JPH04188616A - 熱処理拡散炉装置 - Google Patents

熱処理拡散炉装置

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JPH04188616A
JPH04188616A JP31360890A JP31360890A JPH04188616A JP H04188616 A JPH04188616 A JP H04188616A JP 31360890 A JP31360890 A JP 31360890A JP 31360890 A JP31360890 A JP 31360890A JP H04188616 A JPH04188616 A JP H04188616A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
exhaust duct
heat
semiconductor substrate
buffer
reaction tube
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Pending
Application number
JP31360890A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahito Sawamura
沢村 雅人
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NEC Kyushu Ltd
Original Assignee
NEC Kyushu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造に使用する熱処理拡散炉装置
に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の拡散炉装置は、第2図の縦断面図に示す
ように、石英の反応管1の炉口部に熱排気ダクト3を有
し、熱排気ダクト3内を半導体基板が通過して反応管1
内へ入る様になっていた。
2はヒーターである。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の拡散炉装置は、熱排気ダクトにより反応
管内のガスと熱排気ダクト前面の大気も同時に吸引して
いる為、半導体基板が通過する際、反応管内に酸素の巻
き込みが生じ、半導体基板上に不必要の自然酸化膜を形
成してしまう欠点がある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、炉口に熱排気ダクトを有する反応管内で半導
体基板の熱処理を行なう熱処理拡散炉装置において、前
記熱排気ダクトの前面に窒素雰囲気のバッファーを設け
たものである。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例の縦断面図である。
熱排気ダクト3の前面にバッファー4を有し、バッファ
ー4内は窒素パージノズル5より窒素をパージすること
により窒素雰囲気に保たれる。それによって半導体基板
が熱排気ダクト3を通過する際に酸素を巻き込むのを防
止する。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、窒素雰囲気のバッファー
を熱排気ダクト前面に設けることにより、酸素を反応管
内に巻き込むのを防止し、半導体基板上への自然酸化膜
の形成を低減できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の縦断面図、第2図は従来の
拡散炉装置の縦断面図である。 ]・・・反応管、2・・・ヒーター、3・・・熱排気ダ
クト、4・・・バッファー、5・・・窒素パージ用ノズ
ル。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 炉口に熱排気ダクトを有する反応管内で半導体基板の熱
    処理を行なう熱処理拡散炉装置において、前記熱排気ダ
    クトの前面に窒素雰囲気のバッファーを設けたことを特
    徴とする熱処理拡散炉装置。
JP31360890A 1990-11-19 1990-11-19 熱処理拡散炉装置 Pending JPH04188616A (ja)

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