JPH04181923A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の産業上の利用分野〕 本発明は、液晶表示装置、とりわけ強誘電性液晶組成物
を使用した液晶表示装置において、コントラスト等表示
特性を、従来の液晶表示装置よりも向上させた、アクテ
ィブマトリックス型液晶表示装置を提案するにある。

〔従来の技術〕

従来の技術として、単純マトリクス方式による液晶表示
装置というものがある。この方式はストライプ上の電極
を上下の基板間で垂直に交差させて、その交点を表示単
位画素として表示するタイプである。当初それらにつか
われる液晶は、ライストナマチック液晶（以下ＴＮ液晶
）であった。

これは、ネマチック液晶を基板垂直方向に螺旋を描かせ
て配向させるタイプのもので、螺旋の角度は９０°が一
般的であった。当初は時計や、低次のマトリクスデイス
プレィにも使われていた。しかし、世の中の要求は情報
の多様化、高密度化からさらに大きなマトリクスデイス
プレィを必要としていた。

大きなマトリクスデイスプレィを、ＴＮ液晶で作製した
場合、コントラストの低下によって、表示品質か保てな
くなってしまった。そこで、次に考案されたものか、ス
ーパーライストナマチック液晶（以下ＳＴＮ液晶）であ
る。

ＳＴＮ液晶は、ＴＮ液晶と比較して螺旋角度を２１０〜
２７０°程度まで大きくしており、表示品質の向上を果
たした。

しかしながら、液晶自体の応答速度は数百ミリ秒と遅く
、早い動きのソフト、スクロール動作、マウス動作には
、不向きてあったために、よりコントラスト等の表示品
質が高（、早い応答速度の液晶表示装置が求められてい
た。

そこで、提案されたものが、半導体素子を用いたアクテ
ィブマトリクス型液晶デイスプレィである。

アクティブマトリクス型液晶デイスプレィは、通常スイ
ッチング素子である半導体素子を単位画素１つにつき１
個以上つけることで、かかった信号電荷を容量に取込み
、長時間表示を保持することてコントラスト等の表示品
質を向上させるものである。

しかしながら、半導体プロセスを必要とするために、製
造コストの上昇は否めなく、コストの問題から単純マト
リクスでも表示品質の高いものかのぞまれていた。

クラーク、ラガウォールらによって提案された強誘電性
液晶表示は、単純マトリクス方式てはありなから、液晶
分子そのものに自発分極を有するために、ある条件の満
たされたセルにおいては、メモリー性か存在し、あたか
もアクティブマトリクスの電荷保持のように働き、コン
トラスを向上させている。また、製造コストも単純マト
リクス方式であるために、通常のＴＮ、ＳＴＮ系液晶装
置とかわらない。

また、自発分極を有しているため、外部の電界に俊敏に
動作するので、通常のＴＮ系液晶に比へて、約１／１０
１００Ｏ４以下の応答時間を有し、高速動作表示を可能
にしている。

〔現状の問題点〕

しかしなから、この強誘電性液晶表示装置も問題点か無
いわけてはない。このメモリー性を有するか故に、Ｖ表
示焼け」または「メモリー残りｊか生している。これは
任意の表示を続けた後に、別の表示にかえても、前の表
示内容か残ってしまう現象を指している。本現象の解決
方法として、メモリー性能力を低下させる方法か存効で
ある。

しかし、メモリー性の低下は、時分割駆動時の非選択時
の透過率の揺らぎを生じ、コントラストの低下をまねい
ている。

時分割駆動時の非選択時の透過率の揺らぎを解決する方
法として、抵抗成分がオームの法則にのらない非線型特
性を存する素子を、液晶表示素子電極に直列接合する方
法かある。

しかしなから、画素電極以外の部分に、それらの素子を
形成することは、開口率（画素面積／（画素子画素分離
部分）の面積）の低下を招き、延いてはコントラストの
低下をまねいている。

〔発明の目的〕

本発明は、簡単な構造でありながら時分割駆動時の非選
択時の透過率の揺らぎを解決し、しかも表示コントラス
トの高い液晶デイスプレィ特に強誘電性液晶デイスプレ
ィの構成を発明することを目的とする。

〔発明の構成〕

本発明は、強誘電性液晶を狭持する２枚の可視光を透過
する絶縁性基板と、該２枚の絶縁性基板の液晶層側に設
けられた一対の可視光を透過する電極と、該一対の電極
のいずれか一方の液晶層側の面上にＣｒ　Ｓ　ｊｙ　Ｏ
ｚ　　（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）で示される組成物質を含む薄
膜を有することを特徴とする液晶表示装置である。

本発明の構成は、前記液晶層を挟む２枚の可視光を透過
する絶縁性基板の液晶層側に設けられた一対の電極のい
ずれか一方の液晶層側の面上に設けられたＣｘ　Ｓｉｙ
　Ｏｚ　　（Ｘ十Ｙ＋Ｚ＝１）（１≧（Ｙ、　　Ｚ）≧
０）で示される組成物を含む薄膜を除いては、従来の単
純マトリックス型式の液晶表示装置と同し構成である。

（Ｘ〉０）しかしなから本発明においては、前記一対の
電極とこの電極間に設けられた液晶層と前記Ｃｘ５Ｉ　
Ｙ　Ｏｚ　　（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝　Ｉ　）て示される組成物
を含む薄膜とによって、各画素それぞれか原理的にはＭ
ＩＭ型（ｍｅｔａｌ−ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−ｍｅｔａｌ
）素子と同様の非線特性を有した構造を形成しているこ
とか本発明の特徴である。

一般に非線型素子であるＭＩＭ型素子は、その電流−電
圧特性か非線型性を有するためにスイッチング素子とし
て用いられるものである。

従来の単純マトリックス型の電極構造を持つ液晶表示装
置において、本発明の構成を適用した場合、上下電極が
垂直に交差した部分すなわち各画素の部分で上記非線型
素子か形成される。

その結果、各画素にスイッチング素子か設けられた構成
が得られることになる。

一対の電極としては可視光を透過する材料、例えば金属
酸化物である、ＩＴＯ（酸化インジュウムー酸化錫）、
酸化錫、酸化亜鉛等を用いることかできる。

本発明の別な特徴としては、この電極を覆う、Ｃｘ５ｉ
ｙＣｈ　　（Ｘ＋ｙ＋Ｚ＝１）（＋≧（Ｙ。

Ｚ）≧０）で示される組成物を含む薄膜か全くパターニ
ングされていない状態、すなわち素子用電極上に全面的
に形成された状態でも使用可能な点かあげられる。

このため従来の単純マトリックス型の液晶表示装置の作
製工程に前記ＣＸ５ＩＹＯ□　（Ｘ十Ｙ＋Ｚ＝１）（１
≧（Ｙ、　　Ｚ）≧０）とする組成物を少なくとも含む
薄膜を成膜する工程を増やすたけてよいという作製上の
特徴も有する。

二〇Ｃｘ　Ｓ　１　ｖ　Ｏｚ　　（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝　１　
）　　（１≧（Ｙ、　　Ｚ）≧０）で示される組成物を
含む薄膜の材料は、Ｃ元素を含むガス（例えは、ＣＨ４
、Ｃ２Ｈ４）と、Ｓｉ元素を含むガス、（例えは、Ｓｉ
Ｈ４、Ｓ１２　Ｈ６）と、酸素ガスの内、少なくとも１
種類以上を含む混合ガスを低圧下において、高周波電界
によって、グロー放電することによって得られる。なお
（Ｘ＞０）である。

また、ＣｘＳ　１　ｙ　Ｏｚ　　（Ｘ十Ｙ＋Ｚ＝　Ｉ　
）のターゲットを酸素雰囲気、あるいはこれらの元素を
含んだ雰囲気中でスパッタリングすることても得ること
かできる。

本発明の構成において、Ｃｘ　Ｓ　ＩＹ　０２−（Ｘ十
Ｙ＋Ｚ＝１）（１≧（Ｙ、　　Ｚ）≧０）で示される組
成物を含む薄膜を用いるのは、二の薄膜の電気的長期安
定と信頼性を得るためである。

本発明の構成において前記ＭＩＭ型素子のＩ　（ｉｎｓ
ｕｌａｔｏｒ）に相当する部分か、Ｃｘ　Ｓ　ｉｙ　０
ｚ（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）（（Ｙ、Ｚ）　　≧０）で示され
る組成物を含む薄膜になるのであるか、例えはこの膜に
純粋なりＬＣ（ダイヤモンドライクカーホン）薄膜を透
明導電膜であるＩＴＯ上に成膜した場合、ＤＬＣ薄膜は
炭素結合か主であるのでＩＴＯ中の酸素かＤＬＣ薄膜中
の炭素と反応し一酸化炭素、二酸化炭素等のガスになり
ＤＬＣ薄膜とＩＴＯ膜との界面剥離の原因となる。

この場合、珪素（Ｓｌ）原子が存在していると８１−〇
の結合により５ｉ０２となるので剥離の問題が解決でき
る。

またＳｉＯ２はその電気的安定性かよく知られており最
初からＤＬＣ膜中に５ｉ−０結合か存在している場合、
ＤＬＣ，膜の電気的安定性を得ることかできる。

さらに５ｉ−０結合か多いと可視光の透過性か高くなる
ので液晶表示装置としては有用である。

そのため電気的安定性のみを求めるのであれは５１０２
をＭＩＭ型素子の１ｎｓｕｌａｔｏｒに相当する部分に
用いるのか好ましい。

しかし、ＤＬＣ膜をＭＩＭ型素子の１ｎｓｕｌａｔｏｒ
として用いた場合、良好な非線型特性か得られているこ
とか知られている。

以上のことより、本願発明においては良好な非線型特性
と電気的安定性の両方を兼ね備え持つ非線型素子を得る
ためにＭＩＭ型素子の１ｎｓｕｌａｔｏｒに相当する部
分に５ｉ−０結合、Ｃ結合を有するＣｘＳ　ｉｙ　Ｏ□
　（ＸｆＹ＋Ｚ＝１）（（Ｙ、Ｚ）≧０）で示される組
成物を含む膜を用いたのである。

〔実施例１〕 本実施例は、第４図にその構造を示すように、可視光を
透過する絶縁性基板（１）上に、可視光を透過する第１
の電極（２）およびリートを有し、該電極上をＳ　１ｘ
　Ｃｙ　Ｏｚ　　（Ｘ十Ｙ＋Ｚ＝１）で示される組成物
を含む薄膜（３）で覆い、該薄膜上に、可視光を透過す
る第２の電極（４）を有する第一の基板（１０）と、可
視光を透過する絶縁性基板（９）上に、可視光を透過す
る第３の電極（８）およびリードを有する第２の基板（
１１）を使用し、それら、第１の基板（１０）と第２の
基１ｆ（１１）の内側に、強誘電性を示す液晶組成物（
７）と、該液晶組成物を−定方向に配向させる手段（５
）とを有する液晶表示装置である。

第１〜第３の電極としてはＩＴＯを用い、第１の電極を
覆う膜として炭素（Ｃ）結合を有する薄膜を用いた。

この場合、（第１の電極（２）　十ｃｘＳ　ｉＹ　０ｚ
（Ｘ十Ｙ＋Ｚ＝１）薄膜（４）十第２の電極（４））の
構成は、第１図に示すような電気抵抗的に、非線型の特
性を有することか判った。

これは、上記の（第１の電極子Ｃｔ　Ｓ　Ｉ　Ｙ　Ｏ□
（Ｘ十Ｙ＋Ｚ＝１）薄膜十第２の電極）の構成かＭ　Ｉ
　Ｍ　（ｍｅｔａｌ　−１ｎｓｕｌａｔｏｒ　−ｍｅｔ
ａｌ）型の非線型素子を構成しているためである。

このＭＩＭ型の非線型素子は、加わる電圧の増加ととも
にその抵抗が急激に低下するので良好なスイッチング特
性を得ることがてきる。

この素子の様な、非線型の特性と第２の電極（４）と第
３の電極（８）間の強誘電性液晶組成物（７）から成る
液晶セルを電気的直列接合をした場合、加わる電界の小
さい時には、非線型の素子にその大半か、逆に大きいと
きには、その大半か液晶セルにかかることか判った。

以下、本実施例の作製法を示す。

１．１ｍｍのソーダライムガラス（１）に、ＤＣスパッ
タ法によって、ＩＴＯを１０００人成膜した。

その後、フォトリソ法を用いて、表示画素電極の一方の
辺と、概略同一寸法とする幅のストライプ状に、パター
ニングをして、第一の電極（２）とした。

その後、下記条件の下にグロー放電を行い、Ｃ−３ｉｙ
Ｏ□　（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ二１）膜（３）を５００人成膜した
。

ガス混合比 Ｃ２Ｈ４２ ＮＦ３　　　　１ Ｎ２　　　　１０ 反応圧力　　　５０Ｐａ ＲＦパワー　１００Ｗ 本実施例においてＮＦ、を添加するのは、膜（３）の導
電率を変化させ、非線型特性を制御するためであり、３
０体積％以下の割合で添加すると効果がある。

この非線型性を制御する方法としては、熱アニールを加
える方法かある。

これは、ＭＴＭ型素子のＩ　（ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）部
分に相当する薄膜（３）の脱水素化を計ることによって
膜中の水素含有量をコントロールし、ＭＩＭ型素子の非
線型性を制御するものである。

この熱アニールの処理条件を以下に示す。

温度　　１００〜６００、℃ 圧力　　０．０１〜７６０　Ｔｏｒｒ 処理雰囲気　　Ｎ２ 処理時間　１〜１００ｈｒ また、本発明においてはこのＣ，５ｉＹＯＺ（Ｘ＋Ｙ＋
Ｚ＝１）で示される組成物を含む薄膜（３）の厚さを２
０００Å以下、好ましくは５００Å以下にすることによ
って、その光透過性を高めることかできた。

従来はＭＩＭ型素子の１ｎｓｕｌａｔｏｒ部分に炭素を
組成物として含む炭素膜例えばＤＬＣ（ダイヤモンドラ
イクカーボン）膜を用いようとする場合、その光透過性
が問題となるのて、なるべくその面積を小さくする等の
工程上の制約かあった。

その後、再びＤＣスパッタ法によって、膜（３）上にＩ
ＴＯを１０００人成膜し、フォトリソ法を用いて、第２
の電極（４）を得た。

二の場合、マグネトロン型ＲＦスパッタ法を用いてもよ
い。

画素電極の一方である第２の電極の寸法は、−辺が１５
０μｍの正方形とし、画素間のギャップは、２０μｍと
した。

この第２の電極（４）は表示の際、単位画素となる大き
さを有するものであり、薄膜（３）に加わる電界か各画
素において均一になるように作用するものである。

この様にして、第１の基板（１０）を得た。

他方の第２の基板（］１）も、１．１ｍｍのソーダライ
ムガラス（９）に、ＤＣスパッタ法によって、ＩＴＯを
１０００人成膜した。その後、フォトリソ法を用いて、
表示画素電極の一方の辺と、概略同−寸法とする幅のス
トライプ状に、バターニングをして、第３の電極（８）
とした構造となっている。

前記第１の基板（１０）上に、印刷法によりポリイミド
薄膜（５）を２００人成膜し、その後、ラビング法によ
って、液晶分子をある一定方向に並へる手段として配向
膜（５）を設けた。

第１の基板（１０）と第２の基板（１１）の間に、強誘
電性液晶（７）、および樹脂からなる基板間の間隔を保
持するためのスペーサー（６）を入れ、その周囲をエポ
キシ系の接着剤で固定した。

その後、第１の電極（２）、第３の電極（４）につなが
るリードに、ＣＯＯ法を用いて液晶駆動用ＬＳＩを接続
し、液晶表示装置を得た。

本実施例において成膜した薄膜（３）は光透過性を有し
ており５００人の厚さであれば光学的になんら問題はな
かった。

第２図に本実施例における液晶装置に加える信号電界の
一例を示す。

第３図（ａ）には本実施例において、第２図に示される
信号電界が液晶装置に加わった場合における液晶セルに
加わる電界、第３図（ｂ）にはこの場合における非線型
素子に加わる電界を示す。

なお、本実施例における非線型素子というのは第１の電
極（２）、薄膜（３）、第２の電極（４）で構成される
部分をいう。

これらの図を見ると明らかなように、液晶セルには、あ
る−室以上の強さの信号電界が液晶装置に加わった場合
にのみ電界か加わっている。

すなわち、非線型素子がスイッチング素子として働いて
いることがわかる。

本実施例による非線型素子の電圧電流特性を、第５図に
示す。

第６図に、本非線型素子を設けた液晶表示装置である本
実施例と、従来の単純マトリックス型の液晶表示装置の
、駆動波形に対する、透過率変化を示す。

第６図より非線型素子を設けることによって、時分割駆
動時の非選択時の透過率の揺らぎを低減でき、コントラ
ストの低下を防ぐことか出来ることかわかる。

二のことは、以下に示すように本実施例と前記従来の単
純マトリックス型の液晶表示装置のコントラストを比較
してみれば明らかである。

本実施例　　　　　　１：１０ 従来例　　　　　　　１：３０ なお、従来例と本実施例の違いは、各画素か非線型特性
を有しているかいないかの違いだけである。

また、非線型素子の両側電極を、透光性の金属酸化物に
したため、開口率は、非透光性電極の場合と比べて、２
０％の向上を果たせた。

本実施例において、非線型素子を形成すのは第１の電極
（２）と薄膜（３）と第２の電極（４）であるか、この
第（２）の電極がなくても液晶層に加わる電界を非線型
的に制御することができる。よって本発明の構成は従来
のＭＴＭ型素子と全く同じ構成をとるものではなく、変
形したＭＩＭ型の非線型素子を有した液晶表示装置とい
うべきである。

なお、本実施例においては液晶層として強誘電性液晶を
用いたが、本発明は各画素にスイッチング素子を設けた
アクティブマトリックス型液晶表示装置に関するもので
あるので、ＴＮ液晶てあれＳＴＮ液晶てあれ本発明の構
成が適用できることはいうまでもない。

〔実施例２〕 本実施例の構造を第７図に示す。

本実施例は、可視光を透過する絶縁性基板（１）と、該
絶縁性基板上に設けられた金属酸化物で可視光を透過す
る第１の電極（２）およびリードと、前記電極およびリ
ード上を覆う少なくともＣｘＳｉア０□　（Ｘ十Ｙ＋Ｚ
＝１）で示される組成物を含んだ２層からなる薄膜（７
１）、　（７２）と、該薄膜上に設けられた強誘電性を
示す液晶組成物（７）と、該液晶層上に設けられた金属
酸化物で可視光を透過する第２の電極（８）およびリー
ド、そして可視光を透過する第２の絶縁性基板（９）か
らなる液晶表示装置において、前記Ｃｘ　Ｓ　ｉＹ　Ｏ
ｚ　　（Ｘ　十Ｙ＋Ｚ、＝１）とする組成物を含んだ薄
膜の液晶層側の面上にこの薄膜上に設けられる強誘電性
を示す液晶組成物を一定方向に配向させる機能を持たせ
たことを特徴とするものである。

すなわち、本実施例は、第７図に示すように実施例１に
おいてＣｘ　Ｓｉｙ　Ｏｚ　　（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ−１）で示
される組成物を含んだ薄膜上に設けられた第２の電極が
なく、しかも第４図（５）の配向手段（配向膜）に相当
する機能を第４図（３）のＣｘ５ｊｙｏ□　（Ｘ＋Ｙ＋
Ｚ＝１）とする組成物を含んだ薄膜に持たせたものであ
る。

以下、本実施例の作製法を示す。

本実施例の作製法は、実施例１における各画素に対応す
る第２の電極（４）、配向膜（５）かないこと、Ｃｘ　
Ｓ　ｉ　ｙ　Ｃ１ｚ　　（Ｘ十Ｙ＋Ｚ”　１）で示され
る組成物を含んだ薄膜（３）の成膜法と構成か違うこと
、この薄膜（３）の液晶層に接する面に配向処理かなさ
れること、以外は実施例１とその作製法は同様である。

本実施例におけるＣｘ　Ｓ　ｉｙ　Ｏｚ　　（Ｘ十Ｙ＋
Ｚ＝１）で示される組成物を含んだ薄膜、すなわち非線
形素子の１ｎｓｕｌａｔｏｒとして、第１の薄膜として
Ｃｘ　Ｓ　ｉＹ　Ｏｚ　　（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）において
Ｚ（１として炭素を含んだＳ］０２に近い膜（７１）を
、第２の薄膜としてｙ＝ｏ、ｚ＝ｏでＤＬＣ膜（７２）
を設け、この２層を用いた。なおここでＺ二〇としても
よい。

マグネトロン型ＲＦスパッタ法によって、まず第１の薄
膜（７１）を以下の条件で５０〜２０００人の厚さ、本
実施例においては３００人の厚さに形成した。

基板温度　　　１５０°Ｃ ＲＦパワー　　４００Ｗ 成膜圧力　　　０．５ｐａ 成膜雰囲気　　０２　体積９５％ ＮＦ３体積５　％ ターゲットはＳｉにＣを微量に添加したのインゴットを
用いた。

また、成膜法としては、公知の光ＣＶＤ法を用いてもよ
い。

なお、上記スパッタ時の雰囲気中に水素を添加すること
により各画素における非線型特性を制御することかでき
る。

つぎに、この薄膜（７１）の液晶層に接する面上に炭素
を主成分とする薄膜（以下ＤＬＣと称する）（７２）を
以下の条件で２０〜２０００人、本実施例では３００人
の厚さに成膜した。

ガス混合比 Ｃ２Ｈ６２ ＮＦ、　　　　　　　Ｉ 反応圧力　　　５０　ｐａ ＲＦパワー　　１００Ｗ このＤＬＣ薄膜（７２）の液晶層に接する面上（１２）
に配向処理を施し、後は実施例１と同様にして本実施例
を完成させた。

本実施例の特性は実施例１と同様であったが、その電気
的安定性か高く、特性の変化が小さかった。

本実施例においては、薄膜（７１）と薄膜（７２）でＭ
ｒＭ型素子の１ｎｓｕｌａｔｏｒに相当する部分を形成
しようとするものである。

この際、弗素、窒素元素の混入した酸化珪素膜である薄
膜（７１）は、水素が含まれておらず極めて電気的に安
定しているという特徴を有する。

また、ＤＬＣ膜である薄膜（７２）は■族元素が主体で
あるので極性をもたず、しかも水素、窒素、弗素の作用
で低抵抗率を有しているので、液晶層として強誘電液晶
層を用いた場合、強誘電性液晶の自発分極と電気的相互
作用をすることがなく、強誘電性液晶の高速応答に影響
を与えないという特徴を有する。

これらの薄膜（７１）と薄膜（７２）は全くバターニン
グする必要かないので、従来の単純マトリックス型式の
液晶表示表示装置の作製工程に上記２枚の薄膜を作製す
る工程が増えるだけですむという作製工程上の特徴も有
する。

もちろん、膜（７１）と膜（７２）の何れか一方のみを
用いて、この膜上に配向処理を施してもよい。

さらに、１ｎｓｕｌａｔｏｒ部分となるいずれかの膜中
にハロゲン元素、リンを２０原子パーセント以下混入さ
せることは、ガラス基板から拡散するナトリウムイオン
や固定電荷となり電気的不安定性の原因となる結合から
離れた水素イオン等のゲッタリング（取り込んでしまう
作用）に効果がある。

〔実施例３〕 本実施例は実施例２において、Ｃｘ５ｉｙＯｚ（Ｘ＋Ｙ
＋Ｚ＝１）で示される組成物を含んだ薄膜（７１）、　
（７２）の２層から構成されていた第１の電極（２）上
に設けられたＭＩＭ型素子の１ｎｓｕｌａｔｏに相当す
る部分を５ｉ−Ｃ，５ｉ−０の結合を持った薄膜に置き
換えた例である。

本実施例の構造を第８図に示す。

本実施例の作製方法は、Ｃｘ　Ｓｉｙ　Ｏｚ　　（Ｘ十
Ｙ＋Ｚ＝１）で示される組成物を含んだ膜（８１）の作
製法以外は実施例２と同じである。

膜（８１）はマグネトロン型ＲＦスパッタ法によって２
０〜２０００人の厚さ、本実施例においては５００人の
厚さに以下に条件により成膜した。

基板温度　　　１５０℃ ＲＦパワー　　４００Ｗ 成膜圧力　　　０．５ｐａ 成膜雰囲気　　０２　体積９５％ ＮＦ、体積５　％ ターゲットは５ｉＣ（炭化珪素）のインゴットを用いた
。

二の成膜方法により、５ｉ−Ｃ，５ｉ−０，の結合を持
ったＣア５ｉｙＯ□　（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）で示される組
成物を含んだ膜（８１）を成膜することができた。

このような膜を得る方法としてはプラズマＣＶＤ法によ
って、以下の条件において成膜する方法もある。

ガス混合比 ＳｉＨ４１〜５ Ｃ２Ｈ４１〜５ ＮＦ、１　　　　１〜２ Ｈ２７〜ＩＱ ０２　　　　０．１〜５ 反応圧力　　　１〜１００　Ｐａ ＲＦパワー　　１０〜２００Ｗ 他は実施例３と同様にして本実施例を完成させた。

本実施例の構成をとることによって、各画素に優れた非
線型性を有し、かつ電気的長期安定性を有した液晶表示
装置を得ることができた。

〔実施例４〕 本実施例は、各画素に従来用いられている非線型特性を
有するＭＩＭ型素子を個々にもうけた例である。

第９図に本実施例の一方の基板上に設けられた配線構造
の一部分とその一部分における一つのＭＩＭ型素子の上
面図（ａ）とその断面図（ｂ）を示す。

ガラス基板（９１）上にＡＩからなる第１の電極（９２
）をスパッタ法または蒸着法によって１０００人の厚さ
に成膜し、フォトリソ法を用いて２０μｍの巾に１６０
μｍの間隔でもってストライプ状に形成した。

つぎにＣ工５ｉｙＯ□　（Ｘ十Ｙ＋Ｚ＝１）で示される
組成物を含んだ薄膜（９３）を以下の条件によって５０
０人の厚さに成膜した。

ガス混合比 Ｃ２Ｈ，２ ＮＦ、　　　　　　Ｉ Ｈ２１０ 反応圧力　　　５０Ｐａ そして、公知のフォトリソ法などによりバターニングし
た。

さらに第２の電極（９４）を第１の電極と同様にして成
膜し、取り出し部分（９５）が付いた一辺が１５０μｍ
の正方形にパターニングすることによって第９図に示さ
れる上面図（ａ）と断面図（ｂ）の形状を得た。他は他
の実施例と同様の構成である。

なお、以上の実施例においては強誘電性液晶を用いた液
晶表示装置を示したか、本発明の構成は単純な構造を持
つアクティブマトリックス型液晶表示装置に関するもの
であるので、適用する液晶としてはＴＮ、　ＳＴＮ型等
の液晶でもよいことはいうまでもない。

以上の本明細書中の実施例においては、電極として光透
過性を有する透明導電膜を用いたが、その面積を小さく
すればＡｒ、　Ｃｒ等のメタル電極を用いてもよい。

〔発明の効果〕

本発明の構成をとることによって、各画素に非線形性を
持たせることができ、簡単な構造でありながら時分割駆
動時の非選択時の透過率の揺らぎか生ぜず、しかも表示
コントラストの高い液晶デイスプレィ、特に強誘電性液
晶デイスプレィを得ることができた。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本実施例１における、非線型素子の電流電圧
特性を示す。 第２図は、本実施例１における、液晶装置に加える信号
電界の一例を示す。 第３図（ａ）は、本実施例１において液晶装置に信号電
界を加えた場合における液晶セルに加わる信号電界を示
す。 第３図（ｂ）は、本実施例１において液晶装置に信号電
界を加えた場合における非線型素子に加わる電界を示す
。 第４図は、本実施例１の構造を示す。 第５図は、実施例１における非線型素子の電流−電圧特
性を示す。 第６図は、非線型素子の有無の差による液晶装置の透過
率の差を示す。 置の透過率の差を示す。 第７図は、本実施例２の構造を示す。 第８図は、本実施例３の構造を示す 第９図は、本実施例４における下側基板の上面図と断面
図を示す。 （１）・・・ソーダライムガラス基板 （２）、　（９２）・・・第１の可視光を透過する電極
（３）、（７２）、（７１）、（８１）、（９３）　・
・・Ｓ　ｒ　−ＣＹ　Ｏ、（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）膜 （４）、　（９４）・・・第２の可視光を透過する電極
（５）・・・配向膜 （６）・・・スペーサー （７）・・・強誘電性液晶 （８）・・・第３の可視光を透過する電極（９）、　（
９１）・・・ガラス基板 （１０）・・・第１の基板 （１１）・・・第２の基板 （７１）・・・酸化珪素膜 電圧 弔／図 第２図液晶装置に加える信号電界の一例第３図（ａ）　
　液晶セルに加わる信号電界第３図（ｂ）　　非線型素
子に加わる信号電界第４図 第５図 第６図 第７図 第８図 （ａ） 第９図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）液晶を狭持する２枚の可視光を透過する絶縁性基
   板と、該２枚の絶縁性基板の液晶層側に設けられた一対
   の可視光を透過する電極と、該一対の電極のいずれか一
   方の液晶側の面上にＣ＿ＸＳｉ＿ＹＯ＿Ｚ（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ
   ＝１）で示される組成物を含む薄膜が設けられているこ
   とを特徴とする液晶表示装置。