JPH04175243A - 抵抗体 - Google Patents
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- JPH04175243A JPH04175243A JP30493290A JP30493290A JPH04175243A JP H04175243 A JPH04175243 A JP H04175243A JP 30493290 A JP30493290 A JP 30493290A JP 30493290 A JP30493290 A JP 30493290A JP H04175243 A JPH04175243 A JP H04175243A
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Landscapes
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【産業上の利用分野Ｊ
この発明は、耐酸性に優れ、融点の低いガラス組成物の
層を備えた抵抗体に関するものである。 【従来の技術】 第１図は、従来から知られている抵抗体（チップ抵抗）
の−１１Ｉ造例を示すものである。この例の抵抗体を製
造するには、まず、アルミナ製などの基板１の両端部側
にＡｇ１ｌの主電極２を印刷上焼成（８５０℃加熱）？
こより形成し、続いて抵抗層３をペースト印刷と焼成（
８５０℃加熱）により形成する。次？こ、ガラス皮Ｈ４
を印刷と焼成（５８０〜６２０℃加熱）により形成し、
トリミングを行って抵抗値を均質化する。続いてガラス
皮膜７を印刷と焼成（５８０〜６２０℃加熱）により形
成し、抵抗値表示用のマーキングガラスを印刷と焼成（
５８０〜６２０℃加熱）を行ってマーキングガラス８を
形成し、更に基板ｌの両側面に電極９を印刷を形成し、
最後にめっき処理を行って完成している。
層を備えた抵抗体に関するものである。 【従来の技術】 第１図は、従来から知られている抵抗体（チップ抵抗）
の−１１Ｉ造例を示すものである。この例の抵抗体を製
造するには、まず、アルミナ製などの基板１の両端部側
にＡｇ１ｌの主電極２を印刷上焼成（８５０℃加熱）？
こより形成し、続いて抵抗層３をペースト印刷と焼成（
８５０℃加熱）により形成する。次？こ、ガラス皮Ｈ４
を印刷と焼成（５８０〜６２０℃加熱）により形成し、
トリミングを行って抵抗値を均質化する。続いてガラス
皮膜７を印刷と焼成（５８０〜６２０℃加熱）により形
成し、抵抗値表示用のマーキングガラスを印刷と焼成（
５８０〜６２０℃加熱）を行ってマーキングガラス８を
形成し、更に基板ｌの両側面に電極９を印刷を形成し、
最後にめっき処理を行って完成している。
ところが、前記のガラス皮膜７を印刷して焼成する工程
から、電極９を形成する工程においで、焼成時の熱によ
り各層の抵抗値が変化することがあり、高精度品の商品
化ができずに歩留りか悪い問題があった。これは、各層
を構成するガラス組成物の融点が高く、焼成温度が高い
ために、高温に加熱して焼成している間に先に形成した
層の抵抗値が変動することか原因と思われる。なお、抵
抗値の変化を抑えるには、低温で焼成できるガラス皮膜
があれば良いことになる。 なお、前記めっき処理工程においては、酸性の溶液に抵
抗体を浸漬することになるので、酸によっで、各層が侵
されるおそれが高かった。しかし、低融点ガラス組成物
は、酸に弱いものが多いので、低温で＃！或でき、かつ
、耐酸性に優れたガラス組成物の層を有する抵抗体の登
場が期待されている。 本発明は前記課題を解決するためになされたもので、製
造時に焼成工程を経る抵抗体としで、あるいは、製造時
に酸に浸漬される工程を経る抵抗体として好適であっで
、耐酸性に優れ、融点の低いガラス組成物の層を有する
抵抗体の提供を目的とする。
から、電極９を形成する工程においで、焼成時の熱によ
り各層の抵抗値が変化することがあり、高精度品の商品
化ができずに歩留りか悪い問題があった。これは、各層
を構成するガラス組成物の融点が高く、焼成温度が高い
ために、高温に加熱して焼成している間に先に形成した
層の抵抗値が変動することか原因と思われる。なお、抵
抗値の変化を抑えるには、低温で焼成できるガラス皮膜
があれば良いことになる。 なお、前記めっき処理工程においては、酸性の溶液に抵
抗体を浸漬することになるので、酸によっで、各層が侵
されるおそれが高かった。しかし、低融点ガラス組成物
は、酸に弱いものが多いので、低温で＃！或でき、かつ
、耐酸性に優れたガラス組成物の層を有する抵抗体の登
場が期待されている。 本発明は前記課題を解決するためになされたもので、製
造時に焼成工程を経る抵抗体としで、あるいは、製造時
に酸に浸漬される工程を経る抵抗体として好適であっで
、耐酸性に優れ、融点の低いガラス組成物の層を有する
抵抗体の提供を目的とする。
請求項】に記載した発明は前記課題を解決するために、
ガラス組成物を含むガラス皮膜とマーキングガラスなど
が基板上に積層され、基板の両端部に電極が形成されて
なる抵抗体においで、前記ガラス皮膜とマーキングガラ
スと電極に含まれるガラス組成物に含まれるガラス組成
物がＰｂＯとＳｉｎｇとＲＯとを主成分とするベースガ
ラスに、■、０５とＦ ｅｔｏ ３とＣｒｔ○、とＣｕ
Ｏのうち、少なくとも１種以上を添加してなるものであ
る請求項２に記載した発明は前記課題を解決するために
、ガラス組成物を含むガラス皮膜とマーキングガラスな
どが基板上に積層され、基板の両端部に電極が形成され
てなる抵抗体においで、前記ガラス皮膜とマーキングガ
ラスと電極に含まれるガラス組成物が、ＰｂＯとＳｉｎ
ｇとＲＯとを主成分とするベースガラスにＶ ｔ Ｏｓ
とＦｅ２０ｓとＣｒ。 ０、とＣｕＯのうち、少なくとも１種以上を添加してな
るガラス組成物と４０重量％を越えないｐｂ’ｌ’ ｉ
０ ｓとの混合物からなるものである。 請求項３に記載した発明は前記課題を解決するために、
ガラス組成物を含むガラス皮膜とマーキングガラスなど
が基板上に積層され、基板の両端部にＩ！極か形成され
てなる抵抗体においで、前記ガラス皮膜とマーキングガ
ラスと電極に含まれるガラス組成物を、モル％で、下記
酸化物、２１゜３７≦ＰｂＯ≦４５．３１，４２．５５
≦ＳｉＯ＊≦６６５４．６≦ＲＯ≦１２．０＜Ｖ２Ｏ５
≦２．５の組成成分からなるようにしたものである。 請求項４に記載した発明は前記課題を解決するために、
ガラス組成物を含むガラス皮膜とマーキングガラスなど
が基板上に積層され、基板の両端部に電極が形成されて
なる抵抗体においで、前記ガラス皮膜とマーキングガラ
スと電極に含まれるガラス組成物が、モル％で、下記酸
化物、２１゜３７ ≦ｐｂｏ≦４５．３１１４２．５’
５≦５ｔＯｔ≦６６５４、６≦ＲＯ≦ １２、０＜Ｖ２
Ｏ５≦２．５．０＜ＱＯ≦２．０の組成成分からなるよ
うにしたものである。 請求項５に記載した発明は前記課題を解決するために、
ガラス組成物を含むガラス皮膜とマーキングガラスなど
が基板上に積層され、基板の両端部に電極が形成されて
なる抵抗体においで、前記ガラス皮膜とマーキングガラ
スと電極に含まれるガラス組成物が、モル％で、下記酸
化物、２１゜３７≦ｐｂｏ≦４５．３１．４２．５５≦
５ｉｆｔ≦６６．５４．６≦ＲＯ≦１２、Ｏ＜Ｃｒ＊０
３≦１．０の組成成分からなるようにしたものである。 請求項６に記載した発明は前記課題を解決するたぬに、
ガラス組成物を含むガラス皮膜とマーキングガラスなど
が基板上に積層され、基板の両端部に電極が形成されて
なる抵抗体においで、前記ガラス皮膜とマーキングガラ
スと電極に含まれるガラス組成物が、モル％で、下記酸
化物、２１゜３７≦ＰｂＯ≦４５．３１．４２．５５≦
５ｉｆｔ≦６６．５４．６≦ＲＯ≦１２−１０＜Ｆｅ、
Ｏ，≦１゜５の組成成分からなるようにしたものである
。 請求項７に記載した発明は前記課題を解決するために、
ガラス組成物を含むガラス皮膜とマーキングガラスなど
が基板上に積層され、基板の両端部に電極が形成されて
なる抵抗体においで、前記ガラス皮膜とマーキングガラ
スと電極に含まれるガラス組成物が、モル％で、下記酸
化物、２１゜３７≦ＰｂＯ≦４５．３１．４２．５５≦
５ｒＯｔ≦６６５４．６≦Ｒ○≦１２、Ｏ＜ＣｒｔＯｚ
＋Ｆｅｔ０３≦１．５の組成成分からなるようにしたも
のである。 請求項８に記載した発明は前記課題を解決するために、
ガラス組成物を含むガラス皮膜とマーキングガラスなど
が基板上に積層され、基板の両端部に電極が形成されて
なる抵抗体においで、前記ガラス皮膜とマーキングガラ
スと電極に含まれるガラス組成物が、モル％で、下記酸
化物、２１゜３７≦ＰｂＯ≦４５．３１．４２．５５≦
５ｉＯｔ≦６６．５４．６≦ＲＯ≦１２．０＜ＣｕＯ≦
２．５の組成成分からなるようにしたものである。 請求項９に記載した発明は前記課題を解決するために、
ガラス組成物を含むガラス皮膜とマーキングガラスなど
が基板上に積層され、基板の両端部に電極が形成されて
なる抵抗体においで、前記ガラス皮膜とマーキングガラ
スと電極に含まれるガラス組成物が、モル％で、下記酸
化物、２１３７≦Ｐｂ○≦４５．３１．４２．５５≦５
ｉＯｚ≦６６．５４．６≦ＲＯ≦１２．０＜ＣｕＯ≦２
５．０＜Ｑ’Ｏ≦２０の組成成分からなるようにしたも
のである。 以下に本発明を更に詳細に説明する。 第１図は本発明に係る抵抗体の一実施例を示すもので、
この例の抵抗体の基本構造は従来例の抵抗体とほぼ同等
である。 即ち、１１図においで、１は基板、２は主電極、３は抵
抗層、４はガラス皮膜、７はガラス皮膜、８は抵抗値表
示用のマーキングガラス、９はｉ！極をそれぞれ示して
いる。 この実施例の抵抗体においては、基板ｌはアルミナから
、主電極２はＡｇなどの良導電性の金属材料とガラス組
成物から、抵抗層３は、酸化ルテニウム等の導電性粒子
とガラス組成物と顔料との混合物から、ガラス皮膜４は
ガラス組成物から、ガラス皮膜７は後述のガラス組成物
とＰｂＴｉＯｓと顔料との混合物から、マーキングガラ
ス８は後述のガラス組成物と顔料の混合物から、電極９
はＡｇなどの導電性金属材料と後述のガラス組成物の混
合物からそれぞれ形成されている。即ち、本願発明にお
いては、抵抗体のガラス皮膜４．７とマーキングガラス
８と電極９に用いるガラス組成物として特別の組成のも
のを用いている。 なお、ガラス皮膜の場合は後述の組成のガラス組成物の
みでは、熱膨張係数が高いので、４０重量％より少ない
範囲でＰｂＴｉ０ａと複合することが好ましい。このよ
うにＰ ｂＴ ｉｏ ｓとの複合化によっで、熱膨張係
数を低くした上で電気絶縁性を向上させることもできる
。Ｐ ｂＴ ｉＯｓ粉末はＰｂＯ粉末とＴ ｉ Ｏｘ粉
末とを混合して混合粉末とした後にこの混合粉末を加圧
成形し、密閉容器内で１０００〜１２００℃で加熱焼成
し、焼成後に粉砕して得ることができる。 このように得られたＰ ｂＴ ｉｏ ３粉末と後述の組
成のガラス組成物の粉末と顔料とを混合し、混合物を印
刷により基板上に順次積層し、焼成するならば、目的の
抵抗体を得ることができる。 ところで、前記抵抗体のガラス皮膜４．７と電極９とマ
ーキングガラス８に用いられているガラス組成物は、以
下に示す組成のものを用いることができる。 第１のガラス組成物としで、ＰｂＯと５ｉｆｔとＲＯ（
ただし、前５己ＲＯはＬｌｔＯ，ＮａｚＯ，５ｂｙＯｓ
のいずれか１種または２種以上を示す。）とからなるベ
ースガラスに、Ｖ２Ｏ５とＦｅｔｕｓとＣｒ＊ＯｓとＣ
ｕＯのうち、少なくとも１種以上を添加してなるものを
用いることができる。 第２のガラス組成物としで、組成のベースガラスに対し
、Ｖ、ＯＳとＦｅｔｕｓとＣｒｈｏ ｓｈ Ｃｕｏのう
ち、少なくとも１種以上を添加してなるガラス組成物と
４０重量％を越えないＰ ｂＴ ｉｏ ｓとの混合物を
含むものを用いることができる。 第３のガラス組成物としで、モル％で下記酸化物を、下
記の範囲の組成酸分、２１．３７≦Ｐｂ。 ≦４５．３１．４２．５５≦Ｓ ＋ Ｏｚ≦６６．５４
．６≦ＲＯ≦１２の組成のベースガラスに０ ＜ ｖ
ｔＯ２≦２，５、を添加したものを用いることができる
。 ここでＰｂＯと５ｉＯｔはベースガラスを構成するため
の主要成分であり、ＰｂＯを２１３７モル％より少なく
するが、５ｉＯｙを６６．５４モル％より多くすると、
低融点のガラス組成物が得られない。また、ＰｂＯを４
５．３１モル％より多くするが、Ｓ１０．を４２．５５
モル％よりも少なくすると耐酸性の良好なベースガラス
が得られない。 ＲＯはアルカリ金属の酸化物などであり、添加量が６モ
ル％未満では低融点ガラスが得られず、１２モル％を越
えるとガラス組成物の耐酸性が劣化する。 ■、０．はガラス組成物の耐酸性の向上と低融点化の両
方に育与する添加成分であり、Ｖ、Ｏ，を単独で添加す
る場合は、２．５モル％以下の範囲で添加する。 第４のガラス組成物としで、前記組成のベースガラスに
対し、０ ＜ Ｖ ｔ Ｏｓ≦２．５．０〈ＱＯ≦２．
０（ただし、ＱＯはＣｒ＝ｏ ｓ、 Ｆ ｅｇｏ ｓ、
Ｃｕｏのいずれか１種または２種以上を示す。）を添
加したものを用いることができる。 ここで、ＣｒｙＯｓとｐ’ｅ２ｏｚは耐酸性を向上させ
るために添加するものであるが、添加量が多すぎると耐
酸性が低下する。また、ＣｕＯは低融点化するために添
加するものであるが添加量が多すぎると融点が上昇する
。 第５のガラス組成物としで、前記組成のベースガラスに
対し、０ ＜ Ｃｒ、０３≦”１．０を添加したものを
用いることができる。 第６のガラス組成物としで、前記組成のベースガラスに
対し、０＜Ｆｅ＊Ｏｓ≦１．５を添加したものを用いる
ことができる。 第７のガラス組成物としで、前記組成のベースガラスに
対し、０ ＜ Ｃｒ＝ｏ 、＋ Ｐ ｅ２Ｏ５≦１．５
を添加したものを用いることができる。 第８のガラス組成物としで、前記組成のベースガラスに
対し、Ｏ＜ＣｕＯ≦２．５を添加したものを用いること
ができる。 第９のガラス組成物としで、前記組成のベースガラスに
対し、０＜ＣｕＯ≦２．５、Ｏ＜Ｑ’Ｏ≦２．０を添加
したものを用いることができる。（ただし、Ｑ’Ｃは、
Ｃｒ２Ｏ５とＦｅ、Ｏ，のうち、１種または２種を示す
。） 前記組成のガラス組成物を用いた抵抗体を製造する場合
は、従来のガラス組成物の焼成温度（５８０〜６２０℃
）よりも低い温度（例えば５２０℃）で焼成することが
できる。従って焼成後の抵抗値の変化か少なくなり、高
精度な抵抗体を提供することができる。 また、前記ガラス組成物は、耐酸性にも優れているので
、めっき処理工程において酸に浸漬した場合に、酸に侵
されることが少ない。 このようにして得られるガラス皮膜は、低熱膨張係数で
あるので、セラミック製の基板の熱膨張係数に近く、熱
履歴を受けても歪やクラックが人りにくいものである。
ガラス組成物を含むガラス皮膜とマーキングガラスなど
が基板上に積層され、基板の両端部に電極が形成されて
なる抵抗体においで、前記ガラス皮膜とマーキングガラ
スと電極に含まれるガラス組成物に含まれるガラス組成
物がＰｂＯとＳｉｎｇとＲＯとを主成分とするベースガ
ラスに、■、０５とＦ ｅｔｏ ３とＣｒｔ○、とＣｕ
Ｏのうち、少なくとも１種以上を添加してなるものであ
る請求項２に記載した発明は前記課題を解決するために
、ガラス組成物を含むガラス皮膜とマーキングガラスな
どが基板上に積層され、基板の両端部に電極が形成され
てなる抵抗体においで、前記ガラス皮膜とマーキングガ
ラスと電極に含まれるガラス組成物が、ＰｂＯとＳｉｎ
ｇとＲＯとを主成分とするベースガラスにＶ ｔ Ｏｓ
とＦｅ２０ｓとＣｒ。 ０、とＣｕＯのうち、少なくとも１種以上を添加してな
るガラス組成物と４０重量％を越えないｐｂ’ｌ’ ｉ
０ ｓとの混合物からなるものである。 請求項３に記載した発明は前記課題を解決するために、
ガラス組成物を含むガラス皮膜とマーキングガラスなど
が基板上に積層され、基板の両端部にＩ！極か形成され
てなる抵抗体においで、前記ガラス皮膜とマーキングガ
ラスと電極に含まれるガラス組成物を、モル％で、下記
酸化物、２１゜３７≦ＰｂＯ≦４５．３１，４２．５５
≦ＳｉＯ＊≦６６５４．６≦ＲＯ≦１２．０＜Ｖ２Ｏ５
≦２．５の組成成分からなるようにしたものである。 請求項４に記載した発明は前記課題を解決するために、
ガラス組成物を含むガラス皮膜とマーキングガラスなど
が基板上に積層され、基板の両端部に電極が形成されて
なる抵抗体においで、前記ガラス皮膜とマーキングガラ
スと電極に含まれるガラス組成物が、モル％で、下記酸
化物、２１゜３７ ≦ｐｂｏ≦４５．３１１４２．５’
５≦５ｔＯｔ≦６６５４、６≦ＲＯ≦ １２、０＜Ｖ２
Ｏ５≦２．５．０＜ＱＯ≦２．０の組成成分からなるよ
うにしたものである。 請求項５に記載した発明は前記課題を解決するために、
ガラス組成物を含むガラス皮膜とマーキングガラスなど
が基板上に積層され、基板の両端部に電極が形成されて
なる抵抗体においで、前記ガラス皮膜とマーキングガラ
スと電極に含まれるガラス組成物が、モル％で、下記酸
化物、２１゜３７≦ｐｂｏ≦４５．３１．４２．５５≦
５ｉｆｔ≦６６．５４．６≦ＲＯ≦１２、Ｏ＜Ｃｒ＊０
３≦１．０の組成成分からなるようにしたものである。 請求項６に記載した発明は前記課題を解決するたぬに、
ガラス組成物を含むガラス皮膜とマーキングガラスなど
が基板上に積層され、基板の両端部に電極が形成されて
なる抵抗体においで、前記ガラス皮膜とマーキングガラ
スと電極に含まれるガラス組成物が、モル％で、下記酸
化物、２１゜３７≦ＰｂＯ≦４５．３１．４２．５５≦
５ｉｆｔ≦６６．５４．６≦ＲＯ≦１２−１０＜Ｆｅ、
Ｏ，≦１゜５の組成成分からなるようにしたものである
。 請求項７に記載した発明は前記課題を解決するために、
ガラス組成物を含むガラス皮膜とマーキングガラスなど
が基板上に積層され、基板の両端部に電極が形成されて
なる抵抗体においで、前記ガラス皮膜とマーキングガラ
スと電極に含まれるガラス組成物が、モル％で、下記酸
化物、２１゜３７≦ＰｂＯ≦４５．３１．４２．５５≦
５ｒＯｔ≦６６５４．６≦Ｒ○≦１２、Ｏ＜ＣｒｔＯｚ
＋Ｆｅｔ０３≦１．５の組成成分からなるようにしたも
のである。 請求項８に記載した発明は前記課題を解決するために、
ガラス組成物を含むガラス皮膜とマーキングガラスなど
が基板上に積層され、基板の両端部に電極が形成されて
なる抵抗体においで、前記ガラス皮膜とマーキングガラ
スと電極に含まれるガラス組成物が、モル％で、下記酸
化物、２１゜３７≦ＰｂＯ≦４５．３１．４２．５５≦
５ｉＯｔ≦６６．５４．６≦ＲＯ≦１２．０＜ＣｕＯ≦
２．５の組成成分からなるようにしたものである。 請求項９に記載した発明は前記課題を解決するために、
ガラス組成物を含むガラス皮膜とマーキングガラスなど
が基板上に積層され、基板の両端部に電極が形成されて
なる抵抗体においで、前記ガラス皮膜とマーキングガラ
スと電極に含まれるガラス組成物が、モル％で、下記酸
化物、２１３７≦Ｐｂ○≦４５．３１．４２．５５≦５
ｉＯｚ≦６６．５４．６≦ＲＯ≦１２．０＜ＣｕＯ≦２
５．０＜Ｑ’Ｏ≦２０の組成成分からなるようにしたも
のである。 以下に本発明を更に詳細に説明する。 第１図は本発明に係る抵抗体の一実施例を示すもので、
この例の抵抗体の基本構造は従来例の抵抗体とほぼ同等
である。 即ち、１１図においで、１は基板、２は主電極、３は抵
抗層、４はガラス皮膜、７はガラス皮膜、８は抵抗値表
示用のマーキングガラス、９はｉ！極をそれぞれ示して
いる。 この実施例の抵抗体においては、基板ｌはアルミナから
、主電極２はＡｇなどの良導電性の金属材料とガラス組
成物から、抵抗層３は、酸化ルテニウム等の導電性粒子
とガラス組成物と顔料との混合物から、ガラス皮膜４は
ガラス組成物から、ガラス皮膜７は後述のガラス組成物
とＰｂＴｉＯｓと顔料との混合物から、マーキングガラ
ス８は後述のガラス組成物と顔料の混合物から、電極９
はＡｇなどの導電性金属材料と後述のガラス組成物の混
合物からそれぞれ形成されている。即ち、本願発明にお
いては、抵抗体のガラス皮膜４．７とマーキングガラス
８と電極９に用いるガラス組成物として特別の組成のも
のを用いている。 なお、ガラス皮膜の場合は後述の組成のガラス組成物の
みでは、熱膨張係数が高いので、４０重量％より少ない
範囲でＰｂＴｉ０ａと複合することが好ましい。このよ
うにＰ ｂＴ ｉｏ ｓとの複合化によっで、熱膨張係
数を低くした上で電気絶縁性を向上させることもできる
。Ｐ ｂＴ ｉＯｓ粉末はＰｂＯ粉末とＴ ｉ Ｏｘ粉
末とを混合して混合粉末とした後にこの混合粉末を加圧
成形し、密閉容器内で１０００〜１２００℃で加熱焼成
し、焼成後に粉砕して得ることができる。 このように得られたＰ ｂＴ ｉｏ ３粉末と後述の組
成のガラス組成物の粉末と顔料とを混合し、混合物を印
刷により基板上に順次積層し、焼成するならば、目的の
抵抗体を得ることができる。 ところで、前記抵抗体のガラス皮膜４．７と電極９とマ
ーキングガラス８に用いられているガラス組成物は、以
下に示す組成のものを用いることができる。 第１のガラス組成物としで、ＰｂＯと５ｉｆｔとＲＯ（
ただし、前５己ＲＯはＬｌｔＯ，ＮａｚＯ，５ｂｙＯｓ
のいずれか１種または２種以上を示す。）とからなるベ
ースガラスに、Ｖ２Ｏ５とＦｅｔｕｓとＣｒ＊ＯｓとＣ
ｕＯのうち、少なくとも１種以上を添加してなるものを
用いることができる。 第２のガラス組成物としで、組成のベースガラスに対し
、Ｖ、ＯＳとＦｅｔｕｓとＣｒｈｏ ｓｈ Ｃｕｏのう
ち、少なくとも１種以上を添加してなるガラス組成物と
４０重量％を越えないＰ ｂＴ ｉｏ ｓとの混合物を
含むものを用いることができる。 第３のガラス組成物としで、モル％で下記酸化物を、下
記の範囲の組成酸分、２１．３７≦Ｐｂ。 ≦４５．３１．４２．５５≦Ｓ ＋ Ｏｚ≦６６．５４
．６≦ＲＯ≦１２の組成のベースガラスに０ ＜ ｖ
ｔＯ２≦２，５、を添加したものを用いることができる
。 ここでＰｂＯと５ｉＯｔはベースガラスを構成するため
の主要成分であり、ＰｂＯを２１３７モル％より少なく
するが、５ｉＯｙを６６．５４モル％より多くすると、
低融点のガラス組成物が得られない。また、ＰｂＯを４
５．３１モル％より多くするが、Ｓ１０．を４２．５５
モル％よりも少なくすると耐酸性の良好なベースガラス
が得られない。 ＲＯはアルカリ金属の酸化物などであり、添加量が６モ
ル％未満では低融点ガラスが得られず、１２モル％を越
えるとガラス組成物の耐酸性が劣化する。 ■、０．はガラス組成物の耐酸性の向上と低融点化の両
方に育与する添加成分であり、Ｖ、Ｏ，を単独で添加す
る場合は、２．５モル％以下の範囲で添加する。 第４のガラス組成物としで、前記組成のベースガラスに
対し、０ ＜ Ｖ ｔ Ｏｓ≦２．５．０〈ＱＯ≦２．
０（ただし、ＱＯはＣｒ＝ｏ ｓ、 Ｆ ｅｇｏ ｓ、
Ｃｕｏのいずれか１種または２種以上を示す。）を添
加したものを用いることができる。 ここで、ＣｒｙＯｓとｐ’ｅ２ｏｚは耐酸性を向上させ
るために添加するものであるが、添加量が多すぎると耐
酸性が低下する。また、ＣｕＯは低融点化するために添
加するものであるが添加量が多すぎると融点が上昇する
。 第５のガラス組成物としで、前記組成のベースガラスに
対し、０ ＜ Ｃｒ、０３≦”１．０を添加したものを
用いることができる。 第６のガラス組成物としで、前記組成のベースガラスに
対し、０＜Ｆｅ＊Ｏｓ≦１．５を添加したものを用いる
ことができる。 第７のガラス組成物としで、前記組成のベースガラスに
対し、０ ＜ Ｃｒ＝ｏ 、＋ Ｐ ｅ２Ｏ５≦１．５
を添加したものを用いることができる。 第８のガラス組成物としで、前記組成のベースガラスに
対し、Ｏ＜ＣｕＯ≦２．５を添加したものを用いること
ができる。 第９のガラス組成物としで、前記組成のベースガラスに
対し、０＜ＣｕＯ≦２．５、Ｏ＜Ｑ’Ｏ≦２．０を添加
したものを用いることができる。（ただし、Ｑ’Ｃは、
Ｃｒ２Ｏ５とＦｅ、Ｏ，のうち、１種または２種を示す
。） 前記組成のガラス組成物を用いた抵抗体を製造する場合
は、従来のガラス組成物の焼成温度（５８０〜６２０℃
）よりも低い温度（例えば５２０℃）で焼成することが
できる。従って焼成後の抵抗値の変化か少なくなり、高
精度な抵抗体を提供することができる。 また、前記ガラス組成物は、耐酸性にも優れているので
、めっき処理工程において酸に浸漬した場合に、酸に侵
されることが少ない。 このようにして得られるガラス皮膜は、低熱膨張係数で
あるので、セラミック製の基板の熱膨張係数に近く、熱
履歴を受けても歪やクラックが人りにくいものである。
ＰｂｏとＳｉＯ２とＬ ｉｌｏとＮａｚＯとＫｔＯと５
ｂｔＯ５とが第１表に示す種々の組成になるように基本
組成のベースガラスを製造した。また、得られた基本組
成のガラスについで、それらの熱膨張係数（α）（Ｘ
ｌ Ｏ−’／”Ｃ）とガラス転位点（Ｔｇ）と軟化点（
Ｔｇ）と密度（ρ）と耐酸性試験を行い、それらの結果
を第１表に示した。なお、耐酸性試験とは、各サンプル
を超音波洗浄した後、１２０℃で１５分間乾燥し、放冷
した後に初期電量を測定し、その後、温度２０±１’Ｃ
の耐はんだめっき液に８０分間浸漬し、超音波洗浄と乾
燥処理を施して放冷した後の重量を測定し、比重を用い
て体積に換算し、体積減少量（−ΔＶ）を測定すること
で行った。 （以下、余白） 第１表に示す基本組成のベースガラスの測定結果（特に
サンプル４．５などに示された結果）から、低融点のガ
ラスを得るためと、耐酸性の良好なガラスを得るために
は、２１３７≦ＰｂＯ≦４５゜３１．４２．５５≦５ｉ
Ｏｚ≦６６．５４であルコとが必要であり、ＮａｔＯ，
ＫｔＯ，５ｂｔＯｚといったアルカリ金属酸化物の総量
は６モル％未満では低融点ガラスが得られず、１２モル
％を越えると耐酸性が劣化することが判明した。 しかしながら、第１表に示す組成のガラスでは一ΔＶの
値が高く耐酸性に問題があるので、これらの基本組成の
ベースガラスにＶ、０．とＣｒ＊ＯｓとＣｕＯとをそれ
ぞれ所定量添加することによっで、耐酸性の向上効果に
ついて検討した。 ｐｂｏとＳｉｎ、とＬ ｉｚｏとＮ ａ ｔ ＯとＫｚ
ＯとＳｂ。 ｏ３とを第２表に示す組成に固定し、この基本組成のベ
ースガラス？Ｓ Ｆ ｅｘ Ｏ３とＣｒ１ＯｓとＶ ｔ
Ｑ ｓとＣｕＯとをそれぞれ適量添加してなる組成の
ガラス組成物のサンプルを製造した。また、得られたガ
ラス組成物のサンプルについで、第１表の場合と同様に
熱膨張係数（αＸｘ Ｉ Ｏ−’／’Ｃ）とガラス転位
点（Ｔｇ）と軟化点（Ｔｓ）と密度（ρ）と耐酸性試験
（体積減少量の値−ΔＶを求める。）を行った。 それらの結果を第２表に示す。 （以下、余白） また、第２図は、第２表に示す組成のサンプルにおいで
、耐めっき液試験の体積減少量（−ΔＶ）と軟化点との
関係を示すものである。 府記第２表と第２図に示された結果から、基本組成のガ
ラスに対し、Ｖ ｔ Ｏｓを２５モル％以下の範囲で添
加するならば、軟化点と体積減少量のいずれの値をも効
率的に低下させることができるので、耐酸性に優れると
ともに融点の低いガラス組成物か得られることが明らか
になった。 また、ｐｅ２０３を単独ならば１．５モル％以下添加す
ることで、またはＣｒ１Ｏｓを単独ならば１０モル％以
下添加することで、あるいはＦｅｔＯ＊とＣｒ、Ｏｘを
両方添加するならば１５モル％添加することで、いずれ
も軟化点の上昇を抑えつつ、耐酸性の向上をなしえるこ
とか明らかになった。 更に、ＣｕＯを単独で添加するならば２，５モル％以下
添加することで軟化点を低下させることができるととも
に、ＣｕＯの添加に加えてＣｒ１ＯｓまたはＦｅｔｕｓ
を２．０モル％添加することで、軟化。 点を低くできる上に耐酸性の向上もなしえることが明ら
かになった。 以上のことから、耐酸性を向上させることと融点を下げ
ることの両方を満足させるには、Ｖ、Ｏ。 のみを前記基本組成のガラスに対して２．５モル％以下
添加するが、Ｖ ｔ Ｏｓの添加に加えてＣｕＯとＦｅ
ｖＯｓとＣｒｔＯｚのうち、少なくとも１種以上を特許
請求の範囲で限定した如く特定量加えると良好な耐酸性
と低い融点のガラス組成物を提供できることが明らかに
なった。 また、融点の低いガラス組成物を得るためには、特許請
求の範囲に限定したようにＣｕＯを単独で特定量加える
が、ＣｕＯの添加に加えてＦｅｔｕｓとＣｒｙＯｚを特
定量加えることで目的を達成できることが明らかになっ
た。 更に、耐酸性の良好なガラス組成物を得るためには、Ｐ
ｅｔｏ ｓとＣｒｔＯｚとを特許請求の範囲で限定し
たように単独で特定量添加するが、両方を特定量添加す
れば良いことも明らかになった。 次に、前記各組成のガラス組成物を用いて実際。 に抵抗体（チップ抵抗）を製造するとともに、得られた
抵抗体の焼成後の抵抗値変化率を求めた結果を第３図〜
第６図に示す。製造工程は、先に説明した従来例の製造
工程と同等である。 なお、抵抗体を製造するには、アルミナ製の基板上に、
Ａｇ主電極を印刷し焼成（８５０℃加熱）し、抵抗層を
印刷して焼成（８５０℃加熱）し、ガラス皮膜４を印刷
して焼成（５８０〜６２０℃加熱）する工程までは発明
品と比較品のいずれも共通温度で焼成した。 次に発明品においては、ガラス皮膜７の焼成とマーキン
グガラス８の焼成と電極９の焼成をいずれも５２０℃で
行って抵抗体を得た。従来品においては、ガラス皮膜７
の焼成を６００℃で行い、マーキングガラス８の焼成を
６００℃で行い、電極９の焼成を６００℃で行って抵抗
体を得た。 第３図〜第６図の各試料においては、第２表の試料Ｎ０
１７の組成のガラス組成物を使用した。 また、主電極２はＡｇ粉末とガラス粉末との混合物にビ
ヒクルを混合したペーストを用い、抵抗層３は、酸化ル
テニウムやルテニウム化合物の粉末とガラス粉末と電気
的特性を調整する酸化物粉末の混合物にビヒクルを混合
し１こものを用い、ガラス皮膜４は、ガラス粉末と顔料
との混合物にビヒクルを混合したものを用いた。 なお、第３図は製品サイズＩＸ０．５１種１ｍ、抵抗値
３．３にΩのチップ抵抗に適用した例を示し、第４図は
前記チップ抵抗と同−犬で抵抗値１２０にΩのチップ抵
抗に適用した例を示し、第５図は製品サイズ１．６Ｘ０
．８ｍｌ、抵抗値６．２にΩのチップ抵抗に適用した例
を示し、第６図は第５図のチップ抵抗と同一大で抵抗値
２２０にΩのチップ抵抗に適用した例を示すものである
。 第３図〜第６図に示す結果から、いずれの組成の発明品
でも従来品に比べて抵抗値変化率か小さくなっているこ
とが判明した。
ｂｔＯ５とが第１表に示す種々の組成になるように基本
組成のベースガラスを製造した。また、得られた基本組
成のガラスについで、それらの熱膨張係数（α）（Ｘ
ｌ Ｏ−’／”Ｃ）とガラス転位点（Ｔｇ）と軟化点（
Ｔｇ）と密度（ρ）と耐酸性試験を行い、それらの結果
を第１表に示した。なお、耐酸性試験とは、各サンプル
を超音波洗浄した後、１２０℃で１５分間乾燥し、放冷
した後に初期電量を測定し、その後、温度２０±１’Ｃ
の耐はんだめっき液に８０分間浸漬し、超音波洗浄と乾
燥処理を施して放冷した後の重量を測定し、比重を用い
て体積に換算し、体積減少量（−ΔＶ）を測定すること
で行った。 （以下、余白） 第１表に示す基本組成のベースガラスの測定結果（特に
サンプル４．５などに示された結果）から、低融点のガ
ラスを得るためと、耐酸性の良好なガラスを得るために
は、２１３７≦ＰｂＯ≦４５゜３１．４２．５５≦５ｉ
Ｏｚ≦６６．５４であルコとが必要であり、ＮａｔＯ，
ＫｔＯ，５ｂｔＯｚといったアルカリ金属酸化物の総量
は６モル％未満では低融点ガラスが得られず、１２モル
％を越えると耐酸性が劣化することが判明した。 しかしながら、第１表に示す組成のガラスでは一ΔＶの
値が高く耐酸性に問題があるので、これらの基本組成の
ベースガラスにＶ、０．とＣｒ＊ＯｓとＣｕＯとをそれ
ぞれ所定量添加することによっで、耐酸性の向上効果に
ついて検討した。 ｐｂｏとＳｉｎ、とＬ ｉｚｏとＮ ａ ｔ ＯとＫｚ
ＯとＳｂ。 ｏ３とを第２表に示す組成に固定し、この基本組成のベ
ースガラス？Ｓ Ｆ ｅｘ Ｏ３とＣｒ１ＯｓとＶ ｔ
Ｑ ｓとＣｕＯとをそれぞれ適量添加してなる組成の
ガラス組成物のサンプルを製造した。また、得られたガ
ラス組成物のサンプルについで、第１表の場合と同様に
熱膨張係数（αＸｘ Ｉ Ｏ−’／’Ｃ）とガラス転位
点（Ｔｇ）と軟化点（Ｔｓ）と密度（ρ）と耐酸性試験
（体積減少量の値−ΔＶを求める。）を行った。 それらの結果を第２表に示す。 （以下、余白） また、第２図は、第２表に示す組成のサンプルにおいで
、耐めっき液試験の体積減少量（−ΔＶ）と軟化点との
関係を示すものである。 府記第２表と第２図に示された結果から、基本組成のガ
ラスに対し、Ｖ ｔ Ｏｓを２５モル％以下の範囲で添
加するならば、軟化点と体積減少量のいずれの値をも効
率的に低下させることができるので、耐酸性に優れると
ともに融点の低いガラス組成物か得られることが明らか
になった。 また、ｐｅ２０３を単独ならば１．５モル％以下添加す
ることで、またはＣｒ１Ｏｓを単独ならば１０モル％以
下添加することで、あるいはＦｅｔＯ＊とＣｒ、Ｏｘを
両方添加するならば１５モル％添加することで、いずれ
も軟化点の上昇を抑えつつ、耐酸性の向上をなしえるこ
とか明らかになった。 更に、ＣｕＯを単独で添加するならば２，５モル％以下
添加することで軟化点を低下させることができるととも
に、ＣｕＯの添加に加えてＣｒ１ＯｓまたはＦｅｔｕｓ
を２．０モル％添加することで、軟化。 点を低くできる上に耐酸性の向上もなしえることが明ら
かになった。 以上のことから、耐酸性を向上させることと融点を下げ
ることの両方を満足させるには、Ｖ、Ｏ。 のみを前記基本組成のガラスに対して２．５モル％以下
添加するが、Ｖ ｔ Ｏｓの添加に加えてＣｕＯとＦｅ
ｖＯｓとＣｒｔＯｚのうち、少なくとも１種以上を特許
請求の範囲で限定した如く特定量加えると良好な耐酸性
と低い融点のガラス組成物を提供できることが明らかに
なった。 また、融点の低いガラス組成物を得るためには、特許請
求の範囲に限定したようにＣｕＯを単独で特定量加える
が、ＣｕＯの添加に加えてＦｅｔｕｓとＣｒｙＯｚを特
定量加えることで目的を達成できることが明らかになっ
た。 更に、耐酸性の良好なガラス組成物を得るためには、Ｐ
ｅｔｏ ｓとＣｒｔＯｚとを特許請求の範囲で限定し
たように単独で特定量添加するが、両方を特定量添加す
れば良いことも明らかになった。 次に、前記各組成のガラス組成物を用いて実際。 に抵抗体（チップ抵抗）を製造するとともに、得られた
抵抗体の焼成後の抵抗値変化率を求めた結果を第３図〜
第６図に示す。製造工程は、先に説明した従来例の製造
工程と同等である。 なお、抵抗体を製造するには、アルミナ製の基板上に、
Ａｇ主電極を印刷し焼成（８５０℃加熱）し、抵抗層を
印刷して焼成（８５０℃加熱）し、ガラス皮膜４を印刷
して焼成（５８０〜６２０℃加熱）する工程までは発明
品と比較品のいずれも共通温度で焼成した。 次に発明品においては、ガラス皮膜７の焼成とマーキン
グガラス８の焼成と電極９の焼成をいずれも５２０℃で
行って抵抗体を得た。従来品においては、ガラス皮膜７
の焼成を６００℃で行い、マーキングガラス８の焼成を
６００℃で行い、電極９の焼成を６００℃で行って抵抗
体を得た。 第３図〜第６図の各試料においては、第２表の試料Ｎ０
１７の組成のガラス組成物を使用した。 また、主電極２はＡｇ粉末とガラス粉末との混合物にビ
ヒクルを混合したペーストを用い、抵抗層３は、酸化ル
テニウムやルテニウム化合物の粉末とガラス粉末と電気
的特性を調整する酸化物粉末の混合物にビヒクルを混合
し１こものを用い、ガラス皮膜４は、ガラス粉末と顔料
との混合物にビヒクルを混合したものを用いた。 なお、第３図は製品サイズＩＸ０．５１種１ｍ、抵抗値
３．３にΩのチップ抵抗に適用した例を示し、第４図は
前記チップ抵抗と同−犬で抵抗値１２０にΩのチップ抵
抗に適用した例を示し、第５図は製品サイズ１．６Ｘ０
．８ｍｌ、抵抗値６．２にΩのチップ抵抗に適用した例
を示し、第６図は第５図のチップ抵抗と同一大で抵抗値
２２０にΩのチップ抵抗に適用した例を示すものである
。 第３図〜第６図に示す結果から、いずれの組成の発明品
でも従来品に比べて抵抗値変化率か小さくなっているこ
とが判明した。
以上説明したように本発明はガラス皮膜とマーキングガ
ラスと１！［！に、特定量のＰｂＯとＳ１０゜とＲＯと
からなるベースガラスに特定量のＶ、Ｏ５を添加してな
るガラス組成物、あるいは、前記基本組成のガラスにＶ
ｅｘｓに加えてＣｒ２Ｏ５とＦｅ。 ０、とＣｕＯのＩＮ以上を添加してなるガラスミＳ物を
使用しているので、従来のガラス組成物ｊこ比較すると
、融点が低く、耐酸性にも優れている。 従っで、前記のガラス組成物を用いた抵抗体ならば、＃
１或処理を従来より低温度でできるので焼成処理を行っ
ても抵抗値の変化を引き起こすことが少なくなり、高精
度の抵抗体を！Ｉ供することができる。 更に、前記ガラス組成物にＰｂＴｉＯｓを４０重量比未
膚の範囲で添加したものにあっては、低熱膨張率である
ので、セラミック製の基板の熱膨張係数に近くなり、熱
履歴を受けても歪やクラックが入りにくい抵抗体を提供
することができる。 また、前記のベースガラスに対し、Ｃｒｈｏ ２とＦｅ
ｔｏｓの少なくとも一方を特定量添加したものにあって
は、融点の上昇を抑えつつ耐酸性を向上させているので
、めっき処理などにおいて酸に浸漬されても変質を来す
ことが少なく、耐酸性の良い抵抗体を得ることができる
。 更に、前記組成のベースガラスに対し、ＣｕＯを添加し
てなるガラス組成物、あるいはＣｕＯに加えてＣｒｚＯ
ｓとＦｅｔｕｓの少なく上も一方を特定量添加したガラ
ス組成物にあっては、耐酸性を維持つつ融点を低くして
いるので、焼成処理を従来より低温度でできるので焼成
処理を行っても抵抗値の変化を引き起こすことが少なく
なり、高精度の抵抗体を提供することができる。
ラスと１！［！に、特定量のＰｂＯとＳ１０゜とＲＯと
からなるベースガラスに特定量のＶ、Ｏ５を添加してな
るガラス組成物、あるいは、前記基本組成のガラスにＶ
ｅｘｓに加えてＣｒ２Ｏ５とＦｅ。 ０、とＣｕＯのＩＮ以上を添加してなるガラスミＳ物を
使用しているので、従来のガラス組成物ｊこ比較すると
、融点が低く、耐酸性にも優れている。 従っで、前記のガラス組成物を用いた抵抗体ならば、＃
１或処理を従来より低温度でできるので焼成処理を行っ
ても抵抗値の変化を引き起こすことが少なくなり、高精
度の抵抗体を！Ｉ供することができる。 更に、前記ガラス組成物にＰｂＴｉＯｓを４０重量比未
膚の範囲で添加したものにあっては、低熱膨張率である
ので、セラミック製の基板の熱膨張係数に近くなり、熱
履歴を受けても歪やクラックが入りにくい抵抗体を提供
することができる。 また、前記のベースガラスに対し、Ｃｒｈｏ ２とＦｅ
ｔｏｓの少なくとも一方を特定量添加したものにあって
は、融点の上昇を抑えつつ耐酸性を向上させているので
、めっき処理などにおいて酸に浸漬されても変質を来す
ことが少なく、耐酸性の良い抵抗体を得ることができる
。 更に、前記組成のベースガラスに対し、ＣｕＯを添加し
てなるガラス組成物、あるいはＣｕＯに加えてＣｒｚＯ
ｓとＦｅｔｕｓの少なく上も一方を特定量添加したガラ
ス組成物にあっては、耐酸性を維持つつ融点を低くして
いるので、焼成処理を従来より低温度でできるので焼成
処理を行っても抵抗値の変化を引き起こすことが少なく
なり、高精度の抵抗体を提供することができる。
第１図は一般的な抵抗体の構造を示す断面図、第２図は
実施例で得られた複数のサンプルの軟化点と耐酸性試験
における体積減少量との関係を示すグラフ、第３図は第
１の特定組成のガラス組成物を用いた抵抗体の抵抗値変
化率を示すグラフ、第４図は第２の特定組成のガラス組
成物を用いた抵抗体の抵抗値変化率を示すグラフ、第５
図は第３の特定組成のガラス組成物を用いた抵抗体の抵
抗値変化率を示すグラフ、第６図は第４の特定組成のガ
ラス組成物を用いた抵抗体の抵抗値変化率を示すグラフ
である。 ■・・・基板、２・・・主電極、３・・抵抗層、４・・
・ガラス皮膜、７・・・ガラス皮膜、８・・マーキング
ガラス、９・・電極。
実施例で得られた複数のサンプルの軟化点と耐酸性試験
における体積減少量との関係を示すグラフ、第３図は第
１の特定組成のガラス組成物を用いた抵抗体の抵抗値変
化率を示すグラフ、第４図は第２の特定組成のガラス組
成物を用いた抵抗体の抵抗値変化率を示すグラフ、第５
図は第３の特定組成のガラス組成物を用いた抵抗体の抵
抗値変化率を示すグラフ、第６図は第４の特定組成のガ
ラス組成物を用いた抵抗体の抵抗値変化率を示すグラフ
である。 ■・・・基板、２・・・主電極、３・・抵抗層、４・・
・ガラス皮膜、７・・・ガラス皮膜、８・・マーキング
ガラス、９・・電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） ガラス組成物を含むガラス皮膜とマーキングガ
ラスなどが基板上に積層され、基板の両端部に電極が形
成されてなる抵抗体において、 前記ガラス皮膜とマーキングガラスと電極に含まれるガ
ラス組成物が、ＰｂＯとＳｉＯ＿２とＲＯとを主成分と
するベースガラスにＶ＿２Ｏ＿５とＦｅ＿２Ｏ＿３とＣ
ｒ＿２Ｏ＿３とＣｕＯのうち、少なくとも１種以上を添
加してなるものであることを特徴とする抵抗体。 （ただし、前記ＲＯはＬｉ＿２ＯとＮａ＿２ＯとＫ＿２
ＯとＳｂ＿２Ｏ＿３のうち、少なくとも１種以上を示す
。） （２） ガラス組成物を含むガラス皮膜とマーキングガ
ラスなどが基板上に積層され、基板の両端部に電極が形
成されてなる抵抗体において、 前記ガラス皮膜とマーキングガラスと電極に含まれるガ
ラス組成物が、ＰｂＯとＳｉＯ＿２とＲＯとを主成分と
するベースガラスにＶ＿２Ｏ＿５とＦｅ＿２Ｏ＿３とＣ
ｒ＿２Ｏ＿３とＣｕＯのうち、少なくとも１種以上を添
加してなるガラス組成物と、４０重量％を越えないＰｂ
ＴｉＯ＿３との混合物からなることを特徴とする抵抗体
。 （３） ガラス組成物を含むガラス皮膜とマーキングガ
ラスなどが基板上に積層され、基板の両端部に電極が形
成されてなる抵抗体において、 前記ガラス皮膜とマーキングガラスと電極に含まれるガ
ラス組成物が、モル％で、下記酸化物、２１．３７≦Ｐ
ｂＯ≦４５．３１ ４２．５５≦ＳｉＯ＿２≦６６．５４ ６≦ＲＯ≦１２ ０＜Ｖ＿２Ｏ＿５≦２．５ の組成成分からなることを特徴とする抵抗体。 （４） ガラス組成物を含むガラス皮膜とマーキングガ
ラスなどが基板上に積層され、基板の両端部に電極が形
成されてなる抵抗体において、 前記ガラス皮膜とマーキングガラスと電極に含まれるガ
ラス組成物が、モル％で、下記酸化物、２１．３７≦Ｐ
ｂＯ≦４５．３１ ４２．５５≦ＳｉＯ＿２≦６６．５４ ６≦ＲＯ≦１２ ０＜Ｖ＿２Ｏ＿５≦２．５ ０＜ＱＯ≦２．０ （ただし、ＱＯは、Ｃｒ＿２Ｏ＿３、Ｆｅ＿２Ｏ＿３、
ＣｕＯのいずれか１種または２種以上を示す。）の組成
成分からなることを特徴とする抵抗体。 （５） ガラス組成物を含むガラス皮膜とマーキングガ
ラスなどが基板上に積層され、基板の両端部に電極が形
成されてなる抵抗体において、 前記ガラス皮膜とマーキングガラスと電極に含まれるガ
ラス組成物が、モル％で、下記酸化物、２１．３７≦Ｐ
ｂＯ≦４５．３１ ４２．５５≦ＳｉＯ＿２≦６６．５４ ６≦ＲＯ≦１２ ０＜Ｃｒ＿２Ｏ＿３≦１．０ の組成成分からなることを特徴とする抵抗体。 （６） ガラス組成物を含むガラス皮膜とマーキングガ
ラスなどが基板上に積層され、基板の両端部に電極が形
成されてなる抵抗体において、 前記ガラス皮膜とマーキングガラスと電極に含まれるガ
ラス組成物が、モル％で、下記酸化物、２１．３７≦Ｐ
ｂＯ≦４５．３１ ４２．５５≦ＳｉＯ＿２≦６６．５４ ６≦ＲＯ≦１２ ０＜Ｆｅ＿２Ｏ＿３≦１．５ の組成成分からなることを特徴とする抵抗体。 （７） ガラス組成物を含むガラス皮膜とマーキングガ
ラスなどが基板上に積層され、基板の両端部に電極が形
成されてなる抵抗体において、 前記ガラス皮膜とマーキングガラスと電極に含まれるガ
ラス組成物が、モル％で、下記酸化物、２１．３７≦Ｐ
ｂＯ≦４５．３１ ４２．５５≦ＳｉＯ＿２≦６６．５４ ６≦ＲＯ≦１２ ０＜Ｃｒ＿２Ｏ＿３＋Ｆｅ＿２Ｏ＿３≦１．５の組成成
分からなることを特徴とする抵抗体。 （８） ガラス組成物を含むガラス皮膜とマーキングガ
ラスなどが基板上に積層され、基板の両端部に電極が形
成されてなる抵抗体において、 前記ガラス皮膜とマーキングガラスと電極に含まれるガ
ラス組成物が、モル％で、下記酸化物、２１．３７≦Ｐ
ｂＯ≦４５．３１ ４２．５５≦ＳｉＯ＿２≦６６．５４ ６≦ＲＯ≦１２ ０＜ＣｕＯ≦２．５ の組成成分からなることを特徴とする抵抗体。 （９） ガラス組成物を含むガラス皮膜とマーキングガ
ラスなどが碁板上に積層され、基板の両端部に電極が形
成されてなる抵抗体において、 前記ガラス皮膜とマーキングガラスと電極に含まれるガ
ラス組成物が、モル％で、下記酸化物、２１．３７≦Ｐ
ｂＯ≦４５．３１ ４２．５５≦ＳｉＯ＿２≦６６．５４ ６≦ＲＯ≦１２ ０＜ＣｕＯ≦２．５ ０＜Ｑ’Ｏ≦２．０ （ただし、Ｑ’Ｏは、Ｃｒ＿２Ｏ＿３とＦｅ＿２Ｏ＿３
のうち、１種または２種を示す。） の組成成分からなることを特徴とする抵抗体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30493290A JPH04175243A (ja) | 1990-11-09 | 1990-11-09 | 抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30493290A JPH04175243A (ja) | 1990-11-09 | 1990-11-09 | 抵抗体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04175243A true JPH04175243A (ja) | 1992-06-23 |
Family
ID=17939052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30493290A Pending JPH04175243A (ja) | 1990-11-09 | 1990-11-09 | 抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04175243A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015229631A (ja) * | 2014-06-03 | 2015-12-21 | ヘレウス プレシャス メタルズ ノース アメリカ コンショホーケン エルエルシー | 誘電体ガラス組成物 |
-
1990
- 1990-11-09 JP JP30493290A patent/JPH04175243A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015229631A (ja) * | 2014-06-03 | 2015-12-21 | ヘレウス プレシャス メタルズ ノース アメリカ コンショホーケン エルエルシー | 誘電体ガラス組成物 |
| US10074456B2 (en) | 2014-06-03 | 2018-09-11 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | Dielectric glass composition |
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