の大きい膜であるので、膜の表面で水
分子を効率良く吸着し基板の吸湿を防止するため、周囲
湿度が変化しても、基板の吸湿脱湿過程による反り変形
がなく、かつ基板に対する付着力が強く、長期にわたっ
て反り防止の効果を示し、高い信頼性を示す。

［実施例コ 以下、この発明の一実施例を図をもとに説明する。第１
図はこの発明の一実施例による光ディスクを示す断面図
であり、図において、　（２）はＳ＋Ｎ＋、＋エンハン
ス層、　（３）はＴｂＦｅＣｏ磁性層、　（４）はＳｉ
Ｎ＋、＋保護層、　（５）はエポキシ系の樹脂保護層、
　（６）は５ｉＮ１．＋誘電体保護膜である。　　、 次に製造方法について説明する。まず、直径９０ａｍポ
リカーボネート基板（１）の案内溝が形成された面に、
Ｓ　ｉ　Ｎｌ、＋エンハンス層（２〕、Ｔ、　ｂ　Ｆｅ
Ｃｏ磁性層（３）、ＳｉＮ＋、＋保護層（４）をこの順
に、マグネトロンスパッタ法により、半径２３ｍｍ〜４
３ｍｍの領域に成膜し、エポキシ系の樹謄保１ｉ層（５
）をスピンコードにより形成した。この時点での反り角
は、０．　２　ｍｒａｄであった。

次に、この光デイスク板を７０°Ｃ真空中にて２４時間
置き、反り角が＋０．　３　ｍｒａｄになったところで
、記録膜（３）と反対側の面で記録膜（３）の領域に相
対する半径２３ｍｍ〜４３ｍｍの領域に、屈折率＝２．
０のＳｉＮ＋、＋誘電体保護膜（６）をそれぞれＡ：５
００＾、Ｂ：　　９００　　Ａ、Ｃ：　　１４００　＾
、Ｄ：　　２１０ＯＡ、Ｅ：　　２３００　　＾形成し
、光ディスクＡＮＥを簿た。反り角は、＋０゜１〜０．
　．３　ｍｒａｄであった。

このようにして得られた各光ディスクＡ−Ｅについて、
波長８３０ｎｍのレーザー光にて、記録再生特性を調べ
たところ、表に示すように、ディスクＤで誘電体膜が形
成されていない従来のディスクとほぼ同様の記録再生特
性が得られた。これは一般に表面反射率を最小にする条
件 膜厚ｔ＝Ｒａｍｄａ／２ｎ＊ｍ （Ｒａｍｄａ：　波長、ｎ：　屈折率、ｍ：整数）の関
係にてｍ＝１とした場合に相当する。

また、ディスクＤを第２図に示すような、Ｉｎ−５ｉｔ
ｕの反り測定装置にて、周囲温度を２５°Ｃから６０°
Ｃに、７０°Ｃ／時間で上げ、　１時間置いた後、湿度
を５０％ＲＨから９０％ＲＨに、８０％ＲＨ／時間で上
げ、１時間置いてこの間の反り角の変化を測定した。結
果を第３図に示す。第２図において、　（１１）は恒温
恒湿槽、　（１２）は光ディスク、　（１３）はレーザ
発生装置、　（１４）はハーフミラ−１＜１５）はミラ
ー、　　（１６）はスクリーンである。第３図より、過
酷な環境変化においても、反り角の変化量は、〜Ｏ，Ｏ
ｍｒａｄであった。

これは、プラスチック基板（１）よりも記録膜（３）に
熱膨張特性が近く、表面の極性が大きいＳｉＮ＋、＋　
誘電体膜（６）を用いたことにより、基板の（１）画側
で起こる熱膨張変化が同等で変化が相殺されるとともに
、表面での水分子の吸着が良好におこなわれ、基板（１
）の吸湿を防止するためであるが、Ｓ！Ｎ＋、＋誘電体
膜（６）を形成する領域を、記録膜（３）側と相対する
領域にしたことにより、基板〈１）の両側で構成がさら
に対照構造に近づいたことも効果を与えている。

次に、ディスクＤを、８０℃９０％ＲＨに１０００時間
投入したところ、５ｉＮ＋、＋　誘電体膜（６）に剥離
は見られず、投入後のＩｎ−５ｉｔｕの反り特性を調べ
たところ、第３図に破線で示すように、初期の反り特性
がほとんど劣化しておらず、また基板（１）の加水分解
によって高温高湿下で発生するボイドもまったく発生し
ていなかった。

なお、上記実施例ではＳｉＮにで示されＸがＸ＜４７３
を満たす反り防止膜としてｘ＝１．１のＳｉ　Ｎ、、）
誘電体膜を用いた場合について説明したが、これに限る
ものではない。

また、上記実施例ではＴｂＦｅＣｏ磁性層（３）の両側
Ｉニー　Ｓ　ｉ　Ｎ４．、ｘ　ンハンス層（２）とＳｉ
Ｎ＋、保護層（４）が設けられている場合について説明
したが、磁性層（３）のみの場合にも上記実施例と同様
の効果が得られる。

なお、上記実施例では記録膜を形成したのち、この光デ
イスク板を高温真空中に置き、基板の脱湿処理をしてか
ら、反対側の面にＳ　ｉ　Ｎ、、、誘電体膜（６）を形
成したので、記録膜（３）形成の段階で良品であったも
ののみに、Ｓ　ｉ　Ｎ＋、＋　誘電体膜（６）を形成す
ることができ、工程の省力化が図れるだけでなく、基板
（１）内部の含有水分量な０に近づけることにより、加
水分解による基板の劣化過程を防止することができ、欠
陥の防止、膜の付着力劣化防止ができる。

［発明の効果］ 以上のように、この発明によれば、基板の記録膜な形成
する面と反対側の面に、ＳｉＮｘで示されＸがＸ＜４／
３を満たす反り防止膜を形成したので、良好な反り防止
効果が得られるとともに、良好な膜の付着力と長期旧頼
性が得られる効果かある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例による光ディスクを示す断
面図、第２図はＩｎ−５ｉｔｕの反り特性測定装置を示
す構成図、第３図はこの発明の一実施例による光ディス
クの反り特性測定結果を示す特性図、第４図は従来の光
ディスクを示す断面図である。 図において、　（１）はプラスチック基板、　（２）は
誘電体エンハンス層、　（３）は記録膜、　（４）は誘
電体保護層、　（５）は樹脂保護層、　（６）はＳ！Ｎ
＋、＋　誘電体よりなる反り防止膜である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代　　理　　人　　　大　　岩　　増　　雄第２図 第３図 第４図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 透明プラスチック基板に、少なくとも光によつて情報を
   記録再生する記録膜を形成する光ディスクにおいて、上
   記基板の記録膜を形成する面と反対側の面に、ＳｉＮ＿
   ｘで示されｘがｘ＜４／３を満たす反り防止膜を形成し
   たことを特徴とする光ディスク。