JPH04193988A - 封孔処理液及び方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、金めつき電気接点の封孔処理液、封孔処理方
法及び封孔処理されたコネクタ接触子に関する。特には
潤滑、防錆及び電気的接続性が長期的に安定して優れる
封孔処理液、封孔処理方法及び封孔処理されたコネクタ
に関する。

［従来の技術］ 電子機器用接続部品としてコネクタは最も代表的なもの
であり多種多様のコネクタが実用化されている。電算機
や通信用機器等高度の信頼性が要求される、いわゆる産
業用電子機器に使用されるコネクタは、りん青銅、ベリ
リウム銅等のバネ用銅合金を母材とし、接点用金属被膜
としてニッケル下地めっき後その上に金めつきを施した
ものが一般に利用されている。

金は貴金属の中でも極めて耐食性が高く、表面に酸化物
や他の被膜を形成しないため電気的接続性に優れ、接点
用金属として広く使用されている。

しかし、金は高価であるため、コネクタの製造コストを
下げる目的で様々な寄金北東が採られてきた。その代表
的方法が金めつきの厚みを薄くする方法であるが、金め
つきの厚みを薄くするとともに、被膜のピンホールの数
が指数関数的に増え、耐食性が著しく低下するという問
題を抱えている。

そこで、ニッケル下地めっき後、中間めっきとしてパラ
ジウムまたはパラジウム合金をめっきし、その上に金め
っきしたものが利用されている。しかし、この３層めっ
きでも十分な耐食性が得られていない。この問題を解決
する方法のひとつに封孔処理がある。すなわち、各種の
無機性、あるいは有機性の薬品で金めつき面を処理し、
ピンホールを塞ぎ耐食性を向上させようとするものであ
るが、下地層としてニッケルをめっきし、中間層として
パラジウムまたはパラジウム合金をめっきし、その上に
金めっきした材料への封孔処理液及び封孔処理方法は公
知のものがない。

［発明が解決しようとする課題］ 封孔処理、特に有機性の薬品による封孔処理は、金めつ
き被膜の厚み低減に対し、耐食性を維持する効果に優れ
ている。ところが従来の封孔処理液は鉄系金属材料や銅
系金属材料の防錆剤として知られていた化合物を中心と
して選択されたものか。

あるいは寄金化以前にも金めつき接点の潤滑を目的とし
て使用されていた潤滑剤をそのまま使用したものが一般
的であった。封孔処理された金めつきに要求される特性
としては、 ■　潤滑性がよいこと、 ■　耐食性が優れていること、 ■　接触抵抗が低く安定していること。

■　はんだ付性がよいこと、及び ■　それらの特性が各種の環境、使用条件下で長期に亘
り持続すること、 である。

ところが従来の封孔処理液は、そのような総合的観点か
ら必ずしも満足できるものではなく、なんらかの品質面
で劣っているものが一般的であった。

特に、自動車の電子機器化、いわゆるカーエレクトロニ
クス化の急激な進展とともに自動車に使用される電子回
路用コネクタの材料で金めっきされたものが増えている
。そのような状況にあって、上記■〜■の特性のうち■
の耐食性において、耐工業ガス（Ｈ２Ｓ、Ｓｏ２混合）
性及び耐塩水噴霧性を、更に■において、過酷な温湿度
サイクル環境下における耐久性を、従来の封孔処理より
も大巾に改善しつつ、かつその他の特性については、同
等もしくはそれ以上の特性を有する封孔処理液技術が必
要となった。

本発明は、このような要求を満たすことのできる改善さ
れた封孔処理液及びそれを用いる封孔処理方法を提供す
ることを目的とし、あわせ−でそれにより処理されたコ
ネクタを提供することを目的とするものである。

［課題を解決するための手段］ かかる状況に鑑み、本発明者等は鋭意研究を行った結果
、以下に示す封孔処理液、方法及び封孔処理されたコネ
クタを発明するに至った。

すなわち、本発明は、 （１）銅系または鉄系金属材料に下地層としてニッケル
めっき、中間層としてパラジウムまたはパラジウム合金
をめっき後、金または金合金をめっきした材料を処理す
る封孔処理液であって、（Ａ）ペトロラタム０．ｌ−３
ｗｔ％及び（Ｂ）以下の（ａ）〜（ｅ）の各群のうちの
２種以上の群からそれぞれ１種又は２種以上選択された
化合物を含む有機溶剤溶液よりなることを特徴とする封
孔処理液。

（ａ）イソステアリン酸、酸化ワックス、及び酸化ペト
ロラタム０．０５〜３すｔ％、 （ｂ）アルキル置換ナフタレンスルフォン酸塩０．０５
〜３ｗｔ％、 （ｃ）　アミン０．０５〜３ｖｔ％、 （ｄ）金属石けん０．０５〜３すｔ％、（ｅ）フタル酸
エステル、亜りん酸エステル、グリセリンモノエステル
、及びソルビタンエステル０．０１〜３ｗｔ％。

（２）キレート形成性環状窒素化合物の１種もしくは２
種以上０．０５〜３ｗｔ％をさらに含有することを特徴
とする前記（１）記載の封孔処理液。

（３）アミン系又はフェノール系酸化防止剤の１種もし
くは２種以上０．００１〜１ｗｔ％を、さらに含有する
ことを特徴とする前記（１）又は（２）記載の封孔処理
液。

（４）銅系又は鉄系金属材料に下地層としてニッケルめ
っき、中間層としてパラジウムまたはパラジウム合金を
めっき後、さらにその上に金または金合金を電気めっき
後、前記（１）、（２）または（３）記載の封孔処理液
で処理することを特徴とする封孔処理方法。

（５）下地層としてニッケルめっき、中間層としてパラ
ジウムまたはパラジウム合金をめっき後、金または金合
金めっきされた銅系または銹系金属材料をプレス加工後
、前記（１）、（２）または（３）に記載の封孔処理液
で処理することを特徴とする封孔処理方法。

（６）銅系または鉄系金属材料に下地層としてニッケル
めっき、中間層としてパラジウムまたはパラジウム合金
をめっき後、金又は金合金をめっきしためっき材よりな
り、前記（１）、（２）または（３）記載の封孔処理液
で封孔処理したことを特徴とするコネクタ。

本発明の封孔処理液の必須成分であるペトロラタムは石
油から得られるゼリー状半固体のろうてあり、真空蒸留
残渣から溶剤脱ろう、遠心分離等により得られる軟膏状
の石油ワックスである。パラフィンワックスに比べ正パ
ラフィンが少なくイソパラフィンが多く、また５員環ナ
フテンも含まれ融点が低い。ペトロラタムは鉄鋼におけ
る防錆剤の成分の一つとしても知られているものである
が、本発明においては基油としての機能を有する、すな
わちそれ自体、多数のピンホールの存在する金めつき表
面に皮膜を形成し、ピンホール等金めっきの微視的な欠
陥を通して、大気中の水分、酸素、及び各種の腐食媒が
下地ニッケルと接触するのを防いでいる。

本発明において、この基油の選択は他の成分の作用と相
俟って相乗的に前述の耐食性、耐久性を向上させるうえ
で重要な成分である。特に鉄鋼等の防錆剤とは異なり、
場合によっては、マイクロアンペアオーダーの微弱電流
を確実に相手端子と接続しなければならないコネクタ等
電子部品の接点表面の封孔処理剤であるから、基油の選
択は防錆効果のみではなく、電気的接続性が極めて重要
となる。そして、その濃度は０．１νｔ％より小さいと
、耐食性、耐久性が小さくなり、所望の効果を得ること
ができない。一方３ｗｔ％より大きいと接触抵抗が上昇
し接点用の封孔処理として価値がなくなるので好ましく
ない。

本発明の封孔処理液のもう一つの必須成分は、以下の（
ａ）〜（ｅ）で示される群のうちの２種以上の群から選
択される。

すなわち、 （ａ）イソステアリン酸、酸化ワックス、及び酸化ペト
ロラタム０．０５〜３誓ｔ％ （ｂ）アルキル置換ナフタレンスルフォン酸塩０．０５
〜３すｔ％ （ｃ）アミン０．０５〜３ｗｔ％ （ｄ）金属石けん０．０５〜３ｗｔ％ （ｅ）フタル酸エステル、亜りん酸エステル、グリセリ
ンモノエステル、及びソルビタンエステル０．０１〜３
ｗｔ％であり、これらは２種以上の群からそれぞれ１種
又は２種以上混合して添加され、耐食性向上に寄与する
。上記（ａ）〜（ｄ）成分の添加量は０．０５〜３ｖｔ
％である。　０．０５ｔａｔ％未満では防錆効果が低く
、３ｗｔ％を越えると、接触抵抗への悪影響が認められ
る。

又、（ｅ）成分の添加量は、０．０１〜３ｗｔ％の範囲
であり、０．０１ｗｔ％未満では耐食性向上効果が得ら
れず、３ｖｔ％を越えると接触抵抗への悪影響が認めら
れる。

本発明において使用する（ｂ）成分のアルキル置換ナフ
タレンスルフォン酸塩は次式で表される。

５Ｏ１ （Ｒは炭素数６〜１２のアルキル基；Ｍは塩形成成分；
ｎは１〜２の整数、ｍはＭの価数に一致する整数） アルキル置換ナフタレンスルフォン酸塩として好ましい
ものを具体的に例示すれば、たとえば。

ジノニルナフタレンスルフオン酸バリウム塩、ジノニル
ナフタレンスルフオン酸カルシウム塩、ジノニルナフタ
レンスルフオン酸亜鉛塩、ジノニルナフタレンスルフオ
ン酸バリウム塩基性塩、ジノニルナフタレンスルフオン
酸エチレンジアミン塩、ジノニルナフタレンスルフオン
酸ナトリウム塩、及びジノニルナフタレンスルフォン酸
リチウム塩。

ジノニルナフタレンスルフォン酸鉛塩、ジノニルナフタ
レンスルフォン酸アンモニウム塩、ジノニルナフタレン
スルフオン酸トリエタノールアミン塩等を挙げることが
できる。これらは１種又は２種以上混合して添加され、
耐食性向上に寄与する６本発明において使用する上記（
Ｃ）成分のアミンとしては、脂肪族アミン又は環状脂肪
族アミンが好ましく、特に好ましいものとしては、オク
タデシルアミン、ドデシルアミン、デシルアミン、オク
チルアミン、及びシクロヘキシルアミン等を挙げること
ができる。

又１本発明において使用する上記（ｄ）成分の金属石け
んとして特に好ましいものとしては、たとえば、酸化ペ
トロラタム金属塩、Ｍ化ワックス金属塩、ステアリン酸
金属塩、ラウリン酸金属塩、リシルシン酸金属塩、ミリ
スチン酸金属塩、オレイン酸金属塩、ナフテン酸金属塩
、及びラノリン酸金属塩等を挙げることができ、又、そ
の金属塩としては特に制限はないが、好ましくはＣａ、
Ａ１、Ｂａ、Ｐｂ塩等である。

本発明において使用する上記（ｅ）成分のフタル酸エス
テルとしては、例えば、フタル酸ジメチル、フタル酸ジ
エチル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジヘプチル、フタ
ル酸ジ−ｎ−オクチル、フタル酸ジー２−エチルヘキシ
ル、フタル酸ジイソノニル、フタル酸オクチルデシル、
フタル酸ジイソデシル等を挙げることができる。

亜りん酸エステルとしては、例えば、トリフェニルホス
ファイト、トリクレジルホスファイト、ジフェニルノニ
ルフェニルホスファイト、トリラウリルホスファイト、
ジラウリルハイドロゼンホスファイト等を挙げることが
できる。

グリセリンモノエステルとしては５例えば、グリセリン
モノオレイン酸エステルをあげることができる。

ソルビタンエステルとしては、例えば、ソルビタンモノ
・ラウレート、ソルビタンモノ・ステアレート、ソルビ
タンモノ・パルミテート、ソルビタンモノ・オレエート
、ソルビタンセスキ・オレエート、ソルビタントリ・オ
レエート等をあげることができる。

本発明の封孔処理液には必要に応じてキレート形成性環
状窒素化合物：アミン系又はフェノール系酸化防止剤を
添加することができる。キレート形成性環状窒素化合物
は、銅、ニッケル等に配位して安定なキレートを形成す
る化合物で、特にベンゼン環を有する環状窒素化合物、
あるいはトリアジン系化合物が好ましい。具体例を挙げ
れば。

ベンセン環を有する環状窒素化合物としては、たとえば
、 ベンゾトリアゾール系 インダゾール系 ベンズイミダゾール系 インドール系 （上記各式中、Ｒ１は水素、アルキル、置換アルキルを
表わし、Ｒ２はアルカリ金属、水素、アルキル、置換ア
ルキルを表わす） 等を挙げることができる。

ベンゾトリアゾール系としては、例えばベンゾトリアゾ
ール（Ｒよ、Ｒよともに水素）、１−メチルベンゾトリ
アゾール（Ｒ１が水素、Ｒ２がメチル）、１（Ｎ、Ｎ−
ジオクチルアミノメチル）ベンゾトリアゾール（Ｒ１が
水素、Ｒ２がＮ、Ｎ−ジオクチルアミノメチル）、　ト
リルトリアゾール（Ｒ□がメチル、Ｒ２が水素）、ソジ
ウムトリルトリアゾール（ＲＬがメチル、Ｒ２がナトリ
ウム）等が好ましい。

インダゾール系としては、例えばインダゾール（Ｒ１、
Ｒ２ともに水素）、２−メチルインダゾール（Ｒｘが水
素、Ｒ２がメチル）、２−ベンジルインダゾール（Ｒ工
が水素、Ｒ２がＣ，Ｈ，ＣＨ２）、１−アセチルインダ
ゾール（Ｒ□が水素、Ｒ２がＣＯＣＨ２）等が好ましい
。

ベンズイミダゾール系としては、例えばベンズイミダゾ
ール（Ｒ１、Ｒ２ともに水素）、Ｎ−アセチイベンズイ
ミダゾール（Ｒｘが水素、Ｒ２がＣＯＣＨ２）　、Ｎ−
ベンゾイルベンズイミダゾール（Ｒよが水素、Ｒ２がＣ
０ＣＧＨ，）等が好ましい。

インドール系としては、例えばインドール（Ｒよ、Ｒ２
ともに水素）、インドール−１−カルボン酸（Ｒ工が水
素、Ｒ２がＣ○○Ｈ）、１−メチルインドール（Ｒ工が
水素、Ｒ２がＣＨｌ）等が好ましい。

また、トリアジン系化合物の好ましい具体例を挙げれば
、例えば、６−置換−１，３，５−トリアジン−２，４
−ジチオール−ナトリウム塩（Ｒはアルキル基で置換さ
れたアミノ基で、好ましくは−Ｎ（Ｃ４Ｈ％）２、−Ｎ
（Ｃ，Ｈ工ｔ）ｚ−−Ｎ（Ｃｔ□Ｈｚ　ｓ　）２、−Ｎ
ＨＣ！ｌ　Ｈ工、　ＣＨ＝　ＣＨＣ，Ｈ工７等である）
シアヌル酸（２，４，６−トリオキシ−１，３，５−ト
リアジン）、 メラミン（２，４，６−）−リアミノ−１，３，５−ト
リアジン）、 を挙げることができる。これらは１種または２種以上混
合して添加され、パラフィンワッスと共に耐食性、耐久
性を向上させる。その濃度は総量で０．０５〜３ｗｔ％
である。０．０５ｗｔ％より小さいと耐食性、耐久性が
低く、また、３νｔ％より大きいと電気的接続性に支障
が生じる。

又、本発明の封孔処理液に、必要に応して添加される上
記のアミン系又はフェノール系酸化防止剤としては、た
とえば、 Ｐ、Ｐ　’−ジオクチルジフェニルアミン４．４′−テ
トラメチルジアミノジフェニルメタ４．４′−メチレン
−ビス−（２，６−ジーｔ−ブチルフェノール） ２．２′−メチレン−ビス−（４−メチル−６−を−ブ
チルフェノール） ２．２′−メチレン−ビス−（４−エチル−６−を−ブ
チルフェノール） ＣＨ２ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ３ ２，６−ジーｔ−ブチル−ｐ−クレゾールＨ ＣＨ３ ブチル化ヒドロキシアニゾール ２．６−ジーｔ−ブチル−４−エチルフェノールＨ ＣＨ２Ｃｌ。

等を挙げることができる。

これらは、１種又は２種以上を０．００１〜１ｔｚｔ％
添加することができる。

これらの成分を添加することにより、耐久性を一層向上
させることができる。すなわち、封孔処理皮膜の機能を
長期に亘り安定させ、また高温環境における皮膜の劣化
を抑制する効果を有する。

０．００１ｗｔ％未満ではその効果を得ることはできず
、１ｗｔ％を越えると接触抵抗の低下現象が認められる
。

封孔処理液は上述の成分を有するが、溶媒としては特に
制限されず、公知の有機溶媒より適宜選択することがで
きる。例えばトルエン、キシレン等の石油系溶媒、トリ
クロロエチレン、トリクロロエタン等のハロゲン系溶媒
、あるいはフロン系溶媒等である。

処理方法としては、めっき品を封孔処理液中に浸漬する
か、封孔処理液をスプレー、あるいは塗布するなど、何
れの方法によることもできる。しかし本発明において、
めっき品の形状が板・条、プレス部品であるを問わず、
めっき直後すなわち連続ラインであれば、そのラインの
中で処理することが、封孔処理の各種機能を高める効果
が高いことを見いだした。

さらに、めっき品をプレス加工後に本発明の封孔処理液
で封孔処理する事も有効である。めっき後封孔処理した
金属材料であっても、その後のプレス加工で付着したプ
レス油を洗浄する工程において、封孔処理の機能の多く
は喪失する、そこで再度の封孔処理が有効となる。

その後のコネクタの加工工程においても、最終の電子機
器の組み立てまで、めっき品の洗浄工程があれば同様に
封孔処理機能は喪失するため、適宜本発明により封孔処
理する事が有効である。さらには電子機器にコネクタと
して組み込まれ実使用に際しても、使用にともない接点
性能が低下するなどの場合は、適宜本封孔処理液により
処理することができる。従って、本発明は本発明封孔処
理液により処理されたコネクタをも包含するものである
。

なお、本発明における。めっき母材となる金属材料は、
銅及び、黄銅、りん青銅、チタン銅等の各種銅合金、鉄
、ステンレス鋼、高ニッケル合金等、コネクタの要求性
能に従い適宜選択でき、何等制限されない。下地層とし
てのニッケルめっき、あるいは中間層としてのパラジウ
ムまたはパラジウム合金めっきは、電気めっき、無電解
めっき、あるいはＣＶＤ、ＰＶＤ等の乾式めっき等の公
知のものを適用でき、めっきの方法は制限されない。

金めつきは各種のアルカリ性浴、酸性浴から純金めっき
の他、コバルト等の合金成分を含有する金合金めっきも
包含するものである。

［実施例コ 以下に実施例を挙げて本発明をさらに詳廁に説明する。

ばね用りん青銅（Ｃ５２１０）の厚み０．２薗の冷間圧
延材を用い、雄、及び雌の連続端子をそれぞれプレス成
形した。これらをリール・ツウ・リールの連続電気めっ
きラインを通して電気めっきを施した。めっきラインに
おいては、脱脂、酸洗後ワット浴により１μｍのニッケ
ルめっき後、中性タイプのパラジウム−ニッケル合金め
っき浴により０゜３μｍのパラジウム−ニッケル合金め
っき後、酸性めっき浴により金を０．１μｍの厚みで接
点部に部分めっきした。また、連続めっきラインでは、
金めつき後に封孔処理工程を設け、同工程ではトリクロ
ロエタンを溶媒とした各種封孔処理液に連続端子を通人
することにより封孔処理を施した。

こうして表面処理した雄と雌の端子をキャリア一部から
切断しリード線を圧着した後、それぞれを嵌合し評価試
験に供した。

接触抵抗は直流１０ｍｍＡ、開放電圧５０ｍｍＶで測定
した。腐食試験は次の条件で行った。

ガス組成：Ｈ２Ｓ　　　　３±ｉｐｐｍＳ○２　１０±
３ｐｐｍ 温　度＝４０±２℃ 湿　　　度＝　７５±　５％ＲＨ 時　　間＝　９６時間 加熱試験は１２５℃大気中で１０００時間保持した。

結果を第１表に示す。

第　　１　　表 第　１　表（つづき） 注１）ただし、表中封孔処理液の略号は以下の通りであ
る。

Ａ　ペトロラタム Ｂ−１イソステアリン酸 −２酸化ワックス −３酸化ペトロラタム −４ジノニルナフタレンスルフオン酸バリウム塩−５ジ
ノニルナフタレンスルフオン酸カルシウム塩−６ジノニ
ルナフタレンスルフオン酸亜鉛塩−７ジノニルナフタレ
ンスルフオン酸バリウム塩基性塩 −８ジノニルナフタレンスルフオン酸エチレンジアミン
塩 −９ジノニルナフタレンスルフオン酸ナトリウム塩−１
０ジノニルナフタレンスルフォン酸リチウム塩−１１オ
クタデシルアミン −１２ドデシルアミン −１３デシルアミン −１４オクチルアミン −１５シクロヘキシルアミン −１６酸化ペトロラタムＣａ塩 −１７酸化ワックスＣａ塩 −１８ステアリン酸Ｃａ塩 −１９ラウリン酸Ａｌ塩 −２０リシルシン酸Ａ１塩 −２１ミリスチン酸Ｃａ塩 −２２オレイン酸Ｂａ塩 −２３ナフテン酸Ｂａ塩 −２４ラノリン酸Ａ１塩 −２５フタル酸ジメチル −２６フタル酸ジエチル −２７フタル酸ジブチル −２８フタル酸ジヘプチル −２９フタル酸ジ−ｎ−オクチル −３０フタル酸ジー２−エチルヘキシル−３１フタル酸
ジイソノニル −３２フタル酸オクチルデシル −３３フタル酸ジイソデシル 一３４トリフェニルホスファイト 一３５トリクレジルホスファイト −３６ジフェニルノニルフェニルホスファイト−３７ト
リラウリルホスフアイト ー３８　　ジラウリルハイトロゼンホスファイト−３９
グリセリンモノオレイン酸エステル−４０ソルビタンモ
ノ・ラウレート −４１ソルビタンモノ・ステアレート −４２ソルビタンモノ・パルミテート −４３ソルビタンモノ・オレエート −４４ソルビタンセスキ・オレエート −４５ソルビタントリ・オレエート Ｃ−１ベンゾトリアゾール ＝２　インダゾール −３ベンズイミダゾール −４インドール −５１−メチルベンゾトリアゾール −６トリルトリアゾール −７ソジウムトリルトリアゾール ー９　メラミン Ｄ−Ｉ　　Ｐ、Ｐ’　−ジオクチルジフェニルアミン−
２４，４′　−テトラメチルジアミノジフェニルメタン −３４，４’−メチレン−ビス−（２，６−ジーｔ−ブ
チルフェノール） −４２，２’−メチレン−ビス−（４−メチル−６−を
−ブチルフェノール） −５２，２’−メチレン−ビス−（４−エチル−６−ｔ
−ブチルフェノール） −６２，６−ジーｔ−ブチル−ｐ−クレゾール−７ブチ
ル化ヒドロキシアニン゛−ル ー８　２．６−ジーｔ−ブチル−４−エチルフェノール
注２）試験の判定基準は次の通りである。

■　初期接触抵抗、加熱試験後接触抵抗（ｎ＝５の平均
値）０　：　２５ｍｎΩ以下 △：２５〜５０ｒＩｎΩ Ｘ　：　５０ｍΩ以上 ■　腐食試験後外観 ◎：腐食生成物全く認められず ０：腐食生成物痕跡あり △　腐食生成物点在 ×：腐食点が全面に認められる ［発明の効果コ 以上述べたように、本発明により封孔処理された下地層
としてニッケルめっき、中間層としてパラジウムまたは
パラジウム合金めっき後、金めつきの接点は、処理直後
の接触抵抗が低く、過酷な腐食環境においても優れた耐
食性を示し、また熱履歴によっても接触抵抗が上昇せず
、接触性能が安定しているという利点を有する。

特許呂願人日本鉱業株式会社

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）銅系または鉄系金属材料に下地層としてニッケル
   めっき、中間層としてパラジウムまたはパラジウム合金
   をめっき後、金または金合金をめっきした材料を処理す
   る封孔処理液であって、（Ａ）ペトロラタム０．１〜３
   ｗｔ％及び（Ｂ）以下の（ａ）〜（ｅ）の各群のうちの
   ２種以上の群からそれぞれ１種又は２種以上選択された
   化合物を含む有機溶剤溶液よりなることを特徴とする封
   孔処理液。 （ａ）イソステアリン酸、酸化ワックス、及び酸化ペト
   ロラタム０．０５〜３ｗｔ％、 （ｂ）アルキル置換ナフタレンスルフォン酸塩０．０５
   〜３ｗｔ％、 （ｃ）アミン０．０５〜３ｗｔ％、 （ｄ）金属石けん０．０５〜３ｗｔ％、 （ｅ）フタル酸エステル、亜りん酸エステル、グリセリ
   ンモノエステル、及びソルビタンエステル０．０１〜３
   ｗｔ％。
2. （２）キレート形成性環状窒素化合物の１種もしくは２
   種以上０．０５〜３ｗｔ％をさらに含有することを特徴
   とする請求項（１）記載の封孔処理液。
3. （３）アミン系又はフェノール系酸化防止剤の１種もし
   くは２種以上０．００１〜１ｗｔ％を、さらに含有する
   ことを特徴とする請求項（１）又は（２）記載の封孔処
   理液。
4. （４）銅系又は鉄系金属材料に下地層としてニッケルめ
   っき、中間層としてパラジウムまたはパラジウム合金を
   めっき後、さらにその上に金または金合金を電気めっき
   後、請求項（１）、（２）または（３）記載の封孔処理
   液で処理することを特徴とする封孔処理方法。
5. （５）下地層としてニッケルめっき、中間層としてパラ
   ジウムまたはパラジウム合金をめっき後、金または金合
   金めっきされた銅系または鉄系金属材料をプレス加工後
   、請求項（１）、（２）または（３）に記載の封孔処理
   液で処理することを特徴とする封孔処理方法。
6. （６）銅系または鉄系金属材料に下地層としてニッケル
   めっき、中間層としてパラジウムまたはパラジウム合金
   をめっき後、金又は金合金をめっきしためっき材よりな
   り、請求項（１）、（２）または（３）記載の封孔処理
   液で封孔処理したことを特徴とするコネクタ。