JPH04181201A - マイクロレンズアレイ - Google Patents
マイクロレンズアレイInfo
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- JPH04181201A JPH04181201A JP31021390A JP31021390A JPH04181201A JP H04181201 A JPH04181201 A JP H04181201A JP 31021390 A JP31021390 A JP 31021390A JP 31021390 A JP31021390 A JP 31021390A JP H04181201 A JPH04181201 A JP H04181201A
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Landscapes
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、マイクロレンズに関し、より詳しくは、三次
元分布屈折率平板マイクロレンズに関する。
元分布屈折率平板マイクロレンズに関する。
[従来の技術1
従来のマイクロレンズの作成方法には、■第5図 (a
)〜(e)に示すように、基板26にメタルマスク27
を形成後(第5図(a))、HCI等でNa、 K、
Ca等の脱イオン処理し、水洗乾燥後(第5図(b))
、金属イオンを拡散しく第5図(C))、メタルマスク
27を除去しく第5図(d))、加熱処理することによ
りマイクロレンズ30を作成する(第5図(e))イオ
ン交換法、■光感能性ガラスの溶解と部分残留部をフォ
トリソグラフィーで形成する方法、■エツチングによっ
てマイクロレンズをパターン形成する方法がある。
)〜(e)に示すように、基板26にメタルマスク27
を形成後(第5図(a))、HCI等でNa、 K、
Ca等の脱イオン処理し、水洗乾燥後(第5図(b))
、金属イオンを拡散しく第5図(C))、メタルマスク
27を除去しく第5図(d))、加熱処理することによ
りマイクロレンズ30を作成する(第5図(e))イオ
ン交換法、■光感能性ガラスの溶解と部分残留部をフォ
トリソグラフィーで形成する方法、■エツチングによっ
てマイクロレンズをパターン形成する方法がある。
[発明が解決しようとする課題]
ところが、前述の■のイオン交換法は、イオン注入もし
くは拡#!1後の熱アニールによる活性化が必要である
が、アニール温度とイオン交換時の処理条件により拡散
の程度と横広がりが決定され、この拡散の程度と横広が
りによりマイクロレンズの焦点距離とレンズのサイズが
決定される。それ故、熱アニールにより活性化する際に
は、アニール温度分布の均一性、昇温−降温の安定性、
さらにイオン交換の酸処理の均一性、液管理及び洗浄と
煩雑な工程パラメータがある。また屈折率制御のための
イオンドープ量も10〜20モル%程度人しており、こ
れは炭酸塩や硝酸塩の形で550〜600℃程度の溶融
塩中で置換するので、ガラスに亀裂やヘアークラックが
起こり易く危険である。
くは拡#!1後の熱アニールによる活性化が必要である
が、アニール温度とイオン交換時の処理条件により拡散
の程度と横広がりが決定され、この拡散の程度と横広が
りによりマイクロレンズの焦点距離とレンズのサイズが
決定される。それ故、熱アニールにより活性化する際に
は、アニール温度分布の均一性、昇温−降温の安定性、
さらにイオン交換の酸処理の均一性、液管理及び洗浄と
煩雑な工程パラメータがある。また屈折率制御のための
イオンドープ量も10〜20モル%程度人しており、こ
れは炭酸塩や硝酸塩の形で550〜600℃程度の溶融
塩中で置換するので、ガラスに亀裂やヘアークラックが
起こり易く危険である。
■のフォトリソ法は、光感能性のガラスを使用するため
、材料が高価となり、また取扱いに制限多い。
、材料が高価となり、また取扱いに制限多い。
■のエツチング法は、エツチング工程プロセスと焼成工
程で行われるが、焦点進度、レンズ寸法等の制御性に問
題が多い。
程で行われるが、焦点進度、レンズ寸法等の制御性に問
題が多い。
本発明は上記の点を解決しようとするもので、その目的
はサイズや焦点距離を容易に制御でき、かつ簡易なプロ
セスで容易に作製できるマイクロレンズを提供すること
にある。
はサイズや焦点距離を容易に制御でき、かつ簡易なプロ
セスで容易に作製できるマイクロレンズを提供すること
にある。
[課題を解決するための手段]
本発明は、透明基板上の所望する箇所を表面改質した後
、ケイ素アルコキシド、金属アルコキシド、またはこれ
と類似の結合を有する化合物を主体とするゲル状材料を
該所望する箇所に付着させ、焼成することを特徴とする
マイクロレンズ、または透明基板上の所望する箇所をエ
ツチングした後、ケイ素アルコキシド、金属アルコキシ
ド、およびこれと類似の結合を有する化合物を主体とす
るゲル状材料を該所望する箇所に付着させ、焼成するこ
とを特徴とするマイクロレンズに関する。
、ケイ素アルコキシド、金属アルコキシド、またはこれ
と類似の結合を有する化合物を主体とするゲル状材料を
該所望する箇所に付着させ、焼成することを特徴とする
マイクロレンズ、または透明基板上の所望する箇所をエ
ツチングした後、ケイ素アルコキシド、金属アルコキシ
ド、およびこれと類似の結合を有する化合物を主体とす
るゲル状材料を該所望する箇所に付着させ、焼成するこ
とを特徴とするマイクロレンズに関する。
[作用]
本発明では、ガラス基板にフォトリソグラフィーにより
所望する箇所(マイクロレンズを形成する部分)にレジ
ストをマスクとして残し、他をフッ素プラズマにより表
面改質を行なった後、ケイ素アルコキシド、金属アルコ
キシドまたはこれと類似の結合を有する化合物を主体と
するゲル状材料を前記所望する箇所に付着させて焼成す
ることにより簡易なプロセスで容易にマイクロレンズを
形成することができる。また、ゲル状材料の塗布量、塗
布回数によりマイクロレンズのサイズおよび曲率を自由
に操作することができ、従って曲率により焦点距離を調
整することができる。
所望する箇所(マイクロレンズを形成する部分)にレジ
ストをマスクとして残し、他をフッ素プラズマにより表
面改質を行なった後、ケイ素アルコキシド、金属アルコ
キシドまたはこれと類似の結合を有する化合物を主体と
するゲル状材料を前記所望する箇所に付着させて焼成す
ることにより簡易なプロセスで容易にマイクロレンズを
形成することができる。また、ゲル状材料の塗布量、塗
布回数によりマイクロレンズのサイズおよび曲率を自由
に操作することができ、従って曲率により焦点距離を調
整することができる。
また、ガラス基板にフォトリソグラフィー、エツチング
工程により所望する箇所をエツチングした後、ケイ素ア
ルコキシド、金属アルコキシドまたはこれと類似の結合
を有する化合物を主体とするゲル状材料を前記所望する
箇所に付着させて焼成することにより簡易なプロセスで
容易にマイクロレンズを形成することができる。また、
基板とフォトレジストの密着性によりマイクロレンズの
曲率を自由に操作することができ、従ってマイクロレン
ズの焦点距離を調整することができる。
工程により所望する箇所をエツチングした後、ケイ素ア
ルコキシド、金属アルコキシドまたはこれと類似の結合
を有する化合物を主体とするゲル状材料を前記所望する
箇所に付着させて焼成することにより簡易なプロセスで
容易にマイクロレンズを形成することができる。また、
基板とフォトレジストの密着性によりマイクロレンズの
曲率を自由に操作することができ、従ってマイクロレン
ズの焦点距離を調整することができる。
また、ゲル状材料に金属イオンを分散させることにより
マイクロレンズの屈折率を容易に調整することができる
が、屈折率は金属イオンの種類と濃度により決定される
。さらに屈折率と半球形状により焦点深度を調整するこ
とができる。
マイクロレンズの屈折率を容易に調整することができる
が、屈折率は金属イオンの種類と濃度により決定される
。さらに屈折率と半球形状により焦点深度を調整するこ
とができる。
さらに、ゲル状材料にイオン発色団材料を添加すること
によりマイクロレンズに着色させることができるので、
カラーフィルタなしでカラーセンサが可能となり、また
使用するイオン発色団材料の種類と量によりカラーを制
御することができる。
によりマイクロレンズに着色させることができるので、
カラーフィルタなしでカラーセンサが可能となり、また
使用するイオン発色団材料の種類と量によりカラーを制
御することができる。
さらに、ゲル状材料焼成後、得られたマイクロレンズを
染料、顔料により添加することでカラー化ができ、従っ
て1層のみのコンパクトなカラーマイクロレンズができ
る。
染料、顔料により添加することでカラー化ができ、従っ
て1層のみのコンパクトなカラーマイクロレンズができ
る。
[実施例]
次に第1の本発明を実施例に基づいて説明する。
本発明のマイクロレンズの一実施例の作成工程を第1図
に示す。本実施例では、例えば、TEO3(Si (Q
C−Hs)−)を主成分とし、15モル%Csとエタノ
ール希釈H20を加えて加水分解縮重合を行なう。Cs
は硫酸セシウム(CsNOi)をエチレングリコールに
溶解させ規定量を与える。さらに表面張力を減少させる
ためにジメチルフォルムアミド(DMF)を(わえ、こ
の時均−分散させるため超音波を利用しても良い。この
ガラス前駆体を80℃5時間以上熟成することによりゲ
ル状材料を得る。
に示す。本実施例では、例えば、TEO3(Si (Q
C−Hs)−)を主成分とし、15モル%Csとエタノ
ール希釈H20を加えて加水分解縮重合を行なう。Cs
は硫酸セシウム(CsNOi)をエチレングリコールに
溶解させ規定量を与える。さらに表面張力を減少させる
ためにジメチルフォルムアミド(DMF)を(わえ、こ
の時均−分散させるため超音波を利用しても良い。この
ガラス前駆体を80℃5時間以上熟成することによりゲ
ル状材料を得る。
脱脂洗浄したガラス基板1(第1図(a))にフォトリ
ソグラフィーによりマイクロレンズのレジストパターン
2を形成する。ここでフォトレジストはノボラック系の
東京応化社製0FPR800を使用した。レジストによ
るパターン形成後、フッ素ラジカル3による基板の表面
改質を行なった後(第1図(b))、レジストパターン
2を剥離した(第1図(C))。これにより、基板の表
面改質された部分の臨界表面張力は20dyn/cm以
下になるので、起振水性の表面4となる。次に前述のゲ
ル状材料をデイツプ法、スピンナーまたはロールコータ
により塗布し、仮焼きをする。塗布により表面改質を行
ってない部分、すなわちレジストパターン2のあった部
分のみにゲル状材料が凝集する。また、この時クラック
等が生じないように室温から220℃まで48時間かけ
て焼(。この1次同化によりゲル溶媒が乾燥するので半
球状のものが収縮し、さらに300℃から600℃の温
度で1時間、焼成固化することによりマイクロレンズ5
が得られる(第1図(d))。
ソグラフィーによりマイクロレンズのレジストパターン
2を形成する。ここでフォトレジストはノボラック系の
東京応化社製0FPR800を使用した。レジストによ
るパターン形成後、フッ素ラジカル3による基板の表面
改質を行なった後(第1図(b))、レジストパターン
2を剥離した(第1図(C))。これにより、基板の表
面改質された部分の臨界表面張力は20dyn/cm以
下になるので、起振水性の表面4となる。次に前述のゲ
ル状材料をデイツプ法、スピンナーまたはロールコータ
により塗布し、仮焼きをする。塗布により表面改質を行
ってない部分、すなわちレジストパターン2のあった部
分のみにゲル状材料が凝集する。また、この時クラック
等が生じないように室温から220℃まで48時間かけ
て焼(。この1次同化によりゲル溶媒が乾燥するので半
球状のものが収縮し、さらに300℃から600℃の温
度で1時間、焼成固化することによりマイクロレンズ5
が得られる(第1図(d))。
またマイクロレンズ5の曲率を太き(するには、スピン
ナー、ロールコータまたはデイツプ法でさらにゲル状材
料を塗布し焼成する。この操作を繰り返すことにより任
意の曲率のマイクロレンズ5が得られる。
ナー、ロールコータまたはデイツプ法でさらにゲル状材
料を塗布し焼成する。この操作を繰り返すことにより任
意の曲率のマイクロレンズ5が得られる。
またこの状態ではシラノール基(SiOH)は残ってい
るので絶縁性等の問題があるときは、この上に保護膜S
iO□または5iON等を0.5〜1μm程度形成する
ことで解決される。
るので絶縁性等の問題があるときは、この上に保護膜S
iO□または5iON等を0.5〜1μm程度形成する
ことで解決される。
次に、マイクロレンズの屈折率を調整するには、ゲル状
材料調整時に第1表に示した各種イオンを添加するが、
屈折率を大きくしたい場合、イオン半径の大きい材料を
添加することにより得られる。例えば、Cs”″イオン
を15モル%程度ゲル状材料に添加すると屈折率は1.
8〜2.0となる。
材料調整時に第1表に示した各種イオンを添加するが、
屈折率を大きくしたい場合、イオン半径の大きい材料を
添加することにより得られる。例えば、Cs”″イオン
を15モル%程度ゲル状材料に添加すると屈折率は1.
8〜2.0となる。
\
第 1 図
また、マイクロレンズをカラー化するには、各種のイオ
ン発色材料を選んでゲル状材料に添加することにより各
色のマイクロレンズを得ることができる。イオン発色材
料には、例えば、Cr責黄)。
ン発色材料を選んでゲル状材料に添加することにより各
色のマイクロレンズを得ることができる。イオン発色材
料には、例えば、Cr責黄)。
Co”(青)、u”(1)等がある。またCdSe (
赤)等のような物質はガラス中でイオン結合が熱アニー
ルにより再結合発色させることができるので化合物発色
団も応用できる。但し、これらの発色団も屈折率に寄与
するので注意が必要である。
赤)等のような物質はガラス中でイオン結合が熱アニー
ルにより再結合発色させることができるので化合物発色
団も応用できる。但し、これらの発色団も屈折率に寄与
するので注意が必要である。
また、各種のカラーマイクロレンズを同一基板上に形成
する場合、第2図に示すように各種のカラーゲル状材料
を用意しておき、レジスト形成後、表面改質して撥水性
表面7とし、レジストパターンを除去した基板6(第2
図(a))にカラーゲル状材料塗布、焼成してマイクロ
レンズ8を形成した(第2図(b))。次に、酸素プラ
ズマ9により処理を行い、撥水性表面7を親水性表面1
0に変え(第2図(C))、レジストパターン11を形
成後、フッ素ラジカル12による基板の表面改質を行な
った(第2図(d))後、レジストパターン11を除去
し、別色のカラーゲル状材料を塗布、焼成してマイクロ
レンズ13を形成した(第2図(e))。以下、同様に
して同一基板上に各色のマイクロレンズを形成すること
ができる。
する場合、第2図に示すように各種のカラーゲル状材料
を用意しておき、レジスト形成後、表面改質して撥水性
表面7とし、レジストパターンを除去した基板6(第2
図(a))にカラーゲル状材料塗布、焼成してマイクロ
レンズ8を形成した(第2図(b))。次に、酸素プラ
ズマ9により処理を行い、撥水性表面7を親水性表面1
0に変え(第2図(C))、レジストパターン11を形
成後、フッ素ラジカル12による基板の表面改質を行な
った(第2図(d))後、レジストパターン11を除去
し、別色のカラーゲル状材料を塗布、焼成してマイクロ
レンズ13を形成した(第2図(e))。以下、同様に
して同一基板上に各色のマイクロレンズを形成すること
ができる。
さらに、マイクロレンズをカラー化する方法として、第
1図のゲル化材料の焼成により得られたマイクロレンズ
にフォトリソグラフィーにより所望するビット以外をマ
スクして、染料、顔料により染色することにより、同一
基板に各色のマイクロレンズを得ることができる。
1図のゲル化材料の焼成により得られたマイクロレンズ
にフォトリソグラフィーにより所望するビット以外をマ
スクして、染料、顔料により染色することにより、同一
基板に各色のマイクロレンズを得ることができる。
次に第2の本発明を実施例に基づいて説明する。
本発明のマイクロレンズの一実施例の作成工程を第3図
に示す。本実施例では、例えば、TE01(Si(OC
Js)4)を主成分とし、15モル%Csとエタノール
希釈H,Oを加えて加水分解縮重合を行なう。Csは硫
酸セシウム(CsNOs)をエチレングリコールに溶解
させ規定量を与える。さらに表面張力を減少させるため
にジメチルフォルムアミド(DMF)を加え、この時均
−分散させるため超音波を利用しても良い。このガラス
前駆体を80℃で5時間以上熟成することによりゲル状
材料を得る。
に示す。本実施例では、例えば、TE01(Si(OC
Js)4)を主成分とし、15モル%Csとエタノール
希釈H,Oを加えて加水分解縮重合を行なう。Csは硫
酸セシウム(CsNOs)をエチレングリコールに溶解
させ規定量を与える。さらに表面張力を減少させるため
にジメチルフォルムアミド(DMF)を加え、この時均
−分散させるため超音波を利用しても良い。このガラス
前駆体を80℃で5時間以上熟成することによりゲル状
材料を得る。
脱脂洗浄したガラス基板14(第3図(a))をプラズ
マ15により基板14の表面改質を行なう(第3図(b
))。基板14とレジストの密着性を良好にするためで
あり、この密着性はマイクロレンズの曲率に相当しこの
曲率を自由に操作することにより、マイクロレンズの焦
点距離を調整することができる。例えば、フッ素ラジカ
ルによる表面改質では密着性が向上し、酸素プラズマに
よる表面改質では密着性が低下する。また、プラズマに
よる表面改質にほかにシランカップリング剤を使用して
も良い。次に、表面改質した基板16にフォトリソグラ
フィーによりレジストパターン17を形成する(第3図
(C))。ここでフォトレジストはノボラック系の東京
応化社製0FPR800を使用した。レジストパターン
17を形成後、エツチング工程によりエツチングする。
マ15により基板14の表面改質を行なう(第3図(b
))。基板14とレジストの密着性を良好にするためで
あり、この密着性はマイクロレンズの曲率に相当しこの
曲率を自由に操作することにより、マイクロレンズの焦
点距離を調整することができる。例えば、フッ素ラジカ
ルによる表面改質では密着性が向上し、酸素プラズマに
よる表面改質では密着性が低下する。また、プラズマに
よる表面改質にほかにシランカップリング剤を使用して
も良い。次に、表面改質した基板16にフォトリソグラ
フィーによりレジストパターン17を形成する(第3図
(C))。ここでフォトレジストはノボラック系の東京
応化社製0FPR800を使用した。レジストパターン
17を形成後、エツチング工程によりエツチングする。
ここで使用するエツチング液としては、F−イオンを含
む水溶液、例えば、NH,F水溶液(触媒として酢酸、
リン酸を加える。)で室温から50℃の温度範囲で等方
ウェットエツチングを行なう。その後、レジストパター
ン17を剥離する(第3図(d))。次に、前述のゲル
状材料をデイツプ法、スピンナーまたはコールコータに
より塗布し仮焼きをする。エツチング部分18以外の部
分は表面角質されているので、エツチング部分18のみ
にゲル状材料が凝集する。またこの時、クラック等が生
じないように室温から220℃まで48時間かけて焼(
。この1次固化によりゲル溶媒が乾燥するので半球状の
ものが収縮し、さらに300℃から600℃の温度で1
時間、焼成固化することによりマイクロレンズ19が得
られる(第3図(e))。
む水溶液、例えば、NH,F水溶液(触媒として酢酸、
リン酸を加える。)で室温から50℃の温度範囲で等方
ウェットエツチングを行なう。その後、レジストパター
ン17を剥離する(第3図(d))。次に、前述のゲル
状材料をデイツプ法、スピンナーまたはコールコータに
より塗布し仮焼きをする。エツチング部分18以外の部
分は表面角質されているので、エツチング部分18のみ
にゲル状材料が凝集する。またこの時、クラック等が生
じないように室温から220℃まで48時間かけて焼(
。この1次固化によりゲル溶媒が乾燥するので半球状の
ものが収縮し、さらに300℃から600℃の温度で1
時間、焼成固化することによりマイクロレンズ19が得
られる(第3図(e))。
また、この状態ではシラノール基(SiOH)は残って
いるので絶縁性等の問題があるときは、この上に保護膜
SiO□または5LON等を0.5〜1μm程度形成す
ることで解決される。
いるので絶縁性等の問題があるときは、この上に保護膜
SiO□または5LON等を0.5〜1μm程度形成す
ることで解決される。
次に、マイクロレンズの屈折率を調整するには、第1の
本発明と同様にゲル状材料調整時に第1表に示した各種
イオンを添加するが、屈折率を太き(したい場合、イオ
ン半径の大きい材料を添加することにより得られる。
本発明と同様にゲル状材料調整時に第1表に示した各種
イオンを添加するが、屈折率を太き(したい場合、イオ
ン半径の大きい材料を添加することにより得られる。
また、マイクロレンズをカラー化するには、第1の本発
明と同様に、各種のイオン発色材料を選んでゲル状材料
に添加することにより各色のマイクロレンズを得ること
ができる。
明と同様に、各種のイオン発色材料を選んでゲル状材料
に添加することにより各色のマイクロレンズを得ること
ができる。
また、各種のカラーマイクロレンズを同一基板上に形成
する場合、第4図に示すように各種のカラーゲル状材料
を用意しておき、基板20をエツチングし、カラーゲル
状材料を塗布、焼成してマイクロレンズ21を得る(第
4図(a))。その後、必要とするマイクロレンズ21
上にレジストパターン22を形成(第4図(b))後、
必要としないマイクロレンズを除去し、レジストパター
ン22を除去した後、別色のカラーゲル状材料を塗布、
焼成してマイクロレンズ23を得る(第4図(C))。
する場合、第4図に示すように各種のカラーゲル状材料
を用意しておき、基板20をエツチングし、カラーゲル
状材料を塗布、焼成してマイクロレンズ21を得る(第
4図(a))。その後、必要とするマイクロレンズ21
上にレジストパターン22を形成(第4図(b))後、
必要としないマイクロレンズを除去し、レジストパター
ン22を除去した後、別色のカラーゲル状材料を塗布、
焼成してマイクロレンズ23を得る(第4図(C))。
同様にマイクロレンズ21とマイクロレンズ23上にレ
ジストパターン24を形成(第4図(d))後、必要と
しないマイクロレンズを除去し、レジストパターン24
を除去した後、別色のカラーゲル状材料を塗布、焼成し
てマイクロレンズ25を得る(第4図(e))。以下、
同様にして同一基板上に各色のマイクロレンズを形成す
ることができる。
ジストパターン24を形成(第4図(d))後、必要と
しないマイクロレンズを除去し、レジストパターン24
を除去した後、別色のカラーゲル状材料を塗布、焼成し
てマイクロレンズ25を得る(第4図(e))。以下、
同様にして同一基板上に各色のマイクロレンズを形成す
ることができる。
さらに、マイクロレンズをカラー化する方法として、第
1の本発明と同様に、第3図のゲル化材料の焼成により
得られたマイクロレンズにフォトリソグラフィーにより
所望するビット以外をマスクして、染料、顔料により染
色することにより、同一基板に各色のマイクロレンズを
得ることができる。
1の本発明と同様に、第3図のゲル化材料の焼成により
得られたマイクロレンズにフォトリソグラフィーにより
所望するビット以外をマスクして、染料、顔料により染
色することにより、同一基板に各色のマイクロレンズを
得ることができる。
[発明の効果J
以上の説明が明らかなように本発明によれば、ゲル状材
料を使用することにより、簡易なプロセスで容易に作成
できるマイクロレンズを提供することができる。またマ
イクロレンズのサイズや曲率を自由に操作することがで
きるので、マイクロレンズの焦点距離を容易に調整する
ことができ、さらにマイクロレンズの屈折率やカラーも
自由に調整することができる。
料を使用することにより、簡易なプロセスで容易に作成
できるマイクロレンズを提供することができる。またマ
イクロレンズのサイズや曲率を自由に操作することがで
きるので、マイクロレンズの焦点距離を容易に調整する
ことができ、さらにマイクロレンズの屈折率やカラーも
自由に調整することができる。
第1図(a)〜(d)は第1の本発明のマイクロレンズ
の一実施例の作成工程図、第2図(a)〜(e)は第1
の本発明のカラーマイクロレンズの一実施例の作成工程
図、第3図は(a)〜(e)は第2の本発明のマイクロ
レンズの一実施例の作成工程図、第4図(a)〜(e)
は第2の本発明のカラーマイクロレンズの一実施例の作
成工程図、第5図(a)〜(e)は従来のマイクロレン
ズの作成工程図である。 1・・・基板、2・・・レジストパターン、3・・・フ
ッ素ラジカル、4・・・起振水性表面、5・・・マイク
ロレンズ、6・・・基板、7・・・撥水性表面、8・・
・マイクロレンズ、9・・・酸素プラズマ、IO・・・
親水性表面、11・・・レジストパターン、12・・・
フッ素ラジカル、13・・・マイクロレンズ、14・・
・基板、15・・・フッ素ラジカル、16・・・表面改
質した基板、17・・・レジストパターン、18・・・
エツチング部分、19・・・マイクロレンズ、20・・
・基板、21・・・マイクロレンズ、22・・・レジス
トパターン、23・・・マイクロレンズ、24・・・レ
ジストパターン、25・・・マイクロレンズ、26・・
・基板、27・・・メタルマスク、28・・・脱イオン
処理面、29・・・イオン拡散部、30・・・マイクロ
レンズ。 出願人 株式会社 リ コ − (a) (b) (C) (d) 第1図 (a) (b) (cl) (e) 第2図 ”−= (’J OJCXJ !−で−
の一実施例の作成工程図、第2図(a)〜(e)は第1
の本発明のカラーマイクロレンズの一実施例の作成工程
図、第3図は(a)〜(e)は第2の本発明のマイクロ
レンズの一実施例の作成工程図、第4図(a)〜(e)
は第2の本発明のカラーマイクロレンズの一実施例の作
成工程図、第5図(a)〜(e)は従来のマイクロレン
ズの作成工程図である。 1・・・基板、2・・・レジストパターン、3・・・フ
ッ素ラジカル、4・・・起振水性表面、5・・・マイク
ロレンズ、6・・・基板、7・・・撥水性表面、8・・
・マイクロレンズ、9・・・酸素プラズマ、IO・・・
親水性表面、11・・・レジストパターン、12・・・
フッ素ラジカル、13・・・マイクロレンズ、14・・
・基板、15・・・フッ素ラジカル、16・・・表面改
質した基板、17・・・レジストパターン、18・・・
エツチング部分、19・・・マイクロレンズ、20・・
・基板、21・・・マイクロレンズ、22・・・レジス
トパターン、23・・・マイクロレンズ、24・・・レ
ジストパターン、25・・・マイクロレンズ、26・・
・基板、27・・・メタルマスク、28・・・脱イオン
処理面、29・・・イオン拡散部、30・・・マイクロ
レンズ。 出願人 株式会社 リ コ − (a) (b) (C) (d) 第1図 (a) (b) (cl) (e) 第2図 ”−= (’J OJCXJ !−で−
Claims (5)
- (1)透明基板上の所望する箇所を表面改質した後、ケ
イ素アルコキシド、金属アルコキシド、またはこれと類
似の結合を有する化合物を主体とするゲル状材料を該所
望する箇所に付着させ、焼成することを特徴とするマイ
クロレンズ。 - (2)透明基板上の所望する箇所をエッチングした後、
ケイ素アルコキシド、金属アルコキシド、またはこれと
類似の結合を有する化合物を主体とするゲル状材料を該
所望する箇所に付着させ、焼成することを特徴とするマ
イクロレンズ。 - (3)前記ゲル状材料に金属イオンを添加することを特
徴とする請求項1または2に記載のマイクロレンズ。 - (4)前記ゲル状材料にイオン発色団材料を添加するこ
とを特徴とする請求項1または2に記載のマイクロレン
ズ。 - (5)前記ゲル状材料焼成後、マイクロレンズを染料ま
たは顔料で着色することを特徴とする請求項1、2、3
または4に記載のマイクロレンズ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31021390A JPH04181201A (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | マイクロレンズアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31021390A JPH04181201A (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | マイクロレンズアレイ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04181201A true JPH04181201A (ja) | 1992-06-29 |
Family
ID=18002560
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31021390A Pending JPH04181201A (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | マイクロレンズアレイ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04181201A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999008158A1 (fr) * | 1997-08-08 | 1999-02-18 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Corps de formation de motifs, procede de formation de motifs et leurs applications |
WO2005080283A1 (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-01 | Isuzu Glass Co., Ltd. | 屈折率分布型光学素子の製造方法 |
WO2005080284A1 (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-01 | Isuzu Glass Co., Ltd. | 光学素子の製造方法 |
WO2007018212A1 (ja) * | 2005-08-08 | 2007-02-15 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | 光線指向性化ガラス基板及びそれを用いた照明装置 |
JP2007226075A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Ricoh Opt Ind Co Ltd | 対向基板、液晶表示素子及び液晶プロジェクタ並びに対向基板製造方法 |
JP2010248032A (ja) * | 2009-04-16 | 2010-11-04 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 合成石英ガラス基板の微細加工方法 |
-
1990
- 1990-11-16 JP JP31021390A patent/JPH04181201A/ja active Pending
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999008158A1 (fr) * | 1997-08-08 | 1999-02-18 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Corps de formation de motifs, procede de formation de motifs et leurs applications |
US6294313B1 (en) | 1997-08-08 | 2001-09-25 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Pattern forming body, pattern forming method, and their applications |
US8785108B2 (en) | 1997-08-08 | 2014-07-22 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Structure for pattern formation, method for pattern formation, and application thereof |
US7575845B2 (en) | 1997-08-08 | 2009-08-18 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Structure for pattern formation, method for pattern formation, and application thereof |
US7573645B2 (en) | 2004-02-20 | 2009-08-11 | Isuzu Glass Co., Ltd. | Method for manufacturing optical element of refractive index distribution type |
EP1721874A4 (en) * | 2004-02-20 | 2009-04-08 | Isuzu Glass Co Ltd | METHOD FOR MANUFACTURING REFRACTIVE INDEX DISTRIBUTION TYPE OPTICAL ELEMENT |
US7522803B2 (en) | 2004-02-20 | 2009-04-21 | Isuzu Glass Co., Ltd. | Process for producing optical device |
WO2005080284A1 (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-01 | Isuzu Glass Co., Ltd. | 光学素子の製造方法 |
WO2005080283A1 (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-01 | Isuzu Glass Co., Ltd. | 屈折率分布型光学素子の製造方法 |
JP2007045649A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-02-22 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 光線指向性化ガラス基板及びそれを用いた照明装置 |
WO2007018212A1 (ja) * | 2005-08-08 | 2007-02-15 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | 光線指向性化ガラス基板及びそれを用いた照明装置 |
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JP2010248032A (ja) * | 2009-04-16 | 2010-11-04 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 合成石英ガラス基板の微細加工方法 |
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