JPH04160188A - 封孔処理液及び方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、金めつき電気接点の封孔処理液、封孔処理方
法及び封孔処理されたコネクタ接触〜子に関する。特に
は潤滑、防錆及び電気的接続性が長期的に安定して優れ
る封孔処理液、封孔処理方法及び封孔処理されたコネク
タに関する。

［従来の技術］ 電子機器用接続部品としてコネクタは最も代表的なもの
であり多種多様のコネクタが実用化されている。電算機
や通信用機器等高度の信頼性が要求される、いわゆる産
業用電子機器に使用されるコネクタは、りん青銅、ベリ
リウム銅等のバネ用銅合金を母材とし、接点用金属被膜
としてニッケル下地めっき後その上に金めつきを施した
ものが一般に利用されている。

金は貴金属の中でも極めて耐食性が高く、表面に酸化物
や他の被膜を形成しないため電気的接続性に優れ、接点
用金属として広く使用されている。しかし、金は高価で
あるため、コネクタの製造コストを下げる目的で様々な
畜舎化策が採られてきた。その代表的方法が金めつきの
厚みを薄くする方法であるが、金めつきの厚みを薄くす
るとともに、被膜のピンホールの数が指数関数的に増え
、耐食性が著しく低下するという問題を抱えている。こ
の問題を解決する方法のひとつに封孔処理がある。すな
わち、各種の無機性、あるいは有機性の薬品で金めつき
面を処理し、ピンホールを塞ぎ耐食性を向上させようと
するものであった。

［発明が解決しようとする課題］ 封孔処理、特に有機性の薬品による封孔処理は、金めつ
き被膜の厚み低減に対し、耐食性を維持する効果に優れ
ている。ところが従来の封孔処理液は鉄系金属材料や銅
系金属材料の防錆剤として知られていた化合物を中心と
して選択されたものか、あるいは畜舎化以前にも金めつ
き接点の潤滑を目的として使用されていた潤滑剤をその
まま使用したものが一般的であった。

封孔処理された金めつきに要求される特性としては、 ■　潤滑性がよいこと、 ■　耐食性が優れていること、 ■　接触抵抗が低く安定していること、■　はんだ付性
がよいこと、及び ■　それらの特性が各種の環境、使用条件下で長期に亘
り持続すること、 である。

ところが従来の封孔処理液は、そのような総合的観点か
ら必ずしも満足できるものではなく、なんらかの品質面
で劣っているものが一般的であった。

特に自動車の電子機器化、いわゆるカーエレクトロニク
ス化の急激な進展とともに自動車に使用される電子回路
用コネクタの材料で金めっきされたものが増えている。

そのような状況にあって、上記■〜■の特性のうち■の
耐食性において、耐工業ガス（Ｈ２５ＳＳＯ２混合）性
及び耐塩水噴霧性を、更に■において、過酷な温湿度サ
イクル環境下における耐久性を、従来の封孔処理よりも
大巾に改善しつつ、かつその他の特性については、同等
もしくはそれ以上の特性を有する封孔処理液技術が必要
となった。

本発明は、このような要求を満たすことのできる改善さ
れた封孔処理液及びそれを用いる封孔処理方法を提供す
ることを目的とし、あわせてそれにより処理されたコネ
クタを提供することを目的とするものである。

［課題を解決するための手段］ かかる状況に鑑み、本発明者等は鋭意研究を行った結果
、以下に示す封孔処理液、方法及び封孔処理されたコネ
クタを発明するに至った。

すなわち、本発明は、 （１）銅系または鉄系金属材料に中間層としてニッケル
をめっき後、金または金合金をめっきした材料を処理す
る封孔処理液であって、以下の（Ａ）〜（Ｅ）の各群の
うちの２つ以上の群からそれぞれ１種または２種以上選
択された化合物を含む有機溶剤溶液よりなることを特徴
とする封孔処理液。

（Ａ）イソステアリン酸、酸化ワックス、及び酸化ペト
ロラタム０．０５〜３ｗｔ％、（Ｂ）アルキル置換ナフ
タレンスルフォン酸塩０．０５〜３ｗｔ％、 （Ｃ）アミン０．０５〜３ｗｔ％、 （Ｄ）金属石けん０．０５〜３ｗｔ％、（Ｅ）フタル酸
エステル、亜りん酸エステル、グリセリンモノエステル
、及びソルビタンエステルチル０，０１〜３ｗｔ％。

（２）キレート形成性環状窒素化合物の１種もしくは２
種以上０．０５〜ｔｗｔ％をさらに含有することを特徴
とする前記（１）記載の封孔処理液。

（３）前記（１）記載の（Ａ）〜（Ｅ）から選択された
いずれか１種の化合物０．０１〜３ｗｔ％と、キレート
形成性環状窒素化合物の１種又は２種以上０．０５〜３
ｗｔ％を含有する封孔処理液。

（４）アミン系又はフェノール系酸化防止剤の１種もし
くは２種以上０．００１−１ｗｔ％を、さらに含有する
ことを特徴とする前記（１）　、（２）又は（３）記載
の封孔処理液。

（５）銅系又は鉄系金属材料に中間層としてニッケルを
めっきし、さらにその上に金または金合金を電気めっき
後、前記　（１）、（２）　、（３）又は（４）記載の
封孔処理液で処理することを特徴とする封孔処理方法。

（６）ニッケル及び金または金合金めっきされた銅系ま
たは鉄系金属材料をプレス加工後、前記（１）、（２）
、（３）又は（４）に記載の封孔処理液で処理すること
を特徴とする封孔処理方法。

（７）銅系または鉄系金属材料に中間層としてニッケル
をめっき後、金又は金合金をめっきしためっき材よりな
り、前記（１）　、（２）　、（３）又は（４）記載の
封孔処理液で封孔処理したことを特徴とするコネクタで
ある。

本発明の封孔処理液の必須成分は、以下の（Ａ）〜（Ｅ
）で示される群から選択される。

すなわち、 （Ａ）イソステアリン酸、酸化ワックス、及び酸化ペト
ロラタム０．０５〜３ｗｔ％、 （Ｂ）アルキル置換ナフタレンスルフォン酸塩０．１〜
３ｗｔ％、 （Ｃ）アミン０．０５〜３ｗｔ％、 （Ｄ）金属石けん０．０５〜３ｗｔ％、（Ｅ）フタル酸
エステル、亜りん酸エステル、グリセリンモノエステル
、及びソルビタンエステル０．０１〜３ｗｔ％であり、
これらは２種以上の群からそれぞれ１種又は２種以上混
合して添加され、耐食性向上に寄与する。上記（Ａ）〜
（Ｄ）成分の添加量は０．０５〜３ｗｔ％である。０．
０５ｗｔ％未満では防錆効果が低く、３ｗｔ％を越える
と、接触抵抗への悪影響が認められる。

又、（Ｅ）成分の添加量は、０．０１〜３ｗｔ％の範囲
であり、０．０１ｗｔ％未満では耐食性向上効果が得ら
れず、３ｗｔ％を越えると接触抵抗への悪影響が認めら
れる。

本発明において使用する（Ｂ）成分のアルキル置換ナフ
タレンスルフォン酸塩は次式で表される。

５Ｏ９ （Ｒは炭素数６〜１２のアルキル基；Ｍは塩形成成分；
ｎは１〜２の整数、ｍはＭの価数に一致する整数） アルキル置換ナフタレンスルフォン酸塩として好ましい
ものを具体的に例示すれば、たとえば、ジノニルナフタ
レンスルフオン酸バリウム塩、ジノニルナフタレンスル
フオン酸カルシウム塩、ジノニルナフタレンスルフオン
酸亜鉛塩、ジノニルナフタレンスルフオン酸バリウム塩
基性塩、ジノニルナフタレンスルフオン酸エチレンジア
ミン塩、ジノニルナフタレンスルフォン酸ナトリウム塩
、及びジノニルナフタレンスルフォン酸リチウム塩、ジ
ノニルナフタレンスルフォン酸鉛塩、ジノニルナフタレ
ンスルフォン酸アンモニウム塩、ジノニルナフタレンス
ルフオン酸トリエタノールアミン塩等を挙げることがで
きる。

本発明において使用する上記（Ｃ）成分のアミンとして
は脂肪族又は環状脂肪族が好ましく、特に好ましいもの
としては、オクタデシルアミン、ドデシルアミン、デシ
ルアミン、オクチルアミン、及びシクロヘキシルアミン
等を挙げることができる。

又、本発明において使用する上記（Ｄ）の金属石けんと
して特に好ましいものとしては、たとえば、酸化ペトロ
ラタム金属塩、酸化ワックス金属塩、ステアリン酸金属
塩、ラウリン酸金属塩、リシルロン酸金属塩、ミリスチ
ン酸金属塩、オレイン酸金属塩、ナフテン酸金属塩、及
びラノリン酸金属塩等を挙げることができ、金属塩は特
に制限はないが、好ましくはＣａ５Ａｌ。

Ｂａ、Ｐｂ塩等である。

本発明において使用する上記（Ｅ）成分のフタル酸エス
テルとしては、例えば、フタル酸ジメチル、フタル酸ジ
エチル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジヘプチル、フタ
ル酸ジ−ｎ−オクチル、フタル酸ジー２−エチルヘキシ
ル、フタル酸ジイソノニル、フタル酸オクチルデシル、
フタル酸ジイソデシル等を挙げることができる。

亜りん酸エステルとしては、例えば、トリフェニルホス
ファイト、トリクレジルホスファイト、ジフェニルノニ
ルフェニルホスファイト、トリラウリルホスファイト、
ジラウリルハイドロゼンホスファイト等を挙げることが
できる。

グリセリンモノエステルとしては、例えば、グリセリン
モノオレイン酸エステルを挙げることができる。

ソルビタンエステルとしては、例えば、ソルビタンモノ
・ラウレート、ソルビタンモノ−ステアレート、ソルビ
タンモノ・パルミテート、ソルビタンモノ・オレエート
、ソルビタンセスキ・オレエート、ソルビタントリ・オ
レエート等を挙げることができる。

本発明の封孔処理液には必要に応じてキレート形成性環
状窒素化合物；アミン系又はフェノール系酸化防止剤を
添加することができる。キレート形成性環状窒素化合物
は、銅、ニッケル等に配位して安定なキレートを形成す
る化合物で、特にベンゼン環を有する環状窒素化合物、
あるいはトリアジン系化合物が好ましい。具体例を挙げ
れば、ベンゼン環を有する環状窒素化合物としては、た
とえば、 ベンゾトリアゾール系 インダゾール系 ベンズイミダゾール系 インドール系 （上記各式中、Ｒ１は水素、アルキル、置換アルキルを
表わし、Ｒ２はアルカリ金属、水素、アルキル、置換ア
ルキルを表わす） 等を挙げることができる。

ベンゾトリアゾール系としては、例えばベンゾトリアゾ
ール（Ｒ１、Ｒ２ともに水素）、１−メチルベンゾトリ
アゾール（Ｒ＋が水素、Ｒ２がメチル）、１−　（Ｎ、
Ｎ−ジオクチルアミノメチル）ベンゾトリアゾール（Ｒ
＋が水素、Ｒ２かＮ、Ｎ−ジオクチルアミノメチル）、
トリルトリアゾール（Ｒ＋がメチル、Ｒ２が水素）、ソ
ジウムトリルトリアゾール（Ｒ＋がメチル、Ｒ２がナト
リウム）等が好ましい。

インダゾール系としては、例えばインダゾール（Ｒ１，
Ｒ２ともに水素）、２−メチルインダゾール（Ｒ＋が水
素、Ｒ２がメチル）、２−ベンジルインダゾール（Ｒ＋
が水素、Ｒ２が（６Ｒ５ＣＨ２）、■−アセチルインダ
ゾール（Ｒ＋が水素、Ｒ２がＣ０ＣＨ５）等が好ましい
。

ベンズイミダゾール系としては、例えばベンズイミダゾ
ール（Ｒ＋、Ｒ２ともに水素）、Ｎ−アセチイベンズイ
ミダゾール（Ｒ＋か水素、Ｒ２かＣ０ＣＨ２）、Ｎ−ベ
ンゾイルベンズイミダゾール（Ｒ＋か水素、Ｒ２かＣ０
Ｃ６Ｈ３）等が好ましい。

インドール系としては、例えばインドール（Ｒ１、Ｒ２
ともに水素）、インドール−１−カルボン酸（Ｒ＋が水
素、Ｒ２がＣ００Ｈ）、１−メチルインドール（Ｒ＋が
水素、Ｒ２がＣＨ３）等が好ましい。

また、トリアジン系化合物の好ましい具体例を挙げれば
、例えば、８−置換−１，３，５−）リアジン−２，４
−ジチオール−ナトリウム塩（Ｒはアルキル基で置換さ
れたアミノ基で、好ましくは−Ｎ（Ｃ４Ｒ９）　２、−
Ｎ（Ｃ８Ｈｒｙ）　２、−Ｎ（ＣＩ２　Ｈ２５）　２、
−ＮＨＣａ　Ｈｖａ　ＣＨ−ＣＨＣｅ　Ｈ１７等である
）、 シアヌル酸＜２．４．８−　トリオキシ−１，３，５−
トリアジン）、 Ｈ メラミン（２，４，６−）リアミノ−１，３，５−）リ
アジン）、 Ｈ２ 等を挙げることができる。これらは１種または２種以上
混合して添加され、耐食性、耐久性を向上させる。その
濃度は総量で０．０５〜３ｙｔ％である。０．０５ｖｔ
％より小さいと耐食性、耐久性が低く、また、３ｗｔ％
より大きいと電気的接続性に支障が生じる。

又、本発明の封孔処理液に、必要に応じて添加される上
記のアミン系又はフェノール系酸化防止剤としては、た
とえば、 Ｐ、Ｐ“−ジオクチルジフェニルアミン４．４゛−テト
ラメチルジアミノジフェニルメタ４．４°−メチレン−
ビス−（２，６−ジーｔ−ブチルフェノール） （ＣＨ３）　３　ＣＣ（ＣＨ３）　３ ２．２°−メチレン−ビス−（４−メチル−６−ｔ−ブ
チルフェノール） ＣＨ３ＣＨ３ ２，２°−メチレン−ビス−（４−エチル−６−ｔ−ブ
チルフェノール） ＣＨ２ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ３ ２，６−ジーｔ−ブチル−ｐ−クレゾールＨ ＣＨ３ ブチル化ヒドロキシアニソール ０ＣＲ３０ＣＨ３ ２，６−ジーｔ−ブチル−４−エチルフェノ−Ｈ２ＣＨ
３ 等を挙げることができる。

これらは、１種又は２種以上を０．００１〜１ｗｔ％添
加することができる。

これらの成分を添加することにより、耐久性を一層向上
させることができる。すなわち、封孔処理皮膜の機能を
長期に亘り安定させ、また高温環境における皮膜の劣化
を抑制する効果を有する。０．００１ｖｔ％未満てはそ
の効果を得ることはできず、１νｔ％を越えると接触抵
抗の低下現象が認められる。

封孔処理液は上述の成分を有するが、溶媒としては特に
制限されず、公知の有機溶媒より適宜選択することがで
きる。例えばトルエン、キシレン等の石油系溶媒、トリ
クロロエチレン、トリクロロエタン等の／％ロゲン系溶
媒、あるいはフロン系溶媒等である。

処理方法としては、めっき品を封孔処理液中に浸漬する
か、封孔処理液をスプレー、あるいは塗布するなど、何
れの方法によることもできる。しかし本発明において、
めっき品の形状が板・条、プレス部品であるを問わず、
めっき直後すなわち連続ラインであれば、そのラインの
中で処理することが、封孔処理の各種機能を高める効果
が高いことを見いだした。

さらに、めっき品をプレス加工後に本発明の封孔処理液
で封孔処理する事も有効である。めっき後封孔処理した
金属材料であっても、その後のプレス加工で付着したプ
レス油を洗浄する工程において、封孔処理の機能の多く
は喪失する、そこで再度の封孔処理が有効となる。

その後のコネクタの加工工程においても、最終の電子機
器の組み立てまで、めっき品の洗浄工程があれば同様に
封孔処理機能は喪失するため、適宜本発明により封孔処
理する事が有効である。さらには電子機器にコネクタと
して組み込まれ実使用に際しても、使用にともない接点
性能が低下するなどの場合は、適宜本封孔処理液により
処理することができる。従って、本発明は本発明封孔処
理液により処理されたコネクタをも包含するものである
。

なお、゛本発明における、めつき母材となる金属材料は
、銅及び、黄銅、りん青銅、チタン銅等の各種銅合金、
鉄、ステンレス鋼、高ニッケル合金等、コネクタの要求
性能に従い適宜選択でき、同等制限されない。中間層と
してのニッケルめっきは、ワット浴、スルファミン酸浴
等からの電気めっき、無電解めっき等の公知のものを適
用でき、めっき方法は制限されない。またニッケルめっ
きは金属母材に直接施すほか、その中間にさらに他の金
属層を有することもできる。金めつきは各種のアルカリ
性浴、酸性浴から純金めっきの他、コバルト等の合金成
分を含有する金合金めっきも包含するものである。

［実施例コ 以下に実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。

ばね用りん青銅（Ｃ５２１０）の厚み０．２ｍｌｌ１の
冷間圧延材を用い、雄、及び雌の連続端子をそれぞれプ
レス成形した。これらをリール・ツウ・リールの連続電
気めっきラインを通して電気めっきを施した。めっきラ
インにおいては、脱脂、酸洗後ワット浴により　１μ印
のニッケルめっき後、酸性めっき浴により金を０．２　
　μｌの厚みで接点部に部分めっきした。また、連続め
っきラインでは、金めつき後に封孔処理工程を設け、同
工程ではトリクロロエタンを溶媒とした各種封孔処理液
に連続端子を通人することにより封孔処理を施した。

こうして表面処理した雄と雌の端子をキャリア一部から
切断しリード線を圧着した後、それぞれを嵌合し評価試
験に供した。

接触抵抗は直流１０１０ｌｌ１　、開放電圧５０■Ｖて
測定した。腐食試験は次の条件で行った。

ガス組成：Ｈ２Ｓ　　　３±ｔｐｐ匝 ＳＯ２１０±３ｐｐｍ 温度　　、４０±　２℃　　　　　。

湿度　　ニア５±　５％ＲＨ 時間　　二９６時間 加熱試験は１２５℃大気中で１０００時間保持した。

結果を第１表に示す。

第１表 Ａ−１イソステアリン酸 −２酸化ワックス −３酸化ペトロラタム −４ジノニルナフタレンスルフォン酸ノ（リウム塩−５
ジノニルナフタレンスルフォン酸カルンウム塩Ａ−６ジ
ノニルナフタレンスルフオン酸亜鉛塩−７ジノニルナツ
タレノスルフォン酸／くリウム塩基性塩−８ンノニルナ
フタレンスルフオン酸エチレンノアミン塩−９ジノニル
ナツタレノスルフォン酸ナトリウム塩−１０ツノニルナ
フタレンスルフォノ酸リチウム塩−１１オクタデシルア
ミン −１２ドデシルアミン −１３デ／ルアミン −１４オクチルアミン −１５ンクロヘキンルアミン −１６酸化ペトロラタムＣａ塩 −１７酸化ワックスＣａ塩 ＝１８　　ステアリン酸Ｃａ塩 −１９ラウリン酸Ａ１塩 −２０リンルン酸ＡＩ塩 −２１ミリスチン酸Ｃａ塩 −２２オレイン酸Ｂａ塩 −２３ナフテン酸Ｂａ塩 −２４ラノリン酸ＡＩ塩 −２５フタル酸ジメチル −２６フタル酸ジエチル −２７７タル酸ノブチル −２８フタル酸ジヘブチル ＝２９　　フタル酸ノーｎ−オクチル −３０フタル酸ノー２−エチルヘキンル−３１フタル酸
ノイソノニル −３２フタル酸オクチルデシル −３３７タル酸ノイソデンル −３４Ｈフェニルホスファイト −３５トリクレノルホスフアイト Ａ−３６ジフェニルノニルフェニルホスファイト−３７
トリラウリルホスフアイト ー３８　　ノラウリルハイドロゼンホスファイト＝３９
　　グリセリンモノオレイン酸エステル−４０ソルビタ
ンモノ・ラウレート −４１ソルビタンモノ・ステアレート −４２ソルビタンモノφパルミテート −４３ソルビタンモノ・オレエート −４４ソルビタンセスキ−オレエート ＝４５　　ソルビタントリ俳オレエートＢ−１ベンゾト
リアゾール −２インダゾール −３ベンズイミダゾール −４インドール −５１−メチルベンゾトリアゾール −６トリルトリアゾール −７ソジウムトリルトリアゾール −８メラミン ｃ−ｉ　　ｐ、ｐ’−ジオクチルジフェニルアミン−２
４，４’−テトラメチルジアミノジフェニルメタン−３
４，４°−メチレン−ビス−（２，６−ジーｔ−ブチル
フェノール）−４２，２°−メチレン−ビス−（４−メ
チル−ｅ−ｔ−ブチルフェノール） −５２，２“−メチレン−ビス−（４−エチル−ａ−ｔ
−ブチルフェノール） −６２，６−＋；−ｔ−ブチルーｐ−クレゾール−７ブ
チル化ヒドロキンアニソール −８２，６−ジーｔ−ブチル−４−エチルフェノール注
２）　試験の判定基準は次の通りである。

■初期接触抵抗、加ＩＩＬｌａｔ験後接触抵抗（ｎ−５
の平均値）０・２５■−Ω以下 △　２５〜５０ｍ５Ω Ｘ・５０膳−Ω以上 ■腐食試験後外観 ○、腐食生成物はとんどなし △　腐食生成物点在 ×、腐食点が全面に認められる ［発明の効果］ 以上述べたように、本発明により封孔処理されたニッケ
ル下地、金めつきの接点は、処理直後の接触抵抗が低く
、過酷な腐食環境においても優れた耐食性を示し、また
熱履歴によっても接触抵抗が上昇せず、接触性能が安定
しているという利点を有する。

特許出願人　日　本　鉱　業　株　式　会　社特許出願
人　株式会社　共石製品技術研究所代理人　弁理士　小
　松　秀　岳

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）銅系または鉄系金属材料に中間層としてニッケル
   をめっき後、金または金合金をめっきした材料を処理す
   る封孔処理液であって、以下の（Ａ）〜（Ｅ）の各群の
   うちの２つ以上の群からそれぞれ１種または２種以上選
   択された化合物を含む有機溶剤溶液よりなることを特徴
   とする封孔処理液。 （Ａ）イソステアリン酸、酸化ワックス、及び酸化ペト
   ロラタム０．０５〜３ｗｔ％、 （Ｂ）アルキル置換ナフタレンスルフォン酸塩０．０５
   〜３ｗｔ％、 （Ｃ）アミン０．０５〜３ｗｔ％、 （Ｄ）金属石けん０．０５〜３ｗｔ％、 （Ｅ）フタル酸エステル、亜りん酸エステル、グリセリ
   ンモノエステル、及びソルビタンエステルテル０．０１
   〜３ｗｔ％。
2. （２）キレート形成性環状窒素化合物の１種もしくは２
   種以上０．０５〜１ｗｔ％をさらに含有することを特徴
   とする請求項（１）記載の封孔処理液。
3. （３）請求項（１）記載の（Ａ）〜（Ｅ）から選択され
   たいずれか１種の化合物０．０１〜３ｗｔ％と、キレー
   ト形成性環状窒素化合物の１種又は２種以上０．０５〜
   ３ｗｔ％を含有する封孔処理液。
4. （４）アミン系又はフェノール系酸化防止剤の１種もし
   くは２種以上０．００１〜１ｗｔ％を、さらに含有する
   ことを特徴とする請求項（１）、（２）又は（３）記載
   の封孔処理液。
5. （５）銅系又は鉄系金属材料に中間層としてニッケルを
   めっきし、さらにその上に金または金合金を電気めっき
   後、請求項（１）、（２）、（３）又は（４）記載の封
   孔処理液で処理することを特徴とする封孔処理方法。
6. （６）ニッケル及び金または金合金めっきされた銅系ま
   たは鉄系金属材料をプレス加工後、請求項（１）、（２
   ）、（３）又は（４）に記載の封孔処理液で処理するこ
   とを特徴とする封孔処理方法。
7. （７）銅系または鉄系金属材料に中間層としてニッケル
   をめっき後、金又は金合金をめっきしためっき材よりな
   り、請求項（１）、（２）、（３）又は（４）記載の封
   孔処理液で封孔処理したことを特徴とするコネクタ。