JPH04160183A - 封孔処理液及び方法 - Google Patents
封孔処理液及び方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、金めつき電気接点の封孔処理液、封孔処理方
法及び封孔処理されたコネクタ接触子に関する。特には
潤滑、防錆及び電気的接続性が長期的に安定して優れる
封孔処理液、封孔処理方法及び封孔処理されたコネクタ
に関する。
法及び封孔処理されたコネクタ接触子に関する。特には
潤滑、防錆及び電気的接続性が長期的に安定して優れる
封孔処理液、封孔処理方法及び封孔処理されたコネクタ
に関する。
[従来の技術]
電子機器用接続部品としてコネクタは最も代表的なもの
であり多種多様のコネクタが実用化されている。電算機
や通信用機器等高度の信頼性が要求される、いわゆる産
業用電子機器に使用されるコネクタは、りん青銅、ベリ
リウム銅等のバネ用銅合金を母材とし、接点用金属被膜
としてニッケル下地めっき後その上に金めつきを施した
ものが一般に利用されている。
であり多種多様のコネクタが実用化されている。電算機
や通信用機器等高度の信頼性が要求される、いわゆる産
業用電子機器に使用されるコネクタは、りん青銅、ベリ
リウム銅等のバネ用銅合金を母材とし、接点用金属被膜
としてニッケル下地めっき後その上に金めつきを施した
ものが一般に利用されている。
金は貴金属の中でも極めて耐食性が高く、表面に酸化物
や他の被膜を形成しないため電気的接続性に優れ、接点
用金属として広(使用されている。しかし、金は高価で
あるため、コネクタの製造コストを下げる目的で様々な
省金化策が採られてきた。その代表的方法が金めつきの
厚みを薄くする方法であるが、金めつきの厚みを薄くす
るとともに、被膜のピンホールの数が指数関数的に増え
、耐食性が著しく低下するという問題を抱えている。こ
の問題を解決する方法のひとつに封孔処理がある。すな
わち、各種の無機性、あるいは有機性の薬品で金めつき
面を処理し、ピンホールを塞ぎ耐食性を向上させようと
するものであった。
や他の被膜を形成しないため電気的接続性に優れ、接点
用金属として広(使用されている。しかし、金は高価で
あるため、コネクタの製造コストを下げる目的で様々な
省金化策が採られてきた。その代表的方法が金めつきの
厚みを薄くする方法であるが、金めつきの厚みを薄くす
るとともに、被膜のピンホールの数が指数関数的に増え
、耐食性が著しく低下するという問題を抱えている。こ
の問題を解決する方法のひとつに封孔処理がある。すな
わち、各種の無機性、あるいは有機性の薬品で金めつき
面を処理し、ピンホールを塞ぎ耐食性を向上させようと
するものであった。
[発明が解決しようとする課題]
封孔処理、特に有機性の薬品による封孔処理は、金めつ
き被膜の厚み低減に対し、耐食性を維持する効果に優れ
ている。ところが従来の封孔処理液は鉄系金属材料や銅
系金属材料の防錆剤として知られていた化合物を中心と
して選択されたものか、あるいは省金化以前にも金めつ
き接点の潤滑を目的として使用されていた潤滑剤をその
まま使用したものが一般的であった。
き被膜の厚み低減に対し、耐食性を維持する効果に優れ
ている。ところが従来の封孔処理液は鉄系金属材料や銅
系金属材料の防錆剤として知られていた化合物を中心と
して選択されたものか、あるいは省金化以前にも金めつ
き接点の潤滑を目的として使用されていた潤滑剤をその
まま使用したものが一般的であった。
封孔処理された金めつきに要求される特性としては、
■ 潤滑性かよいこと、
■ 耐食性が優れていること、
■ 接触抵抗か低く安定していること、■ はんだ付性
がよいこと、及び ■ それらの特性か各種の環境、使用条件下で長期に亘
り持続すること、 である。
がよいこと、及び ■ それらの特性か各種の環境、使用条件下で長期に亘
り持続すること、 である。
ところが従来の封孔処理液は、そのような総合的観点か
ら必ずしも満足できるものではなく、なんらかの品質面
で劣っているものが一般的であった。
ら必ずしも満足できるものではなく、なんらかの品質面
で劣っているものが一般的であった。
特に自動車の電子機器化、いわゆるカーエレクトロニク
ス化の急激な進展とともに自動車に使用される電子回路
用コネクタの材料で金めっきされたものが増えている。
ス化の急激な進展とともに自動車に使用される電子回路
用コネクタの材料で金めっきされたものが増えている。
そのような状況にあって、上記■〜■の特性のうち■の
耐食性において、耐工業ガス(H2S、SO2混合)性
及び耐塩水噴霧性を、更に■において、過酷な温湿度サ
イクル環境下における耐久性を、従来の封孔処理よりも
大巾に改善しつつ、かつその他の特性については、同等
もしくはそれ以上の特性を有する封孔処理液技術が必要
となった。
耐食性において、耐工業ガス(H2S、SO2混合)性
及び耐塩水噴霧性を、更に■において、過酷な温湿度サ
イクル環境下における耐久性を、従来の封孔処理よりも
大巾に改善しつつ、かつその他の特性については、同等
もしくはそれ以上の特性を有する封孔処理液技術が必要
となった。
本発明は、このような要求を満たすことのできる改善さ
れた封孔処理液及びそれを用いる封孔処理方法を提供す
ることを目的とし、あわせてそれにより処理されたコネ
クタを提供することを目的とするものである。
れた封孔処理液及びそれを用いる封孔処理方法を提供す
ることを目的とし、あわせてそれにより処理されたコネ
クタを提供することを目的とするものである。
[課題を解決するための手段]
かかる状況に鑑み、本発明者等は鋭意研究を行った結果
、以下に示す封孔処理液、方法及び封孔処理されたコネ
クタを発明するに至った。
、以下に示す封孔処理液、方法及び封孔処理されたコネ
クタを発明するに至った。
すなわち、本発明は、
(1)銅系または鉄系金属材料に中間層としてニッケル
をめっき後、金または金合金をめっきした材料を処理す
る封孔処理液であって、(A)ペトロラタム0.1〜3
wt%及び(B)アルキル置換ナフタレンスルフォン酸
塩の1種または2種以上0605〜3シt%を必須成分
とする有機溶剤溶液よりなることを特徴とする封孔処理
液。
をめっき後、金または金合金をめっきした材料を処理す
る封孔処理液であって、(A)ペトロラタム0.1〜3
wt%及び(B)アルキル置換ナフタレンスルフォン酸
塩の1種または2種以上0605〜3シt%を必須成分
とする有機溶剤溶液よりなることを特徴とする封孔処理
液。
(2)キレート形成性環状窒素化合物の1種もしくは2
種以上0.05〜3wt%をさらに含有することを特徴
とする前記(1)記載の封孔処理液。
種以上0.05〜3wt%をさらに含有することを特徴
とする前記(1)記載の封孔処理液。
(3)アミン系又はフェノール系酸化防止剤の1種もし
くは2種以上0.001〜1νt%を、さらに含有する
ことを特徴とする前記(1)又は(2)記載の封孔処理
液。
くは2種以上0.001〜1νt%を、さらに含有する
ことを特徴とする前記(1)又は(2)記載の封孔処理
液。
(4)銅系又は鉄系金属材料に中間層としてニッケルを
めっきし、さらにその上に金または金合金を電気めっき
後、前記(1)、(2)または(3)記載の封孔処理液
で処理することを特徴とする封孔処理方法。
めっきし、さらにその上に金または金合金を電気めっき
後、前記(1)、(2)または(3)記載の封孔処理液
で処理することを特徴とする封孔処理方法。
(5)ニッケル及び金または金合金めっきされた銅系ま
たは鉄系金属材料をプレス加工後、前記(1)、(2)
または(3)に記載の封孔処理液で処理することを特徴
とする封孔処理方法。
たは鉄系金属材料をプレス加工後、前記(1)、(2)
または(3)に記載の封孔処理液で処理することを特徴
とする封孔処理方法。
(6)銅系または鉄系金属材料に中間層としてニッケル
をめっき後、金又は金合金をめっきしためっき材よりな
り、前記(1)、(2)または(3)記載の封孔処理液
で封孔処理したことを特徴とするコネクタ。
をめっき後、金又は金合金をめっきしためっき材よりな
り、前記(1)、(2)または(3)記載の封孔処理液
で封孔処理したことを特徴とするコネクタ。
本発明の封孔処理液の必須成分であるペトロラタムは石
油から得られるゼリー状半固体のろうであり、真空蒸溜
残清から溶剤脱ろう、遠心分離等により得られる軟膏状
の石油ワックスである。パラフィンワックスに比べ正パ
ラフィンが少なくイソパラフィンが多く、また5員環ナ
フテンも含まれ融点が低い。ペトロラタムは鉄鋼におけ
る防錆剤の成分の一つとしても知られているものである
が、本発明においては基油としての機能を有する、すな
わちそれ自体、多数のピンホールの存在する金めつき表
面に皮膜を形成し、ピンホール等金めっきの微視的な欠
陥を通して、大気中の水分、酸素、及び各種の腐食媒が
下地ニッケルと接触するのを防いでいる。
油から得られるゼリー状半固体のろうであり、真空蒸溜
残清から溶剤脱ろう、遠心分離等により得られる軟膏状
の石油ワックスである。パラフィンワックスに比べ正パ
ラフィンが少なくイソパラフィンが多く、また5員環ナ
フテンも含まれ融点が低い。ペトロラタムは鉄鋼におけ
る防錆剤の成分の一つとしても知られているものである
が、本発明においては基油としての機能を有する、すな
わちそれ自体、多数のピンホールの存在する金めつき表
面に皮膜を形成し、ピンホール等金めっきの微視的な欠
陥を通して、大気中の水分、酸素、及び各種の腐食媒が
下地ニッケルと接触するのを防いでいる。
本発明において、この基油の選択は他の成分の作用と相
俟って相剰的に前述の耐食性、耐久性を向上させるうえ
で重要な成分である。特に鉄鋼等の防錆剤とは異なり、
場合によっては、マイクロアンペアオーダーの微弱電流
を確実に相手端子と接続しなければならないコネクタ等
電子部品の接点表面の封孔処理剤であるから、基油の選
択は防錆効果のみではなく、電気的接続性が極めて重要
となる。そして、その濃度は0.1νt%より小さいと
、耐食性、耐久性が小さくなり、所望の効果を得ること
ができない。−方3vt%より大きいと接触抵抗が上昇
し接点用の封孔処理として価値がなくなるので好ましく
ない。
俟って相剰的に前述の耐食性、耐久性を向上させるうえ
で重要な成分である。特に鉄鋼等の防錆剤とは異なり、
場合によっては、マイクロアンペアオーダーの微弱電流
を確実に相手端子と接続しなければならないコネクタ等
電子部品の接点表面の封孔処理剤であるから、基油の選
択は防錆効果のみではなく、電気的接続性が極めて重要
となる。そして、その濃度は0.1νt%より小さいと
、耐食性、耐久性が小さくなり、所望の効果を得ること
ができない。−方3vt%より大きいと接触抵抗が上昇
し接点用の封孔処理として価値がなくなるので好ましく
ない。
本発明の封孔処理液のもう一つの必須成分は、次式で表
されるアルキル置換ナフタレンスルフォン酸塩である。
されるアルキル置換ナフタレンスルフォン酸塩である。
(Rは炭素数6〜12のアルキル基;Mは塩形成成分;
nは1〜2の整数、mはMの価数に一致する整数) 好ましいものを具体的に例示すれば、たとえば、ジノニ
ルナフタレンスルフオン酸バリウム塩、ジノニルナフタ
レンスルフオン酸カルシウム塩、ジノニルナフタレンス
ルフオン酸亜鉛塩、ジノニルナフタレンスルフオン酸バ
リウム塩基性塩、ジノニルナフタレンスルフオン酸エチ
レンジアミン塩、ジノニルナフタレンスルフオン酸ナト
リウム塩、及びジノニルナフタレンスルフォン酸リチウ
ム塩、ジノニルナフタレンスルフォン酸鉛塩、ジノニル
ナフタレンスルフォン酸アンモニウム塩、ジノニルナフ
タレンスルフオン酸トリエタノールアミン塩等を挙げる
ことができる。これらは1種又は2種以上混合して添加
され、耐食性向上に寄与する。添加量は0.05〜3w
t%である。0.05wt%未満では耐食性向上効果か
得られず、3wt%を越えると、接触抵抗への悪影響か
認められる。
nは1〜2の整数、mはMの価数に一致する整数) 好ましいものを具体的に例示すれば、たとえば、ジノニ
ルナフタレンスルフオン酸バリウム塩、ジノニルナフタ
レンスルフオン酸カルシウム塩、ジノニルナフタレンス
ルフオン酸亜鉛塩、ジノニルナフタレンスルフオン酸バ
リウム塩基性塩、ジノニルナフタレンスルフオン酸エチ
レンジアミン塩、ジノニルナフタレンスルフオン酸ナト
リウム塩、及びジノニルナフタレンスルフォン酸リチウ
ム塩、ジノニルナフタレンスルフォン酸鉛塩、ジノニル
ナフタレンスルフォン酸アンモニウム塩、ジノニルナフ
タレンスルフオン酸トリエタノールアミン塩等を挙げる
ことができる。これらは1種又は2種以上混合して添加
され、耐食性向上に寄与する。添加量は0.05〜3w
t%である。0.05wt%未満では耐食性向上効果か
得られず、3wt%を越えると、接触抵抗への悪影響か
認められる。
本発明の封孔処理液には必要に応じてキレート形成性環
状窒素化合物;アミン系又はフェノール系酸化防止剤を
添加することができる。キレート形成性環状窒素化合物
は、銅、ニッケル等に配位して安定なキレートを形成す
る化合物で、特にベンゼン環を有する環状窒素化合物、
あるいはトリアジン系化合物が好ましい。具体例を挙げ
れば、ベンゼン環を有する環状窒素化合物としては、た
とえば、 ベンゾトリアゾール系 R2 インダゾール系 ベンズイミダゾール系 インドール系 (上記各式中、R1は水素、アルキル、置換アルキルを
表わし、R2はアルカリ金属、水素、アルキル、置換ア
ルキルを表わす) 等を挙げることができる。
状窒素化合物;アミン系又はフェノール系酸化防止剤を
添加することができる。キレート形成性環状窒素化合物
は、銅、ニッケル等に配位して安定なキレートを形成す
る化合物で、特にベンゼン環を有する環状窒素化合物、
あるいはトリアジン系化合物が好ましい。具体例を挙げ
れば、ベンゼン環を有する環状窒素化合物としては、た
とえば、 ベンゾトリアゾール系 R2 インダゾール系 ベンズイミダゾール系 インドール系 (上記各式中、R1は水素、アルキル、置換アルキルを
表わし、R2はアルカリ金属、水素、アルキル、置換ア
ルキルを表わす) 等を挙げることができる。
ベンゾトリアゾール系としては、例えばベンゾトリアゾ
ール(R1、R2ともに水素)、1−メチルベンゾトリ
アゾール(R+が水素、R2がメチル)、1−(N、N
−ジオクチルアミノメチル)ベンゾトリアゾール(R+
が水素、R2がN、N−ジオクチルアミノメチル)、ト
リルトリアゾール(R+がメチル、R2が水素)、ソジ
ウムトリルトリアゾール(R+がメチル、R2がナトリ
ウム)等が好ましい。
ール(R1、R2ともに水素)、1−メチルベンゾトリ
アゾール(R+が水素、R2がメチル)、1−(N、N
−ジオクチルアミノメチル)ベンゾトリアゾール(R+
が水素、R2がN、N−ジオクチルアミノメチル)、ト
リルトリアゾール(R+がメチル、R2が水素)、ソジ
ウムトリルトリアゾール(R+がメチル、R2がナトリ
ウム)等が好ましい。
インダゾール系としては、例えばインダゾール(R1、
R2ともに水素)、2−メチルインダゾール(R+が水
素、R2がメチル)、2−ペンジルインダゾール(R+
が水素、R2がC6H3CH2)、1−アセチルインダ
ゾール(R+が水素、R2がC0CH5)等が好ましい
。
R2ともに水素)、2−メチルインダゾール(R+が水
素、R2がメチル)、2−ペンジルインダゾール(R+
が水素、R2がC6H3CH2)、1−アセチルインダ
ゾール(R+が水素、R2がC0CH5)等が好ましい
。
ベンズイミダゾール系としては、例えばベンズイミダゾ
ール(R1、R2ともに水素)、N−アセチイベンズイ
ミダゾール(R+が水素、R2がC0CH2)、N−ベ
ンゾイルベンズイミダゾール(R+が水素、R2がC0
C6H3)等が好ましい。
ール(R1、R2ともに水素)、N−アセチイベンズイ
ミダゾール(R+が水素、R2がC0CH2)、N−ベ
ンゾイルベンズイミダゾール(R+が水素、R2がC0
C6H3)等が好ましい。
インドール系としては、例えばインドール(R+%R2
ともに水素)、インドール−1−カルボン酸(R+が水
素、R2がC00H)、1−メチルインドール(R+が
水素、R2力(CH3)等が好ましい。
ともに水素)、インドール−1−カルボン酸(R+が水
素、R2がC00H)、1−メチルインドール(R+が
水素、R2力(CH3)等が好ましい。
また、トリアジン系化合物の具体例を挙げれば、例えば
、6−置換−1,8,5−トリアジン−2,4−ジチオ
ール−ナトリウム塩 (Rはアルキル基で置換されたアミノ基で、好ましくは
−N(04Ell ) 2、−N(CIl Hrr)
2、−N(Ct2H2%) 2、−NHC8H16CH
−CHCs Hr7等である) シアヌル酸(2,4,6−)サオキシ−1,3,5−ト
リアジン)、 H メラミン(2,4,6−トリアミノ−1,8,5−トリ
アジン)、 H2 を挙げることができる。これらは1種または2種以上混
合して添加され、パラフィンワックスと共に耐食性、耐
久性を向上させる。その濃度は総量で0.05〜3vt
%である。0.05vt%より小さいと耐食性、耐久性
が低く、また、3wt%より大きいと電気的接続性に支
障が生じる。
、6−置換−1,8,5−トリアジン−2,4−ジチオ
ール−ナトリウム塩 (Rはアルキル基で置換されたアミノ基で、好ましくは
−N(04Ell ) 2、−N(CIl Hrr)
2、−N(Ct2H2%) 2、−NHC8H16CH
−CHCs Hr7等である) シアヌル酸(2,4,6−)サオキシ−1,3,5−ト
リアジン)、 H メラミン(2,4,6−トリアミノ−1,8,5−トリ
アジン)、 H2 を挙げることができる。これらは1種または2種以上混
合して添加され、パラフィンワックスと共に耐食性、耐
久性を向上させる。その濃度は総量で0.05〜3vt
%である。0.05vt%より小さいと耐食性、耐久性
が低く、また、3wt%より大きいと電気的接続性に支
障が生じる。
又、本発明の封孔処理液に、必要に応じて添加される上
記のアミン系又はフェノール系酸化防止剤としては、た
とえば、 P、P’−ジオクチルジフェニルアミン4.4゛−テト
ラメチルジアミノジフェニルメタ4.4′−メチレン−
ビス−(2,6−ジーt−ブチルフェノール) (CH3) 30 C(CH3) 32.2゛−
メチレン−ビス−(4−メチル−11i−t−ブチルフ
ェノール) CH3CH3 2,2゛−メチレン−ビス−(4−エチル−6−t−ブ
チルフェノール) CH2CH3CH2CH3 2,6−ジーt−ブチル−p−クレゾールH CH3 ブチル化ヒドロキシアニソール 0CR30CH3 2,6−ジーt−ブチル−4−エチルフェノ−H2CH
3 等を挙げることができる。
記のアミン系又はフェノール系酸化防止剤としては、た
とえば、 P、P’−ジオクチルジフェニルアミン4.4゛−テト
ラメチルジアミノジフェニルメタ4.4′−メチレン−
ビス−(2,6−ジーt−ブチルフェノール) (CH3) 30 C(CH3) 32.2゛−
メチレン−ビス−(4−メチル−11i−t−ブチルフ
ェノール) CH3CH3 2,2゛−メチレン−ビス−(4−エチル−6−t−ブ
チルフェノール) CH2CH3CH2CH3 2,6−ジーt−ブチル−p−クレゾールH CH3 ブチル化ヒドロキシアニソール 0CR30CH3 2,6−ジーt−ブチル−4−エチルフェノ−H2CH
3 等を挙げることができる。
これらは、1種又は2種以上を0.001〜1νt%添
加することができる。
加することができる。
これらの成分を添加することにより、耐久性を一層向上
させることができる。すなわち、封孔処理皮膜の機能を
長期に亘り安定させ、また高温環境における皮膜の劣化
を抑制する効果を有する。0.001wt%未満ではそ
の効果を得ることはできず、lvt%を越えると接触抵
抗の低下現象が認められる。
させることができる。すなわち、封孔処理皮膜の機能を
長期に亘り安定させ、また高温環境における皮膜の劣化
を抑制する効果を有する。0.001wt%未満ではそ
の効果を得ることはできず、lvt%を越えると接触抵
抗の低下現象が認められる。
封孔処理液は上述の成分を有するが、溶媒としては特に
制限されず、公知の有機溶媒より適宜選択することがで
きる。例えばトルエン、キシレン等の石油系溶媒、トリ
クロロエチレン、トリクロロエタン等のハロゲン系溶媒
、あるいはフロン系溶媒等である。
制限されず、公知の有機溶媒より適宜選択することがで
きる。例えばトルエン、キシレン等の石油系溶媒、トリ
クロロエチレン、トリクロロエタン等のハロゲン系溶媒
、あるいはフロン系溶媒等である。
処理方法としては、めっき品を封孔処理液中に浸漬する
か、封孔処理液をスプレー、あるいは塗布するなど、何
れの方法によることもできる。しかし本発明において、
めっき品の形状が板・条、プレス部品であるを問わず、
めっき直後すなわち連続ラインであれば、そのラインの
中で処理することが、封孔処理の各種機能を高める効果
が高いことを見いだした。
か、封孔処理液をスプレー、あるいは塗布するなど、何
れの方法によることもできる。しかし本発明において、
めっき品の形状が板・条、プレス部品であるを問わず、
めっき直後すなわち連続ラインであれば、そのラインの
中で処理することが、封孔処理の各種機能を高める効果
が高いことを見いだした。
さらに、めっき品をプレス加工後に本発明の封孔処理液
で封孔処理する事も有効である。めっき後封孔処理した
金属材料であっても、その後のプレス加工で付着したプ
レス油を洗浄する工程において、封孔処理の機能の多く
は喪失する、そこで再度の封孔処理が有効となる。
で封孔処理する事も有効である。めっき後封孔処理した
金属材料であっても、その後のプレス加工で付着したプ
レス油を洗浄する工程において、封孔処理の機能の多く
は喪失する、そこで再度の封孔処理が有効となる。
その後のコネクタの加工工程においても、最終の電子機
器の組み立てまで、めっき品の洗浄工程があれば同様に
封孔処理機能は喪失するため、適宜本発明により封孔処
理する事が有効である。さらには電子機器にコネクタと
して組み込まれ実使用に際しても、使用にともない接点
性能が低下するなどの場合は、適宜本封孔処理液により
処理することができる。従って、本発明は本発明封孔処
理液により処理されたコネクタをも包含するものである
。
器の組み立てまで、めっき品の洗浄工程があれば同様に
封孔処理機能は喪失するため、適宜本発明により封孔処
理する事が有効である。さらには電子機器にコネクタと
して組み込まれ実使用に際しても、使用にともない接点
性能が低下するなどの場合は、適宜本封孔処理液により
処理することができる。従って、本発明は本発明封孔処
理液により処理されたコネクタをも包含するものである
。
なお、本発明における、めっき母材となる金属材料は、
銅及び、黄銅、りん青銅、チタン銅等の各種銅合金、鉄
、ステンレス鋼、高ニッケル合金等、コネクタの要求性
能に従い適宜選択でき、同等制限されない。中間層とし
てのニッケルめっきは、ワット浴、スルファミン酸浴等
からの電気めっき、無電解めっき等の公知のものを適用
でき、めっき方法は制限されない。またニッケルめっき
は金属母材に直接施すほか、その中間にさらに他の金属
層を有することもできる。金めつきは各種のアルカリ性
浴、酸性浴カラ純金めっきの他、コバルト等の合金成分
を含有する金合金めっきも包含するものである。
銅及び、黄銅、りん青銅、チタン銅等の各種銅合金、鉄
、ステンレス鋼、高ニッケル合金等、コネクタの要求性
能に従い適宜選択でき、同等制限されない。中間層とし
てのニッケルめっきは、ワット浴、スルファミン酸浴等
からの電気めっき、無電解めっき等の公知のものを適用
でき、めっき方法は制限されない。またニッケルめっき
は金属母材に直接施すほか、その中間にさらに他の金属
層を有することもできる。金めつきは各種のアルカリ性
浴、酸性浴カラ純金めっきの他、コバルト等の合金成分
を含有する金合金めっきも包含するものである。
[実施例コ
以下に実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。
ばね用りん青銅(C5210)の厚み0.2+nmの冷
間圧延材を用い、雄、及び雌の連続端子をそれぞれプレ
ス成形した。これらをリール・ツウ・リールの連続電気
めっきラインを通して電気めっきを施した。めっきライ
ンにおいては、脱脂、酸洗後ワット浴により 18mの
ニッケルめっき後、酸性めっき浴により金を0.2
μ「の厚みで接点部に部分めっきした。また、連続めっ
きラインでは、金めつき後に封孔処理工程を設け、同工
程ではトリクロロエタンを溶媒とした各種封孔処理液に
連続端子を通人することにより封孔処理を施した。
間圧延材を用い、雄、及び雌の連続端子をそれぞれプレ
ス成形した。これらをリール・ツウ・リールの連続電気
めっきラインを通して電気めっきを施した。めっきライ
ンにおいては、脱脂、酸洗後ワット浴により 18mの
ニッケルめっき後、酸性めっき浴により金を0.2
μ「の厚みで接点部に部分めっきした。また、連続めっ
きラインでは、金めつき後に封孔処理工程を設け、同工
程ではトリクロロエタンを溶媒とした各種封孔処理液に
連続端子を通人することにより封孔処理を施した。
こうして表面処理した雄と雌の端子をキャリア一部から
切断しリード線を圧着した後、それぞれを嵌合し評価試
験に供した。
切断しリード線を圧着した後、それぞれを嵌合し評価試
験に供した。
接触抵抗は直流10+amA 、開放電圧50+vVで
測定した。腐食試験は次の条件で行った。
測定した。腐食試験は次の条件で行った。
ガス組成:H2S 3±ippm
502 10±3 ppm
温度 :40± 2℃
湿度 ニア5± 5%RH
時間 :96時間
加熱試験は125℃大気中で1000時間保持した。
結果を第1表に示す。
第1表
第1表つづき
注1) ただし、表中封孔処理液の略号は以下の通りで
ある。
ある。
A ペトロラタム
B−1ジノニルナフタレンスルフオン酸バリウム塩−2
ツノニルナフタレンスルフオン酸カルシウム塩−3ジノ
ニルナフタレンスルフオン酸亜鉛塩−4ジノニルナフタ
レンスルフオン酸バリウム塩基性塩−5ジノニルナフタ
レンスルフオン酸エチレンジアミン塩−6ジノニルナフ
タレンスルフオン酸ナトリウム塩−7ジノニルナフタレ
ンスルフォン酸リチウム塩C−1ベンゾトリアゾール −2インダゾール C−3ベンズイミダゾール −4インドール =51−メチルベンゾトリアゾール −6トリルトリアゾール =7 ソジウムトリルトリアゾール −81−(N、N−ジオクチルアミノメチル)ベンゾト
リアゾール−9メラミン D−I P、P’−ジオクチルジフェニルアミン−2
4,4°−テトラメチルジアミノジフェニルメタン−3
4,4’−メチレン−ビス−(2,6−ジーt−ブチル
フェノール)−42,2’−メチレン−ビス−(4−メ
チル−e−t−ブチルフェノール) −52,2°−メチレン−ビス−(4−エチル−6−1
−ブチルフェノール) −62,6−ノーt−ブチル−p−クレゾール−7ブチ
ル化ヒドロキシアニソール −82,6−ジーt−ブチル−4−エチルフェノール注
2) 試験の判定基準は次の通りである。
ツノニルナフタレンスルフオン酸カルシウム塩−3ジノ
ニルナフタレンスルフオン酸亜鉛塩−4ジノニルナフタ
レンスルフオン酸バリウム塩基性塩−5ジノニルナフタ
レンスルフオン酸エチレンジアミン塩−6ジノニルナフ
タレンスルフオン酸ナトリウム塩−7ジノニルナフタレ
ンスルフォン酸リチウム塩C−1ベンゾトリアゾール −2インダゾール C−3ベンズイミダゾール −4インドール =51−メチルベンゾトリアゾール −6トリルトリアゾール =7 ソジウムトリルトリアゾール −81−(N、N−ジオクチルアミノメチル)ベンゾト
リアゾール−9メラミン D−I P、P’−ジオクチルジフェニルアミン−2
4,4°−テトラメチルジアミノジフェニルメタン−3
4,4’−メチレン−ビス−(2,6−ジーt−ブチル
フェノール)−42,2’−メチレン−ビス−(4−メ
チル−e−t−ブチルフェノール) −52,2°−メチレン−ビス−(4−エチル−6−1
−ブチルフェノール) −62,6−ノーt−ブチル−p−クレゾール−7ブチ
ル化ヒドロキシアニソール −82,6−ジーt−ブチル−4−エチルフェノール注
2) 試験の判定基準は次の通りである。
■初期接触抵抗、加熱試験後接触抵抗(n−5の平均値
)0・25−一Ω以下 △、25〜50■謹Ω X : 50m−Ω以上 ■腐食試験後外観 ◎ 腐食生成物全く認められず O:腐食生成物痕跡あり △、腐食生成物点在 X、腐食点が全面に認められる [発明の効果コ 以上述べたように、本発明により封孔処理されたニッケ
ル下地、金めつきの接点は、処理直後の接触抵抗が低く
、過酷な腐食環境においても優れた耐食性を示し、また
熱履歴によっても接触抵抗が上昇せず、接触性能が安定
しているという利点を有する。
)0・25−一Ω以下 △、25〜50■謹Ω X : 50m−Ω以上 ■腐食試験後外観 ◎ 腐食生成物全く認められず O:腐食生成物痕跡あり △、腐食生成物点在 X、腐食点が全面に認められる [発明の効果コ 以上述べたように、本発明により封孔処理されたニッケ
ル下地、金めつきの接点は、処理直後の接触抵抗が低く
、過酷な腐食環境においても優れた耐食性を示し、また
熱履歴によっても接触抵抗が上昇せず、接触性能が安定
しているという利点を有する。
特許出願人 日 本 鉱 業 株 式 会 社特許出願
人 株式会社 共石製品技術研究所代理人 弁理士 小
松 秀 岳
人 株式会社 共石製品技術研究所代理人 弁理士 小
松 秀 岳
Claims (6)
- (1)銅系または鉄系金属材料に中間層としてニッケル
をめっき後、金または金合金をめっきした材料を処理す
る封孔処理液であって、(A)ペトロラタム0.1〜3
wt%及び(B)アルキル置換ナフタレンスルフォン酸
塩の1種または2種以上0.05〜3wt%を必須成分
とする有機溶剤溶液よりなることを特徴とする封孔処理
液。 - (2)キレート形成性環状窒素化合物の1種もしくは2
種以上0.05〜3wt%をさらに含有することを特徴
とする請求項(1)記載の封孔処理液。 - (3)アミン系又はフェノール系酸化防止剤の1種もし
くは2種以上0.001〜1wt%を、さらに含有する
ことを特徴とする請求項(1)又は(2)記載の封孔処
理液。 - (4)銅系又は鉄系金属材料に中間層としてニッケルを
めっきし、さらにその上に金または金合金を電気めっき
後、請求項(1)、(2)または(3)記載の封孔処理
液で処理することを特徴とする封孔処理方法。 - (5)ニッケル及び金または金合金めっきされた銅系ま
たは鉄系金属材料をプレス加工後、請求項(1)、(2
)または(3)に記載の封孔処理液で処理することを特
徴とする封孔処理方法。 - (6)銅系または鉄系金属材料に中間層としてニッケル
をめっき後、金又は金合金をめっきしためっき材よりな
り、請求項(1)、(2)または(3)記載の封孔処理
液で封孔処理したことを特徴とするコネクタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28415290A JPH04160183A (ja) | 1990-10-24 | 1990-10-24 | 封孔処理液及び方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28415290A JPH04160183A (ja) | 1990-10-24 | 1990-10-24 | 封孔処理液及び方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04160183A true JPH04160183A (ja) | 1992-06-03 |
Family
ID=17674853
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28415290A Pending JPH04160183A (ja) | 1990-10-24 | 1990-10-24 | 封孔処理液及び方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04160183A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8658092B2 (en) | 2004-10-12 | 2014-02-25 | Ethicon, Inc. | Sterilization system and method and orifice inlet control apparatus therefor |
-
1990
- 1990-10-24 JP JP28415290A patent/JPH04160183A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8658092B2 (en) | 2004-10-12 | 2014-02-25 | Ethicon, Inc. | Sterilization system and method and orifice inlet control apparatus therefor |
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