JPH04171809A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH04171809A JPH04171809A JP29932990A JP29932990A JPH04171809A JP H04171809 A JPH04171809 A JP H04171809A JP 29932990 A JP29932990 A JP 29932990A JP 29932990 A JP29932990 A JP 29932990A JP H04171809 A JPH04171809 A JP H04171809A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- resist
- thickness
- alignment mark
- lift
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 abstract description 7
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- 229910017401 Au—Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に電子ビーム
直描用の目合わせマークの形成方法に関するものである
。
直描用の目合わせマークの形成方法に関するものである
。
電子ビーム直描用の目合わせマークとしては、Ａｕ−Ｇ
ｅ／Ｎｉなとの金属膜が用いられている。
ｅ／Ｎｉなとの金属膜が用いられている。
従来技術による目合わせマークについて、第３図（ａ）
〜（ｄ）を参照して説明する。
〜（ｄ）を参照して説明する。
はじめに第３図（ａ）に示すように、半導体基板１にリ
フトオフを容易にするためのスペーサ酸化膜２を形成し
てから、レジスト３のパターンを形成する。
フトオフを容易にするためのスペーサ酸化膜２を形成し
てから、レジスト３のパターンを形成する。
つぎに第１図（ｂ）に示すように、レジスト３をマスク
としてスペーサ酸化膜２をエツチングする。
としてスペーサ酸化膜２をエツチングする。
つぎに第１図（Ｃ）に示すように、Ａｕ−Ｇｅ／Ｎｉあ
るいはＴ ｉ ／ Ｐ ｔなとの金属膜８を蒸着する。
るいはＴ ｉ ／ Ｐ ｔなとの金属膜８を蒸着する。
つぎに第１図（ｄ）に示すように、ケトンなどの有機溶
剤を用いてレジスト３を除去することにより、金属膜８
からなる目合わせマークを形成する。
剤を用いてレジスト３を除去することにより、金属膜８
からなる目合わせマークを形成する。
第１にＡ ｕ −Ｇ ｅ ／ Ｎ ｉを用いると、後工
程においてアロイなどで４００〜４５０″Ｃの熱処理を
行なったとき、ＡｕＧａ５ ＮｉＧａＡｓが偏析し、表
面状態が一様でなくなる。電子ビーム直描工程において
目合わせマーク検出信号のＳ／Ｎ比が小さくなり、目合
わせ精度が低下するという問題があった。
程においてアロイなどで４００〜４５０″Ｃの熱処理を
行なったとき、ＡｕＧａ５ ＮｉＧａＡｓが偏析し、表
面状態が一様でなくなる。電子ビーム直描工程において
目合わせマーク検出信号のＳ／Ｎ比が小さくなり、目合
わせ精度が低下するという問題があった。
第２にＡｕを含む多層構造では、レジスト側面に付着し
たＡｕがリフトオフプロセスで残留してパターン端部に
ばつを生じ、目合わせマーク検出信号のノイズが大きく
なるという問題があった。
たＡｕがリフトオフプロセスで残留してパターン端部に
ばつを生じ、目合わせマーク検出信号のノイズが大きく
なるという問題があった。
第３にＴｉ−Ａｕを用いると、４００〜５００℃でアロ
イしても表面状態は悪くならないが、Ｐｔの蒸着の際の
輻射熱でレジストが焼き付く。目合わせマークのパター
ンが変形するのでＰｔの厚さを１０００Å以上にするこ
とは難しい。
イしても表面状態は悪くならないが、Ｐｔの蒸着の際の
輻射熱でレジストが焼き付く。目合わせマークのパター
ンが変形するのでＰｔの厚さを１０００Å以上にするこ
とは難しい。
目合わせマーク用金属膜の厚さを１０００λ以下にする
と、マーク検出信号の強度が下って、目合わせ精度が落
ちるという問題があった。
と、マーク検出信号の強度が下って、目合わせ精度が落
ちるという問題があった。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板の一主面
にレジストパターンを形成する工程と、厚さ２００〜７
００人の白金、モリブデン、タングステンのうち１つを
含む多層膜を堆積する工程と、有機溶剤を用いて前記レ
ジストパターンを除去するリフトオフプロセスにより前
記多層膜からなる目合わせマークを形成する工程とを含
むものである。
にレジストパターンを形成する工程と、厚さ２００〜７
００人の白金、モリブデン、タングステンのうち１つを
含む多層膜を堆積する工程と、有機溶剤を用いて前記レ
ジストパターンを除去するリフトオフプロセスにより前
記多層膜からなる目合わせマークを形成する工程とを含
むものである。
本発明の第１の実施例について、第１図（ａ）〜（ｄ）
を参照して説明する。
を参照して説明する。
はじめに第１図（ａ）に示すように、半導体基板１に厚
さ１ｏｏｏλのスペーサ酸化Ｍ２を形成し、レジスト３
をパターニングする。
さ１ｏｏｏλのスペーサ酸化Ｍ２を形成し、レジスト３
をパターニングする。
つぎに第１図（ｂ）に示すように、レジスト３をマスク
としてスペーサ酸化膜２をウェットエツチングする。
としてスペーサ酸化膜２をウェットエツチングする。
つぎに第１図（Ｃ）に示すように、目合わせマーク用の
金属膜となる厚さ１００〜３００人のＴｉ４、厚さ２０
０〜７００人のＰｔ５、厚さ１０００〜２０００人のＡ
ｕ６を順次蒸着する。
金属膜となる厚さ１００〜３００人のＴｉ４、厚さ２０
０〜７００人のＰｔ５、厚さ１０００〜２０００人のＡ
ｕ６を順次蒸着する。
このときＰｔ５の厚さを１０００λ以上にすると蒸着の
際の熱輻射でレジスト３が焼き付いたり、Ｐｔ５の膜応
力によりレジスト３が形状変化を起す。
際の熱輻射でレジスト３が焼き付いたり、Ｐｔ５の膜応
力によりレジスト３が形状変化を起す。
またＰｔ５の厚さを２００λ以下のすると後工程の４０
０〜４５０°Ｃの熱処理でＴｉ４とＡｕ６とが反応する
。目合わせマークの表面が荒れて、電子線の反射率が不
安定となってマーク検出信号のＳ／Ｎ比が悪くなる。
０〜４５０°Ｃの熱処理でＴｉ４とＡｕ６とが反応する
。目合わせマークの表面が荒れて、電子線の反射率が不
安定となってマーク検出信号のＳ／Ｎ比が悪くなる。
つぎに第１図（ｄ）に示すように、レジスト３とともに
不要のＴｉ４、Ｐｔ５、Ａｕ６を除去することにより、
半導体基板１露出面のＴｉ４、Ｐｔ５、Ａｕ８からなる
目合わせマークを形成すル（リフトオフプロセス）。
不要のＴｉ４、Ｐｔ５、Ａｕ６を除去することにより、
半導体基板１露出面のＴｉ４、Ｐｔ５、Ａｕ８からなる
目合わせマークを形成すル（リフトオフプロセス）。
このときＰｔ５の膜の引っ張り応力のため、ケトンに浸
してレジスト３が溶解しただけで除去されるべき上層の
Ｐｔ５、Ａｕ６が容易にリフトオフされる。Ａ ｕ −
Ｇ ｅ ／ Ｎ ｉに比べてばりの発生が少ない。
してレジスト３が溶解しただけで除去されるべき上層の
Ｐｔ５、Ａｕ６が容易にリフトオフされる。Ａ ｕ −
Ｇ ｅ ／ Ｎ ｉに比べてばりの発生が少ない。
つぎに本発明の第２の実施例について、第２図を参照し
て説明する。
て説明する。
ここでは目合わせマークとして厚さ５００人のＭ ｏ
７およびＡｕ８を用いている。そのほかは第１の実施例
と同様である。
７およびＡｕ８を用いている。そのほかは第１の実施例
と同様である。
本実施例の構成を用いることにより、目合わせマークの
耐熱性がさらに向上するという利点がある。
耐熱性がさらに向上するという利点がある。
電子ビーム直描工程の目合わせマークとして、厚さ２０
０〜７００人のＰｔ膜、ＭＯ膜、Ｗ膜のいずれかを含む
多層膜を形成している。
０〜７００人のＰｔ膜、ＭＯ膜、Ｗ膜のいずれかを含む
多層膜を形成している。
その結果リフトオフプロセスが容易になり、ばりの発生
が少なくなった。
が少なくなった。
さらに４００〜４６０ ”Ｃの熱処理を行なった後も、
表面状態の変化が少なくマーク検出信号のＳ／Ｎ比が良
好になった。
表面状態の変化が少なくマーク検出信号のＳ／Ｎ比が良
好になった。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施例を工程順
に示す断面図、第２図は本発明の第２の実施例を示す断
面図、第３図（ａ）〜（ｄ）は従来技術による目合わせ
マークを形成する工程を示す断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・スペーサ酸化膜、３・・
・レジスト、４・・・Ｔ Ｉ Ｎ ５・・・Ｐｔ、６・
・・Ａｕ１７・・・ＭＯ％８・・・金属膜。
に示す断面図、第２図は本発明の第２の実施例を示す断
面図、第３図（ａ）〜（ｄ）は従来技術による目合わせ
マークを形成する工程を示す断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・スペーサ酸化膜、３・・
・レジスト、４・・・Ｔ Ｉ Ｎ ５・・・Ｐｔ、６・
・・Ａｕ１７・・・ＭＯ％８・・・金属膜。
Claims (1)
- 半導体基板の一主面にレジストパターンを形成する工
程と、厚さ２００〜７００Åの白金、モリブデン、タン
グステンのうち１つを含む多層膜を堆積する工程と、有
機溶剤を用いて前記レジストパターンを除去するリフト
オフプロセスにより前記多層膜からなる目合わせマーク
を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29932990A JPH04171809A (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29932990A JPH04171809A (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04171809A true JPH04171809A (ja) | 1992-06-19 |
Family
ID=17871139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29932990A Pending JPH04171809A (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04171809A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0892425A2 (de) * | 1997-04-24 | 1999-01-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Herstellverfahren für eine Platinmetall-Struktur mittels eines Lift-off-Prozesses |
-
1990
- 1990-11-05 JP JP29932990A patent/JPH04171809A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0892425A2 (de) * | 1997-04-24 | 1999-01-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Herstellverfahren für eine Platinmetall-Struktur mittels eines Lift-off-Prozesses |
| EP0892425A3 (de) * | 1997-04-24 | 2000-07-19 | Siemens Aktiengesellschaft | Herstellverfahren für eine Platinmetall-Struktur mittels eines Lift-off-Prozesses |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04171809A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6222463B2 (ja) | ||
| JPS61187369A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPS5835985A (ja) | シヨツトキバリアダイオ−ドおよびその製造法 | |
| JPS62181475A (ja) | 電極形成方法 | |
| CN113517177A (zh) | 一种电子束光刻辅助工艺制造方法 | |
| JPH08203933A (ja) | 高周波トランジスタのゲート電極形成方法 | |
| JPS58209125A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3407146B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6132421A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04360543A (ja) | 化合物半導体装置の製造方法 | |
| KR100411393B1 (ko) | 반도체소자의 게이트전극 패턴 형성방법 | |
| JPH07335671A (ja) | Ｔ型ゲート電極の作製方法 | |
| JPS617668A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04291733A (ja) | ＧａＡｓデバイス及びＴ字型ゲート電極の作成方法 | |
| JPH01295466A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS629677A (ja) | 電界効果型半導体装置 | |
| JPH05326518A (ja) | 半導体装置、周辺配線並びにそれらの製造方法 | |
| JPH05167063A (ja) | オーミック電極とその形成方法及び半導体装置 | |
| JPS581544B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0645525A (ja) | 薄膜抵抗素子の製造方法 | |
| JPH0354864A (ja) | ショットキー電極形成方法 | |
| JP2004200287A (ja) | 半導体装置用電極の形成方法 | |
| JPS60167326A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0744148B2 (ja) | 両面吸収体ｘ線マスクの製造方法 |