JPH0418624B2 - - Google Patents

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JPH0418624B2
JPH0418624B2 JP58138451A JP13845183A JPH0418624B2 JP H0418624 B2 JPH0418624 B2 JP H0418624B2 JP 58138451 A JP58138451 A JP 58138451A JP 13845183 A JP13845183 A JP 13845183A JP H0418624 B2 JPH0418624 B2 JP H0418624B2
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JP
Japan
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glucose
isfet
glucose oxidase
sensor
ion
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JP58138451A
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JPS6029657A (ja
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Satoru Shiono
Yoshio Hanasato
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/403Cells and electrode assemblies
    • G01N27/414Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
    • G01N27/4145Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS specially adapted for biomolecules, e.g. gate electrode with immobilised receptors

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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は感光性樹脂を用いて水素イオン感応性
電界効果型トランジスタ(PH−ISFET)のイオ
ン感応面上にグルコースオキシダーゼ固定化膜を
形成せしめた新規なグルコース測定用酵素センサ
の製造方法に関するものである。
血液や尿等体液中のグルコース濃度の測定は臨
床診断上非常に重要であり、これまで各種のグル
コース定量法の開発や改良が行なわれてきた。そ
の中でグルコースオキシダーゼ固定化膜と過酸化
水素電極等の各種電極を組合せて迅速かつ連続測
定の可能ないわゆる酵素センサが種々提案されて
いる。
グルコース測定用酵素センサのひとつとして提
案されているグルコース固定化膜と過酸化水素電
極とを組合せた方式のセンサについてその動作を
説明する。この酵素センサはグルコースオキシダ
ーゼを包括固定化した膜やグルタルアルデヒドで
架橋して固定化した膜を過酸化水素電極の感応部
に装着して製作することができるものである。試
料液中のグルコースは、グルコース固定化膜内で
次式(1)に従つてグルコノ−δ−ラクトンと過酸化
水素に分解され、前者はさらに グルコン酸に加水分解される。試料液中にグルコ
ースが含まれていると反応式(1)により過酸化水素
が生成するので、その過酸化水素を過酸化水素電
極で定量することによつてグルコース濃度の測定
が可能である。
この種のグルコースセンサについては小型化の
試みが種々に行われているが、下地電極を小型化
することが困難であるためグルコースセンサの小
型化は本来的に容易ではない。さらに1個のセン
サでグルコースとともに種々の基質を同時に測定
できるマルチセンサとすることは極めて困難であ
る。またグルコースオキシダーゼ固定化膜を別個
に調製後下地電極に装着する必要がある等製作法
が煩雑であり、さらに構造も複雑なものとなる等
の欠点があつた。
本発明は上記のような従来のものの欠点を除去
するためになされたもので、感光性樹脂を用いて
グルコースオキシダーゼ固定化膜をPH−ISFET
のイオン感応面に直接形成することにより、小型
化、マルチセンサ化が容易で、かつ簡便な製作法
で作ることができるグルコースセンサの製造方法
を提供することを目的としている。
本発明は、2つの水素イオン感応性電界効果型
トランジスタと参照電極とを1つの基板上に形成
し、次いで、上記一方の水素イオン感応性電界効
果型トランジスタのイオン感応面に、グルコース
オキシダーゼを含む感光性樹脂溶液を直接塗布、
硬化してグルコースオキシダーゼ固定化膜を形成
することを特徴とするグルコースセンサの製造方
法である。
また、本発明の別の発明は、2つの水素イオン
感応性電界効果型トランジスタと参照電極とを1
つの基板上に形成し、次いで、上記一方の水素イ
オン感応性電界効果型トランジスタのイオン感応
面に、グルコースオキシダーゼを含む感光性樹脂
溶液をフオトリゾグラフイー技術を用いてパター
ニングしてグルコースオキシダーゼ固定化膜を形
成することを特徴とするグルコースセンサの製造
方法である。
本発明では上記グルコースオキシダーゼ固定化
膜を、グルコースオキシダーゼを含む感光性樹脂
をPH−ISFETのイオン感応面に直接塗布硬化す
ることができ、またフオトリゾグラフイー技術に
よりPH−ISFETのイオン感応面にパターニング
することができる。
本発明では非常に小さい(数ミリ程度)PH−
ISFETを用い、そのイオン感応面に限定してグ
ルコースオキシダーゼ固定化膜を形成させるの
で、感光性樹脂を用いて光照射個所を限定するこ
とにより、必要な場所のみにグルコースオキシダ
ーゼ固定化膜を形成させることが可能である。
次に本発明の製造方法によるグルコースセンサ
を図によつて説明する。
第1図は本発明によるグルコースセンサの下地
電極としたPH−ISFET素子の斜視図である。下
地電極であるPH−ISFET素子1はソース2及び
4、ドレイン3及び5、擬似参照電極6、及びリ
ード線7を備える。このPH−ISFET素子はソー
ス2とドレイン3からなる1個のPH−ISFET
(A)、ソース4及びドレイン5からなるもう1個
のPH−ISFET(B)並びに(擬似)参照電極6か
ら構成される複合型PH−ISFET素子である。こ
の素子は通常の金属酸化物型電界効果トランジス
タの製造法に準拠して製作できる。ここで擬似参
照電極6は金の蒸着膜である。PH−ISFET素子
を水溶液中で動作させるには、このPH−ISFET
素子の電位を水溶液に対して一定に保つ必要があ
るため、参照電極を用いる必要がある。このた
め、通常水溶液に対して安定な電位を示す飽和か
んこう電極や銀/塩化銀電極などがPH−ISFET
素子に対する参照電極として使用できる。しか
し、後述するように、本発明では2個の独立に作
用するPH−ISFET(第1図ではPH−ISFET(A)
及び(B)を使用し、その間の差動出力を酵素セ
ンサの出力とするため、金や白金などの金属電極
例えば金属の蒸着膜を擬似参照電極として使用で
きる。なぜなら、これらの金属電極の水溶液に対
する電位の不安定性は、2個のPH−ISFETの差
動出力を取る方式のための相殺され、差動出力に
その不安定性に基づく雑音は実質上殆んど混入す
ることがないからである。さらに、金属電極を用
いることにより、通常の参照電極では困難な参照
電極自体の小型化が容易であり、また、金属蒸着
等の方式で作成できるため、PH−ISFET素子を
製造する半導体製造プロセスを用いて容易に製作
できるという利点も生じる。第1図に示したPH−
ISFET素子では、2個のPH−ISFET(A)及び
(B)と共に、擬似参照電極としての金などの蒸
着膜を半導体製造プロセスで同時に製作したもの
である。このように、参照電極としては通常の飽
和かんこう電極等も使用することはできるが、上
記のような金属電極の方が好適に使用できる。PH
−ISFET(A)及びPH−ISFET(B)は各々単独
で水素イオンに感応するもので、ソース・ドレイ
ン間に一定電圧をかけて両者の間を流れる電流を
測定するか、又はソース・ドレイン間に一定電流
を流すために必要なソース電圧を測定することに
よつて、溶液中のPH(水素イオン濃度)を測定す
ることが可能である。
次に、PH−ISFET(A)の第2図8の部分にグ
ルコースオキシダーゼ固定化膜を装着し、もう一
方のPH−ISFET(B)にはそれを装着しない方式
でグルコースセンサを製作する。試料溶液中にグ
ルコースがあれば前記の式(1)に従つてグルコース
が分解され、グルコースオキシダーゼ固定化膜内
のPHは、グルコースオキシダーゼ固定化膜のない
PH−ISFET(B)でモニタされる試料溶液自体の
PHと差を生じることになる。従つて、このグルコ
ースセンサは、2個のPH−ISFET(A)及び
(B)それぞれのソース・ドレイン間に一定電流
を流すために必要なソース電圧を測定し、両PH−
ISFETのソース電圧の差動出力を増幅すること
によつて、試料溶液中のグルコース濃度を測定す
ることができる。
以下に実施例を基づき本発明を説明する。
実施例 1 ポリビニルアルコールの水酸基にN−メチル−
p−ホルミルスチリルピリジニウムメトサルフエ
ートを付加した(付加率はポリビニルアルコール
の水酸基に対して0.8モル%)感光性樹脂(市村、
特開昭56−5761号に記載)の5重量%水溶液を調
製した。この水溶液0.2mlにグルコースオキシダ
ーゼ5mlを溶解し均一な溶液とした。この酵素・
感光性樹脂混合水溶液を第2図中8の部分に示す
ようにソース2とドレイン3から成るPH−
ISFETのチヤンネル部分すなわちイオン感応面
を覆うように広く塗布し、スピナーを用いて均一
な膜にするとともに乾燥せしめた。その後、
340nm以下の液長の光をカツトした350Wの水銀
灯を用い、5分間酵素・感光性樹脂混合物を光照
射してグルコースオキシダーゼ固定化膜を形成し
た。
以上のようにして作製したグルコースオキシダ
ーゼセンサの応答特性を、0.02Mりん酸緩衝液
(PH5.1)を用いてグルコース濃度5〜1000mg/
の範囲で検討した。第3図にグルコース濃度200
mg/における本例グルコースセンサの応答曲線
を図示する。第4図中曲線Aはこのグルコースセ
ンサの検量線を示す。第3図からわかるようにこ
のグルコースセンサの応答は迅速であり、かつ第
4図曲線Aからわかるように5〜600mg/の範
囲のグルコース濃度に対して直線応答する。また
検出下限は5mg/であつた。またこのセンサの
寿命を評価したところ、1日10回測定するという
条件で25日経過後の出力低下は3%以下であり、
寿命も充分長いものであつた。
実施例 2 実施例1に述べた5重量%の感光性樹脂水溶液
0.2mlに20mgのグルコースオキシダーゼと20mgの
牛血清アルブミンを加え均一な溶液とした。この
溶液を実施例1と同様に第2図に示したようにソ
ース2とドレイン3から成るPH−ISFETのイオ
ン感応面上にグルコースオキシダーゼ固定化膜8
を成膜した。次にこのグルコースオキシダーゼ固
定化膜の機械的強度を増大させる操作を行なつ
た。すなわち、25%のグルタルアルデヒド水溶液
中にグルコースオキシダーゼ固定化膜を15分間浸
漬し、たん白質分子間を共有結合により相互架橋
した。このグルコースオキダーゼ固定化膜を充分
水洗し、さらに残存するグルタルアルデヒドを除
くために0.1モル%のグリシン水溶液に15分間浸
漬した。次いでこのグルコースセンサを水洗し
た。
このように製作したグルコースセンサの応答特
性を0.02Mのりん酸緩衝液(PH5.1)を用いて評
価した。第4図中曲線Bに示したものはこのセン
サの検量線である。直線応答域、検出下限は実施
例1とほぼ同等であつたが応答量は約2/3となつ
た。なお寿命についても実施例1のものと同等で
あつた。
実施例 3 実施例1に述べた5重量%の感光性樹脂水溶液
0.2mlに5mgのグルコースオキシダーゼを加え均
一な溶液とした。この溶液を実施例1と同様に第
2図に示したようにソース2とドレイン3からな
るPH−ISFETのイオン感応面を覆うように塗布
し、スピナーを用いて酵素・感光性樹脂混合物を
均一な膜にするとともに乾燥せしめた。次いで第
5図の9に示した部分にのみ光を照射するマスク
を用いて、イオン感応面およびその周辺のみグル
コースオキシダーゼ固定化膜を形成した。光照射
は実施例1で述べたものと同一の装置及び条件に
より行つた。
このようにしてイオン感応面にのみグルコース
オキシダーゼ固定化膜をパターンニングしたグル
コースセンサの応答特性や寿命は実施例1で述べ
たものと同等であつた。
以上の実施例では、感光性樹脂としてN−メチ
ル−p−ホルミルスチリルピリジニウムメトサル
フエートをペンダントに有するポリビニルアルコ
ールを用いたが、グルコースオキシダーゼを失活
せずに固定化できる感光性のものであればいずれ
のものでも同様の効果を奏する。例えばポリエチ
レングリコールジメタクリレート(増感剤として
例えばベンゾインエチルエーテルを加えたもの)、
ポリビニルアルコール(架橋剤としてジアジド化
合物を混合したもの)が使用できる。またゲート
電圧を与えるものとして貴金属を用いたが、銀・
塩化銀電極等の安定な参照電極を用いても良い。
以上のように本発明によれば、感光性樹脂を用
いてPH−ISFET上に直接グルコースオキシダー
ゼ固定化膜を形成したので、小型化、マルチセン
サ化が容易でかつ製作法が簡便であり、さらに充
分な寿命を有するグルコースセンサが得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明によるグルコースセンサの下地
電極であるPH−ISFET素子の斜視図、第2図は
本発明の一実施例によるグルコースセンサの斜視
図、第3図は第2図に示す本発明によるグルコー
スセンサの応答曲線を示す線図、第4図は実施例
1及び2におけるグルコースセンサの検量線を示
す線図、第5図は実施例3におけるグルコースセ
ンサの斜視図である。図中、 1……PH−ISFET素子、2,4……ソース、
3,5……ドレイン、6……(擬似)参照電極、
7……リード線、8,9……グルコースオキシダ
ーゼ固定化膜。なお、各図中同一符号は同一また
は相当部分を示すものとする。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 2つの水素イオン感応性電界効果型トランジ
    スタと参照電極とを同一の基板上に形成し、次い
    で、 上記一方の水素イオン感応性電界効果型トラン
    ジスタのイオン感応面に、グルコースオキシダー
    ゼを含む感光性樹脂溶液を直接塗布、硬化してグ
    ルコースオキシダーゼ固定化膜を形成することを
    特徴とするグルコースセンサの製造方法。 2 2つの水素イオン感応性電界効果型トランジ
    スタと参照電極とを同一の基板上に形成し、次い
    で、 上記一方の水素イオン感応性電界効果型トラン
    ジスタのイオン感応面に、グルコースオキシダー
    ゼを含む感光性樹脂溶液をフオトリゾグラフイー
    技術を用いてパターニングしてグルコースオキシ
    ダーゼ固定化膜を形成することを特徴とするグル
    コースセンサの製造方法。
JP58138451A 1983-07-28 1983-07-28 グルコースセンサの製造方法 Granted JPS6029657A (ja)

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