JPH04193989A - 封孔処理液及び方法 - Google Patents
封孔処理液及び方法Info
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Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、金めつき電気接点の封孔処理液、封孔処理方
法及び封孔処理されたコネクタ接触子に関する。特には
潤滑、防錆及び電気的接続性が長期的に安定して優れる
封孔処理液、封孔処理方法及び封孔処理されたコネクタ
に関する。
法及び封孔処理されたコネクタ接触子に関する。特には
潤滑、防錆及び電気的接続性が長期的に安定して優れる
封孔処理液、封孔処理方法及び封孔処理されたコネクタ
に関する。
[従来の技術]
電子機器用接続部品としてコネクタは最も代表的なもの
であり多種多様のコネクタが実用化さ九でいる。電算機
や通信用機器等高度の信頼性が要求される、いわゆる産
業用電子機器に使用されるコネクタは、りん青銅、ベリ
リウム鋼等のバネ用鋼合金を母材とし、接点用金属被膜
としてニッケル下地めっき後その上に金めつきを施した
ものが一般に利用されている。
であり多種多様のコネクタが実用化さ九でいる。電算機
や通信用機器等高度の信頼性が要求される、いわゆる産
業用電子機器に使用されるコネクタは、りん青銅、ベリ
リウム鋼等のバネ用鋼合金を母材とし、接点用金属被膜
としてニッケル下地めっき後その上に金めつきを施した
ものが一般に利用されている。
金は貴金属の中でも極めて耐食性が高く、表面に酸化物
や他の被膜を形成しないため電気的接続性に優れ、接点
用金属として広く使用されている。
や他の被膜を形成しないため電気的接続性に優れ、接点
用金属として広く使用されている。
しかし、金は高価であるため、コネクタの製造コストを
下げる目的で様々な寄金北東が採られてき、た。その代
表的方法が金めつきの厚みを薄くする方法であるが、金
めつきの厚みを薄くするとともに、被膜のピンホールの
数が指数関数的に増え、耐食性が著しく低下するという
問題を抱えている。
下げる目的で様々な寄金北東が採られてき、た。その代
表的方法が金めつきの厚みを薄くする方法であるが、金
めつきの厚みを薄くするとともに、被膜のピンホールの
数が指数関数的に増え、耐食性が著しく低下するという
問題を抱えている。
そこで、ニッケル下地めっき後、中間めっきとしてパラ
ジウムまたはパラジウム合金をめっきし、その上に金め
っきしたものが利用されている6しかし、この3層めっ
きでも十分な耐食性が得られていない。この問題を解決
する方法のひとつに封孔処理がある。すなわち、各種の
無機性、あるいは有機性の薬品で金めつき面を処理し、
ピンホールを塞ぎ耐食性を向上させようとするものであ
るが、下地層としてニッケルをめっきし、中間層として
パラジウムまたはパラジウム合金をめっきし、その上に
金めっきした材料への封孔処理液及び封孔処理方法は公
知のものがない。
ジウムまたはパラジウム合金をめっきし、その上に金め
っきしたものが利用されている6しかし、この3層めっ
きでも十分な耐食性が得られていない。この問題を解決
する方法のひとつに封孔処理がある。すなわち、各種の
無機性、あるいは有機性の薬品で金めつき面を処理し、
ピンホールを塞ぎ耐食性を向上させようとするものであ
るが、下地層としてニッケルをめっきし、中間層として
パラジウムまたはパラジウム合金をめっきし、その上に
金めっきした材料への封孔処理液及び封孔処理方法は公
知のものがない。
[発明が解、決しようとする課題]
封孔処理、特に有機性の薬品による封孔処理は。
金めつき被膜の厚み低減に対し、耐食性を維持する効果
に優れている。ところが従来の封孔処理液は鉄系金属材
料や銅系金属材料の防錆剤として知られていた化合物を
中心として選択されたものか、あるいは官金化以前にも
金めつき接点の潤滑を目的として使用されていた潤滑剤
をそのまま使用したものが一般的であった。封孔処理さ
れた金めつきに要求される特性としては、 ■ 潤滑性がよいこと、 ■ 耐食性が優れていること、 ■ 接触抵抗が低く安定していること、■ はんだ付性
がよいこと、及び ■ それらの特性が各種の環境、使用条件下で長期に亘
り持続すること、 である。
に優れている。ところが従来の封孔処理液は鉄系金属材
料や銅系金属材料の防錆剤として知られていた化合物を
中心として選択されたものか、あるいは官金化以前にも
金めつき接点の潤滑を目的として使用されていた潤滑剤
をそのまま使用したものが一般的であった。封孔処理さ
れた金めつきに要求される特性としては、 ■ 潤滑性がよいこと、 ■ 耐食性が優れていること、 ■ 接触抵抗が低く安定していること、■ はんだ付性
がよいこと、及び ■ それらの特性が各種の環境、使用条件下で長期に亘
り持続すること、 である。
ところが従来の封孔処理液は、そのような総合的観点か
ら必ずしも満足できるものではなく、なんらかの品質面
で劣っているものが一般的であった。
ら必ずしも満足できるものではなく、なんらかの品質面
で劣っているものが一般的であった。
特に自動車の電子機器化、いわゆるカーエレクトロニク
ス化の急激な進展とともに自動車に使用される電子回路
用コネクタの材料で金めっきされたものが増えている。
ス化の急激な進展とともに自動車に使用される電子回路
用コネクタの材料で金めっきされたものが増えている。
そのような状況にあって、上記■〜■の特性のうち■の
耐食性において、耐工業ガス(H2S、So2混合)性
及び耐塩水噴震性を、更に■において、過酷な温湿度サ
イクル環境下における耐久性を、従来の封孔処理よりも
大巾に改菩しつつ、かつその他の特性については、同等
もしくはそれ以上の特性を有する封孔処理液技術が必要
となった。
耐食性において、耐工業ガス(H2S、So2混合)性
及び耐塩水噴震性を、更に■において、過酷な温湿度サ
イクル環境下における耐久性を、従来の封孔処理よりも
大巾に改菩しつつ、かつその他の特性については、同等
もしくはそれ以上の特性を有する封孔処理液技術が必要
となった。
本発明は、このような要求を満たすことのできる改善さ
れた封孔処理液及びそれを用いる封孔処理方法を提供す
ることを目的とし、あわせてそれにより処理されたコネ
クタを提供することを目的とするものである。
れた封孔処理液及びそれを用いる封孔処理方法を提供す
ることを目的とし、あわせてそれにより処理されたコネ
クタを提供することを目的とするものである。
[課題を解決するための手段]
かかる状況に鑑み、本発明者等は鋭意研究を行った結果
、以下に示す封孔処理液、方法及び封孔処理されたコネ
クタを発明するに至った。
、以下に示す封孔処理液、方法及び封孔処理されたコネ
クタを発明するに至った。
すなわち、本発明は、
(1)銅系または鉄系金属材料に下地層としてニッケル
めっき、中間層としてパラジウムまたはパラジウム合金
をめっき後、金または金合金をめっきした材料を処理す
る封孔処理液であって、以下の(A)〜(E)の各群の
うちの2つ以上の群からそれぞれ1種または2種以上選
択された化合物を含む有機溶剤溶液よりなることを特徴
とする封孔処理液。
めっき、中間層としてパラジウムまたはパラジウム合金
をめっき後、金または金合金をめっきした材料を処理す
る封孔処理液であって、以下の(A)〜(E)の各群の
うちの2つ以上の群からそれぞれ1種または2種以上選
択された化合物を含む有機溶剤溶液よりなることを特徴
とする封孔処理液。
(A)イソステアリン酸、酸化ワックス、及び酸化ペト
ロラタム0.05〜3wt%、 (B)アルキル置換ナフタレンスルフォン酸塩0.05
〜3wt%、 (C) アミン0.05〜3wt%、 (D)金属石けん0.05〜3wt%、(E)フタル酸
エステル、亜りん酸エステル、グリセリンモノエステル
、及びソルビタンエステル0.01〜3すt%。
ロラタム0.05〜3wt%、 (B)アルキル置換ナフタレンスルフォン酸塩0.05
〜3wt%、 (C) アミン0.05〜3wt%、 (D)金属石けん0.05〜3wt%、(E)フタル酸
エステル、亜りん酸エステル、グリセリンモノエステル
、及びソルビタンエステル0.01〜3すt%。
(2)キレート形成性環状窒素化合物の1種もしくは2
種以上0.05〜1wt%をさらに含有することを特徴
とする前記(1)記載の封孔処理液。
種以上0.05〜1wt%をさらに含有することを特徴
とする前記(1)記載の封孔処理液。
(3)前記(1)記載の(A)〜(E)から選択された
いずれか1種の化合物0.01〜3wt%と、キレート
形成性環状窒素化合物の1種又は2種以上0.05〜3
tzt%を含有する封孔処理液。
いずれか1種の化合物0.01〜3wt%と、キレート
形成性環状窒素化合物の1種又は2種以上0.05〜3
tzt%を含有する封孔処理液。
(4)アミン系又はフェノール系酸化防止剤の1種もし
くは2種以上0.001〜1wt%を、さらに含有する
ことを特徴とする前記(1)、(2)又は(3)に記載
の封孔処理液。
くは2種以上0.001〜1wt%を、さらに含有する
ことを特徴とする前記(1)、(2)又は(3)に記載
の封孔処理液。
(5)銅系又は鉄系金属材料に下地層としてニッケルめ
っき、中間層としてパラジウムまたはパラジウム合金を
めっき後、さらにその上に金または金合金を電気めっき
後、前記(1)、(2)、(3)又は(4)記載の封孔
処理液で処理することを特徴とする封孔処理方法。
っき、中間層としてパラジウムまたはパラジウム合金を
めっき後、さらにその上に金または金合金を電気めっき
後、前記(1)、(2)、(3)又は(4)記載の封孔
処理液で処理することを特徴とする封孔処理方法。
(6)下地層としてニッケルめっき、中間層としてパラ
ジウムまたはパラジウム合金をめっき後。
ジウムまたはパラジウム合金をめっき後。
金または金合金めっきされた銅系または鉄系金属材料を
プレス加工後、前記(1)、(2)、(3)又は(4)
に記載の封孔処理液で処理することを特徴とする封孔処
理方法。
プレス加工後、前記(1)、(2)、(3)又は(4)
に記載の封孔処理液で処理することを特徴とする封孔処
理方法。
(7)銅系または鉄系金属材料に下地層としてニッケル
めっき、中間層としてパラジウムまたはパラジウム合金
をめっき後、金又は金合金をめっきしためっき材よりな
り、前記(IL (2)、(3)又は(4)記載の封孔
処理液で封孔処理したことを特徴とするコネクタである
。
めっき、中間層としてパラジウムまたはパラジウム合金
をめっき後、金又は金合金をめっきしためっき材よりな
り、前記(IL (2)、(3)又は(4)記載の封孔
処理液で封孔処理したことを特徴とするコネクタである
。
本発明の封孔処理液の必須成分は、以下の(A)〜(E
)で示される群から選択される。
)で示される群から選択される。
(A)イソステアリン酸、酸化ワックス、及び酸化ペト
ロラタム0.05〜3wt%、 (B)アルキル置換ナフタレンスルフォン酸塩0.1〜
3wt%、 (C)アミン0.05〜3wt%、 (D)金属石けん0.05〜3wt%、(E)フタル酸
エステル、亜りん酸エステル、グリセリンモノエステル
、及びソルビタンエステル0.01〜3wt%であり、
これらは2種以上の群からそれぞれ1種又は2種混合し
て添加され、耐食性向上に寄与する。上記(A)〜(D
)成分の添加量は0.05〜3wt%である。0.05
wt%未満では防錆効果が低く、3wt%を越えると、
接触抵抗への悪影響が認められる。
ロラタム0.05〜3wt%、 (B)アルキル置換ナフタレンスルフォン酸塩0.1〜
3wt%、 (C)アミン0.05〜3wt%、 (D)金属石けん0.05〜3wt%、(E)フタル酸
エステル、亜りん酸エステル、グリセリンモノエステル
、及びソルビタンエステル0.01〜3wt%であり、
これらは2種以上の群からそれぞれ1種又は2種混合し
て添加され、耐食性向上に寄与する。上記(A)〜(D
)成分の添加量は0.05〜3wt%である。0.05
wt%未満では防錆効果が低く、3wt%を越えると、
接触抵抗への悪影響が認められる。
又、(E)成分の添加量は、 0.01〜3wt%の範
囲であり、0.01%lt%未満では耐食性向上効果が
得られず、3wt%を越えると接触抵抗への悪影響が認
められる。
囲であり、0.01%lt%未満では耐食性向上効果が
得られず、3wt%を越えると接触抵抗への悪影響が認
められる。
本発明において使用する(B)成分のアルキル置換ナフ
タレンスルフォン酸塩は次式で表される。
タレンスルフォン酸塩は次式で表される。
5O1
(Rは炭素数6〜12のアルキル基;Mは塩形成分酸;
nは1〜2の整数、mはMの価数に一致する整数) −アルキル置換ナフタレンスルフォン酸塩として好まし
いものを具体的に例示すれば、たとえば。
nは1〜2の整数、mはMの価数に一致する整数) −アルキル置換ナフタレンスルフォン酸塩として好まし
いものを具体的に例示すれば、たとえば。
ジノニルナフタレンスルフオン酸バリウム塩、ジノニル
ナフタレンスルフオン酸カルシウム塩、ジノニルナフタ
レンスルフオン酸亜鉛塩、ジノニルナフタレンスルフオ
ン酸バリウム塩基性塩、ジノニルナフタレンスルフオン
酸エチレンジアミン塩、ジノニルナフタレンスルフオン
酸ナトリウム塩、及びジノニルナフタレンスルフォン酸
リチウム塩、ジノニルナツタ・レンスルフオン酸鉛塩、
ジノニルナフタレンスルフォン酸アンモニウム塩、ジノ
ニルナフタレンスルフオン酸トリエタノールアミン塩等
を挙げることができる。
ナフタレンスルフオン酸カルシウム塩、ジノニルナフタ
レンスルフオン酸亜鉛塩、ジノニルナフタレンスルフオ
ン酸バリウム塩基性塩、ジノニルナフタレンスルフオン
酸エチレンジアミン塩、ジノニルナフタレンスルフオン
酸ナトリウム塩、及びジノニルナフタレンスルフォン酸
リチウム塩、ジノニルナツタ・レンスルフオン酸鉛塩、
ジノニルナフタレンスルフォン酸アンモニウム塩、ジノ
ニルナフタレンスルフオン酸トリエタノールアミン塩等
を挙げることができる。
本発明において使用する上記(C)成分のアミンとして
は脂肪族又は環状脂肪族が好ましく、特に好ましいもの
としては、オクタデシルアミン、ドデシルアミン、デシ
ルアミン、オクチルアミン、及びシクロヘキシルアミン
等を挙げることができる。
は脂肪族又は環状脂肪族が好ましく、特に好ましいもの
としては、オクタデシルアミン、ドデシルアミン、デシ
ルアミン、オクチルアミン、及びシクロヘキシルアミン
等を挙げることができる。
又1本発明において使用する上記(D)の金属石けんと
して特に好ましいものとしては、たとえば、酸化ペトロ
ラタム金属塩、酸化ワックス金属塩、ステアリン酸金属
塩、ラウリン酸金属塩、リシルシン酸金属塩、ミリスチ
ン酸金属塩、オレイン酸金属塩、ナフテン酸金属塩、及
びラノリン酸金属塩等を挙げることができ、金属塩は特
に制限はないが、好ましくはCa、Al、Ba、Pb塩
等である。
して特に好ましいものとしては、たとえば、酸化ペトロ
ラタム金属塩、酸化ワックス金属塩、ステアリン酸金属
塩、ラウリン酸金属塩、リシルシン酸金属塩、ミリスチ
ン酸金属塩、オレイン酸金属塩、ナフテン酸金属塩、及
びラノリン酸金属塩等を挙げることができ、金属塩は特
に制限はないが、好ましくはCa、Al、Ba、Pb塩
等である。
本発明において使用する上記(E)成分のフタル酸エス
テルとしては、例えば、フタル酸ジメチル、フタル酸ジ
エチル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジヘプチル、フタ
ル酸ジ−n−オクチル、フタル酸ジー2−エチルヘキシ
ル、フタル酸ジイソノニル、フタル酸オクチルデシル、
フタル酸ジイソデシル等を挙げることができる。
テルとしては、例えば、フタル酸ジメチル、フタル酸ジ
エチル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジヘプチル、フタ
ル酸ジ−n−オクチル、フタル酸ジー2−エチルヘキシ
ル、フタル酸ジイソノニル、フタル酸オクチルデシル、
フタル酸ジイソデシル等を挙げることができる。
亜りん酸エステルとしては、例えば、トリフェニルホス
ファイト、トリクレジルホスファイト、ジフェニルノニ
ルフェニルホスファイト、トリラウリルホスファイト、
ジラウリルハイドロゼンホスファイト等を挙げることが
できる。
ファイト、トリクレジルホスファイト、ジフェニルノニ
ルフェニルホスファイト、トリラウリルホスファイト、
ジラウリルハイドロゼンホスファイト等を挙げることが
できる。
グリセリンモノエステルとしては、例えば、グリセリン
モノオレイン酸エステルを挙げることができる。
モノオレイン酸エステルを挙げることができる。
ソルビタンエステルとしては、例えば、ソルビタンモノ
・ラウレ一ト、ソルビタンモノ・ステアレート、ソルビ
タンモノ・パルミテート、ソルビタンモノ・オレエート
、ソルビタンセスキ・オレエート、ソルビタントリ・オ
レエート等をあげることができる。
・ラウレ一ト、ソルビタンモノ・ステアレート、ソルビ
タンモノ・パルミテート、ソルビタンモノ・オレエート
、ソルビタンセスキ・オレエート、ソルビタントリ・オ
レエート等をあげることができる。
本発明の封孔処理液には必要に応じてキレート形成性環
状窒素化合物;アミン系又はフェノール系酸化防止剤を
添加することができる。キレート形成性環状窒素化合物
は、銅、ニッケル等に配位して安定なキレートを形成す
る化合物で、特にベンゼン環を有する環状窒素化合物、
あるいはトリアジン系化合物が好ましい。具体例を挙げ
れば、ベンゼン環を有する環状窒素化合物としては、た
とえば、 ベンゾトリアゾール系 R2 インダゾール系 ベンズイミダゾール系 インドール系 (上記各式中、R工は水素、アルキル、置換アルキルを
表わし、R2はアルカリ金属、水素、アルキル、置換ア
ルキルを表わす) 等を挙げることができる。
状窒素化合物;アミン系又はフェノール系酸化防止剤を
添加することができる。キレート形成性環状窒素化合物
は、銅、ニッケル等に配位して安定なキレートを形成す
る化合物で、特にベンゼン環を有する環状窒素化合物、
あるいはトリアジン系化合物が好ましい。具体例を挙げ
れば、ベンゼン環を有する環状窒素化合物としては、た
とえば、 ベンゾトリアゾール系 R2 インダゾール系 ベンズイミダゾール系 インドール系 (上記各式中、R工は水素、アルキル、置換アルキルを
表わし、R2はアルカリ金属、水素、アルキル、置換ア
ルキルを表わす) 等を挙げることができる。
ベンゾトリアゾール系としては、例えばベンゾトリアゾ
ール(R□、R2ともに水素)、1−メチルベンゾトリ
アゾール(R工が水素、R2がメチル)、1−(N、N
−ジオクチルアミノメチル)ベンゾトリアゾール(R工
が水素、R2がN、N−ジオクチルアミノメチル)、
トリルトリアゾール(R工がメチル、R2が水素)、ソ
ジウムトリルトリアゾール(R工がメチル、R2がナト
リウム)等が好ましい。
ール(R□、R2ともに水素)、1−メチルベンゾトリ
アゾール(R工が水素、R2がメチル)、1−(N、N
−ジオクチルアミノメチル)ベンゾトリアゾール(R工
が水素、R2がN、N−ジオクチルアミノメチル)、
トリルトリアゾール(R工がメチル、R2が水素)、ソ
ジウムトリルトリアゾール(R工がメチル、R2がナト
リウム)等が好ましい。
インダゾール系としては1例えばインダゾール(R工、
R2ともに水素)、2−メチルインダゾール(R1が水
素、R2がメチル)、2−ベンジルインダゾール(R,
が水素、R2がCGHsCH2)、1−アセチルインダ
ゾール(R1が水素、R2がC0CH,)等が好ましい
。
R2ともに水素)、2−メチルインダゾール(R1が水
素、R2がメチル)、2−ベンジルインダゾール(R,
が水素、R2がCGHsCH2)、1−アセチルインダ
ゾール(R1が水素、R2がC0CH,)等が好ましい
。
ベンズイミダゾール系としては、例えばベンズイミダゾ
ール(R工、R2ともに水素)、N−アセチイベンズイ
ミダゾール(R1が水素、R2がCCCH2) 、 N
−ベンゾイルベンズイミダゾール(R。
ール(R工、R2ともに水素)、N−アセチイベンズイ
ミダゾール(R1が水素、R2がCCCH2) 、 N
−ベンゾイルベンズイミダゾール(R。
が水素、R2がCOC6H,)等が好ましい。
インドール系としては1例えばインドール(Ro、 R
2ともに水素)、インドール−1−カルボン酸(R1が
水素、R2がC00H)、1−メチルインドール(Ro
が水素、R2がCH,)等が好ましい。
2ともに水素)、インドール−1−カルボン酸(R1が
水素、R2がC00H)、1−メチルインドール(Ro
が水素、R2がCH,)等が好ましい。
また、トリアジン系化合物の好ましい具体例を挙げれば
、例えば、6−置換−1,:3’、、5− トリアジン
−2,4−ジチオール−ナトリウム塩(Rはアルキル基
で置換されたアミノ基で、好ましくは−N (C4)+
9 )2−−N (Cs H工、)2、−N(C工2H
2s)z、−NHC,H工、 CH= CHC,Hエフ
等である)シアヌル酸(2,4,6−トリオキシ−1,
3,5−トリアジン)、 メラミン(2,4,6−トリアミノ−1,3,5−)−
リアジン)、 を挙げることができる。これらは1種または2種以上混
合して添加され、耐食性、耐久性を向上させる。その濃
度は総量で0.05〜3tzt%である50,05wt
%より小さいと耐食性、耐久性が低く、また、3wt%
より大きいと電気的接続性に支障が生じる。
、例えば、6−置換−1,:3’、、5− トリアジン
−2,4−ジチオール−ナトリウム塩(Rはアルキル基
で置換されたアミノ基で、好ましくは−N (C4)+
9 )2−−N (Cs H工、)2、−N(C工2H
2s)z、−NHC,H工、 CH= CHC,Hエフ
等である)シアヌル酸(2,4,6−トリオキシ−1,
3,5−トリアジン)、 メラミン(2,4,6−トリアミノ−1,3,5−)−
リアジン)、 を挙げることができる。これらは1種または2種以上混
合して添加され、耐食性、耐久性を向上させる。その濃
度は総量で0.05〜3tzt%である50,05wt
%より小さいと耐食性、耐久性が低く、また、3wt%
より大きいと電気的接続性に支障が生じる。
又、本発明の封孔処理液に、必要に応じて添加される上
記のアミン系又はフェノール系酸化防止剤としては、た
とえば、 p、p ’−ジオクチルジフェニルアミン4.4′−テ
トラメチルジアミノジフェニルメタ4.4′−メチレン
−ビス−(2,6−ジーt−ブチルフェノール) (CH3)3 CC(CH,)3 2.2′−メチレン−ビス−(4−メチル−6−を−ブ
チルフェノール) ) I CH,’ CH。
記のアミン系又はフェノール系酸化防止剤としては、た
とえば、 p、p ’−ジオクチルジフェニルアミン4.4′−テ
トラメチルジアミノジフェニルメタ4.4′−メチレン
−ビス−(2,6−ジーt−ブチルフェノール) (CH3)3 CC(CH,)3 2.2′−メチレン−ビス−(4−メチル−6−を−ブ
チルフェノール) ) I CH,’ CH。
2.2′−メチレン−ビス−(4−ニチルー6−を一ブ
チルフェノール) CH2Cl、 CH2Cl。
チルフェノール) CH2Cl、 CH2Cl。
2.6−ジーし一ブチルーP−クレゾールH
CH。
ブチル化ヒドロキシアニヅール
OH0H
OCR30CH。
2.6−ジーt−ブチル−4−エチルフェノールH
CH2Cl。
等を挙げることができる。
これらは、1種又は2種以上を0.001〜1wt%添
加することができる。
加することができる。
こ九らの成分を添加することにより、耐久性を一層向上
させることができる。すなわち、封孔処理皮膜の機能を
長期に亘り安定させ、また高温環境における皮膜の劣化
を抑制する効果を有する。
させることができる。すなわち、封孔処理皮膜の機能を
長期に亘り安定させ、また高温環境における皮膜の劣化
を抑制する効果を有する。
0.0O1vt%未満ではその効果を得ることはできず
、1wt%を越えると接触抵抗の低下現象が認められる
。
、1wt%を越えると接触抵抗の低下現象が認められる
。
封孔処理液は上述の成分を有するが、溶媒としては特に
制限されず、公知の有機溶媒より適宜選択することがで
きる。例えばトルエン、キシレン等の石油系溶媒、トリ
クロロエチレン、トリクロロエタン等のハロゲン系溶媒
、あるいはフロン系溶媒等である。
制限されず、公知の有機溶媒より適宜選択することがで
きる。例えばトルエン、キシレン等の石油系溶媒、トリ
クロロエチレン、トリクロロエタン等のハロゲン系溶媒
、あるいはフロン系溶媒等である。
処理方法としては、めっき品を封孔処理液中に浸漬する
か、封孔処理液をスプレー、あるいは塗布するなど、何
れの方法によることもできる。しかし本発明において、
めっき品の形状が板・条、プレス部品であるを問わず、
めっき直後すなわち連続ラインであれば、そのラインの
中で処理することが、封孔処理の各種機能を高める効果
が高いことを見いだした。
か、封孔処理液をスプレー、あるいは塗布するなど、何
れの方法によることもできる。しかし本発明において、
めっき品の形状が板・条、プレス部品であるを問わず、
めっき直後すなわち連続ラインであれば、そのラインの
中で処理することが、封孔処理の各種機能を高める効果
が高いことを見いだした。
さらに、めっき品をプレス加工後に本発明の封孔処理液
で封孔処理する事も有効である。めっき後封孔処理した
金属材料であっても、その後のプレス加工で付着したプ
レス油を洗浄する工程において、封孔処理の機能の多く
は喪失する。そこで再度の封孔処理が有効となる。
で封孔処理する事も有効である。めっき後封孔処理した
金属材料であっても、その後のプレス加工で付着したプ
レス油を洗浄する工程において、封孔処理の機能の多く
は喪失する。そこで再度の封孔処理が有効となる。
その後のコネクタの加工工程においても、最終の電子機
器の組み立てまで、めっき品の洗浄工程があれば同様に
封孔処理機能は喪失するため、適宜本発明により封孔処
理する事が有効である。さらには電子機器にコネクタと
して組み込まれ実使用に際しても、使用にともない接点
性能が低下するなどの場合は、適宜本封孔処理液により
処理することができる。従って、本発明は本発明封孔処
理液により処理されたコネクタをも包含するものである
。
器の組み立てまで、めっき品の洗浄工程があれば同様に
封孔処理機能は喪失するため、適宜本発明により封孔処
理する事が有効である。さらには電子機器にコネクタと
して組み込まれ実使用に際しても、使用にともない接点
性能が低下するなどの場合は、適宜本封孔処理液により
処理することができる。従って、本発明は本発明封孔処
理液により処理されたコネクタをも包含するものである
。
なお、本発明における、めっき母材となる金属材料は、
銅及び、黄銅、りん青銅、チタン鋼等の各種鋼合金、鉄
、ステンレス鋼、高ニッケル合金等、コネクタの要求性
能に従い適宜選択でき、何等制限されない。下地層とし
てのニッケルめっき、あるいは中間層としてのパラジウ
ムまたはパラジウム合金めっきは、電気めっき、無電解
めっき、あるいはCVD、PVD等の乾式めっき等の公
知のものを適用でき、めっきの方法は制限されない。
銅及び、黄銅、りん青銅、チタン鋼等の各種鋼合金、鉄
、ステンレス鋼、高ニッケル合金等、コネクタの要求性
能に従い適宜選択でき、何等制限されない。下地層とし
てのニッケルめっき、あるいは中間層としてのパラジウ
ムまたはパラジウム合金めっきは、電気めっき、無電解
めっき、あるいはCVD、PVD等の乾式めっき等の公
知のものを適用でき、めっきの方法は制限されない。
金めつきは各種のアルカリ性浴、酸性浴から純金めっき
の他、コバルト等の合金成分を含有する金合金めっきも
包含するものである。
の他、コバルト等の合金成分を含有する金合金めっきも
包含するものである。
「実施例」
以下に実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。
ばね用りん青銅(C5210)の厚み0.2Mnの冷間
圧延材を用い、雄、及び雌の連続端子をそれぞれプレス
成形した。これらをリール・ツウ・リールの連続電気め
っきラインを通して電気めっきを施した。めっきライン
においては、脱脂、酸洗後ワット浴により1μmのニッ
ケルめっき後、中性タイプのパラジウム−ニッケル合金
めっき液により0゜3μmのパラジウム−ニッケル合金
めっき後、酸性めっき浴により金を0.1μmの厚みで
接点部に部分めっきした。また、連続めっきラインでは
、金めつき後に封孔処理工程を設け、同工程ではト1.
.lクロロエタンを溶媒とした各種封孔処理液に連続端
子を通入することにより封孔処理を施した。
圧延材を用い、雄、及び雌の連続端子をそれぞれプレス
成形した。これらをリール・ツウ・リールの連続電気め
っきラインを通して電気めっきを施した。めっきライン
においては、脱脂、酸洗後ワット浴により1μmのニッ
ケルめっき後、中性タイプのパラジウム−ニッケル合金
めっき液により0゜3μmのパラジウム−ニッケル合金
めっき後、酸性めっき浴により金を0.1μmの厚みで
接点部に部分めっきした。また、連続めっきラインでは
、金めつき後に封孔処理工程を設け、同工程ではト1.
.lクロロエタンを溶媒とした各種封孔処理液に連続端
子を通入することにより封孔処理を施した。
こうして表面処理した雄と雌の端子をキャリア一部から
切断しリード線を圧着した後、それぞれを嵌合し評価試
験に供した。
切断しリード線を圧着した後、それぞれを嵌合し評価試
験に供した。
接触抵抗は直流10mmA、開放電圧50ntnVで測
定した。腐食試験は次の条件で行った。
定した。腐食試験は次の条件で行った。
ガス組成:H2S 3±lppm5o2 10±
3ppm 温 度: 40± 2℃ 湿 度= 75± 5%RH 時 間= 96時間 加熱試験は125℃大気中で1000時間保持した。
3ppm 温 度: 40± 2℃ 湿 度= 75± 5%RH 時 間= 96時間 加熱試験は125℃大気中で1000時間保持した。
結果を第1表に示す。
第 1 表
第 1 表(つづき)
注1)ただし、表中封孔処理液の略号は以下の通りであ
る。
る。
A−1イソステアリン酸
−2酸化ワックス
−3酸化ペトロラタム
−4ジノニルナフタレンスルフオン酸バリウム塩−5ジ
ノニルナフタレンスルフオン酸カルシウム塩=6 ジノ
ニルナフタレンスルフオン酸亜鉛塩−7ジノニルナフタ
レンスルフオン酸バリウム塩基性塩 −8ジノニルナフタレンスルフオン酸エチレンジアミン
塩 −9ジノニルナフタレンスルフオン酸ナトリウム塩−1
0ジノニルナフタレンスルフォン酸リチウム塩−11オ
クタデシルアミン −12ドデシルアミン −13デシルアミン −14オクチルアミン −15シクロヘキシルアミン −16酸化ペトロラタムCa塩 −17酸化ワックスCa塩 −18ステアリン酸Ca塩 −19ラウリン酸A1塩 −20リシルシン酸A1塩 −21ミリスチン酸Ca塩 −22オレイン酸Ba塩 −23ナフテン酸Ba塩 〜24 ラノリン酸Al塩 −25フタル酸ジメチル A−267タル酸ジエチル −27フタル酸ジブチル −28フタル酸ジヘプチル −29フタル酸ジ−n−オクチル −30フタル酸ジー2−エチルへキシル−31フタル酸
ジイソノニル −32フタル酸オクチルデシル −33フタル酸ジイソデシル 一34トリフェニルホスファイト 一35トリクレジルホスファイト −36ジフェニルノニルフェニルホスファイト−37ト
リラウリルホスフアイト ー38 ジラウリルハイトロゼンホスファイト−39
グリセリンモノオレイン酸エステル−40ソルビタンモ
ノ・ラウレート −41ソルビタンモノ・ステアレート −42ソルビタンモノ・パルミテート −43ソルビタンモノ・オレエート −44ソルビタンセスキ・オレエート −45ソルビタントリ・オレエート B−1ベンゾトリアゾール −2インダゾール −3ベンズイミダゾール −4インドール −51−メチルベンゾトリアゾール −6トリルトリアゾール −7ソジウムトリルトリアゾール −8メラミン C−I P、P’ −ジオクチルジフェニルアミン−
24,4’ −テトラメチルジアミノジフェニルメタン −34,4’ −メチレン−ビス−(2,6−ジーt−
ブチルフェノール) −42,2’ −メチレン−ビス−(4−メチル−6−
t−プチルフェノール) −52,2’ −メチレン−ビス−(4−エチル−6−
t−ブチルフェノール) 〜62,6−ジーt−ブチル−p−クレゾール−7ブ′
チル化ヒトロキシアニゾール −82,6−ジーt−ブチル−4−エチルフェノール注
2)試験の判定基準は次の通りである。
ノニルナフタレンスルフオン酸カルシウム塩=6 ジノ
ニルナフタレンスルフオン酸亜鉛塩−7ジノニルナフタ
レンスルフオン酸バリウム塩基性塩 −8ジノニルナフタレンスルフオン酸エチレンジアミン
塩 −9ジノニルナフタレンスルフオン酸ナトリウム塩−1
0ジノニルナフタレンスルフォン酸リチウム塩−11オ
クタデシルアミン −12ドデシルアミン −13デシルアミン −14オクチルアミン −15シクロヘキシルアミン −16酸化ペトロラタムCa塩 −17酸化ワックスCa塩 −18ステアリン酸Ca塩 −19ラウリン酸A1塩 −20リシルシン酸A1塩 −21ミリスチン酸Ca塩 −22オレイン酸Ba塩 −23ナフテン酸Ba塩 〜24 ラノリン酸Al塩 −25フタル酸ジメチル A−267タル酸ジエチル −27フタル酸ジブチル −28フタル酸ジヘプチル −29フタル酸ジ−n−オクチル −30フタル酸ジー2−エチルへキシル−31フタル酸
ジイソノニル −32フタル酸オクチルデシル −33フタル酸ジイソデシル 一34トリフェニルホスファイト 一35トリクレジルホスファイト −36ジフェニルノニルフェニルホスファイト−37ト
リラウリルホスフアイト ー38 ジラウリルハイトロゼンホスファイト−39
グリセリンモノオレイン酸エステル−40ソルビタンモ
ノ・ラウレート −41ソルビタンモノ・ステアレート −42ソルビタンモノ・パルミテート −43ソルビタンモノ・オレエート −44ソルビタンセスキ・オレエート −45ソルビタントリ・オレエート B−1ベンゾトリアゾール −2インダゾール −3ベンズイミダゾール −4インドール −51−メチルベンゾトリアゾール −6トリルトリアゾール −7ソジウムトリルトリアゾール −8メラミン C−I P、P’ −ジオクチルジフェニルアミン−
24,4’ −テトラメチルジアミノジフェニルメタン −34,4’ −メチレン−ビス−(2,6−ジーt−
ブチルフェノール) −42,2’ −メチレン−ビス−(4−メチル−6−
t−プチルフェノール) −52,2’ −メチレン−ビス−(4−エチル−6−
t−ブチルフェノール) 〜62,6−ジーt−ブチル−p−クレゾール−7ブ′
チル化ヒトロキシアニゾール −82,6−ジーt−ブチル−4−エチルフェノール注
2)試験の判定基準は次の通りである。
■ 初期接触抵抗、加熱試験後接触抵抗(n=5の平均
値)○: 25mmΩ以下 △:25〜50nnΩ X : 5haΩ以上 ■ 腐食試験後外観 O:腐食生成物なし △ 腐食生成物点在 X:腐食点が全面に認められる [発明の効果] 以上述べたように、本発明により封孔処理された下地層
としてニッケルめっき、中間層としてパラジウムまたは
パラジウム合金めっき後、金めっきの接点は、処理直後
の接触抵抗が低く、過酷な腐食環境においても優れた耐
食性を示し、また熱履歴によっても接触抵抗が上昇せず
、接触性能が安定しているという利点を有する。
値)○: 25mmΩ以下 △:25〜50nnΩ X : 5haΩ以上 ■ 腐食試験後外観 O:腐食生成物なし △ 腐食生成物点在 X:腐食点が全面に認められる [発明の効果] 以上述べたように、本発明により封孔処理された下地層
としてニッケルめっき、中間層としてパラジウムまたは
パラジウム合金めっき後、金めっきの接点は、処理直後
の接触抵抗が低く、過酷な腐食環境においても優れた耐
食性を示し、また熱履歴によっても接触抵抗が上昇せず
、接触性能が安定しているという利点を有する。
特許呂願人日本鉱業株式会社
Claims (7)
- (1)銅系または鉄系金属材料に下地層としてニッケル
めっき、中間層としてパラジウムまたはパラジウム合金
をめっき後、金または金合金をめっきした材料を処理す
る封孔処理液であって、以下の(A)〜(E)の各群の
うちの2つ以上の群からそれぞれ1種または2種以上選
択された化合物を含む有機溶剤溶液よりなることを特徴
とする封孔処理液。 (A)イソステアリン酸、酸化ワックス、及び酸化ペト
ロラタム0.05〜3wt%、 (B)アルキル置換ナフタレンスルフォン酸塩0.05
〜3wt%、 (C)アミン0.05〜3wt%、 (D)金属石けん0.05〜3wt%、 (E)フタル酸エステル、亜りん酸エステル、グリセリ
ンモノエステル、及びソルビタンエステル0.01〜3
wt%。 - (2)キレート形成性環状窒素化合物の1種もしくは2
種以上0.05〜1wt%をさらに含有することを特徴
とする請求項(1)記載の封孔処理液。 - (3)請求項(1)記載の(A)〜(E)から選択され
たいずれか1種の化合物0.01〜3wt%と、キレー
ト形成性環状窒素化合物の1種又は2種以上0.05〜
3wt%を含有する封孔処理液。 - (4)アミン系又はフェノール系酸化防止剤の1種もし
くは2種以上0.001〜1wt%を、さらに含有する
ことを特徴とする請求項(1)、(2)又は(3)又は
記載の封孔処理液。 - (5)銅系又は鉄系金属材料に下地層としてニッケルめ
っき、中間層としてパラジウムまたはパラジウム合金を
めっき後、さらにその上に金または金合金を電気めっき
後、請求項(1)、(2)、(3)又は(4)記載の封
孔処理液で処理することを特徴とする封孔処理方法。 - (6)下地層としてニッケルめっき、中間層としてパラ
ジウムまたはパラジウム合金をめっき後、金または金合
金めっきされた銅系または鉄系金属材料をプレス加工後
、請求項(1)、(2)、(3)又は(4)に記載の封
孔処理液で処理することを特徴とする封孔処理方法。 - (7)銅系または鉄系金属材料に下地層としてニッケル
めっき、中間層としてパラジウムまたはパラジウム合金
をめっき後、金又は金合金をめっきしためっき材よりな
り、請求項(1)、(2)又は(3)(4)記載の封孔
処理液で封孔処理したことを特徴とするコネクタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32319990A JPH04193989A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 封孔処理液及び方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32319990A JPH04193989A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 封孔処理液及び方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04193989A true JPH04193989A (ja) | 1992-07-14 |
Family
ID=18152157
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32319990A Pending JPH04193989A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 封孔処理液及び方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04193989A (ja) |
-
1990
- 1990-11-28 JP JP32319990A patent/JPH04193989A/ja active Pending
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