JPH0418624B2 - - Google Patents
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- JPH0418624B2 JPH0418624B2 JP58138451A JP13845183A JPH0418624B2 JP H0418624 B2 JPH0418624 B2 JP H0418624B2 JP 58138451 A JP58138451 A JP 58138451A JP 13845183 A JP13845183 A JP 13845183A JP H0418624 B2 JPH0418624 B2 JP H0418624B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は感光性樹脂を用いて水素イオン感応性
電界効果型トランジスタ(PH−ISFET)のイオ
ン感応面上にグルコースオキシダーゼ固定化膜を
形成せしめた新規なグルコース測定用酵素センサ
の製造方法に関するものである。
電界効果型トランジスタ(PH−ISFET)のイオ
ン感応面上にグルコースオキシダーゼ固定化膜を
形成せしめた新規なグルコース測定用酵素センサ
の製造方法に関するものである。
血液や尿等体液中のグルコース濃度の測定は臨
床診断上非常に重要であり、これまで各種のグル
コース定量法の開発や改良が行なわれてきた。そ
の中でグルコースオキシダーゼ固定化膜と過酸化
水素電極等の各種電極を組合せて迅速かつ連続測
定の可能ないわゆる酵素センサが種々提案されて
いる。
床診断上非常に重要であり、これまで各種のグル
コース定量法の開発や改良が行なわれてきた。そ
の中でグルコースオキシダーゼ固定化膜と過酸化
水素電極等の各種電極を組合せて迅速かつ連続測
定の可能ないわゆる酵素センサが種々提案されて
いる。
グルコース測定用酵素センサのひとつとして提
案されているグルコース固定化膜と過酸化水素電
極とを組合せた方式のセンサについてその動作を
説明する。この酵素センサはグルコースオキシダ
ーゼを包括固定化した膜やグルタルアルデヒドで
架橋して固定化した膜を過酸化水素電極の感応部
に装着して製作することができるものである。試
料液中のグルコースは、グルコース固定化膜内で
次式(1)に従つてグルコノ−δ−ラクトンと過酸化
水素に分解され、前者はさらに グルコン酸に加水分解される。試料液中にグルコ
ースが含まれていると反応式(1)により過酸化水素
が生成するので、その過酸化水素を過酸化水素電
極で定量することによつてグルコース濃度の測定
が可能である。
案されているグルコース固定化膜と過酸化水素電
極とを組合せた方式のセンサについてその動作を
説明する。この酵素センサはグルコースオキシダ
ーゼを包括固定化した膜やグルタルアルデヒドで
架橋して固定化した膜を過酸化水素電極の感応部
に装着して製作することができるものである。試
料液中のグルコースは、グルコース固定化膜内で
次式(1)に従つてグルコノ−δ−ラクトンと過酸化
水素に分解され、前者はさらに グルコン酸に加水分解される。試料液中にグルコ
ースが含まれていると反応式(1)により過酸化水素
が生成するので、その過酸化水素を過酸化水素電
極で定量することによつてグルコース濃度の測定
が可能である。
この種のグルコースセンサについては小型化の
試みが種々に行われているが、下地電極を小型化
することが困難であるためグルコースセンサの小
型化は本来的に容易ではない。さらに1個のセン
サでグルコースとともに種々の基質を同時に測定
できるマルチセンサとすることは極めて困難であ
る。またグルコースオキシダーゼ固定化膜を別個
に調製後下地電極に装着する必要がある等製作法
が煩雑であり、さらに構造も複雑なものとなる等
の欠点があつた。
試みが種々に行われているが、下地電極を小型化
することが困難であるためグルコースセンサの小
型化は本来的に容易ではない。さらに1個のセン
サでグルコースとともに種々の基質を同時に測定
できるマルチセンサとすることは極めて困難であ
る。またグルコースオキシダーゼ固定化膜を別個
に調製後下地電極に装着する必要がある等製作法
が煩雑であり、さらに構造も複雑なものとなる等
の欠点があつた。
本発明は上記のような従来のものの欠点を除去
するためになされたもので、感光性樹脂を用いて
グルコースオキシダーゼ固定化膜をPH−ISFET
のイオン感応面に直接形成することにより、小型
化、マルチセンサ化が容易で、かつ簡便な製作法
で作ることができるグルコースセンサの製造方法
を提供することを目的としている。
するためになされたもので、感光性樹脂を用いて
グルコースオキシダーゼ固定化膜をPH−ISFET
のイオン感応面に直接形成することにより、小型
化、マルチセンサ化が容易で、かつ簡便な製作法
で作ることができるグルコースセンサの製造方法
を提供することを目的としている。
本発明は、2つの水素イオン感応性電界効果型
トランジスタと参照電極とを1つの基板上に形成
し、次いで、上記一方の水素イオン感応性電界効
果型トランジスタのイオン感応面に、グルコース
オキシダーゼを含む感光性樹脂溶液を直接塗布、
硬化してグルコースオキシダーゼ固定化膜を形成
することを特徴とするグルコースセンサの製造方
法である。
トランジスタと参照電極とを1つの基板上に形成
し、次いで、上記一方の水素イオン感応性電界効
果型トランジスタのイオン感応面に、グルコース
オキシダーゼを含む感光性樹脂溶液を直接塗布、
硬化してグルコースオキシダーゼ固定化膜を形成
することを特徴とするグルコースセンサの製造方
法である。
また、本発明の別の発明は、2つの水素イオン
感応性電界効果型トランジスタと参照電極とを1
つの基板上に形成し、次いで、上記一方の水素イ
オン感応性電界効果型トランジスタのイオン感応
面に、グルコースオキシダーゼを含む感光性樹脂
溶液をフオトリゾグラフイー技術を用いてパター
ニングしてグルコースオキシダーゼ固定化膜を形
成することを特徴とするグルコースセンサの製造
方法である。
感応性電界効果型トランジスタと参照電極とを1
つの基板上に形成し、次いで、上記一方の水素イ
オン感応性電界効果型トランジスタのイオン感応
面に、グルコースオキシダーゼを含む感光性樹脂
溶液をフオトリゾグラフイー技術を用いてパター
ニングしてグルコースオキシダーゼ固定化膜を形
成することを特徴とするグルコースセンサの製造
方法である。
本発明では上記グルコースオキシダーゼ固定化
膜を、グルコースオキシダーゼを含む感光性樹脂
をPH−ISFETのイオン感応面に直接塗布硬化す
ることができ、またフオトリゾグラフイー技術に
よりPH−ISFETのイオン感応面にパターニング
することができる。
膜を、グルコースオキシダーゼを含む感光性樹脂
をPH−ISFETのイオン感応面に直接塗布硬化す
ることができ、またフオトリゾグラフイー技術に
よりPH−ISFETのイオン感応面にパターニング
することができる。
本発明では非常に小さい(数ミリ程度)PH−
ISFETを用い、そのイオン感応面に限定してグ
ルコースオキシダーゼ固定化膜を形成させるの
で、感光性樹脂を用いて光照射個所を限定するこ
とにより、必要な場所のみにグルコースオキシダ
ーゼ固定化膜を形成させることが可能である。
ISFETを用い、そのイオン感応面に限定してグ
ルコースオキシダーゼ固定化膜を形成させるの
で、感光性樹脂を用いて光照射個所を限定するこ
とにより、必要な場所のみにグルコースオキシダ
ーゼ固定化膜を形成させることが可能である。
次に本発明の製造方法によるグルコースセンサ
を図によつて説明する。
を図によつて説明する。
第1図は本発明によるグルコースセンサの下地
電極としたPH−ISFET素子の斜視図である。下
地電極であるPH−ISFET素子1はソース2及び
4、ドレイン3及び5、擬似参照電極6、及びリ
ード線7を備える。このPH−ISFET素子はソー
ス2とドレイン3からなる1個のPH−ISFET
(A)、ソース4及びドレイン5からなるもう1個
のPH−ISFET(B)並びに(擬似)参照電極6か
ら構成される複合型PH−ISFET素子である。こ
の素子は通常の金属酸化物型電界効果トランジス
タの製造法に準拠して製作できる。ここで擬似参
照電極6は金の蒸着膜である。PH−ISFET素子
を水溶液中で動作させるには、このPH−ISFET
素子の電位を水溶液に対して一定に保つ必要があ
るため、参照電極を用いる必要がある。このた
め、通常水溶液に対して安定な電位を示す飽和か
んこう電極や銀/塩化銀電極などがPH−ISFET
素子に対する参照電極として使用できる。しか
し、後述するように、本発明では2個の独立に作
用するPH−ISFET(第1図ではPH−ISFET(A)
及び(B)を使用し、その間の差動出力を酵素セ
ンサの出力とするため、金や白金などの金属電極
例えば金属の蒸着膜を擬似参照電極として使用で
きる。なぜなら、これらの金属電極の水溶液に対
する電位の不安定性は、2個のPH−ISFETの差
動出力を取る方式のための相殺され、差動出力に
その不安定性に基づく雑音は実質上殆んど混入す
ることがないからである。さらに、金属電極を用
いることにより、通常の参照電極では困難な参照
電極自体の小型化が容易であり、また、金属蒸着
等の方式で作成できるため、PH−ISFET素子を
製造する半導体製造プロセスを用いて容易に製作
できるという利点も生じる。第1図に示したPH−
ISFET素子では、2個のPH−ISFET(A)及び
(B)と共に、擬似参照電極としての金などの蒸
着膜を半導体製造プロセスで同時に製作したもの
である。このように、参照電極としては通常の飽
和かんこう電極等も使用することはできるが、上
記のような金属電極の方が好適に使用できる。PH
−ISFET(A)及びPH−ISFET(B)は各々単独
で水素イオンに感応するもので、ソース・ドレイ
ン間に一定電圧をかけて両者の間を流れる電流を
測定するか、又はソース・ドレイン間に一定電流
を流すために必要なソース電圧を測定することに
よつて、溶液中のPH(水素イオン濃度)を測定す
ることが可能である。
電極としたPH−ISFET素子の斜視図である。下
地電極であるPH−ISFET素子1はソース2及び
4、ドレイン3及び5、擬似参照電極6、及びリ
ード線7を備える。このPH−ISFET素子はソー
ス2とドレイン3からなる1個のPH−ISFET
(A)、ソース4及びドレイン5からなるもう1個
のPH−ISFET(B)並びに(擬似)参照電極6か
ら構成される複合型PH−ISFET素子である。こ
の素子は通常の金属酸化物型電界効果トランジス
タの製造法に準拠して製作できる。ここで擬似参
照電極6は金の蒸着膜である。PH−ISFET素子
を水溶液中で動作させるには、このPH−ISFET
素子の電位を水溶液に対して一定に保つ必要があ
るため、参照電極を用いる必要がある。このた
め、通常水溶液に対して安定な電位を示す飽和か
んこう電極や銀/塩化銀電極などがPH−ISFET
素子に対する参照電極として使用できる。しか
し、後述するように、本発明では2個の独立に作
用するPH−ISFET(第1図ではPH−ISFET(A)
及び(B)を使用し、その間の差動出力を酵素セ
ンサの出力とするため、金や白金などの金属電極
例えば金属の蒸着膜を擬似参照電極として使用で
きる。なぜなら、これらの金属電極の水溶液に対
する電位の不安定性は、2個のPH−ISFETの差
動出力を取る方式のための相殺され、差動出力に
その不安定性に基づく雑音は実質上殆んど混入す
ることがないからである。さらに、金属電極を用
いることにより、通常の参照電極では困難な参照
電極自体の小型化が容易であり、また、金属蒸着
等の方式で作成できるため、PH−ISFET素子を
製造する半導体製造プロセスを用いて容易に製作
できるという利点も生じる。第1図に示したPH−
ISFET素子では、2個のPH−ISFET(A)及び
(B)と共に、擬似参照電極としての金などの蒸
着膜を半導体製造プロセスで同時に製作したもの
である。このように、参照電極としては通常の飽
和かんこう電極等も使用することはできるが、上
記のような金属電極の方が好適に使用できる。PH
−ISFET(A)及びPH−ISFET(B)は各々単独
で水素イオンに感応するもので、ソース・ドレイ
ン間に一定電圧をかけて両者の間を流れる電流を
測定するか、又はソース・ドレイン間に一定電流
を流すために必要なソース電圧を測定することに
よつて、溶液中のPH(水素イオン濃度)を測定す
ることが可能である。
次に、PH−ISFET(A)の第2図8の部分にグ
ルコースオキシダーゼ固定化膜を装着し、もう一
方のPH−ISFET(B)にはそれを装着しない方式
でグルコースセンサを製作する。試料溶液中にグ
ルコースがあれば前記の式(1)に従つてグルコース
が分解され、グルコースオキシダーゼ固定化膜内
のPHは、グルコースオキシダーゼ固定化膜のない
PH−ISFET(B)でモニタされる試料溶液自体の
PHと差を生じることになる。従つて、このグルコ
ースセンサは、2個のPH−ISFET(A)及び
(B)それぞれのソース・ドレイン間に一定電流
を流すために必要なソース電圧を測定し、両PH−
ISFETのソース電圧の差動出力を増幅すること
によつて、試料溶液中のグルコース濃度を測定す
ることができる。
ルコースオキシダーゼ固定化膜を装着し、もう一
方のPH−ISFET(B)にはそれを装着しない方式
でグルコースセンサを製作する。試料溶液中にグ
ルコースがあれば前記の式(1)に従つてグルコース
が分解され、グルコースオキシダーゼ固定化膜内
のPHは、グルコースオキシダーゼ固定化膜のない
PH−ISFET(B)でモニタされる試料溶液自体の
PHと差を生じることになる。従つて、このグルコ
ースセンサは、2個のPH−ISFET(A)及び
(B)それぞれのソース・ドレイン間に一定電流
を流すために必要なソース電圧を測定し、両PH−
ISFETのソース電圧の差動出力を増幅すること
によつて、試料溶液中のグルコース濃度を測定す
ることができる。
以下に実施例を基づき本発明を説明する。
実施例 1
ポリビニルアルコールの水酸基にN−メチル−
p−ホルミルスチリルピリジニウムメトサルフエ
ートを付加した(付加率はポリビニルアルコール
の水酸基に対して0.8モル%)感光性樹脂(市村、
特開昭56−5761号に記載)の5重量%水溶液を調
製した。この水溶液0.2mlにグルコースオキシダ
ーゼ5mlを溶解し均一な溶液とした。この酵素・
感光性樹脂混合水溶液を第2図中8の部分に示す
ようにソース2とドレイン3から成るPH−
ISFETのチヤンネル部分すなわちイオン感応面
を覆うように広く塗布し、スピナーを用いて均一
な膜にするとともに乾燥せしめた。その後、
340nm以下の液長の光をカツトした350Wの水銀
灯を用い、5分間酵素・感光性樹脂混合物を光照
射してグルコースオキシダーゼ固定化膜を形成し
た。
p−ホルミルスチリルピリジニウムメトサルフエ
ートを付加した(付加率はポリビニルアルコール
の水酸基に対して0.8モル%)感光性樹脂(市村、
特開昭56−5761号に記載)の5重量%水溶液を調
製した。この水溶液0.2mlにグルコースオキシダ
ーゼ5mlを溶解し均一な溶液とした。この酵素・
感光性樹脂混合水溶液を第2図中8の部分に示す
ようにソース2とドレイン3から成るPH−
ISFETのチヤンネル部分すなわちイオン感応面
を覆うように広く塗布し、スピナーを用いて均一
な膜にするとともに乾燥せしめた。その後、
340nm以下の液長の光をカツトした350Wの水銀
灯を用い、5分間酵素・感光性樹脂混合物を光照
射してグルコースオキシダーゼ固定化膜を形成し
た。
以上のようにして作製したグルコースオキシダ
ーゼセンサの応答特性を、0.02Mりん酸緩衝液
(PH5.1)を用いてグルコース濃度5〜1000mg/
の範囲で検討した。第3図にグルコース濃度200
mg/における本例グルコースセンサの応答曲線
を図示する。第4図中曲線Aはこのグルコースセ
ンサの検量線を示す。第3図からわかるようにこ
のグルコースセンサの応答は迅速であり、かつ第
4図曲線Aからわかるように5〜600mg/の範
囲のグルコース濃度に対して直線応答する。また
検出下限は5mg/であつた。またこのセンサの
寿命を評価したところ、1日10回測定するという
条件で25日経過後の出力低下は3%以下であり、
寿命も充分長いものであつた。
ーゼセンサの応答特性を、0.02Mりん酸緩衝液
(PH5.1)を用いてグルコース濃度5〜1000mg/
の範囲で検討した。第3図にグルコース濃度200
mg/における本例グルコースセンサの応答曲線
を図示する。第4図中曲線Aはこのグルコースセ
ンサの検量線を示す。第3図からわかるようにこ
のグルコースセンサの応答は迅速であり、かつ第
4図曲線Aからわかるように5〜600mg/の範
囲のグルコース濃度に対して直線応答する。また
検出下限は5mg/であつた。またこのセンサの
寿命を評価したところ、1日10回測定するという
条件で25日経過後の出力低下は3%以下であり、
寿命も充分長いものであつた。
実施例 2
実施例1に述べた5重量%の感光性樹脂水溶液
0.2mlに20mgのグルコースオキシダーゼと20mgの
牛血清アルブミンを加え均一な溶液とした。この
溶液を実施例1と同様に第2図に示したようにソ
ース2とドレイン3から成るPH−ISFETのイオ
ン感応面上にグルコースオキシダーゼ固定化膜8
を成膜した。次にこのグルコースオキシダーゼ固
定化膜の機械的強度を増大させる操作を行なつ
た。すなわち、25%のグルタルアルデヒド水溶液
中にグルコースオキシダーゼ固定化膜を15分間浸
漬し、たん白質分子間を共有結合により相互架橋
した。このグルコースオキダーゼ固定化膜を充分
水洗し、さらに残存するグルタルアルデヒドを除
くために0.1モル%のグリシン水溶液に15分間浸
漬した。次いでこのグルコースセンサを水洗し
た。
0.2mlに20mgのグルコースオキシダーゼと20mgの
牛血清アルブミンを加え均一な溶液とした。この
溶液を実施例1と同様に第2図に示したようにソ
ース2とドレイン3から成るPH−ISFETのイオ
ン感応面上にグルコースオキシダーゼ固定化膜8
を成膜した。次にこのグルコースオキシダーゼ固
定化膜の機械的強度を増大させる操作を行なつ
た。すなわち、25%のグルタルアルデヒド水溶液
中にグルコースオキシダーゼ固定化膜を15分間浸
漬し、たん白質分子間を共有結合により相互架橋
した。このグルコースオキダーゼ固定化膜を充分
水洗し、さらに残存するグルタルアルデヒドを除
くために0.1モル%のグリシン水溶液に15分間浸
漬した。次いでこのグルコースセンサを水洗し
た。
このように製作したグルコースセンサの応答特
性を0.02Mのりん酸緩衝液(PH5.1)を用いて評
価した。第4図中曲線Bに示したものはこのセン
サの検量線である。直線応答域、検出下限は実施
例1とほぼ同等であつたが応答量は約2/3となつ
た。なお寿命についても実施例1のものと同等で
あつた。
性を0.02Mのりん酸緩衝液(PH5.1)を用いて評
価した。第4図中曲線Bに示したものはこのセン
サの検量線である。直線応答域、検出下限は実施
例1とほぼ同等であつたが応答量は約2/3となつ
た。なお寿命についても実施例1のものと同等で
あつた。
実施例 3
実施例1に述べた5重量%の感光性樹脂水溶液
0.2mlに5mgのグルコースオキシダーゼを加え均
一な溶液とした。この溶液を実施例1と同様に第
2図に示したようにソース2とドレイン3からな
るPH−ISFETのイオン感応面を覆うように塗布
し、スピナーを用いて酵素・感光性樹脂混合物を
均一な膜にするとともに乾燥せしめた。次いで第
5図の9に示した部分にのみ光を照射するマスク
を用いて、イオン感応面およびその周辺のみグル
コースオキシダーゼ固定化膜を形成した。光照射
は実施例1で述べたものと同一の装置及び条件に
より行つた。
0.2mlに5mgのグルコースオキシダーゼを加え均
一な溶液とした。この溶液を実施例1と同様に第
2図に示したようにソース2とドレイン3からな
るPH−ISFETのイオン感応面を覆うように塗布
し、スピナーを用いて酵素・感光性樹脂混合物を
均一な膜にするとともに乾燥せしめた。次いで第
5図の9に示した部分にのみ光を照射するマスク
を用いて、イオン感応面およびその周辺のみグル
コースオキシダーゼ固定化膜を形成した。光照射
は実施例1で述べたものと同一の装置及び条件に
より行つた。
このようにしてイオン感応面にのみグルコース
オキシダーゼ固定化膜をパターンニングしたグル
コースセンサの応答特性や寿命は実施例1で述べ
たものと同等であつた。
オキシダーゼ固定化膜をパターンニングしたグル
コースセンサの応答特性や寿命は実施例1で述べ
たものと同等であつた。
以上の実施例では、感光性樹脂としてN−メチ
ル−p−ホルミルスチリルピリジニウムメトサル
フエートをペンダントに有するポリビニルアルコ
ールを用いたが、グルコースオキシダーゼを失活
せずに固定化できる感光性のものであればいずれ
のものでも同様の効果を奏する。例えばポリエチ
レングリコールジメタクリレート(増感剤として
例えばベンゾインエチルエーテルを加えたもの)、
ポリビニルアルコール(架橋剤としてジアジド化
合物を混合したもの)が使用できる。またゲート
電圧を与えるものとして貴金属を用いたが、銀・
塩化銀電極等の安定な参照電極を用いても良い。
ル−p−ホルミルスチリルピリジニウムメトサル
フエートをペンダントに有するポリビニルアルコ
ールを用いたが、グルコースオキシダーゼを失活
せずに固定化できる感光性のものであればいずれ
のものでも同様の効果を奏する。例えばポリエチ
レングリコールジメタクリレート(増感剤として
例えばベンゾインエチルエーテルを加えたもの)、
ポリビニルアルコール(架橋剤としてジアジド化
合物を混合したもの)が使用できる。またゲート
電圧を与えるものとして貴金属を用いたが、銀・
塩化銀電極等の安定な参照電極を用いても良い。
以上のように本発明によれば、感光性樹脂を用
いてPH−ISFET上に直接グルコースオキシダー
ゼ固定化膜を形成したので、小型化、マルチセン
サ化が容易でかつ製作法が簡便であり、さらに充
分な寿命を有するグルコースセンサが得られる。
いてPH−ISFET上に直接グルコースオキシダー
ゼ固定化膜を形成したので、小型化、マルチセン
サ化が容易でかつ製作法が簡便であり、さらに充
分な寿命を有するグルコースセンサが得られる。
第1図は本発明によるグルコースセンサの下地
電極であるPH−ISFET素子の斜視図、第2図は
本発明の一実施例によるグルコースセンサの斜視
図、第3図は第2図に示す本発明によるグルコー
スセンサの応答曲線を示す線図、第4図は実施例
1及び2におけるグルコースセンサの検量線を示
す線図、第5図は実施例3におけるグルコースセ
ンサの斜視図である。図中、 1……PH−ISFET素子、2,4……ソース、
3,5……ドレイン、6……(擬似)参照電極、
7……リード線、8,9……グルコースオキシダ
ーゼ固定化膜。なお、各図中同一符号は同一また
は相当部分を示すものとする。
電極であるPH−ISFET素子の斜視図、第2図は
本発明の一実施例によるグルコースセンサの斜視
図、第3図は第2図に示す本発明によるグルコー
スセンサの応答曲線を示す線図、第4図は実施例
1及び2におけるグルコースセンサの検量線を示
す線図、第5図は実施例3におけるグルコースセ
ンサの斜視図である。図中、 1……PH−ISFET素子、2,4……ソース、
3,5……ドレイン、6……(擬似)参照電極、
7……リード線、8,9……グルコースオキシダ
ーゼ固定化膜。なお、各図中同一符号は同一また
は相当部分を示すものとする。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 2つの水素イオン感応性電界効果型トランジ
スタと参照電極とを同一の基板上に形成し、次い
で、 上記一方の水素イオン感応性電界効果型トラン
ジスタのイオン感応面に、グルコースオキシダー
ゼを含む感光性樹脂溶液を直接塗布、硬化してグ
ルコースオキシダーゼ固定化膜を形成することを
特徴とするグルコースセンサの製造方法。 2 2つの水素イオン感応性電界効果型トランジ
スタと参照電極とを同一の基板上に形成し、次い
で、 上記一方の水素イオン感応性電界効果型トラン
ジスタのイオン感応面に、グルコースオキシダー
ゼを含む感光性樹脂溶液をフオトリゾグラフイー
技術を用いてパターニングしてグルコースオキシ
ダーゼ固定化膜を形成することを特徴とするグル
コースセンサの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58138451A JPS6029657A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | グルコースセンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58138451A JPS6029657A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | グルコースセンサの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6029657A JPS6029657A (ja) | 1985-02-15 |
JPH0418624B2 true JPH0418624B2 (ja) | 1992-03-27 |
Family
ID=15222313
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58138451A Granted JPS6029657A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | グルコースセンサの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6029657A (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61262652A (ja) * | 1985-05-17 | 1986-11-20 | Nok Corp | グルコースセンサー |
JPS6250656A (ja) * | 1985-08-29 | 1987-03-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | バイオセンサ−およびその製造方法 |
JPH0740208Y2 (ja) * | 1987-10-13 | 1995-09-13 | 太陽誘電株式会社 | 検体成分検知用センサ |
US20030153026A1 (en) | 2002-01-04 | 2003-08-14 | Javier Alarcon | Entrapped binding protein as biosensors |
EP1754059B1 (en) | 2004-06-09 | 2010-08-04 | Becton, Dickinson and Company | Multianalyte sensor |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56153247A (en) * | 1980-04-28 | 1981-11-27 | Kuraray Co Ltd | Measuring circuit for ion sensor |
JPS57104851A (en) * | 1980-12-23 | 1982-06-30 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | Semiconductor sensor |
JPS58184540A (ja) * | 1982-04-21 | 1983-10-28 | Mitsubishi Electric Corp | 生化学センサ及び生化学センサを用いた化合物濃度の測定方法 |
-
1983
- 1983-07-28 JP JP58138451A patent/JPS6029657A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56153247A (en) * | 1980-04-28 | 1981-11-27 | Kuraray Co Ltd | Measuring circuit for ion sensor |
JPS57104851A (en) * | 1980-12-23 | 1982-06-30 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | Semiconductor sensor |
JPS58184540A (ja) * | 1982-04-21 | 1983-10-28 | Mitsubishi Electric Corp | 生化学センサ及び生化学センサを用いた化合物濃度の測定方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6029657A (ja) | 1985-02-15 |
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