JPH04181137A - 圧力検出器 - Google Patents

圧力検出器

Info

Publication number
JPH04181137A
JPH04181137A JP31222890A JP31222890A JPH04181137A JP H04181137 A JPH04181137 A JP H04181137A JP 31222890 A JP31222890 A JP 31222890A JP 31222890 A JP31222890 A JP 31222890A JP H04181137 A JPH04181137 A JP H04181137A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pressure
change
sensors
pipe
signals
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP31222890A
Other languages
English (en)
Inventor
Michihiro Mizuno
水野 倫博
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP31222890A priority Critical patent/JPH04181137A/ja
Publication of JPH04181137A publication Critical patent/JPH04181137A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、例えば気体、液体などの圧力を検出する圧
力検出器に関するものである。
〔従来の技術〕
第2図は、従来の圧力検出器の構成を示す断面図であり
、図において、圧力検出部である圧力センサ1は単結晶
シリコンのチップ2の一部を薄く加工したダイヤフラム
3の上に不純物拡散により形成された抵抗歪ゲージのブ
リッジ回路(図示せず)を有し、貫通穴5が設けられた
台座4を介してステム6に固定されている。抵抗歪ゲー
ジのブリッジ回路はワイヤ7を介して4本の外部リード
8(2本のみ図示)に接続されている。ステム6には圧
力センサ1を覆ってキャップ9か設けられ、内部を排気
して真空室10が形成されている。
ステム6の下部に貫通穴5に連通して圧力導入パイプ1
1が設けられ、圧力導入パイ111の先端部に外部から
の圧力を受ける受圧部である金属ダイヤフラム12か溶
接され、圧力センサ1、台座4、ステム6、圧力導入パ
イプ11、金属ダイヤフラム12により構成される気密
室に圧力伝達媒体であるシリコンオイル14が封入され
ている。
なお、圧力センサ1、台座4、ステム6、圧力導入パイ
プ11、金属ダイヤフラム12、シリコンオイル14に
より1個の圧力検出体15を構成している。
次に動作を説明する0例えば硫化水素ガスの配管の管路
中における圧力を測定する場合、圧力バイブ13は被測
定部まで延長して配管に接続され内部には硫化水素ガス
が流入して来ている。金属ダイヤフラム12はこの硫化
水素ガスの圧力を受け、この圧力はシリコンオイル14
によりダイヤフラム3へ伝達される。ダイヤフラム3に
設けられた抵抗歪ケージはダイヤフラム3の受けた圧力
に応じてその抵抗値が変化するので、抵抗歪ゲージのブ
リッジ回路の出力信号を外部リード8から取り出すこと
により金属ダイヤフラム12の受ける圧力を測定する。
〔発明か解決しようとする課題〕
従来の圧力検出器は以上のように構成されシリコンオイ
ル14が密封状態にされているので、温度が変化すると
シリコンオイル14の体積が増減して圧力が変化するた
め、正確に温度を測定できないという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、温度変化の影響を補償できる圧力検出器を得
ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る圧力検出器は、封入された液状の圧力伝
達媒体を介して外部からの圧力を受けて圧力に応じた信
号を発する圧力検出体を2個設けてこの2個の信号の差
を得るようにしたものである。
〔作用〕
この発明における個々の圧力検出体の圧力検出部は、封
入された液状の圧力伝達媒体を介して外部からの圧力を
受けるように構成されているため、温度変化による圧力
伝達媒体の【張、収縮により受ける圧力が変化する。し
かし、一方の圧力検出体で目的とする外部からの圧力を
測定し、他方の圧力検出体は遊ばせておき、両正力検出
体の信号の差を得ることにより温度変化による圧力伝達
媒体の膨張、収縮により受ける圧力変化が相殺されるの
で、温度変化の影響を補償することができる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を第1図の断面図により説明
する。チップ22にタイヤフラム3を2個設けて2個の
圧力センサ1を構成し、図の左方の圧力センサ1への圧
力導入バイブ11には圧力バイブ13を接続し、右方の
圧力センサ1への圧力導入バイア11には何も接続しな
いでそのままとしている。また、詳細の図示を省略して
いるが、外部リード8は左方及び右方のタイヤフラム3
上に形成された抵抗歪ゲージのブリッジ回路から各々信
号を取り出すように夫々の圧力センサ1に各4本設けら
れている。
その他の構成については、第2図の従来例と同様である
ので相当するものに同一符号を付して説明を省略する。
次に動作について説明する0図における左方の圧力セン
サ1によりシリコンオイル14を介して圧力バイ113
内の圧力に応じた信号を外部り−ド8から取り出す、一
方、右方の圧力センサ1はシリコンオイル14の膨張、
収縮による圧力変化を受けており、これを同様に外部リ
ード8がら電気信号として取り出す、各圧力センサ1が
ら取り出された電気信号は、図示しない差動増巾器によ
りその差が増巾され、この増巾器出力信号に基づき左方
の圧力センサ1に接続された圧力バイブ13内の圧力を
知るようにされている。
このように構成することにより、温度変化にともなうシ
リコンオイル14の体積の増減により圧力゛センサ1が
受ける圧力変化分は左右の圧力センサ1の信号の差をと
ることにより相殺され温度による影響が補償され+る。
なお、上記一実施例においては、チップ22上にまとめ
て2個のタイヤフラム3を形成したが、別々のチップ上
にダイヤフラム3を設けても良い。
また、2個の圧力センサ1の信号の差を得るのに、上記
の方法によらず、例えばチップ22上の各ダイヤフラム
3に形成された各4個の抵抗歪ゲージを左右のダイヤプ
ラム3上の抵抗歪ゲージで圧力変化に関する特性が逆に
対応するものを直列に接続して4個の直列回路をつくり
、この4個の直列回路でブリッジ回路を構成して外部リ
ード8から左右の圧力センサ1の差信号として取り出す
ようにしても同様の効果を奏するし、さらに圧力に応じ
た信号を得るのにブリッジ回路を用いない場合であって
も良い。
また、圧力センサ1としてダイヤフラム3に抵抗歪ゲー
ジを形成したものについて示したが、感圧ダイオード、
感圧トランジスタ、圧電気効果素子等であっても同様の
効果を有する。
また、圧力検出器は圧力を測定するものでなく、所定の
圧力で信号を発する圧カリレー等他のものであっても良
い。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば2個の圧力検出体を設け
て両者の信号の差を得るようにしたので、温度変化の影
響を補償することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を示す断面図、第2図は従
来の圧力検出器を示す断面図である6図において、1は
圧力センサ、3はダイヤフラム、11は圧力導入バイブ
、12は金属ダイヤフラム、13は圧力バイブ、14は
シリコンオイル、15は圧力検出体である。 尚、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  外部からの圧力を受けるようにされた受圧部及びこの
    受圧部との間に封入された液状の圧力伝達媒体を介して
    上記圧力を受けて上記圧力に応じた信号を発する圧力検
    出部を有する圧力検出体を2個設けてこの2個の圧力検
    出体の上記信号の差を得るようにしたことを特徴とする
    圧力検出器。
JP31222890A 1990-11-15 1990-11-15 圧力検出器 Pending JPH04181137A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31222890A JPH04181137A (ja) 1990-11-15 1990-11-15 圧力検出器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31222890A JPH04181137A (ja) 1990-11-15 1990-11-15 圧力検出器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04181137A true JPH04181137A (ja) 1992-06-29

Family

ID=18026726

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31222890A Pending JPH04181137A (ja) 1990-11-15 1990-11-15 圧力検出器

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04181137A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0992778A3 (de) * 1998-10-02 2000-04-19 Grundfos A/S Sensor und Verfahren zu seiner Herstellung

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5530842A (en) * 1978-08-28 1980-03-04 Nissan Motor Co Ltd Semiconductor pressure sensor
JPS6048136B2 (ja) * 1979-08-08 1985-10-25 キユーピー株式会社 殺菌卵白液の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5530842A (en) * 1978-08-28 1980-03-04 Nissan Motor Co Ltd Semiconductor pressure sensor
JPS6048136B2 (ja) * 1979-08-08 1985-10-25 キユーピー株式会社 殺菌卵白液の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0992778A3 (de) * 1998-10-02 2000-04-19 Grundfos A/S Sensor und Verfahren zu seiner Herstellung

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7775117B2 (en) Combined wet-wet differential and gage transducer employing a common housing
US7493823B2 (en) Pressure transducer with differential amplifier
US4574640A (en) Integrated dual-range pressure transducer
JPH07103837A (ja) 物理量検出センサ
JP2007132946A (ja) 圧力センサハウジング及び形態
EP0083496A2 (en) Semiconductor pressure transducer
JPS6061637A (ja) 複合機能形差圧センサ
JPH09329516A (ja) 半導体圧力センサ及びこれを用いた複合伝送器
JP3238001B2 (ja) 複合センサ及びこれを用いた複合伝送器
JPH0447244A (ja) 半導体圧力センサ
JPH04181137A (ja) 圧力検出器
JPH04328434A (ja) 複合センサ
JP2512220B2 (ja) 複合機能形センサ
JPH10142086A (ja) 半導体圧力センサとその製造方法及びこれを用いた差圧伝送器
US20210130161A1 (en) Micromechanical pressure sensor device and corresponding production method
JPH0552691A (ja) 半導体圧力センサ
US20210108979A1 (en) Sensor element
JPH03239938A (ja) 容量型圧力センサ
JPH03249532A (ja) 半導体圧力計
JP2001124645A (ja) 半導体圧力センサ
JPS6222040A (ja) 半導体圧力センサ−
JPS59163533A (ja) 圧力変換器とその駆動方法
JPH01184433A (ja) 半導体圧力変換器
JPH0344079A (ja) 複合センサ
JPH06102128A (ja) 半導体複合機能センサ