JPH04180374A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
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- JPH04180374A JPH04180374A JP2311107A JP31110790A JPH04180374A JP H04180374 A JPH04180374 A JP H04180374A JP 2311107 A JP2311107 A JP 2311107A JP 31110790 A JP31110790 A JP 31110790A JP H04180374 A JPH04180374 A JP H04180374A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N17/00—Diagnosis, testing or measuring for television systems or their details
- H04N17/002—Diagnosis, testing or measuring for television systems or their details for television cameras
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/68—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to defects
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
- H04N5/33—Transforming infrared radiation
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Signal Processing (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Testing, Inspecting, Measuring Of Stereoscopic Televisions And Televisions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、固体撮像素子に関し、特にそのテストの容
易化を図ったものに関するものである。
易化を図ったものに関するものである。
近年のシリコンＬＳＩ技術の進歩に伴い、半導体基板上
に多数の光検出器を２次元アレイ状に配し、電荷掃き寄
せ素子（Ｃｈａｒｇｅ Ｓｗｅｅｐ Ｄｅｖｉｃｅ：Ｃ
３Ｄ）や電荷結合素子（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ
Ｄｅｖｉｃｅ：ＣＣＤ）などと組み合わせた固体撮像
素子か開発され、これを用いた固体撮像装置が既に実用
化されている。そしてその光検出器としては、ショット
キーバリアダイオードやＰＮ接合を利用したフォトダイ
オードなどが用いられており、検出波長の違いによって
、赤外線撮像素子、可視撮像素子などと呼ばれている。
に多数の光検出器を２次元アレイ状に配し、電荷掃き寄
せ素子（Ｃｈａｒｇｅ Ｓｗｅｅｐ Ｄｅｖｉｃｅ：Ｃ
３Ｄ）や電荷結合素子（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ
Ｄｅｖｉｃｅ：ＣＣＤ）などと組み合わせた固体撮像
素子か開発され、これを用いた固体撮像装置が既に実用
化されている。そしてその光検出器としては、ショット
キーバリアダイオードやＰＮ接合を利用したフォトダイ
オードなどが用いられており、検出波長の違いによって
、赤外線撮像素子、可視撮像素子などと呼ばれている。
こうした固体撮像装置の一例として赤外線検出素子をシ
リコン基板上に配列し、その基板上の電子回路によって
走査を行うＣ３Ｄを用いた赤外線撮像装置かあり、第１
２図はこのような赤外線Ｃ３Ｄ撮像装置のブロック図を
示している。なお、この第１２図は昭和６３年８月防衛
技術協会発行の雑誌［防衛技術ＪＰ４２〜４８から転載
したものである。この装置はカメラヘッド３０．信号処
理部３１及びモニタＴＶ３３から構成されている。
リコン基板上に配列し、その基板上の電子回路によって
走査を行うＣ３Ｄを用いた赤外線撮像装置かあり、第１
２図はこのような赤外線Ｃ３Ｄ撮像装置のブロック図を
示している。なお、この第１２図は昭和６３年８月防衛
技術協会発行の雑誌［防衛技術ＪＰ４２〜４８から転載
したものである。この装置はカメラヘッド３０．信号処
理部３１及びモニタＴＶ３３から構成されている。
また、この装置は撮像素子として５１２Ｘ５１２画素を
集積した二次元配列構造を持つＩＲＣ３Ｄ素子３２を用
いており、これは電子回路走査を行うので、機械的走査
機構は不要であり、従って特にカメラヘッド３０が小型
、軽量に構成できるものである。さらに、この装置は赤
外線検出素子を７７°Ｋに冷却するためのクローズドサ
イクルのスターリングサイクル冷凍機３０２をカメラヘ
ッド３０に内蔵しているので、特別な冷却機器は不要で
ある。
集積した二次元配列構造を持つＩＲＣ３Ｄ素子３２を用
いており、これは電子回路走査を行うので、機械的走査
機構は不要であり、従って特にカメラヘッド３０が小型
、軽量に構成できるものである。さらに、この装置は赤
外線検出素子を７７°Ｋに冷却するためのクローズドサ
イクルのスターリングサイクル冷凍機３０２をカメラヘ
ッド３０に内蔵しているので、特別な冷却機器は不要で
ある。
ところで一般に、二次元素子の電荷転送にはインタライ
ン転送ＣＣＤ （ＩＬ−ＣＣＤ）方式かよく使われてお
り、このＩ Ｌ−ＣＣＤ方式は、第１３図に示すように
１個の検出器に対して１個の垂直転送用のポテンシャル
井戸を持ち、いわゆるバケツリレ一方式て垂直及び水平
方向に電荷を転送している。ところでこのＣＣＤは非常
に低雑音の素子ではあるが、電荷転送能力に制限がある
。即ち、信号電荷量か増加して１つのバケツ内に１画素
分の信号を蓄えきれなくなると信号の混合が起きる。混
合が起きないようにするためには垂直ＣＣＤの面積を増
大させる必要かあり、垂直ＣＣＤの面積を増大させるこ
とは画素サイズ一定条件では開口率（画素面積に対する
光検出器面積の割合）か低下し、感度が低下する。また
、その他の電荷転送方式としてＭＯＳスイッチを信号の
読み出しに用いたＭＯＳ方式かあるか、このＭＯＳ方式
は他方式に比べて飽和電荷量か大きいという利点かある
反面、大きな信号線容量に起因した大きな雑音とＭＯＳ
スイッチの特性のばらつきに起因した固定パターン雑音
が最大の欠点となっている。ｔＪｓ型化、高解像度化の
実現には画素サイズの縮小か必要となるか、これは１画
素から得られる信号電荷の減少につながり、従ってＭＯ
Ｓ方式ではその大きな雑音が重大な問題となっている。
ン転送ＣＣＤ （ＩＬ−ＣＣＤ）方式かよく使われてお
り、このＩ Ｌ−ＣＣＤ方式は、第１３図に示すように
１個の検出器に対して１個の垂直転送用のポテンシャル
井戸を持ち、いわゆるバケツリレ一方式て垂直及び水平
方向に電荷を転送している。ところでこのＣＣＤは非常
に低雑音の素子ではあるが、電荷転送能力に制限がある
。即ち、信号電荷量か増加して１つのバケツ内に１画素
分の信号を蓄えきれなくなると信号の混合が起きる。混
合が起きないようにするためには垂直ＣＣＤの面積を増
大させる必要かあり、垂直ＣＣＤの面積を増大させるこ
とは画素サイズ一定条件では開口率（画素面積に対する
光検出器面積の割合）か低下し、感度が低下する。また
、その他の電荷転送方式としてＭＯＳスイッチを信号の
読み出しに用いたＭＯＳ方式かあるか、このＭＯＳ方式
は他方式に比べて飽和電荷量か大きいという利点かある
反面、大きな信号線容量に起因した大きな雑音とＭＯＳ
スイッチの特性のばらつきに起因した固定パターン雑音
が最大の欠点となっている。ｔＪｓ型化、高解像度化の
実現には画素サイズの縮小か必要となるか、これは１画
素から得られる信号電荷の減少につながり、従ってＭＯ
Ｓ方式ではその大きな雑音が重大な問題となっている。
これに対して第１２図の装置で使用されている電荷掃き
よせ素子は新しい垂直電荷転送素子であり、このＣ３Ｄ
を用いることで、上述したＩＬ−ＣＣＤ方式と同程度の
雑音レベルを維持したまま非常に大きな飽和電荷量が得
られる。
よせ素子は新しい垂直電荷転送素子であり、このＣ３Ｄ
を用いることで、上述したＩＬ−ＣＣＤ方式と同程度の
雑音レベルを維持したまま非常に大きな飽和電荷量が得
られる。
このＣ３Ｄ方式の動作について、雑誌「テレビ技術Ｊ
１９８５年９月号Ｐ４１〜４５から転載した第１３図
および第１４図を用いて説明する。
１９８５年９月号Ｐ４１〜４５から転載した第１３図
および第１４図を用いて説明する。
Ｃ３Ｄは第１３図に示すようにトランスファーゲートは
それぞれ独立に制御される。１垂直線内で１水平期間内
にただ１つのトランスファーゲートが選択される。第１
３図では左から２つ目のトランスファーゲートのみがＯ
Ｎされ、これに接続したフォトダイオードの信号のみが
Ｃ３Ｄ内に読み出された状態を示している。他のフォト
ダイオードはこのときの信号の蓄積を続けている。
それぞれ独立に制御される。１垂直線内で１水平期間内
にただ１つのトランスファーゲートが選択される。第１
３図では左から２つ目のトランスファーゲートのみがＯ
Ｎされ、これに接続したフォトダイオードの信号のみが
Ｃ３Ｄ内に読み出された状態を示している。他のフォト
ダイオードはこのときの信号の蓄積を続けている。
また、上記動作を第１４図を用いて詳しく説明すると、
Ｃ３Ｄにおける信号電荷の転送は、掃きよせ動作によっ
て行われる。この掃きよせ動作は第１４図（ｂ）〜（ｄ
）のようにポテンシャルの壁を水平ＣＣＤ側へ押してい
くことによって行われる。水平ＣＣＤとＣ３Ｄの間には
図に示したように蓄積ゲートがあり、掃きよせられた信
号電荷はこの蓄積ゲートに集められる（第１４図（ｅ）
参照）。この掃きよせ動作は１水平期間内に完了し、蓄
積ゲートに集められた信号電荷は水平帰線期間に水平Ｃ
ＣＤに転送され、順次読み出される（第１４図げ）参照
）。
Ｃ３Ｄにおける信号電荷の転送は、掃きよせ動作によっ
て行われる。この掃きよせ動作は第１４図（ｂ）〜（ｄ
）のようにポテンシャルの壁を水平ＣＣＤ側へ押してい
くことによって行われる。水平ＣＣＤとＣ３Ｄの間には
図に示したように蓄積ゲートがあり、掃きよせられた信
号電荷はこの蓄積ゲートに集められる（第１４図（ｅ）
参照）。この掃きよせ動作は１水平期間内に完了し、蓄
積ゲートに集められた信号電荷は水平帰線期間に水平Ｃ
ＣＤに転送され、順次読み出される（第１４図げ）参照
）。
従ってＣ３Ｄにおけるポテンシャル井戸は１垂直転送素
子全体を１つとして、この中に１つのフォトダイオード
からの信号電荷のみか出力されるようにしているので、
チャネルを狭くしても十分な転送電荷量が得られる。
子全体を１つとして、この中に１つのフォトダイオード
からの信号電荷のみか出力されるようにしているので、
チャネルを狭くしても十分な転送電荷量が得られる。
次に、このような各種の固体撮像素子の一例として、第
９図にショットキーバリアダイオードを光検出器として
用い、垂直電荷転送回路にＣ３Ｄ。
９図にショットキーバリアダイオードを光検出器として
用い、垂直電荷転送回路にＣ３Ｄ。
水平電荷転送回路にＣＣＤを用いた従来の赤外線固体撮
像素子の構成を示す。また、第１０図は光検出器として
ショットキーバリアダイオードを用い、信号電荷の読み
出しをＭＯＳ方式で行う、従来の赤外線固体撮像素子の
構成を示す。さらに、第１１図に光検出器としてショッ
トキーバリアダイオードを用い、垂直および水平電荷転
送回路にＣＣＤを用いた従来の赤外線固体撮像素子の構
成を示す。
像素子の構成を示す。また、第１０図は光検出器として
ショットキーバリアダイオードを用い、信号電荷の読み
出しをＭＯＳ方式で行う、従来の赤外線固体撮像素子の
構成を示す。さらに、第１１図に光検出器としてショッ
トキーバリアダイオードを用い、垂直および水平電荷転
送回路にＣＣＤを用いた従来の赤外線固体撮像素子の構
成を示す。
第９図において、１はＰｔＳｉ／Ｓｉショットキーバリ
アダイオードなどの赤外線検出器、２は信号電荷を転送
するためのＣ３Ｄからなる垂直電荷転送回路、３はＣ３
Ｄを駆動するためのＣ３Ｄスキャナ回路、４は赤外線検
知器１から垂直電荷転送回路２への電荷転送を制御する
ためのトランスファーゲート（ＴＧ）、５はトランスフ
ァーゲート４を駆動するためのＴＧスキャナ回路、６は
トランスファーゲート４とＴＧスキャナ回路５とを接続
するバスライン、７は信号電荷を転送するためのＣＣＤ
からなる水平電荷転送回路、８はＣＣＤを駆動するため
のＣＣＤスキャナ回路、９は出力アンプである。
アダイオードなどの赤外線検出器、２は信号電荷を転送
するためのＣ３Ｄからなる垂直電荷転送回路、３はＣ３
Ｄを駆動するためのＣ３Ｄスキャナ回路、４は赤外線検
知器１から垂直電荷転送回路２への電荷転送を制御する
ためのトランスファーゲート（ＴＧ）、５はトランスフ
ァーゲート４を駆動するためのＴＧスキャナ回路、６は
トランスファーゲート４とＴＧスキャナ回路５とを接続
するバスライン、７は信号電荷を転送するためのＣＣＤ
からなる水平電荷転送回路、８はＣＣＤを駆動するため
のＣＣＤスキャナ回路、９は出力アンプである。
第１０図において、１はＰｔＳｉ／Ｓｉショットキーバ
リアダイオードなどの赤外線検知器、１０は信号電荷読
み出し用の垂直ＭＯＳトランジスタ、１１は垂直ＭＯＳ
）ランジスタ１０の開閉を制御するための垂直スキャナ
回路、１２は垂直ＭＯＳトランジスタ１０と垂直スキャ
ナ回路１１と接続するバスライン、１３は信号電荷読み
出し用の水平ＭＯＳトランジスタ、１４は水平ＭＯＳ）
ランジスタ１３の開閉を制御するための水平スキャナ回
路、１５は水平Ｍｏｓトランジスタ】３と水平スキャナ
回路１４とを接続するバスライン、９は出力アンプであ
る。
リアダイオードなどの赤外線検知器、１０は信号電荷読
み出し用の垂直ＭＯＳトランジスタ、１１は垂直ＭＯＳ
）ランジスタ１０の開閉を制御するための垂直スキャナ
回路、１２は垂直ＭＯＳトランジスタ１０と垂直スキャ
ナ回路１１と接続するバスライン、１３は信号電荷読み
出し用の水平ＭＯＳトランジスタ、１４は水平ＭＯＳ）
ランジスタ１３の開閉を制御するための水平スキャナ回
路、１５は水平Ｍｏｓトランジスタ】３と水平スキャナ
回路１４とを接続するバスライン、９は出力アンプであ
る。
さらに、第１１図において、ｌはＰｔＳｉ／Ｓｉショッ
トキーバリアダイオードなどの赤外線検出器、１３は信
号電荷を転送するためのＣＣＤからなる垂直電荷転送回
路、１４はＣＣＤを駆動するためのＣＣＤスキャナ回路
、４は赤外線検出器ｌがら垂直電荷転送回路１３への電
荷転送を制御するためのトランスファーゲート（ＴＧ）
、１５はトランスファーゲート４を駆動するクロック信
号を入力するための入力ビン、６はトランスファーゲー
ト４と入力ビン１５とを接続するバスライン、７は信号
電荷を転送するためのＣＣＤからなる水平電荷転送回路
、８はＣＣＤを駆動するためのＣＣＤスキャナ回路、９
は出方アンプである。
トキーバリアダイオードなどの赤外線検出器、１３は信
号電荷を転送するためのＣＣＤからなる垂直電荷転送回
路、１４はＣＣＤを駆動するためのＣＣＤスキャナ回路
、４は赤外線検出器ｌがら垂直電荷転送回路１３への電
荷転送を制御するためのトランスファーゲート（ＴＧ）
、１５はトランスファーゲート４を駆動するクロック信
号を入力するための入力ビン、６はトランスファーゲー
ト４と入力ビン１５とを接続するバスライン、７は信号
電荷を転送するためのＣＣＤからなる水平電荷転送回路
、８はＣＣＤを駆動するためのＣＣＤスキャナ回路、９
は出方アンプである。
次に第９図の構成による従来の赤外線撮像素子の動作に
ついて説明する。被写体から放射された赤外線は２次元
アレイ状に配された検出器ｌに入射し、検出器１におい
て光電変換される。このとき生じた信号電荷は、トラン
スファーゲート４を開くことにより垂直電荷転送回路２
へと移される。
ついて説明する。被写体から放射された赤外線は２次元
アレイ状に配された検出器ｌに入射し、検出器１におい
て光電変換される。このとき生じた信号電荷は、トラン
スファーゲート４を開くことにより垂直電荷転送回路２
へと移される。
トランスファーゲート４の開閉は、バスライン６で接続
されているＴＯスキャナ回路５によって制御される。次
いでＣ３Ｄスキャナ回路３を動作させることにより、垂
直電荷転送回路２へ移された信号電荷は、回路２中を同
図下方に転送され、水平電荷転送回路７へと移される。
されているＴＯスキャナ回路５によって制御される。次
いでＣ３Ｄスキャナ回路３を動作させることにより、垂
直電荷転送回路２へ移された信号電荷は、回路２中を同
図下方に転送され、水平電荷転送回路７へと移される。
次にＣＣＤスキャナ回路８を動作させることにより、水
平電荷転送回路７へ移された信号電荷は、回路７中を同
図右方に転送され、出力アンプ９を通じて外部へ取り出
される。２次元アレイ状に配した検出器１からの信号が
順に読みだされることにより、素子に入射した赤外線の
強度分布が赤外画像として表示される。
平電荷転送回路７へ移された信号電荷は、回路７中を同
図右方に転送され、出力アンプ９を通じて外部へ取り出
される。２次元アレイ状に配した検出器１からの信号が
順に読みだされることにより、素子に入射した赤外線の
強度分布が赤外画像として表示される。
次に第１０図の構成による従来の赤外線撮像素子の動作
について説明する。被写体から放射された赤外線が検出
器１に入射し光電変換される動作は、第９図の場合と同
様である。信号電荷の読み出しはＭＯＳ方式で行われ、
垂直スキャナ回路１１で選択された１本の横方向のバス
ライン１２と、 水平スキャナ回路１４で選択された
１本の縦方向のバスライン１５との交点にある検出器ｌ
からの信号電荷が、出力アンプ９を通じて外部へ取り出
される。２次元アレイ状に配した検出器】からの信号が
順に読み出されることにより、素子に入射した赤外線の
強度分布が赤外画像として表示される。
について説明する。被写体から放射された赤外線が検出
器１に入射し光電変換される動作は、第９図の場合と同
様である。信号電荷の読み出しはＭＯＳ方式で行われ、
垂直スキャナ回路１１で選択された１本の横方向のバス
ライン１２と、 水平スキャナ回路１４で選択された
１本の縦方向のバスライン１５との交点にある検出器ｌ
からの信号電荷が、出力アンプ９を通じて外部へ取り出
される。２次元アレイ状に配した検出器】からの信号が
順に読み出されることにより、素子に入射した赤外線の
強度分布が赤外画像として表示される。
次に、第１１図の構成による従来の赤外線撮像素子の動
作について説明する。第１１図の赤外線撮像素子は、上
記第９図の赤外線撮像素子において垂直方向の電荷転送
にＣ３Ｄを用いた代わりに、ＣＣＤを採用している点だ
けが異なっている。したがってその動作は、Ｃ３ＤとＣ
Ｃ８との違いを除けば、基本的に同等のものである。す
なわち、トランスファーゲート４の開閉か入力ピン】５
に印加するクロック信号によって制御される点と、ＣＣ
Ｄから成る垂直電荷転送回路１３がＣＣＤスキャナ回路
１４によって制御される点だけが第９図の赤外線撮像素
子と異なっており、その他の動作は上記第９図の場合と
同様である。
作について説明する。第１１図の赤外線撮像素子は、上
記第９図の赤外線撮像素子において垂直方向の電荷転送
にＣ３Ｄを用いた代わりに、ＣＣＤを採用している点だ
けが異なっている。したがってその動作は、Ｃ３ＤとＣ
Ｃ８との違いを除けば、基本的に同等のものである。す
なわち、トランスファーゲート４の開閉か入力ピン】５
に印加するクロック信号によって制御される点と、ＣＣ
Ｄから成る垂直電荷転送回路１３がＣＣＤスキャナ回路
１４によって制御される点だけが第９図の赤外線撮像素
子と異なっており、その他の動作は上記第９図の場合と
同様である。
第９図および第１０図および第１１図に示した赤外線撮
像素子などの固体撮像素子はシリコンＬＳＩプロセスを
用いて製作されるが、プロセス途中で、バスライン６．
１２．１５のＡＩ配線の断線が発生することがある。
像素子などの固体撮像素子はシリコンＬＳＩプロセスを
用いて製作されるが、プロセス途中で、バスライン６．
１２．１５のＡＩ配線の断線が発生することがある。
第９図および第１１図の赤外線撮像素子においてバスラ
イン６が断線すると、断線箇所より同図右方にあるトラ
ンスファーゲート４が開くことが不可能となり、その部
分の検出器１からの信号電荷は読み出せない。その結果
、バスラインの断線を含んだ固体撮像素子では、出力画
像において第１５図に示すような横方向に不感部分が連
続した画像欠陥Ａが発生する。
イン６が断線すると、断線箇所より同図右方にあるトラ
ンスファーゲート４が開くことが不可能となり、その部
分の検出器１からの信号電荷は読み出せない。その結果
、バスラインの断線を含んだ固体撮像素子では、出力画
像において第１５図に示すような横方向に不感部分が連
続した画像欠陥Ａが発生する。
同様にして、第１０図の赤外線撮像素子においてバスラ
イン１２．１５が断線すると、出力画像において横方向
もしくは縦方向に不感部分が連続した画像欠陥Ａもしく
はＢが発生する。また、ダイオードが不良になった場合
あるいはトランスファーゲートのコンタクト部分がオー
ブンになった場合は黒点欠陥Ｃが発生する。
イン１２．１５が断線すると、出力画像において横方向
もしくは縦方向に不感部分が連続した画像欠陥Ａもしく
はＢが発生する。また、ダイオードが不良になった場合
あるいはトランスファーゲートのコンタクト部分がオー
ブンになった場合は黒点欠陥Ｃが発生する。
このような不良を判別する方法として、従来は、アセン
ブリされた素子を実動作させて出力画像を判定する方法
が取られていた。このため、上記不良を含んだ素子でも
、ウェハテスト工程やアセンブリ工程を経ることになり
、各工程にかがる負担が太き（なっていた。
ブリされた素子を実動作させて出力画像を判定する方法
が取られていた。このため、上記不良を含んだ素子でも
、ウェハテスト工程やアセンブリ工程を経ることになり
、各工程にかがる負担が太き（なっていた。
また、他の不良を判定する手段として、ウェハテストで
素子を実動作させる方法も考えられるか、特にショット
キーバリアダイオードを用いた赤外線撮像素子の場合に
は、検出器を動作させるために７７°に程度の低温に冷
却する必要があり、この温度でのウェハテストは技術的
に極めて困難である。
素子を実動作させる方法も考えられるか、特にショット
キーバリアダイオードを用いた赤外線撮像素子の場合に
は、検出器を動作させるために７７°に程度の低温に冷
却する必要があり、この温度でのウェハテストは技術的
に極めて困難である。
本発明はこのような問題点を解決するためになされたも
ので、素子を実動作させることなく、ウェハテストによ
って横黒ライン不良（縦白ライン不良）、即ちバスライ
ンの断線を判定することのできる固体撮像素子を得るこ
とを目的としている。
ので、素子を実動作させることなく、ウェハテストによ
って横黒ライン不良（縦白ライン不良）、即ちバスライ
ンの断線を判定することのできる固体撮像素子を得るこ
とを目的としている。
上記のような問題点を解決するために、この発明に係る
固体撮像素子は、素子上にバスラインの断線を判定する
ための断線チェック手段を設けたことを特徴としている
。
固体撮像素子は、素子上にバスラインの断線を判定する
ための断線チェック手段を設けたことを特徴としている
。
この発明による固体撮像素子は、素子上にバスラインの
断線を判定する断線チェック回路を設けたため、素子を
実動作させることなく、室温のウェハテストによってバ
スラインの断線を判定することが可能となる。
断線を判定する断線チェック回路を設けたため、素子を
実動作させることなく、室温のウェハテストによってバ
スラインの断線を判定することが可能となる。
以下この発明の実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の第１の実施例によるＣ３Ｄ方式で読
み出しを行う赤外線撮像素子の構成を示す。また第２図
はこの発明のバスライン断線チェック回路の基本構成の
概略を示す。さらに、第３図はこの発明の第２の実施例
によるＭＯＳ方式で読み出しを行う赤外線撮像素子の構
成を示す。
み出しを行う赤外線撮像素子の構成を示す。また第２図
はこの発明のバスライン断線チェック回路の基本構成の
概略を示す。さらに、第３図はこの発明の第２の実施例
によるＭＯＳ方式で読み出しを行う赤外線撮像素子の構
成を示す。
第１図において、１〜９は第９図に示した従来の赤外線
撮像素子と同様のものである。また１６は外部から横方
向の断線チェックをするためのパッド、１７は各バスラ
インとパッド１６とを接続するためのトランジスタ、１
８はトランジスタ１７の開閉を制御するために設けられ
たゲート電圧印加用パッドである。この発明で新たに付
は加えられた１６〜１８の部分かバスラインの断線チェ
ック回路を構成している。
撮像素子と同様のものである。また１６は外部から横方
向の断線チェックをするためのパッド、１７は各バスラ
インとパッド１６とを接続するためのトランジスタ、１
８はトランジスタ１７の開閉を制御するために設けられ
たゲート電圧印加用パッドである。この発明で新たに付
は加えられた１６〜１８の部分かバスラインの断線チェ
ック回路を構成している。
第３図において、■および９〜１５は、第１０図に示し
た従来の赤外線撮像素子と同様のものである。また１９
は外部から横方向のバスライン１２の断線をチェックす
るためのパッド、２０は横方向の各バスラインとパッド
１９とを接続するためのトランジスタ、２１はトランジ
スタ２０の開閉を制御するために設けられたゲート電圧
印加用パッド、２２は外部から縦方向のバスライン１５
の断線をチェックするためのパッド、２３は縦方向の各
バスラインとパッド２２とを接続するためのトランジス
タ、２４はトランジスタ２３の開閉を制御するために設
けられたゲート電圧印加用パッドである。１９〜２１の
部分が横方向のバスラインの断線チェック回路を構成し
ており、２２〜２４の部分が縦方向のバスラインの断線
チェック回路を構成している。
た従来の赤外線撮像素子と同様のものである。また１９
は外部から横方向のバスライン１２の断線をチェックす
るためのパッド、２０は横方向の各バスラインとパッド
１９とを接続するためのトランジスタ、２１はトランジ
スタ２０の開閉を制御するために設けられたゲート電圧
印加用パッド、２２は外部から縦方向のバスライン１５
の断線をチェックするためのパッド、２３は縦方向の各
バスラインとパッド２２とを接続するためのトランジス
タ、２４はトランジスタ２３の開閉を制御するために設
けられたゲート電圧印加用パッドである。１９〜２１の
部分が横方向のバスラインの断線チェック回路を構成し
ており、２２〜２４の部分が縦方向のバスラインの断線
チェック回路を構成している。
次に第１図に示した赤外線撮像素子の動作およびそのテ
スト方法について説明する。
スト方法について説明する。
まず素子の実動作時には、パッド１８と基板とショート
するなどしてトランジスタ１７をオフにする。この時、
断線チェック回路はバスライン６と電気的に切り離され
、第９図に示した従来の赤外線撮像素子と同様の動作に
よって赤外画像が得られる。
するなどしてトランジスタ１７をオフにする。この時、
断線チェック回路はバスライン６と電気的に切り離され
、第９図に示した従来の赤外線撮像素子と同様の動作に
よって赤外画像が得られる。
バスラインの断線を判定する場合は、以下の方法により
ウェハテストを行う。まず、パッド１８にゲート電圧を
印加してトランジスタ１７をオンし、パッド１６とバス
ライン６を接続する。この状態でＴＧスキャナ回路５を
動作させ、スキャナ回路５によって各バスライン６に与
えられるパルス電圧を、パッド１６からモニタする。Ｔ
Ｇスキャナ回路５は通常、素子の実動作時においては、
１本の選択バスラインにハイレベル、残りの非選択バス
ラインにロウレベルを与えるものであるか、断線チェッ
ク回路を接続した状態ではこの回路を通じて選択バスラ
インから非選択バスラインへ電流が流れ、正常なスキャ
ナ動作が行われない。そこで、このテストの際には、非
選択のバスラインにロウレベルを与える代わりに、これ
らのバスラインをオーブンとしておく。パッド１６から
モニタされるパルスは、バスラインの断線がなければス
キャナ回路５から送られるパルスがそのまま観測される
が、バスラインが断線している場合には断線の本数に応
じてパルスの欠落が生じる。これにより、バスラインの
断線を判定することができる。
ウェハテストを行う。まず、パッド１８にゲート電圧を
印加してトランジスタ１７をオンし、パッド１６とバス
ライン６を接続する。この状態でＴＧスキャナ回路５を
動作させ、スキャナ回路５によって各バスライン６に与
えられるパルス電圧を、パッド１６からモニタする。Ｔ
Ｇスキャナ回路５は通常、素子の実動作時においては、
１本の選択バスラインにハイレベル、残りの非選択バス
ラインにロウレベルを与えるものであるか、断線チェッ
ク回路を接続した状態ではこの回路を通じて選択バスラ
インから非選択バスラインへ電流が流れ、正常なスキャ
ナ動作が行われない。そこで、このテストの際には、非
選択のバスラインにロウレベルを与える代わりに、これ
らのバスラインをオーブンとしておく。パッド１６から
モニタされるパルスは、バスラインの断線がなければス
キャナ回路５から送られるパルスがそのまま観測される
が、バスラインが断線している場合には断線の本数に応
じてパルスの欠落が生じる。これにより、バスラインの
断線を判定することができる。
次に、第３図に示した赤外線撮像素子の動作およびテス
ト方法について説明する。
ト方法について説明する。
第３図に示す赤外線撮像素子において新たに付加された
２組の断線チェック回路１９〜２１および２２〜２４は
、どちらも第１図に示す赤外線撮像素子に付加された断
線チェック回路１６〜１８と全く同じ構成をしている。
２組の断線チェック回路１９〜２１および２２〜２４は
、どちらも第１図に示す赤外線撮像素子に付加された断
線チェック回路１６〜１８と全く同じ構成をしている。
従って、上記で説明した第１図の場合と同様の方法でテ
ストが行える。
ストが行える。
すわなち、素子の動作時には、パッド２１．２４を基板
とショートするなどしてトランジスタ２０．２３をオフ
にする。この時、２つの断線チェック回路はバスライン
１２．１５と電気的に切り離され、第１０図に示した従
来の赤外線撮像素子と同様の動作によって赤外画像が得
られる。
とショートするなどしてトランジスタ２０．２３をオフ
にする。この時、２つの断線チェック回路はバスライン
１２．１５と電気的に切り離され、第１０図に示した従
来の赤外線撮像素子と同様の動作によって赤外画像が得
られる。
また、横方向のバスラインの断線を判定する゛場合には
、第１図と同様の方法によって垂直スキャナ回路１１か
らのパルスをパッド１９よりモニタし、縦方向のバスラ
インの断線を判定する場合には、水平スキャナ回路１４
からのパルスをパッド２２よりモニタすれば良い。
、第１図と同様の方法によって垂直スキャナ回路１１か
らのパルスをパッド１９よりモニタし、縦方向のバスラ
インの断線を判定する場合には、水平スキャナ回路１４
からのパルスをパッド２２よりモニタすれば良い。
第１の実施例と第２の実施例においては、どのバスライ
ンが断線しているかを判定する場合に適しており、以下
に示す第３ないし第５の実施例は単に断線しているかど
うかを判定する場合のチェック回路である。このような
第３ないし第５の実施例について説明する。
ンが断線しているかを判定する場合に適しており、以下
に示す第３ないし第５の実施例は単に断線しているかど
うかを判定する場合のチェック回路である。このような
第３ないし第５の実施例について説明する。
まず、第４図はこの発明の第３の実施例によるＣ３Ｄ方
式で読み出しを行う赤外線撮像素子の構成を示す。また
第５図および第６図は；の発明のバスライン断線チェッ
ク回路の基本構成の概略図を示す。また第７図はこの発
明の第４の実施例によるＣＣＤ方式で読み出しを行う赤
外線撮像素子の構成を示す。さらに第８図はこの発明の
第５の実施例によるＭＯＳ方式で読み出しを行う赤外線
撮像素子の構成を示す。
式で読み出しを行う赤外線撮像素子の構成を示す。また
第５図および第６図は；の発明のバスライン断線チェッ
ク回路の基本構成の概略図を示す。また第７図はこの発
明の第４の実施例によるＣＣＤ方式で読み出しを行う赤
外線撮像素子の構成を示す。さらに第８図はこの発明の
第５の実施例によるＭＯＳ方式で読み出しを行う赤外線
撮像素子の構成を示す。
第４図において、１〜９は第９図に示した従来のＣ３Ｄ
方式の赤外線撮像素子の場合と同様のものである。また
、１０は外部からバスラインの断線をチェックするため
の２個パッド、Ｌｌは全バスライン６と２個のパッド１
０とを直列に接続するための接続トランジスタ、１２は
接続トランジスタ１１の開閉を制御するために設けられ
たゲート電圧印加用パッドである。この実施例で新たに
付は加えられた１０〜１２の部分が、バスラインの断線
チェック回路を構成している。
方式の赤外線撮像素子の場合と同様のものである。また
、１０は外部からバスラインの断線をチェックするため
の２個パッド、Ｌｌは全バスライン６と２個のパッド１
０とを直列に接続するための接続トランジスタ、１２は
接続トランジスタ１１の開閉を制御するために設けられ
たゲート電圧印加用パッドである。この実施例で新たに
付は加えられた１０〜１２の部分が、バスラインの断線
チェック回路を構成している。
第５図および第６図は、このバスライン断線チェック回
路を抜き出して示したもので、同図において、６はｎ本
のバスライン、１０−１２は第４図の場合と同様のもの
である。
路を抜き出して示したもので、同図において、６はｎ本
のバスライン、１０−１２は第４図の場合と同様のもの
である。
また、第７図において１．４．６〜９および１３〜１５
は第１Ｉ図に示した従来のＣＣＤ方式の赤外線撮像素子
の場合と同様のものである。また、ｌＯ〜１２は第５図
に示した断線チェック回路であり、１６は横方向の各バ
スライン６と入力ピン１５とを接続するための接続トラ
ンジスタ、１７は接続トランジスタ１６の開閉を制御す
るために設けられたゲート電圧印加用パッドである。
は第１Ｉ図に示した従来のＣＣＤ方式の赤外線撮像素子
の場合と同様のものである。また、ｌＯ〜１２は第５図
に示した断線チェック回路であり、１６は横方向の各バ
スライン６と入力ピン１５とを接続するための接続トラ
ンジスタ、１７は接続トランジスタ１６の開閉を制御す
るために設けられたゲート電圧印加用パッドである。
さらに、第８図において１．６ａ、６ｂ、９および１８
〜２１は、第１０図に示した従来のＭＯＳ方式の赤外線
撮像素子の場合と同様のものである。また、１０ａ 〜
１２ａおよびｌＯｂ 〜１２ｂはそれぞれ第５図に示し
た断線チェック回路である。
〜２１は、第１０図に示した従来のＭＯＳ方式の赤外線
撮像素子の場合と同様のものである。また、１０ａ 〜
１２ａおよびｌＯｂ 〜１２ｂはそれぞれ第５図に示し
た断線チェック回路である。
次に、第４図に示したＣ３Ｄ方式の赤外線撮像素子の動
作およびテスト方法について説明する。
作およびテスト方法について説明する。
まず素子の実動作時には、パッド１２を基板とショート
するなどしてトランジスタ１１をオフにする。この時、
断線チェック回路はバスライン６と電気的に切り離され
、第９図に示した従来の赤外線撮像素子と同様の動作に
よって赤外画像が得られる。
するなどしてトランジスタ１１をオフにする。この時、
断線チェック回路はバスライン６と電気的に切り離され
、第９図に示した従来の赤外線撮像素子と同様の動作に
よって赤外画像が得られる。
バスラインの断線を判別する場合は、以下の方法により
ウェハテストを行う。まず、Ｃ３Ｄスキャナ回路３およ
びＴＧスキャナ回路５を電気的に切り離しておく。この
状態では、第４図の回路は第５図に示した回路と電気的
に等価である。第５図において、パッド１２にゲート電
圧を印加して接続トランジスタ１１をオンし、２個のパ
ッドｌＯとｎ本のバスライン６を直列に接続する。この
状態で、２個のパッド１０の間の導通をチェックするこ
とによりバスラインの断線を判別できる。
ウェハテストを行う。まず、Ｃ３Ｄスキャナ回路３およ
びＴＧスキャナ回路５を電気的に切り離しておく。この
状態では、第４図の回路は第５図に示した回路と電気的
に等価である。第５図において、パッド１２にゲート電
圧を印加して接続トランジスタ１１をオンし、２個のパ
ッドｌＯとｎ本のバスライン６を直列に接続する。この
状態で、２個のパッド１０の間の導通をチェックするこ
とによりバスラインの断線を判別できる。
第５図では、ｎ本のバスライン６に対して（ｎ＋１）個
の接続トランジスタ１１を用いて断線チェック回路を構
成しているが、第４図に示すように、両端の２個を除い
た（ｎ−１）個の接続トランジスタ１１によって断線チ
ェック回路を構成することも可能である。
の接続トランジスタ１１を用いて断線チェック回路を構
成しているが、第４図に示すように、両端の２個を除い
た（ｎ−１）個の接続トランジスタ１１によって断線チ
ェック回路を構成することも可能である。
次に、第７図に示したＣＣＤ方式の赤外線撮像素子の動
作およびテスト方法について説明する。
作およびテスト方法について説明する。
まず素子の実動作時には、パッド１２を基板とショート
するなどしてトランジスタ１１をオフにして、断線チェ
ック回路をバスライン６と電気的に切り離す。さらに、
パッド１７にゲート電圧を印加して接続トランジスタ１
６をオンし、クロック入力ピン１５と各バスライン６と
を並列に接続する。この状態で、第７図の回路は第１１
図に示した従来の赤外線撮像素子と電気的に等価となり
、第１１図と同様の動作によって赤外画像か得られる。
するなどしてトランジスタ１１をオフにして、断線チェ
ック回路をバスライン６と電気的に切り離す。さらに、
パッド１７にゲート電圧を印加して接続トランジスタ１
６をオンし、クロック入力ピン１５と各バスライン６と
を並列に接続する。この状態で、第７図の回路は第１１
図に示した従来の赤外線撮像素子と電気的に等価となり
、第１１図と同様の動作によって赤外画像か得られる。
また、バスラインの断線を判定する場合は、パッド１７
を基板とショートするなどして接続トランジスタ１６を
オフにして各バスラインの並列接続を切り、さらに、Ｃ
ＣＤスキャナ回路１４を電気的に切り離しておく。この
状態で、第７図の回路は第５図に示した回路と電気的に
等価となり、第５図と同様の方法によりバスラインの断
線を判定できる。
を基板とショートするなどして接続トランジスタ１６を
オフにして各バスラインの並列接続を切り、さらに、Ｃ
ＣＤスキャナ回路１４を電気的に切り離しておく。この
状態で、第７図の回路は第５図に示した回路と電気的に
等価となり、第５図と同様の方法によりバスラインの断
線を判定できる。
次に、第８図に示したＭＯＳ方式の赤外線撮像素子の動
作およびテスト方法について説明する。
作およびテスト方法について説明する。
ＭＯＳ方式の赤外線撮像素子は、横方向と縦方向の２組
のバスライン６ａおよび６ｂを持っている。そこで、第
８図に示した赤外線撮像素子は、第１Ｏ図の従来のＭＯ
Ｓ方式の赤外線撮像素子に、第５図に示した断線チェッ
ク回路を横方向と縦方向の２組付加した構成としている
。素子の実動作には、２組の断線チェック回路１０ａ〜
１２ａおよび１０ｂ〜１２ｂの接続を切れば、第１０図
と同様の動作により赤外画像が得られる。また、垂直ス
キャナ回路１９および水平スキャナ回路２１の電気的接
続を切れば、第８図の回路は第５図に示した断線チェッ
ク回路が２組あるのと等価となり、各方向について第５
図と同様の方法によりバスラインの断線を判別できる。
のバスライン６ａおよび６ｂを持っている。そこで、第
８図に示した赤外線撮像素子は、第１Ｏ図の従来のＭＯ
Ｓ方式の赤外線撮像素子に、第５図に示した断線チェッ
ク回路を横方向と縦方向の２組付加した構成としている
。素子の実動作には、２組の断線チェック回路１０ａ〜
１２ａおよび１０ｂ〜１２ｂの接続を切れば、第１０図
と同様の動作により赤外画像が得られる。また、垂直ス
キャナ回路１９および水平スキャナ回路２１の電気的接
続を切れば、第８図の回路は第５図に示した断線チェッ
ク回路が２組あるのと等価となり、各方向について第５
図と同様の方法によりバスラインの断線を判別できる。
上記の説明は検出器１としてショットキーバリアダイオ
ードを用いた赤外線撮像素子について行ったが、他の検
出器を用いた赤外線撮像素子および可視撮像素子でも同
様の効果がある。
ードを用いた赤外線撮像素子について行ったが、他の検
出器を用いた赤外線撮像素子および可視撮像素子でも同
様の効果がある。
また、信号の読みだし方式として、ＣＳＤ方式。
ＣＣＤ方式、ＭＯＳ方式の３種について説明を行ったが
、これ以外の読みだし方式をとる固体撮像素子において
も、横方、向あるいは縦方向のバスラインを有するもの
であれば、第５図もしくは第６図の断線チェック回路を
用いてバスラインの断線をチェックできる効果がある。
、これ以外の読みだし方式をとる固体撮像素子において
も、横方、向あるいは縦方向のバスラインを有するもの
であれば、第５図もしくは第６図の断線チェック回路を
用いてバスラインの断線をチェックできる効果がある。
このように本実施例では、素子上にバスラインの断線を
判定する断線チェック回路を設けたので、素子を実動作
させることなく、ウェハテストによって、第１および第
２の実施例ではどのバスラインが断線しているかを判定
することができるとともに、第３ないし第４の実施例で
は単にバスラインの断線を判定することができ、ウェハ
テスト工程やアセンブリ工程の負担が低減され、さらに
上記のテストによって断線しているバスラインの同定を
行うことができ、不良解析にも有効である。
判定する断線チェック回路を設けたので、素子を実動作
させることなく、ウェハテストによって、第１および第
２の実施例ではどのバスラインが断線しているかを判定
することができるとともに、第３ないし第４の実施例で
は単にバスラインの断線を判定することができ、ウェハ
テスト工程やアセンブリ工程の負担が低減され、さらに
上記のテストによって断線しているバスラインの同定を
行うことができ、不良解析にも有効である。
以上のように、この発明に係る固体撮像素子によれば、
素子上にバスラインの断線を判定する断線チェック回路
を設けたので、素子を実動作させることなく、ウェハテ
ストによってバスラインの断線を判定することが可能と
なり、ウェハテスト工程やアセンブリ工程の負担が低減
されるなどの効果がある。さらに上記のテストによって
断線しているバスラインの同定を行うことかでき、不良
解析にも有効であるという効果が得られる。
素子上にバスラインの断線を判定する断線チェック回路
を設けたので、素子を実動作させることなく、ウェハテ
ストによってバスラインの断線を判定することが可能と
なり、ウェハテスト工程やアセンブリ工程の負担が低減
されるなどの効果がある。さらに上記のテストによって
断線しているバスラインの同定を行うことかでき、不良
解析にも有効であるという効果が得られる。
第１図はこの発明の第１の実施例によるＣ３Ｄ方式で読
み出しを行う赤外線撮像素子の構成を示す構成図、第２
図はこの発明の第１の実施例によるバスライン断線チェ
ック回路の基本構成の概略を示す概略図、第３図はこの
発明の第２の実施例によるＭＯＳ方式で読み出しを行う
赤外線撮像素子の構成を示す構成図、第４図はこの発明
の第３の実施例によるＣ３Ｄ方式で読み出しを行う赤外
線撮像素子の構成を示す構成図、第５図および第６図は
この発明のバスライン断線チェック回路の基本構成の概
略を示す概略図、第７図はこの発明の第４の実施例によ
るＣＣＤ方式の赤外線撮像素子の構成を示す構成図、第
８図はこの発明の第５の実施例によるＭＯＳ方式の赤外
線撮像素子の構成を示す構成図、第９図は従来例による
ＣＳＤ方式の赤外線撮像素子の構成図、第１０図は従来
例によるＭＯＳ方式の赤外線撮像素子の構成を示す構成
図、第１１図は従来例によるＣＣＤ方式の赤外線撮像素
子の構成を示す構成図、第１２図は赤外線撮像装置のブ
ロックを示すブロック図、第１３図はＣ３Ｄ方式による
信号電荷の転送を示す図、第１４図はＣ３Ｄ方式による
信号電荷の転送を示す図、第１５図は出力画像の画像欠
陥を示す図である。 図において、１はＰｔＳｉ／Ｓｉショットキーバリアダ
イオードなどの赤外線検出器、２はＣ３Ｄから成る垂直
電荷転送回路、３はＣ３Ｄスキャナ回路、４はトランス
ファーゲート、５はＴＧスキャナ回路、６はバスライン
、７はＣＣＤから成る水平電荷転送回路、８はＣＣＤス
キャナ回路、９は出力アンプ、１０は垂直ＭＯＳ）−ラ
ンジスタ、１１は垂直スキャナ回路、１２はバスライン
、】３は水平ＭＯＳトランジスタ、１４は水平スキャナ
回路、１５はバスライン、１６は断線チェック用パッド
、１７は接続用トランジスタ、１８はゲート電圧印加用
パッド、１９は断線チェック用パッド、２０は接続用ト
ランジスタ、２１はゲート電圧印加用パッド、２２は断
線チェック用パッド、２３は接続用トランジスタ、２４
はゲート電圧印加用パッド、２５はクロック入力ピンで
ある。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
み出しを行う赤外線撮像素子の構成を示す構成図、第２
図はこの発明の第１の実施例によるバスライン断線チェ
ック回路の基本構成の概略を示す概略図、第３図はこの
発明の第２の実施例によるＭＯＳ方式で読み出しを行う
赤外線撮像素子の構成を示す構成図、第４図はこの発明
の第３の実施例によるＣ３Ｄ方式で読み出しを行う赤外
線撮像素子の構成を示す構成図、第５図および第６図は
この発明のバスライン断線チェック回路の基本構成の概
略を示す概略図、第７図はこの発明の第４の実施例によ
るＣＣＤ方式の赤外線撮像素子の構成を示す構成図、第
８図はこの発明の第５の実施例によるＭＯＳ方式の赤外
線撮像素子の構成を示す構成図、第９図は従来例による
ＣＳＤ方式の赤外線撮像素子の構成図、第１０図は従来
例によるＭＯＳ方式の赤外線撮像素子の構成を示す構成
図、第１１図は従来例によるＣＣＤ方式の赤外線撮像素
子の構成を示す構成図、第１２図は赤外線撮像装置のブ
ロックを示すブロック図、第１３図はＣ３Ｄ方式による
信号電荷の転送を示す図、第１４図はＣ３Ｄ方式による
信号電荷の転送を示す図、第１５図は出力画像の画像欠
陥を示す図である。 図において、１はＰｔＳｉ／Ｓｉショットキーバリアダ
イオードなどの赤外線検出器、２はＣ３Ｄから成る垂直
電荷転送回路、３はＣ３Ｄスキャナ回路、４はトランス
ファーゲート、５はＴＧスキャナ回路、６はバスライン
、７はＣＣＤから成る水平電荷転送回路、８はＣＣＤス
キャナ回路、９は出力アンプ、１０は垂直ＭＯＳ）−ラ
ンジスタ、１１は垂直スキャナ回路、１２はバスライン
、】３は水平ＭＯＳトランジスタ、１４は水平スキャナ
回路、１５はバスライン、１６は断線チェック用パッド
、１７は接続用トランジスタ、１８はゲート電圧印加用
パッド、１９は断線チェック用パッド、２０は接続用ト
ランジスタ、２１はゲート電圧印加用パッド、２２は断
線チェック用パッド、２３は接続用トランジスタ、２４
はゲート電圧印加用パッド、２５はクロック入力ピンで
ある。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (3)
- （１）半導体基板上に２次元アレイ状に形成された複数
の光検出器と、 信号電荷を垂直方向および水平方向に転送するための２
組の電荷転送回路と、 光検出器から１組の電荷転送回路への電荷転送を制御す
るための複数のトランスファーゲートと、該トランスフ
ァーゲートの開閉を制御するためのスキャナ回路と、 上記トランスファーゲートとスキャナ回路を接続するた
めの複数のバスラインとを備えた固体撮像素子において
、 上記各バスラインに直列に接続された複数のトランジス
タと、このトランジスタを介して上記バスラインに接続
されるテスト用パッドと、トランジスタの開閉を制御す
るための電圧印加用パッドとからなるバスライン断線チ
ェック手段を備えたことを特徴とする固体撮像素子。 - （２）半導体基板上に２次元アレイ状に形成された複数
の光検出器と、 該各光検出器に接続された複数の信号電荷読み出し用Ｍ
ＯＳトランジスタと、 信号電荷の読み出しを制御するための垂直および水平方
向の２組のスキャナ回路と、 信号電荷読み出し用ＭＯＳトランジスタとスキャナ回路
を接続するための垂直および水平方向の複数のバスライ
ンとを備えたＭＯＳ方式の固体撮像素子において、 上記各バスラインに直列に接続された複数のトランジス
タと、このトランジスタを介して上記バスラインに接続
されるテスト用パッドと、トランジスタの開閉を制御す
るための電圧印加用パッドとからなるバスライン断線チ
ェック手段を、垂直方向用と水平方向用の少なくとも一
組備えたことを特徴とする固体撮像素子。 - （３）半導体基板上に２次元アレイ状に形成された複数
の光検出器と、 信号電荷を垂直方向および水平方向に読み出すための２
組の信号電荷読み出し回路と、 光検出器から信号電荷読み出し回路への電荷転送を制御
するための複数のゲートトランジスタと、ゲートトラン
ジスタの開閉を制御するためのスキャナ回路もしくは外
部クロック入力ピンと、ゲートトランジスタとスキャナ
回路もしくは外部クロック入力ピンを接続するための複
数のバスラインとを備えた固体撮像素子において、 横方向もしくは縦方向の各バスラインを直列に接続する
ための複数の接続トランジスタと、この接続トランジス
タを介して接続されたバスラインの両端に設けられた２
個のテスト用パッドと、この接続トランジスタの開閉を
制御するためのゲート電圧印加用パッドとからなるバス
ライン断線チェック手段を、少なくとも１組備えたこと
を特徴とする固体撮像素子。
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