JPH0365866B2 - - Google Patents
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- JPH0365866B2 JPH0365866B2 JP58147593A JP14759383A JPH0365866B2 JP H0365866 B2 JPH0365866 B2 JP H0365866B2 JP 58147593 A JP58147593 A JP 58147593A JP 14759383 A JP14759383 A JP 14759383A JP H0365866 B2 JPH0365866 B2 JP H0365866B2
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は小型の半導体素子上に複数個の酵素セ
ンサを設けたワンタツチマルチ酵素センサに関す
るものである。
ンサを設けたワンタツチマルチ酵素センサに関す
るものである。
各種体液中の基質濃度の測定を目的としてこれ
まで種々の酵素センサが開発され、臨床医学的に
もその有用性が証明されつつある。例えばグルコ
ースセンサ、尿素センサ、尿酸センサ等がこの例
である。酵素センサは医学的応用に留まらず、環
境計測や工業計測制御用としても用いられること
が期待されている。
まで種々の酵素センサが開発され、臨床医学的に
もその有用性が証明されつつある。例えばグルコ
ースセンサ、尿素センサ、尿酸センサ等がこの例
である。酵素センサは医学的応用に留まらず、環
境計測や工業計測制御用としても用いられること
が期待されている。
従来の酵素センサは、各種の電気化学的デバイ
ス、例えば過酸化水素電極、酸素電極、アンモニ
ア電極等を下地電極としてその感応面に各種の固
定化酵素膜を装着したもので、単一の基質に対し
て感応するものであつた。この従来の酵素センサ
は小型化が困難であることなどの欠点を有するた
めに、酵素センサの小型化の試みも行われてい
る。そのひとつとして、小型の半導体イオンセン
サである水素イオン感応性電界効果型トランジス
タ（PH−ISFET）と固定化酵素膜を組合せた酵
素センサが報告されている〔Ｓ・Caras等、
Anal、Chem.，52、1935（1980年）、宮原等、電
気通信学会技術研究報告CPM82−80）〕。
ス、例えば過酸化水素電極、酸素電極、アンモニ
ア電極等を下地電極としてその感応面に各種の固
定化酵素膜を装着したもので、単一の基質に対し
て感応するものであつた。この従来の酵素センサ
は小型化が困難であることなどの欠点を有するた
めに、酵素センサの小型化の試みも行われてい
る。そのひとつとして、小型の半導体イオンセン
サである水素イオン感応性電界効果型トランジス
タ（PH−ISFET）と固定化酵素膜を組合せた酵
素センサが報告されている〔Ｓ・Caras等、
Anal、Chem.，52、1935（1980年）、宮原等、電
気通信学会技術研究報告CPM82−80）〕。
しかしながらこれらの酵素センサは、前者につ
いてはその下地電極の構造から小型化すること自
体が困難であり、さらにマルチ酵素センサとする
ことは極めて困難である。また、後者の半導体イ
オンセンサを下地電極とするものについても、用
いている固定化法からマルチ酵素センサとするこ
とは困難であるとなどの欠点があつた。
いてはその下地電極の構造から小型化すること自
体が困難であり、さらにマルチ酵素センサとする
ことは極めて困難である。また、後者の半導体イ
オンセンサを下地電極とするものについても、用
いている固定化法からマルチ酵素センサとするこ
とは困難であるとなどの欠点があつた。
本発明は従来のものの欠点を除去するためにな
されたもので、複数の同一イオンに感応するイオ
ン感応性電界効果型トランジスタ（ISFET）を
有する半導体素子上の各ISFETのイオン感応面
に異なる固定化酵素膜を光感応性高分子を用いて
装着することによつて、１個の素子で複数の基質
に感応するマルチ酵素センサを提供することを目
的としている。
されたもので、複数の同一イオンに感応するイオ
ン感応性電界効果型トランジスタ（ISFET）を
有する半導体素子上の各ISFETのイオン感応面
に異なる固定化酵素膜を光感応性高分子を用いて
装着することによつて、１個の素子で複数の基質
に感応するマルチ酵素センサを提供することを目
的としている。
すなわち本発明は、複数個の同一イオンに感応
するイオン感応性電界効果型トランジスタのイオ
ン感応面それぞれに、異なる種類の固定化酵素膜
を光感応性高分子を用いてフオトリゾグラフイー
技術により必要な部分のみに装着したイオン感応
性電界効果型トランジスタと、上記固定化酵素膜
を装着しないイオン感応性電界効果型トランジス
タと、参照電極と、これら固定化酵素膜を装着し
たイオン感応性電界効果型トランジスタ、固定化
酵素膜を装着しないイオン感応性電界効果型トラ
ンジスタ及び参照電極を同一基板内に設ける基板
とを備えたことを特徴とするマルチ酵素センサで
ある。
するイオン感応性電界効果型トランジスタのイオ
ン感応面それぞれに、異なる種類の固定化酵素膜
を光感応性高分子を用いてフオトリゾグラフイー
技術により必要な部分のみに装着したイオン感応
性電界効果型トランジスタと、上記固定化酵素膜
を装着しないイオン感応性電界効果型トランジス
タと、参照電極と、これら固定化酵素膜を装着し
たイオン感応性電界効果型トランジスタ、固定化
酵素膜を装着しないイオン感応性電界効果型トラ
ンジスタ及び参照電極を同一基板内に設ける基板
とを備えたことを特徴とするマルチ酵素センサで
ある。
このマルチ酵素センサは、独立の酵素センサと
して個別の基質に感応するものとして用いること
ができるとともに、個別の酵素センサからの出力
をセンサ外部もしくはセンサ素子上に設けられた
情報処理回路により総合的判断ができるインテリ
ジエントセンサとすることも可能なものである。
して個別の基質に感応するものとして用いること
ができるとともに、個別の酵素センサからの出力
をセンサ外部もしくはセンサ素子上に設けられた
情報処理回路により総合的判断ができるインテリ
ジエントセンサとすることも可能なものである。
以下本発明のマルチ酵素センサを図に基づいて
説明する。
説明する。
第１図は本発明によるマルチ酵素センサの下地
電極として用いた複数のPH−ISFETを有する半
導体素子の正面図で、１は基板である半導体素
子、２は（疑似）参照電極として用いる金などの
不活性金属の蒸着膜、３，５，７及び９はソー
ス、４，６，８及び１０はドレインである。この
半導体素子１は、ソース３−ドレイン４からなる
PH−ISFET、同じく５，６からなるPH−ISFET、
７，８からなるPH−ISFET、９，１０からなる
PH−ISFETの４個のPH−ISFETを有するもので
ある。この半導体素子は通常の電界効果型トラン
ジスタの製造法と類似の製造法によつて作られた
もので、４個のPH−ISFETは独立に水素イオン
濃度（PH）に応じた出力を与えるものである。
電極として用いた複数のPH−ISFETを有する半
導体素子の正面図で、１は基板である半導体素
子、２は（疑似）参照電極として用いる金などの
不活性金属の蒸着膜、３，５，７及び９はソー
ス、４，６，８及び１０はドレインである。この
半導体素子１は、ソース３−ドレイン４からなる
PH−ISFET、同じく５，６からなるPH−ISFET、
７，８からなるPH−ISFET、９，１０からなる
PH−ISFETの４個のPH−ISFETを有するもので
ある。この半導体素子は通常の電界効果型トラン
ジスタの製造法と類似の製造法によつて作られた
もので、４個のPH−ISFETは独立に水素イオン
濃度（PH）に応じた出力を与えるものである。
なお、ここで（疑似）参照電極として金属の蒸
着膜を用いた理由について述べる。PH−ISFET
素子を水溶液中で動作させるには、このPH−
ISFET素子の電位を水溶液に対して一定に保つ
必要があるため、参照電極を用いる必要がある。
このため、通常水溶液に対して安定な電位を示す
飽和かんこう電極や銀／塩化銀電極などがPH−
ISFET素子に対する参照電極として使用できる。
しかし、後述するように、本発明では１つのセン
シング対象化合物に対して２個の独立に作用する
PH−ISFETを使用し、その間の差動出力を酵素
センサの出力とするため、金や白金などの金属電
極例えば金属の蒸着膜を擬似参照電極として使用
できる。なぜなら、これらの金属電極の水溶液に
対する電位の不安定性は、２個のPH−ISFETの
差動出力を取る方式のため相殺され、差動出力に
その不安定性に基づく雑音は実質上殆んど混入す
ることがないからである。さらに、金属電極を用
いることにより、通常の参照電極では困難な参照
電極自体の小型化が容易であり、また、金属電極
等の方式で作成できるため、PH−ISFET素子を
製造する半導体製造プロセスを用いて容易に製作
できるという利点も生じる。第１図に示した複数
個のPH−ISFETを有する素子では、４個のPH−
ISFETと共に、擬似参照電極としての金などの
蒸着膜を半導体製造プロセスで同時に製作したも
のである。このように、参照電極としては通常の
飽和かんこう電極等を使用することはできるが、
上記のような金属電極の方が好適に使用できる。
着膜を用いた理由について述べる。PH−ISFET
素子を水溶液中で動作させるには、このPH−
ISFET素子の電位を水溶液に対して一定に保つ
必要があるため、参照電極を用いる必要がある。
このため、通常水溶液に対して安定な電位を示す
飽和かんこう電極や銀／塩化銀電極などがPH−
ISFET素子に対する参照電極として使用できる。
しかし、後述するように、本発明では１つのセン
シング対象化合物に対して２個の独立に作用する
PH−ISFETを使用し、その間の差動出力を酵素
センサの出力とするため、金や白金などの金属電
極例えば金属の蒸着膜を擬似参照電極として使用
できる。なぜなら、これらの金属電極の水溶液に
対する電位の不安定性は、２個のPH−ISFETの
差動出力を取る方式のため相殺され、差動出力に
その不安定性に基づく雑音は実質上殆んど混入す
ることがないからである。さらに、金属電極を用
いることにより、通常の参照電極では困難な参照
電極自体の小型化が容易であり、また、金属電極
等の方式で作成できるため、PH−ISFET素子を
製造する半導体製造プロセスを用いて容易に製作
できるという利点も生じる。第１図に示した複数
個のPH−ISFETを有する素子では、４個のPH−
ISFETと共に、擬似参照電極としての金などの
蒸着膜を半導体製造プロセスで同時に製作したも
のである。このように、参照電極としては通常の
飽和かんこう電極等を使用することはできるが、
上記のような金属電極の方が好適に使用できる。
第２図は第１図の半導体素子１上のそれぞれ３
と４，５と６および７と８から成る３個のPH−
ISFETのイオン感応面上に３種の固定化酵素膜
１１，１２及び１３を装着したマルチ酵素センサ
を示す。これらの固定化酵素膜は、光感応性高分
子溶液に酵素溶液を混合溶解もしくは分散させた
溶液を用い、フオトリゾグラフイー技術により、
光感応性高分子を架橋反応等により不溶化して調
製したものである。９と１０から成るPH−
ISFETには固定化酵素膜を装着せず、直接被験
溶液と接する構造になつている。上記の固定化酵
素膜が被験液中の基質を分解し、それに伴つて固
定化酵素膜内のPHが変化するような酵素を用いる
と、基質の濃度に応じて固定化酵素膜内のPHは被
験溶液自身のPHと差を生じることになる。このPH
の差は固定化酵素膜をもつ３と４，５と６，７と
８からなるPH−ISFETの各出力と、固定化酵素
膜をもたない９と１０からなるPH−ISFETの出
力との差に現われることになるので、基質の濃度
の測定が可能となる。３個の固定化酵素膜１１，
１２及び１３には各々別個の酵素を固定化できる
ので、本発明のマルチ酵素センサでは同時に３種
の基質濃度の測定が可能である。
と４，５と６および７と８から成る３個のPH−
ISFETのイオン感応面上に３種の固定化酵素膜
１１，１２及び１３を装着したマルチ酵素センサ
を示す。これらの固定化酵素膜は、光感応性高分
子溶液に酵素溶液を混合溶解もしくは分散させた
溶液を用い、フオトリゾグラフイー技術により、
光感応性高分子を架橋反応等により不溶化して調
製したものである。９と１０から成るPH−
ISFETには固定化酵素膜を装着せず、直接被験
溶液と接する構造になつている。上記の固定化酵
素膜が被験液中の基質を分解し、それに伴つて固
定化酵素膜内のPHが変化するような酵素を用いる
と、基質の濃度に応じて固定化酵素膜内のPHは被
験溶液自身のPHと差を生じることになる。このPH
の差は固定化酵素膜をもつ３と４，５と６，７と
８からなるPH−ISFETの各出力と、固定化酵素
膜をもたない９と１０からなるPH−ISFETの出
力との差に現われることになるので、基質の濃度
の測定が可能となる。３個の固定化酵素膜１１，
１２及び１３には各々別個の酵素を固定化できる
ので、本発明のマルチ酵素センサでは同時に３種
の基質濃度の測定が可能である。
次に実施例に基づき本発明のマルチ酵素センサ
をさらに詳細に述べる。
をさらに詳細に述べる。
本実施例ではマルチ酵素センサの固定化酵素と
して、グルコース検出の目的でグルコースオキシ
ターゼを、尿素検出の目的でウレアーゼを、尿酸
検出の目的でウリカーゼをそれぞれ酵素として用
いた。用いた光感応性高分子はポリビニアルコー
ルの水酸基にＮ−メチル−ｐ−ホルミルスチリル
ピリジニウムメトサルフエートを付加した（付加
率はポリビニルアルコールの水酸基に対して0.8
モル％）光感応性樹脂（特開昭56−5761号公報に
記載）の５重量％水溶液を調製した。この水溶液
１mlに対してグルコースオキシターゼ25mgを溶解
した。この溶液を半導体素子表面全体に塗布し、
スピナーを用いて成膜するとともに乾燥した。半
導体素子上の酵素を含む光感応性高分子の膜に、
第２図の１１の部分にのみ光を照射するマスクを
入れた露光装置（350Wの超高圧水銀灯からの光
を350nmのカツトオフフイルタに通した光を用い
た）で３分間光を照射した。この照射によつて１
１の部分のみに光感応性高分子が架橋し水に不溶
となる。照射後半導体素子をPH７の緩衝液に１分
程度浸漬し、１１の部分以外の酵素・光感応性高
分子膜を水に溶解して除いた。同様の操作をウレ
アーゼ、ウリカーゼについて行ない、第２図の１
２，１３の部分に各々固定化ウレアーゼ膜、固定
化ウリカーゼ膜を装着した。
して、グルコース検出の目的でグルコースオキシ
ターゼを、尿素検出の目的でウレアーゼを、尿酸
検出の目的でウリカーゼをそれぞれ酵素として用
いた。用いた光感応性高分子はポリビニアルコー
ルの水酸基にＮ−メチル−ｐ−ホルミルスチリル
ピリジニウムメトサルフエートを付加した（付加
率はポリビニルアルコールの水酸基に対して0.8
モル％）光感応性樹脂（特開昭56−5761号公報に
記載）の５重量％水溶液を調製した。この水溶液
１mlに対してグルコースオキシターゼ25mgを溶解
した。この溶液を半導体素子表面全体に塗布し、
スピナーを用いて成膜するとともに乾燥した。半
導体素子上の酵素を含む光感応性高分子の膜に、
第２図の１１の部分にのみ光を照射するマスクを
入れた露光装置（350Wの超高圧水銀灯からの光
を350nmのカツトオフフイルタに通した光を用い
た）で３分間光を照射した。この照射によつて１
１の部分のみに光感応性高分子が架橋し水に不溶
となる。照射後半導体素子をPH７の緩衝液に１分
程度浸漬し、１１の部分以外の酵素・光感応性高
分子膜を水に溶解して除いた。同様の操作をウレ
アーゼ、ウリカーゼについて行ない、第２図の１
２，１３の部分に各々固定化ウレアーゼ膜、固定
化ウリカーゼ膜を装着した。
このようにして３種の固定化酵素膜を装着した
半導体素子はリード線をボンデイングし、水に対
する絶縁を施して実際のマルチ酵素センサとして
用いることができる。なおこの実施例では半導体
素子レベルの固定化酵素膜の装着法について述べ
たが、ウエーハ状態での装着についても同様に実
施することができる。
半導体素子はリード線をボンデイングし、水に対
する絶縁を施して実際のマルチ酵素センサとして
用いることができる。なおこの実施例では半導体
素子レベルの固定化酵素膜の装着法について述べ
たが、ウエーハ状態での装着についても同様に実
施することができる。
次に本実施例のマルチ酵素センサの応答につい
て述べる。第３図はこのマルチ酵素センサの出力
の例である。グルコース80mg／、尿素70mg／
、及び尿酸80mg／を含む0.02Mのりん酸緩衝
液を試料としたときの出力である。図中曲線Ａは
ソース３、ドレイン４から成る固定化グルコース
オキジダーゼ膜を有するPH−ISFETとソース９、
ドレイン１０からなる固定化酵素膜のないPH−
ISFETとの間の差動出力を示している。グルコ
ースはグルコースオキシダーゼによつてて次式に
より分解され、酸性物質であるグルコン酸に変化
し、 グルコース＋O2→グルコノ−δ−ラクトン＋
H2O2 〓 グルコン酸 (1) １１で示した固定化グルコースオキシターゼ膜内
のPHは減少するので、９と10から成るPH−
ISFETの出力との間に第３図曲線Ａのような出
力が得られる。同様に尿素の場合は次式に示すよ
うにH+が消費され、 尿素＋2H2O＋H+→2NH+ 4＋HCO- 3 (2) 固定化ウレアーゼ膜１２内のPHは増大すること
になり、第３図曲線Ｂに示したように固定化ウレ
アーゼ膜１２をもつ５，６から成るPH−ISFET
と、９，10からなるPH−ISFET間の差動出力は
グルコースの場合の出力とは逆方向に生ずること
になる。最後に尿酸の場合は(3)式に従いウリカー
ゼによつて尿酸が分解され、 尿酸＋O2→アラントイン＋H2O2＋CO2 (3) 酸性物質である尿酸が減少するため、固定化ウ
リカーゼ膜１３中のPHは増大する。従つて固定化
ウリカーゼ膜１３を有する７，８から成るPH−
ISFETと９，10から成るPH−ISFET間の差動出
力は第３図曲線Ｃのようになる。
て述べる。第３図はこのマルチ酵素センサの出力
の例である。グルコース80mg／、尿素70mg／
、及び尿酸80mg／を含む0.02Mのりん酸緩衝
液を試料としたときの出力である。図中曲線Ａは
ソース３、ドレイン４から成る固定化グルコース
オキジダーゼ膜を有するPH−ISFETとソース９、
ドレイン１０からなる固定化酵素膜のないPH−
ISFETとの間の差動出力を示している。グルコ
ースはグルコースオキシダーゼによつてて次式に
より分解され、酸性物質であるグルコン酸に変化
し、 グルコース＋O2→グルコノ−δ−ラクトン＋
H2O2 〓 グルコン酸 (1) １１で示した固定化グルコースオキシターゼ膜内
のPHは減少するので、９と10から成るPH−
ISFETの出力との間に第３図曲線Ａのような出
力が得られる。同様に尿素の場合は次式に示すよ
うにH+が消費され、 尿素＋2H2O＋H+→2NH+ 4＋HCO- 3 (2) 固定化ウレアーゼ膜１２内のPHは増大すること
になり、第３図曲線Ｂに示したように固定化ウレ
アーゼ膜１２をもつ５，６から成るPH−ISFET
と、９，10からなるPH−ISFET間の差動出力は
グルコースの場合の出力とは逆方向に生ずること
になる。最後に尿酸の場合は(3)式に従いウリカー
ゼによつて尿酸が分解され、 尿酸＋O2→アラントイン＋H2O2＋CO2 (3) 酸性物質である尿酸が減少するため、固定化ウ
リカーゼ膜１３中のPHは増大する。従つて固定化
ウリカーゼ膜１３を有する７，８から成るPH−
ISFETと９，10から成るPH−ISFET間の差動出
力は第３図曲線Ｃのようになる。
このマルチ酵素センサはグルコース濃度５〜
600mg／、尿素濃度10〜10000mg／、尿酸濃度
10〜5000mg／の各範囲で直線応答を与える。ま
た寿命についてては、25日間の連続使用に対して
３種の基質に対する感度の低下は各々３％以下で
あつた。
600mg／、尿素濃度10〜10000mg／、尿酸濃度
10〜5000mg／の各範囲で直線応答を与える。ま
た寿命についてては、25日間の連続使用に対して
３種の基質に対する感度の低下は各々３％以下で
あつた。
本実施例ではゲート電圧を与えるものとして貴
金属薄膜よりなる疑似参照電極を用いた例を示し
たが、銀・塩化銀電極等の安定な参照電極を用い
てもよい。また酵素にグルコースオキシターゼ、
ウレアーゼ、ウリカーゼを用いた例を示したが、
他種の酵素を用いて種々の基質に感応するマルチ
酵素センサとすることができる。また酵素の固定
化に用いた光感応性高分子も酵素の失格の少ない
ものであれば、他種のもの例えばポリエチレング
リコールジメタクリレート（増感剤として例えば
ベンゾインエチルエーテルを加えたもの）、ポリ
ビニルアルコール（架橋剤としてジアジド化合物
を混合したもの）等を用いることができる。また
下地電極としてPH−ISFETを使用した例を示し
たが、併用する酵素反応によつては、他種の
ISFETを用いることができる。
金属薄膜よりなる疑似参照電極を用いた例を示し
たが、銀・塩化銀電極等の安定な参照電極を用い
てもよい。また酵素にグルコースオキシターゼ、
ウレアーゼ、ウリカーゼを用いた例を示したが、
他種の酵素を用いて種々の基質に感応するマルチ
酵素センサとすることができる。また酵素の固定
化に用いた光感応性高分子も酵素の失格の少ない
ものであれば、他種のもの例えばポリエチレング
リコールジメタクリレート（増感剤として例えば
ベンゾインエチルエーテルを加えたもの）、ポリ
ビニルアルコール（架橋剤としてジアジド化合物
を混合したもの）等を用いることができる。また
下地電極としてPH−ISFETを使用した例を示し
たが、併用する酵素反応によつては、他種の
ISFETを用いることができる。
〔発明の効果〕
以上のように本発明によれば、複数のISFET
を有する半導体素子上に各々相異なる固定化酵素
膜を装着することによつて、１個の素子で複数の
基質に感応するマルチ酵素センサが提供できる。
このため、多項目同時分析が少量の試料で可能で
あり、またインテリジエント化の容易なマルチ酵
素センサが得られる。
を有する半導体素子上に各々相異なる固定化酵素
膜を装着することによつて、１個の素子で複数の
基質に感応するマルチ酵素センサが提供できる。
このため、多項目同時分析が少量の試料で可能で
あり、またインテリジエント化の容易なマルチ酵
素センサが得られる。
第１図は本発明によるマルチ酵素センサの下地
電極として用いた複数のPH−ISFETを有する半
導体素子の正面図、第２図は本発明によるマルチ
酵素センサの正面図、第３図は本発明の実施例に
よるマルチ酵素センサの３種の基質に対する応答
曲線を示す線図である。 １……半導体素子、２……疑似参照電極、３，
５，７，９……ソース、４，６，８，１０……ド
レイン、１１，１２，１３……固定化酵素膜。
電極として用いた複数のPH−ISFETを有する半
導体素子の正面図、第２図は本発明によるマルチ
酵素センサの正面図、第３図は本発明の実施例に
よるマルチ酵素センサの３種の基質に対する応答
曲線を示す線図である。 １……半導体素子、２……疑似参照電極、３，
５，７，９……ソース、４，６，８，１０……ド
レイン、１１，１２，１３……固定化酵素膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 複数個の同一イオンに感応するイオン感応性
電界効果型トランジスタのイオン感応面それぞれ
に、異なる種類の固定化酵素膜を光感応性高分子
を用いてフオトリゾグラフイー技術により必要な
部分のみに装着したイオン感応性電界効果型トラ
ンジスタと、 上記固定化酵素膜を装着しないイオン感応性電
界効果型トランジスタと、 参照電極と、 これら固定化酵素膜を装着したイオン感応性電
界効果型トランジスタ、固定化酵素膜を装着しな
いイオン感応性電界効果型トランジスタ及び参照
電極を同一基板内に設ける基板とを備えたことを
特徴とするマルチ酵素センサ。 ２ イオン感応性電界効果型トランジスタが水素
イオン感応性電界効果型トランジスタである特許
請求の範囲第１項記載のマルチ酵素センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58147593A JPS6039547A (ja) | 1983-08-12 | 1983-08-12 | マルチ酵素センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58147593A JPS6039547A (ja) | 1983-08-12 | 1983-08-12 | マルチ酵素センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6039547A JPS6039547A (ja) | 1985-03-01 |
| JPH0365866B2 true JPH0365866B2 (ja) | 1991-10-15 |
Family
ID=15433855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58147593A Granted JPS6039547A (ja) | 1983-08-12 | 1983-08-12 | マルチ酵素センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6039547A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61262652A (ja) * | 1985-05-17 | 1986-11-20 | Nok Corp | グルコースセンサー |
| JPS6232351A (ja) * | 1985-08-06 | 1987-02-12 | Nok Corp | 酵素センサ− |
| JPH0729517B2 (ja) * | 1986-08-26 | 1995-04-05 | 凸版印刷株式会社 | 転写化粧板の製造方法 |
| JP2633281B2 (ja) * | 1988-02-10 | 1997-07-23 | 日本電気株式会社 | 電気化学センサ及びその製造方法 |
| KR930002824B1 (ko) * | 1990-08-21 | 1993-04-10 | 손병기 | 감이온 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오 센서용 측정회로 |
| JP4153155B2 (ja) * | 2000-11-08 | 2008-09-17 | テンパール工業株式会社 | 回路遮断器の取付構造 |
| JP4669213B2 (ja) | 2003-08-29 | 2011-04-13 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 電界効果トランジスタ及び単一電子トランジスタ並びにそれを用いたセンサ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5630640A (en) * | 1979-08-22 | 1981-03-27 | Olympus Optical Co Ltd | Detecting method of chemical substance by chemically sensitive element of insulated-gate transistor structure |
| JPS57104851A (en) * | 1980-12-23 | 1982-06-30 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | Semiconductor sensor |
-
1983
- 1983-08-12 JP JP58147593A patent/JPS6039547A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5630640A (en) * | 1979-08-22 | 1981-03-27 | Olympus Optical Co Ltd | Detecting method of chemical substance by chemically sensitive element of insulated-gate transistor structure |
| JPS57104851A (en) * | 1980-12-23 | 1982-06-30 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | Semiconductor sensor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6039547A (ja) | 1985-03-01 |
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