JPH04172625A - 光学式ピックアップ - Google Patents
光学式ピックアップInfo
- Publication number
- JPH04172625A JPH04172625A JP2299389A JP29938990A JPH04172625A JP H04172625 A JPH04172625 A JP H04172625A JP 2299389 A JP2299389 A JP 2299389A JP 29938990 A JP29938990 A JP 29938990A JP H04172625 A JPH04172625 A JP H04172625A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- beam splitter
- light
- optical axis
- parallel
- concave mirror
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 31
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 abstract description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 abstract description 4
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010422 painting Methods 0.000 abstract 2
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 abstract 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
Landscapes
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、円板状記録媒体に光学式に各種情報を記録、
再生および再生のみを行う光デイスク装置の光学式とツ
クアップに関する６ ０従来の技術。
再生および再生のみを行う光デイスク装置の光学式とツ
クアップに関する６ ０従来の技術。
従来の光学式ピックアップについて図を９照して説明す
る。
る。
第５図は従来例を説明するための図、第６図は第５図の
対物レンズのファーフィールドよりみた正面図である。
対物レンズのファーフィールドよりみた正面図である。
第５図および第６図に示すように従来の光学式ピックア
ップにおいては、半導体レーザ１を出射した光束はコリ
メートレンズ２により平行光とされた後、前方に配置さ
れたヒーム整形プリズム３に入射し、半導体レーザ１の
ＰＮ接合面に平行な方向に２５倍程度拡大され、円形光
束となって、偏光ビームスプリッタ４に入射する。この
時、偏光ビームスプリッタ４はコリン−１〜２出射後の
光束がＳ偏光て入射するように配置されているのて、偏
光ビームスプリッタ４に入射した光束は、その誘電体多
層膜をコートした接合面により１００％反射され、λ２
／４板５を透過後、円偏光となって、対物レンズＯによ
り、円板状記録媒体７上に集光される。
ップにおいては、半導体レーザ１を出射した光束はコリ
メートレンズ２により平行光とされた後、前方に配置さ
れたヒーム整形プリズム３に入射し、半導体レーザ１の
ＰＮ接合面に平行な方向に２５倍程度拡大され、円形光
束となって、偏光ビームスプリッタ４に入射する。この
時、偏光ビームスプリッタ４はコリン−１〜２出射後の
光束がＳ偏光て入射するように配置されているのて、偏
光ビームスプリッタ４に入射した光束は、その誘電体多
層膜をコートした接合面により１００％反射され、λ２
／４板５を透過後、円偏光となって、対物レンズＯによ
り、円板状記録媒体７上に集光される。
かかる後に、円板状記録媒体７によって反射された光束
は再び対物レンズ６を透過し、λ、・′４板５を透過し
、半導体レーザ１出射後の光束となす方位角か９０°と
なる直線偏光となり、再ひ偏光ビームスプリッタ４に入
射する。この時、二の光束は偏光ビームスプリッタに対
してＰ偏光で入射するため、１００％透過し、λ／４板
５を透過後、円偏光となり、凹面鏡９によって集光され
ながら反射する。そして、再びλ、・・′４板５を透過
し、Ｓ偏光となり、今度は偏光ビームスプリッタ４の誘
電体多層膜をコートした接合面により１００％反射され
、ビームスプリッタ９に入射する。
は再び対物レンズ６を透過し、λ、・′４板５を透過し
、半導体レーザ１出射後の光束となす方位角か９０°と
なる直線偏光となり、再ひ偏光ビームスプリッタ４に入
射する。この時、二の光束は偏光ビームスプリッタに対
してＰ偏光で入射するため、１００％透過し、λ／４板
５を透過後、円偏光となり、凹面鏡９によって集光され
ながら反射する。そして、再びλ、・・′４板５を透過
し、Ｓ偏光となり、今度は偏光ビームスプリッタ４の誘
電体多層膜をコートした接合面により１００％反射され
、ビームスプリッタ９に入射する。
ビームスプリッタ９に入射した光束は、その５０％かコ
リメートレンズ２の光軸と平行な方向に透過する。残り
５０％はそれと直交する方向に反射し、ビームスプリッ
タ９のコリメートしンズ２の光軸と平行な方向に出射し
た光束は前方にあるナイフ１０により、さらに５０％が
変更され受光素子１１によって捕えられ、その差動出力
により、フォーカシンク制御を行う。
リメートレンズ２の光軸と平行な方向に透過する。残り
５０％はそれと直交する方向に反射し、ビームスプリッ
タ９のコリメートしンズ２の光軸と平行な方向に出射し
た光束は前方にあるナイフ１０により、さらに５０％が
変更され受光素子１１によって捕えられ、その差動出力
により、フォーカシンク制御を行う。
残りのコリーメートレンズ２の光軸に直交する方向に出
射した光束は受光素子１２によって捕えられ、トラッキ
ング制御およびＲＦ信号検出を行う。
射した光束は受光素子１２によって捕えられ、トラッキ
ング制御およびＲＦ信号検出を行う。
上述した従来の光学式ピックアップでは、フォーカス制
御を行うためにシングルナイフェツジ法を採用しており
、ビームスプリッタから凹面鏡の光軸に直交する方向に
出射した光束をナイフにより、コリメートレンズの光軸
に直交する内面において５０％の光量の遮光を行い、２
分割以上の受光素子でその分割線かナイフのエツジと平
行になるよう捕らえ、差動出力により制御を行っている
。しかし、外部からの衝撃および温度変化により受光素
子の差動出力にオフセットを生じた場合にはフォーカス
制御か不能になるばかりでなく、フォーカス検出機能を
回復するためには再度、受講素子を調整し直さばならな
いという欠点かある。
御を行うためにシングルナイフェツジ法を採用しており
、ビームスプリッタから凹面鏡の光軸に直交する方向に
出射した光束をナイフにより、コリメートレンズの光軸
に直交する内面において５０％の光量の遮光を行い、２
分割以上の受光素子でその分割線かナイフのエツジと平
行になるよう捕らえ、差動出力により制御を行っている
。しかし、外部からの衝撃および温度変化により受光素
子の差動出力にオフセットを生じた場合にはフォーカス
制御か不能になるばかりでなく、フォーカス検出機能を
回復するためには再度、受講素子を調整し直さばならな
いという欠点かある。
〔課題を解決するための手段Ｊ
本発明の光学式ピックアップは、半導体レーザと、半導
体レーザから出射した光束を平行光とするコリメートレ
ンズと、コリメートレンズの前方に配置され、コリメー
トレンズ出射の光束を半導体レーザのＰＮ接合面と平行
な方向に拡大するヒーム整形プリズムと、ビーム整形ブ
リスムに接合されたコリメートレンズの光軸と直交する
方向の２つの出射面にそれぞれλ／４板が接合され、か
つ、その一方のλ／４板に凹面鏡が接合された偏光ビー
ムスプリッタと、偏光ビームスプリッタに接合された第
１のビームスプリッタと、第１のビームスプリッタに接
合され、第１のビームスプリッタから出射した光束をコ
リメートレンズの光軸と平行な方向と垂直な方向にそれ
ぞれ５０％ずつ分割し、かつ、それぞれの光束の出射面
に部分的に光吸収用の黒色塗装と砂すり処理は施した第
２のビームスプリッタと、第１のビームスプリッタの凹
面鏡の光軸と平行な出射面の前方に配置された、少なく
とも・４分割以上の受光素子と、第２のビームスプリッ
タの凹面鏡力光軸と垂直な方向と平行な方向の出射面に
少なくとも２分割以上の第１およ第２の受光素子をそれ
ぞれ配置している。
体レーザから出射した光束を平行光とするコリメートレ
ンズと、コリメートレンズの前方に配置され、コリメー
トレンズ出射の光束を半導体レーザのＰＮ接合面と平行
な方向に拡大するヒーム整形プリズムと、ビーム整形ブ
リスムに接合されたコリメートレンズの光軸と直交する
方向の２つの出射面にそれぞれλ／４板が接合され、か
つ、その一方のλ／４板に凹面鏡が接合された偏光ビー
ムスプリッタと、偏光ビームスプリッタに接合された第
１のビームスプリッタと、第１のビームスプリッタに接
合され、第１のビームスプリッタから出射した光束をコ
リメートレンズの光軸と平行な方向と垂直な方向にそれ
ぞれ５０％ずつ分割し、かつ、それぞれの光束の出射面
に部分的に光吸収用の黒色塗装と砂すり処理は施した第
２のビームスプリッタと、第１のビームスプリッタの凹
面鏡の光軸と平行な出射面の前方に配置された、少なく
とも・４分割以上の受光素子と、第２のビームスプリッ
タの凹面鏡力光軸と垂直な方向と平行な方向の出射面に
少なくとも２分割以上の第１およ第２の受光素子をそれ
ぞれ配置している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の光学式ピックアップの側面
図、第２図は第１図の対物レンズ側のファーフィールド
よりみた正面図、第３図は本発明の一実施例のプリズム
郡を説明するための斜視図、第４図は本発明の一実施例
のフォーカス検出を説明するための図である。
図、第２図は第１図の対物レンズ側のファーフィールド
よりみた正面図、第３図は本発明の一実施例のプリズム
郡を説明するための斜視図、第４図は本発明の一実施例
のフォーカス検出を説明するための図である。
第１図および第２図において、半導体レーザ１を比射し
た光束はコリメートレンズ２により平行光とされた後、
前方に配置されたヒーム整形プリスム３に入射し、半導
体レーザ１のそのＰＮ接合面に平行な方向に２．５倍程
度拡大され、円形光束となって偏光ビームスプリッタ４
に入射する。
た光束はコリメートレンズ２により平行光とされた後、
前方に配置されたヒーム整形プリスム３に入射し、半導
体レーザ１のそのＰＮ接合面に平行な方向に２．５倍程
度拡大され、円形光束となって偏光ビームスプリッタ４
に入射する。
この時、偏光ビームスプリッタ４は半導体し−サ１出射
後の光束に対しては、例えば、Ｐ偏光を１００％透過し
、Ｓ偏光を１０００ｇ反射するような特性を持たせであ
るが、この場合、偏光ヒーふスプリッタ４はコリメート
レンズ２出射後の光束かＳ偏光で入射するように配置さ
れているため、偏光ビームスプリッタ４に入射した光束
は、その誘電体多層膜をコートした接合面を１００％反
射され、λ／４板５を透過後、円偏光となり対′Ｓしン
ス６により、円板状記録媒体７上に集光される。
後の光束に対しては、例えば、Ｐ偏光を１００％透過し
、Ｓ偏光を１０００ｇ反射するような特性を持たせであ
るが、この場合、偏光ヒーふスプリッタ４はコリメート
レンズ２出射後の光束かＳ偏光で入射するように配置さ
れているため、偏光ビームスプリッタ４に入射した光束
は、その誘電体多層膜をコートした接合面を１００％反
射され、λ／４板５を透過後、円偏光となり対′Ｓしン
ス６により、円板状記録媒体７上に集光される。
かかる後に、円板状記録媒体７によって反射された光束
は再ひ対物レンズ６およびλ／′４板５を透過し、半導
体レーザ１出射後の光束となす方位角か９０’となる直
線偏光となる。そして、再び、偏光ビームスプリッタ４
に入射するため、その誘電体多層膜をコートした接合面
を今度は透過し、λ／４板５を透過して、円偏光となり
、凹面鏡８に入射する。
は再ひ対物レンズ６およびλ／′４板５を透過し、半導
体レーザ１出射後の光束となす方位角か９０’となる直
線偏光となる。そして、再び、偏光ビームスプリッタ４
に入射するため、その誘電体多層膜をコートした接合面
を今度は透過し、λ／４板５を透過して、円偏光となり
、凹面鏡８に入射する。
凹面鏡８に入射した光束は１００％の光量か集光されな
から反射し、λ／４板５を透過して、再ひ、Ｓ偏光とな
るため、偏光ビームスブリ・ツタ４の誘電体多層膜をコ
ート接合面により反射され第１のビームスプリッタ９に
入射する。
から反射し、λ／４板５を透過して、再ひ、Ｓ偏光とな
るため、偏光ビームスブリ・ツタ４の誘電体多層膜をコ
ート接合面により反射され第１のビームスプリッタ９に
入射する。
第１のビームスプリッタ９に入射した光束はその５０％
の光量が誘電体多層膜をコートした接合面により反射し
、前方にある受光素子１２によ−）て捕えられ、その差
動出力によりトラッキング制御およびＲＦ信号検出を行
う。
の光量が誘電体多層膜をコートした接合面により反射し
、前方にある受光素子１２によ−）て捕えられ、その差
動出力によりトラッキング制御およびＲＦ信号検出を行
う。
次に、第１のビームスプリツタ９誘電体多層膜をコート
した接合面を透過した残りの光束は第２のビームスプリ
ッタ１３に入射する。この時、第２のビームスプリッタ
１３は第３図に示すようにビームスプリッタ１３から出
射する２つの光束をそれぞれ凹面鏡８の光軸と平行な両
面において、５０％ずつ遮光するように１３ａおよび１
３ｂ部分が砂ずり面で、しかも、光吸収用の黒色塗装か
施しであるため、断面か半円状の光束となって受光素子
１１および１３に入射する。
した接合面を透過した残りの光束は第２のビームスプリ
ッタ１３に入射する。この時、第２のビームスプリッタ
１３は第３図に示すようにビームスプリッタ１３から出
射する２つの光束をそれぞれ凹面鏡８の光軸と平行な両
面において、５０％ずつ遮光するように１３ａおよび１
３ｂ部分が砂ずり面で、しかも、光吸収用の黒色塗装か
施しであるため、断面か半円状の光束となって受光素子
１１および１３に入射する。
受光素子１３ａおよび１３ｂに入射した光束は第４図に
示すように受光されるが、この時、受光素子１３ａおよ
び１３ｂはそれぞれ２分割の受光面を有しているのて、
（Ａ＋Ｄ） −（Ｂ＋Ｃ）のような差動出力によりフォ
ーカス制御を行う。
示すように受光されるが、この時、受光素子１３ａおよ
び１３ｂはそれぞれ２分割の受光面を有しているのて、
（Ａ＋Ｄ） −（Ｂ＋Ｃ）のような差動出力によりフォ
ーカス制御を行う。
以上説明したように本発明によれば、部分的な砂ずり処
理と光吸収用の黒色塗装を施したビームスプリッタによ
ってきた２つのフォーカス検出系を用いてダブルナイフ
ェツジ法を形成する二とにより、外部からの衝撃および
環境変化によるフォーカス検出系のオフセットをキャン
セルてきるという効果がある。
理と光吸収用の黒色塗装を施したビームスプリッタによ
ってきた２つのフォーカス検出系を用いてダブルナイフ
ェツジ法を形成する二とにより、外部からの衝撃および
環境変化によるフォーカス検出系のオフセットをキャン
セルてきるという効果がある。
また、マスキングにより予めフォーカス検出用の光束を
その光軸に垂直な面内で遮光することによりナイフェツ
ジの調整を省略てきるという効果かある。
その光軸に垂直な面内で遮光することによりナイフェツ
ジの調整を省略てきるという効果かある。
第１図は本発明の一実施例の光学式ピックアップの側面
図、第２図は第１図の対物レンズ側のファーフィールド
よりみた正面図、第３図は本発明の一実施例のプリスム
郡を説明するための斜視図よりみた正面図、第４図は本
発明の一実施例のフォーカス検出を説明するための図、
第５図は従来例を説明するための図、第６図は第５図の
対物レンズのファーフィールドよりみた正面図である。 １・半導体レーザ、２・・・コリメートレンズ。 ３・・・ビーム整形プリスム、４・・偏光ヒームスプリ
ツタ、５・・・＾／４板、６・・・対物レンズ、７・・
・円板状記録媒体、８・・・凹面鏡、９・・第１のヒー
ムスプリツタ、１０・・・ナイフ、１１．１２．１４・
・・受光素子、１３・・第２のヒームスプリツタ、１３
ａ、１３ｂ・・・マスキング部。
図、第２図は第１図の対物レンズ側のファーフィールド
よりみた正面図、第３図は本発明の一実施例のプリスム
郡を説明するための斜視図よりみた正面図、第４図は本
発明の一実施例のフォーカス検出を説明するための図、
第５図は従来例を説明するための図、第６図は第５図の
対物レンズのファーフィールドよりみた正面図である。 １・半導体レーザ、２・・・コリメートレンズ。 ３・・・ビーム整形プリスム、４・・偏光ヒームスプリ
ツタ、５・・・＾／４板、６・・・対物レンズ、７・・
・円板状記録媒体、８・・・凹面鏡、９・・第１のヒー
ムスプリツタ、１０・・・ナイフ、１１．１２．１４・
・・受光素子、１３・・第２のヒームスプリツタ、１３
ａ、１３ｂ・・・マスキング部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 円板状記録媒体に光学的に記録された情報を再生する光
ディスク装置において、 半導体レーザと、 前記半導体レーザから出射した光束を平行光とするコリ
メートレンズと、 前記コリメートレンズの前方に配置され前記コリメート
レンズ出射の光束を前記半導体レーザのＰＮ接合面と平
行な方向に拡大するビーム整形プリズムと、 前記ビーム整形プリズムに接合された前記コリメートレ
ンズの光軸と直交する方向の２つの出射面にそれぞれλ
／４板が接合され、かつ、その一方のλ／４板に凹面鏡
が接合された偏光ビームスプリッタと、 前記偏光ビームスプリッタに接合された第１のビームス
プリッタと、 前記第１のビームスプリッタに接合され前記第１のビー
ムスプリッタから出射した光束を前記コリメートレンズ
の光軸と平行な方向と垂直な方向にそれぞれ５０％ずつ
分割し、かつ、それぞれの光束の出射面に部分的に光吸
収用の黒色塗装と砂ずり処理を施した第２のビームスプ
リッタと、前記第１のビームスプリッタの前記凹面鏡の
光軸と平行な出射面の前方に配置された少なくとも４分
割以上の受光素子と、 前記第２のビームスプリッタの前記凹面鏡の光軸と垂直
な方向と平行な方向の出射面に少なくとも２分割以上の
第１およ第２の受光素子とをそれぞれ配置したことを特
徴とする光学式ピックアップ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2299389A JPH04172625A (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | 光学式ピックアップ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2299389A JPH04172625A (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | 光学式ピックアップ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04172625A true JPH04172625A (ja) | 1992-06-19 |
Family
ID=17871926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2299389A Pending JPH04172625A (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | 光学式ピックアップ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04172625A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100269161B1 (ko) * | 1993-02-27 | 2000-10-16 | 윤종용 | 광헤드 |
-
1990
- 1990-11-05 JP JP2299389A patent/JPH04172625A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100269161B1 (ko) * | 1993-02-27 | 2000-10-16 | 윤종용 | 광헤드 |
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