JPH04193993A - 封孔処理液及び方法 - Google Patents

封孔処理液及び方法

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JPH04193993A
JPH04193993A JP32320390A JP32320390A JPH04193993A JP H04193993 A JPH04193993 A JP H04193993A JP 32320390 A JP32320390 A JP 32320390A JP 32320390 A JP32320390 A JP 32320390A JP H04193993 A JPH04193993 A JP H04193993A
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JP
Japan
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sealing
plating
gold
palladium
alloy
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JP32320390A
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English (en)
Inventor
Kazuhiko Fukamachi
一彦 深町
Yasuhiro Shirokabe
靖裕 白壁
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Eneos Corp
Original Assignee
Nippon Mining Co Ltd
Nikko Kyodo Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、金めつき電気接点の封孔処理液、封孔処理方
法及び封孔処理されたコネクタに関する。
特には繰返し挿抜や振動により摩耗と腐食が同時進行す
るような過酷な使用条件において、電気的接点の潤滑、
防錆及び電気的接続性が長期的に安定して優れる封孔処
理液、封孔処理方法及び封孔処理されたコネクタに関す
る。
[従来の技術] 電子機器用接続部品としてコネクタは最も代表的なもの
であり多種多様のコネクタが実用化されている。電算機
や通信用機器等高度の信頼性が要求される、いわゆる産
業用電子機器に使用されるコネクタは、りん青銅、ベリ
リウム鋼等のバネ用銅合金を母材とし、接点用金属被膜
としてニッケル下地めっき後その上に金めつきを施した
ものが一般に利用されている。
金は貴金属の中でも極めて耐食性が高く、表面に酸化物
や他の被膜を形成しないため電気的接続性に優れ、接点
用金属として広く使用されている。
しかし、金は高価であるため、コネクタの製造コストを
下げる目的で様々な寄金北東が採ら九できた。その代表
的方法が金めつきの厚みを薄くする方法であるが、金め
つきの厚みを薄くするとともに、被膜のピンホールの数
が指数関数的に増え、耐食性が著しく低下するという問
題を抱えている。
そこで、ニッケル下地めっき後、中間めっきとしてパラ
ジウムまたはパラジウム合金をめっきし。
その上に金めっきしたものが利用されている。しかし、
この3層めっきでも十分な耐食性が得られていない。こ
の問題を解決する方法のひとつに封孔処理がある。すな
わち、各種の無機性、あるいは有機性の薬品で金めつき
面を処理し、ピンホールを塞ぎ耐食性を向上させようと
するものであるが、下地層としてニッケルをめっきし、
中間層としてパラジウムまたはパラジウム合金酸めっき
し、その上に金めっきした材料への封孔処理液及び封孔
処理方法は公知のものがない。
[発明が解決しようとする課題] 封孔処理、特に有機性の薬品による封孔処理は、金めつ
き被膜の厚み低減に対し、耐食性を維持する効果に優れ
ている。ところが従来の封孔処理液は鉄系金属材料や銅
系金属材料の防錆剤として知られていた化合物を中心と
して選択されたものか。
あるいは寄金化以前にも金めつき接点の:間層を目的と
して使用されていた潤滑剤をそのまま器用したものが一
般的であった。封孔処理された金めつきに要求される特
性としては。
■ 潤滑性がよいこと、 ■ 耐食性が優れていること、 ■ 接触抵抗が低く安定していること、■ はんだ付性
がよいこと、及び ■ それらの特性が各種の環境、使用条件下で長期に亘
り持続すること、 である。
ところが従来の封孔処理液は、そのような総合的観点か
ら必ずしも満足できるものではなく、なんらかの品質面
で劣っているものが一般的であった。
特に、ICカードの電気接点(あるいはコネクタ)のよ
うに1万回も挿抜後もその電気的接続性を保証しなけれ
ばならないというように電気接点に要求される品質はま
すます高度化してきている。
ところが、長い時間をかけて1万回にも及び挿抜を受け
ると、初期には潤滑性の優れていた封孔処理であっても
、繰返し挿抜中に封孔処理皮膜に大気中の塵埃等が付着
し、摩耗を促進するという問題があった。
また、自動車用コネクタの接点は、車体による振動によ
って生じる微摺動摩耗を受けるとともに、工業地帯にお
ける各種の大気中の腐食性ガス、海岸地帯における海塩
粒子、あるいは寒冷地における融雪剤など極めて過酷な
腐食環境に晒される。
すなわち、従来の封孔処理では、摩耗と腐食が共存する
過酷な環境において、長期にわたり上述の電気接点に要
求される特性を満足させることはできなかった。
本発明は、このような要求を満たすことのできる改善さ
れた封孔処理液及びそれを用いる封孔処理方法を提供す
ることを目的とし、あわせてそれにより処理されたコネ
クタを提供することを目的とするものである。
[課題を解決するための手段] かかる状況に鑑み、本発明者等は鋭意研究を行った結果
、以下に示す封孔処理液、方法及び封孔処理されたコネ
クタを発明するに至った。
すなわち、本発明は、 (1)銅系または鉄系金属材料に下地層としてニッケル
めっき、中間層としてパラジウムまたはパラジウム合金
をめっき後、金または金合金をめっきした材料を処理す
る封孔処理液であって、(A)パラフィンワックス0.
1〜3wt%及び(B)アミンの1種または2種以上0
.05〜3υt%を必須成分とする有機溶剤溶液よりな
ることを特徴とする封孔処理液。
(2)キレート形成性環状窒素化合物の1種または2種
以上0.05〜3wt%をさらに含有することを特徴と
する前記(1)記載の封孔処理液。
(3)アミン系又はフェノール系酸化防止剤の1種もし
くは2種以上を0.001〜1wt%さらに含有するこ
とを特徴とする前記(1)又は(2)記載の封孔処理液
(4)銅系又は鉄系金属材料に下地層としてニッケルめ
っき、中間層としてパラジウムまたはパラジウム合金を
めっき後、さらにその上に金または金合金を電気めっき
後、前記(1)、 (2)又は(3)記載の封孔処理液
で処理することを特徴とする封孔処理方法。
(5)下地層としてニッケルめっき、中間層としてパラ
ジウムまたはパラジウム合金をめっき後、金または金合
金めっきされた銅系または鉄系金属材料をプレス加工後
、前記(1)、 (2)又は(3)記載の封孔処理液で
処理することを特徴とする封孔処理方法。
(6)銅系または鉄系金属材料に下地層としてニッケル
めっき、中間層としてパラジウムまたはパラジウム合金
をめっき後、金又は金合金をめっきしためっき材よりな
り、前記(1)、(2)又は(3)記載の封孔処理液で
封孔処理したことを特徴とするコネクタである。
本発明の封孔処理液の必須成分であるパラフィンワック
スは、平均炭素数20〜35程度の直須状炭化水素を主
成分とする分子量300〜500程度の飽和炭化水素混
合物である。本発明において、パラフィンワックスは基
油としての機能を有する。すなわちそれ自体、多数のピ
ンホールの存在する金めつき表面に皮膜を形成し、ピン
ホール等金めっきの微視的な欠陥を通して、大気中の水
分、酸素。
及び各種の腐食媒が下地ニッケルと接触するのを防いで
いる。そして本発明の目的である。腐食と摩耗の共存す
る環境において、長期間にわたり、電気接点の性能を安
定的に維持する上で最も重要な効果を奏する。すなわち
、鉄鋼等ではラノリン、ペトロラタム、グリース、鉱油
等が防錆剤の用途で知られているが、この様な軟調の基
油ではべとつきが有るため、大気中の塵埃粒子が付着し
、電気接点が繰返し摩擦される際に、金めつきの摩耗を
促進し、同時に封孔機能が低下し、腐食が進行するため
電気接点の寿命を大幅に低下させる。本発明において、
パラフィンワックスがそれらの欠陥を有しない金めつき
接点用の封孔処理液の基油としてきわめて好適であるこ
とを見出したものである。
本発明において、この基油の選択は他の成分の作用と相
俟って相乗的に前述の耐食性、耐久性を向上させるうえ
で重要な成分である。特に鉄鋼等の防錆剤とは異なり、
場合によっては、マイクロアンペアオーダーの微弱電流
を確実に相手端子と接続しなければならないコネクタ等
電子部品の接点表面の封孔処理剤であるから、基油の選
択は防錆効果のみではなく、電気的接続性が極めて重要
となる。そして、その濃度は0.1tit%より小さい
と、耐食性、耐久性が小さくなり、所望の効果を得るこ
とができない、一方3wt%より大きいと接触抵抗が上
昇し接点用の封孔処理として価値がなくなるので好まし
くない。
本発明の封孔処理液のもう一つの必須成分は。
アミン類である。本発明において使用するアミンとして
は脂肪族アミン、環状脂肪族アミンが好ましく、特に好
ましいアミンとしては、例えばオクタデシルアミン、ド
デシルアミン、デシルアミン、オクチルアミン、及びシ
クロヘキシルアミン等を挙げることができる。これらは
1種または2種混合して、0.05〜3wt%で用いら
れる。 0.03讐t%未満では耐食性向上効果が得ら
れず、又3警シ%を越えると接触への悪影響が認められ
る。さらに本発明の封孔処理液には、必要に応じてキレ
ート形成性環状窒素化合物;アミン系又はフェノール系
酸化防止剤を添加することができる。キレート形成性環
状窒素化合物は、銅、ニッケル等に配位して安静なキレ
ートを形成する化合物で、特にベンゼン環を有する環状
窒素化合物、あるいはトリアジン系化合物が好ましい。
具体例を挙げ九ば、ベンゼン環を有する環状窒素化合物
としては、たとえば、 ベンゾトリアゾール系 ■ インダゾール系 ■ ベンズイミダゾール系 インドール系 (上記各式中、R工は水素、アルキル、置換アルキルを
表わし、R2はアルカリ金属、水素、アルキル、置換ア
ルキルを表わす) 等を挙げることができる。
ベンゾトリアゾール系としては、例えばベンゾトリアゾ
ール(R工、R2ともに水素)、■−メチルベンゾトリ
アゾール(Rユが水素、R2がメチル)。
1−(N、N−ジオクチルアミノメチル)ベンゾトリア
ゾール(R□が水素、R2がN、N−ジオクチルアミノ
メチル)、トリルトリアゾール(R□がメチル。
R2が水素)、ソジウムトリルトリアゾール(R工がメ
チル、R2がナトリウム)等が好ましい。
インダゾール系としては1例えばインダゾール(R,、
R,ともに水素)、2−メチルインダゾーール(Rxが
水素、R2がメチル)、2−ベンジルイλ ニンダゾール(R□が水素、R2がCGH,CR2)、
  1−アセチルインダゾール(Riが水素、R2がC
0CH,)等が好ましい。
ベンズイミダゾール系としては、例えばベンズイミダゾ
ール(RL、 R,ともに水素)、N−アセチイベンズ
イミダゾール(R1が水素、R2がC0CH2) 、 
N−ベンゾイルベンズイミダゾール(R工が水素、R2
がCOC:、H,)等が好ましい。
インドール系としては、例えばインドール(R工、R2
ともに水素)、インドール−1−カルボン酸(R,が水
素、R2がC00H)、■−メチルインドール(R工が
水素、R2がCH,)  等が好ましい。
また、トリアジン系化合物の好ましい具体例を挙げれば
、例えば、6−置換−1,3,5−トリアジン−2,4
−ジチオール−ナトリウム塩(Rはアルキル基で置換さ
れたアミノ基を表わし、たとえば−N(C4Hs)z、
−N(C,H□7)よ、−N (C工2)’25)2゜
−NHC,H1GCH=CHC,Hエフ等が好ましい。
)、シアヌル酸(2,4,6−トリオキシ−1,3,5
−トリアジン)、 メラミン(2,4,6−トリアミノ−1,3,5−トリ
アジン)、 等を挙げることができる。これらは1種または2種以上
混合して添加され、パラフィンワックスと共に耐食性、
耐久性を向上させる。その濃度は総量で0.05〜3w
t%である。 0.05wt%より小さいと耐食性、耐
久性が低く、また、3wt%より大きいと電気的接続性
に支障が生じる。
又、本発明の封孔処理inに、必要に応して添加される
上記のアミン系又はフェノール系酸化防止剤としては、
たとえば、 FDP’−ジオクチルジフェニルアミン4.4′−テト
ラメチルジアミノジフェニルメタ4.4′−メチレン−
ビス−(2,6−ジーし一ブチルフェノール) (CH3)、 CC(C)l、 )。
2.2′−メチレン−ビス−(4−メチル−6−し−ブ
チルフェノール) CH,CH。
2.2′−メチレン−ビス−(4−エチル−6−し−ブ
チルフェノール) OH0H CH,CH,CH2CH。
2.6−ジーt−ブチル−p−クレゾールH CH。
ブチル化ヒドロキシアニゾール OH0H OCI(、QC)l。
2.6−ジーし一ブチルー4−エチルフェノールH CH,CH。
等を挙げることができる。
これらは、1種又は2種以上を0.001〜1wt%添
加することができる。
これらの成分を添加することにより、耐久性を一層向上
させることができる。すなわち、封孔処理皮膜の機能を
長期に亘り安定させ、また高温環境における皮膜の劣化
を抑制する効果を有する。
0.001wt%未満ではその効果を得ることはできず
、1wt%を越えると接触抵抗の低下現象が認められる
封孔処理液は上述の成分を有するが、溶媒としては特に
制限されず、公知の有機溶媒より適宜選択することがで
きる。例えばトルエン、キシレン等の石油系溶媒、トリ
クロロエチレン、トリクロロエタン等のハロゲン系溶媒
、あるいはフロン系溶媒等である。
処理方法としては、めっき品を封孔処理液中に浸漬する
か、封孔処理液をスプレー、あるいは塗布するなど、何
れの方法によることもできる。しかし本発明において、
めっき品の形状が抜・条、プレス部品であるを問わず、
めっき直後すなわち連続ラインであれば、そのラインの
中で処理することが、封孔処理の各種機能を高める効果
が高いことを見いだした。
さらに、めっき品をプレス加工後に本発明の封孔処理液
で封孔処理する事も有効である。めっき後封孔処理した
金属材料であっても、その後のプレス加工で付着したプ
レス油を洗浄する工程において、封孔処理の機能の多く
は喪失する、そこで再度の封孔処理が有効となる。
その後のコネクタの加工工程においても、最終の電子機
器の組み立てまで、めっき品の洗浄工程があれば同様に
封孔処理機能は喪失するため、適宜本発明により封孔処
理する事が有効である。さらには電子機器にコネクタと
して組み込まれ実使用に際しても、使用にともない接点
性能が低下するなどの場合は、適宜本封孔処理液により
処理することができる。従って、本発明は本発明封孔処
理液により処理されたコネクタをも包含するものである
なお、本発明における、めっき母材となる金属材料は、
銅及び、黄銅、りん青銅、チタン鋼等の各種銅合金、鉄
、ステンレス鋼、高ニッケル合金等、コネクタの要求性
能に従い適宜選択でき、回答制限されない。下地層とし
てのニッケルめっき、あるいは中間層としてのパラジウ
ムまたはパラジウム合金めっきは、電気めっき、無電解
めっき、あるいはCVD、PVD等の乾式めっき等の公
知のものを適用でき、めっきの方法は制限されない。
金めつきは各種のアルカリ性浴、酸性浴から純金めっき
の他、コバルト等の合金成分を含有する金合金めっきも
包含するものである2 [実施例] 以下に実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。
ばね用りん青銅(C5210)の厚み0.2mの冷間圧
延材を用い、雄、及び雌の連続端子をそれぞれプレス成
形した。これらをリール・ツウ・リールの連続電気めっ
きラインを通して電気めっきを施した。めっきラインに
おいては、脱脂、酸洗後ワット浴により1μmのニッケ
ルめっき後、中性タイプのパラジウム−ニッケル合金め
っき液により0゜3μmのパラジウム−ニッケル合金め
っき後、酸性めっき浴により金を0.1μmの厚みで接
点部に部分めっきした。また、連続めっきラインでは、
金めつき後に封孔処理工程を設け、同工程ではトリクロ
ロエタンを溶媒とした各種封孔処理液に連続端子を通人
することにより封孔処理を施した。
こうして表面処理した雉と雌の端子をキャリア一部から
切断しリート線を圧着した後、それぞれを嵌合し評価試
験に供した。
接触抵抗は直流10mmA、開放電圧50I+1]]v
で謂定した。腐食試験は次の条件で行った。
ガス組成:H2S    3±1ρρmS○2 10±
3pρm 温   度: 40± 2°C 湿 度ニア5±5%RH 時  間: 96時間 複合試験は雄と雌の端子を自動繰返し挿抜装置で100
回の挿抜を繰返し行う摩耗試験を行った後。
上記腐食試験に供し、さらに接触抵抗を測定した。
第  1  表 注1)ただし1表中封孔処理液の略号は以下の通りであ
る。
A パラフィンワックス B−1オクダテシルアミン =2 ドデシルアミン −3デシルアミン −4オクチルアミン −5シクロヘキシルアミン C−1ベンゾトリアゾール C−2インダゾール C−3ベンズイミダゾール C−4インドール C−51−メチルベンゾトリアゾール C−6トリルトリアゾール C−7ソジウムトリルトリアゾール C−8メラミン D−I  P、P’ −ジオクチルジフェニルアミン−
24,4’−テトラメチルジアミノジフェニルメタン −34,4’ −メチレン−ビス−(2,6−シ゛’−
t−ブチルフェノール) −42,2’ −メチレン−ビス−(4−メチル−6−
t−ブチルフェノール) −52,2’ −メチレン−ビス−(4−エチル−6−
t−ブチルフェノール) −62,6−ジーし一ブチルーp−クレゾール−7ブチ
ル化ヒドロキシアニゾール −82,6−ジーt−ブチル−4−ニチルフェノール注
2)試験の判定基準は次の通りである。
工 初期接融抵抗、加熱試験後接触抵抗(n=5の平均
値)0 : 25onΩ以下 △:25〜50nIlΩ X : 30nwnΩ以上 ・2 腐食試験後外観 ◎:腐食生成物全く認められず ○:腐食生成物痕跡あり Δ:腐食生成物点在 X:腐食点が全面に認められる [発明の効果コ 以上述べたように1本発明により封孔処理された下地層
としてニッケルめっき、中間層としてパラジウムまたは
パラジウム合金めっき後、金めつきの接点は、処理直後
の接触抵抗が低く、過酷な腐食環境においても優れた耐
食性を示し、また熱層歴によっても接触抵抗が上昇せず
、接触性能が安定しているという利点を有する。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)銅系または鉄系金属材料に下地層としてニッケル
    めっき、中間層としてパラジウムまたはパラジウム合金
    をめっき後、金または金合金をめっきした材料を処理す
    る封孔処理液であって、(A)パラフィンワックス0.
    1〜3wt%及び(B)アミンの1種または2種以上を
    0.05〜3wt%必須成分とする有機溶剤溶液よりな
    ることを特徴とする封孔処理液。
  2. (2)キレート形成性環状窒素化合物の1種または2種
    以上0.05〜3wt%をさらに含有することを特徴と
    する請求項(1)記載の封孔処理液。
  3. (3)アミン系又はフェノール系酸化防止剤の1種もし
    くは2種以上0.001〜1wt%を、さらに含有する
    ことを特徴とする請求項(1)又は(2)記載の封孔処
    理液。
  4. (4)銅系又は鉄系金属材料に下地層としてニッケルめ
    っき、中間層としてパラジウムまたはパラジウム合金を
    めっき後、さらにその上に金または金合金を電気めっき
    後、請求項(1)、(2)又は(3)記載の封孔処理液
    で処理することを特徴とする封孔処理方法。
  5. (5)下地層としてニッケルめっき、中間層としてパラ
    ジウムまたはパラジウム合金をめっき後、金または金合
    金めっきされた銅系または鉄系金属材料をプレス加工後
    、請求項(1)、(2)又は(3)記載の封孔処理液で
    処理することを特徴とする封孔処理方法。
  6. (6)銅系または鉄系金属材料に下地層としてニッケル
    めっき、中間層としてパラジウムまたはパラジウム合金
    をめっき後、金又は金合金をめっきしためっき材よりな
    り、請求項(1)、(2)又は(3)記載の封孔処理液
    で封孔処理したことを特徴とするコネクタ。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002064241A1 (fr) * 2001-02-16 2002-08-22 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Structure permeable a l'hydrogene et procede de fabrication ou de reparation de cette derniere

Cited By (2)

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WO2002064241A1 (fr) * 2001-02-16 2002-08-22 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Structure permeable a l'hydrogene et procede de fabrication ou de reparation de cette derniere
US6828037B2 (en) 2001-02-16 2004-12-07 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Hydrogen-permeable structure and method for manufacture thereof or repair thereof

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