JPH04171719A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04171719A JPH04171719A JP29869690A JP29869690A JPH04171719A JP H04171719 A JPH04171719 A JP H04171719A JP 29869690 A JP29869690 A JP 29869690A JP 29869690 A JP29869690 A JP 29869690A JP H04171719 A JPH04171719 A JP H04171719A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置の製造方法、特に高融点金属膜の
形成に関するものである。
形成に関するものである。
半導体素子の高集積化、微細化に伴ない、配線層間の接
続をとるコンタクトホール部においてはその高さの径に
対する比、いわゆるアスペクト比は増大してきている。
続をとるコンタクトホール部においてはその高さの径に
対する比、いわゆるアスペクト比は増大してきている。
その為、このコンタクトホール部を介して金属配線の接
続を行なうに際しては、従来より用いられてきたスパッ
タ法では段差被覆性能が悪く、コンタクトホール底部で
は金属スパッタ膜が厚く形成されず、接続不良による半
導体装置の信頼性の劣化を起こすおそれがあった。この
問題に対しては、段差被覆性能の優れた化学的気相成長
法（以下１”ＣＶＤ法」）を用いた金属配線の形成が有
効な手段である。
続を行なうに際しては、従来より用いられてきたスパッ
タ法では段差被覆性能が悪く、コンタクトホール底部で
は金属スパッタ膜が厚く形成されず、接続不良による半
導体装置の信頼性の劣化を起こすおそれがあった。この
問題に対しては、段差被覆性能の優れた化学的気相成長
法（以下１”ＣＶＤ法」）を用いた金属配線の形成が有
効な手段である。
第２図は従来の半導体装置の周辺部の側断面を示す概念
図である。半導体例えばシリコンウニ１＼１上にＣＶＤ
法により絶縁性膜例えば二酸化シリコン膜２を形成する
。この後スパッタ法により導電性膜例えば窒化チタン３
を形成する。この後、ＣＶＤ法により、図示しないコン
タクトホール部での導電性を得るために高融点金属膜例
えばタングステン４を形成する。ここで導電性膜例えば
窒化チタン３は、高融点金属膜例えばタングステン４と
絶縁性膜例えば二酸化シリコン膜２との密着化が悪いの
でこれを改善するための介在層である。
図である。半導体例えばシリコンウニ１＼１上にＣＶＤ
法により絶縁性膜例えば二酸化シリコン膜２を形成する
。この後スパッタ法により導電性膜例えば窒化チタン３
を形成する。この後、ＣＶＤ法により、図示しないコン
タクトホール部での導電性を得るために高融点金属膜例
えばタングステン４を形成する。ここで導電性膜例えば
窒化チタン３は、高融点金属膜例えばタングステン４と
絶縁性膜例えば二酸化シリコン膜２との密着化が悪いの
でこれを改善するための介在層である。
窒化チタン３の代りにチタン・タングステン合金等か用
いられることもある。
いられることもある。
しかし、二酸化シリコン膜２及びタングステン４はＣＶ
Ｄ法で形成されるためにシリコンウェハ１の表面の周辺
部、側面部、裏面部までにも形成される一方で、窒化チ
タン３はスパッタ／ｂで形成されるので、図示しないウ
ェハ・クランプ等により、ターゲットから飛来する金属
粒子から遮蔽された部分、即ちシリコンウェハ１の表面
の周辺３１り、側面部、裏面部には形成されない。その
為シリコンウェハ１の表面の周辺部、側面部、裏面部で
は窒化チタン３に覆われることなく二酸化シリコン膜２
がタングステン４と直接接触することとなり、この部分
での密着力は弱い。
Ｄ法で形成されるためにシリコンウェハ１の表面の周辺
部、側面部、裏面部までにも形成される一方で、窒化チ
タン３はスパッタ／ｂで形成されるので、図示しないウ
ェハ・クランプ等により、ターゲットから飛来する金属
粒子から遮蔽された部分、即ちシリコンウェハ１の表面
の周辺３１り、側面部、裏面部には形成されない。その
為シリコンウェハ１の表面の周辺部、側面部、裏面部で
は窒化チタン３に覆われることなく二酸化シリコン膜２
がタングステン４と直接接触することとなり、この部分
での密着力は弱い。
従って、タングステン４は剥離し易く、剥離したタング
ステン４はシリコンウェハ１」−の他の部分に再（＝Ｊ
着し、半導体装置製造の歩留り低ドを招来するという問
題点があった。
ステン４はシリコンウェハ１」−の他の部分に再（＝Ｊ
着し、半導体装置製造の歩留り低ドを招来するという問
題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、膜剥離か／１．、 ＵることなくＣＶＤ法に
より高融点金属膜を形成できる半導体装置の製造方法を
得ることを目的とする。
たもので、膜剥離か／１．、 ＵることなくＣＶＤ法に
より高融点金属膜を形成できる半導体装置の製造方法を
得ることを目的とする。
この発明に係る゛１６導体装置の製造方法は、゛１′導
体基板上に絶縁性膜を設ける工程と、前記２１′導体基
板の表面の周辺部、側面部及び裏面部の前記絶縁性膜を
除去する上程と、少なくとも前記絶縁性膜の残部を覆う
導電性膜を形成する工程と、化学的気相成長法により高
融点金属膜を形成する工程とを含む。
体基板上に絶縁性膜を設ける工程と、前記２１′導体基
板の表面の周辺部、側面部及び裏面部の前記絶縁性膜を
除去する上程と、少なくとも前記絶縁性膜の残部を覆う
導電性膜を形成する工程と、化学的気相成長法により高
融点金属膜を形成する工程とを含む。
この発明において、ＣＶＤ法で堆積された高融点金属膜
は半導体基板の表面の周辺部、側面部、裏面部において
絶縁性膜とは接触しない。
は半導体基板の表面の周辺部、側面部、裏面部において
絶縁性膜とは接触しない。
第１図は、この発明の一実施例を示す工程順断面図であ
り、半導体基板周辺部について示している。
り、半導体基板周辺部について示している。
第１図（ａ）に示すように、半導体基板例えばシリコン
ウェハ１上に絶縁性膜例えば二酸化シリコン膜２を形成
する。このとき、二酸化シリコン膜２はＣＶＤ法により
形成されるため、゛１′導体ウェハ１の側面部および裏
面部に薄いながらも二酸化シリコン膜２が形成される。
ウェハ１上に絶縁性膜例えば二酸化シリコン膜２を形成
する。このとき、二酸化シリコン膜２はＣＶＤ法により
形成されるため、゛１′導体ウェハ１の側面部および裏
面部に薄いながらも二酸化シリコン膜２が形成される。
次に、第１図（ｂ）に示すように写真製版技術及びエツ
チング技術により、シリコンウェハ１の表面の周辺部、
側面部、裏面部の二酸化シリコン膜２を除去する。
チング技術により、シリコンウェハ１の表面の周辺部、
側面部、裏面部の二酸化シリコン膜２を除去する。
更に第１図（Ｃ）に示すように、二酸化シリコン膜２の
残部を覆うように導電性膜例えば窒化チタン３をスパッ
タ法により形成する。
残部を覆うように導電性膜例えば窒化チタン３をスパッ
タ法により形成する。
そして第１図（ｄ）に示すように、ＣＶＤ法により高融
点金属膜例えばタングステン４を堆積する。
点金属膜例えばタングステン４を堆積する。
このようにすることにより、タングステン４はシリコン
ウェハ１の表面の主部においては窒化チタン３と、また
シリコンウェハ１の表面の周辺部、側面部、裏面部にお
いてはシリコンウェハ＼１と直接に接するので密着性が
保たれて、膜剥離は１１じない。
ウェハ１の表面の主部においては窒化チタン３と、また
シリコンウェハ１の表面の周辺部、側面部、裏面部にお
いてはシリコンウェハ＼１と直接に接するので密着性が
保たれて、膜剥離は１１じない。
」−記実施例では高融点金属膜としてタングステン４を
用いて説明したが、これに限られるものではなく、他の
高融点金属膜でもよい。（［１，Ｌ、この場合は、導電
性膜としての窒化チタン３についても、用いる高融点金
属膜に対応して、密着性を高める材質のものに変更する
必要がある。
用いて説明したが、これに限られるものではなく、他の
高融点金属膜でもよい。（［１，Ｌ、この場合は、導電
性膜としての窒化チタン３についても、用いる高融点金
属膜に対応して、密着性を高める材質のものに変更する
必要がある。
また、高融点金属膜として上記実施例のようにタングス
テン４を用いた場合に、」１記に説明した窒化チタン３
の他、チタン・タングステン合金を導電性膜として用い
てもよい。
テン４を用いた場合に、」１記に説明した窒化チタン３
の他、チタン・タングステン合金を導電性膜として用い
てもよい。
以上のように、この発明の半導体装置の製造方法によれ
ば、゛１６導体基板上に絶縁性膜を設ける１゜程と、半
導体基板の表面の周辺部、側面部及び裏面部の絶縁性膜
を除去する工程と、少なくとも絶縁性膜の残部を覆う導
電性膜を形成する工程と、化学的気相成長法により高融
点金属膜を形成する工程とを含むので、形成された高融
点金属膜は絶縁性膜と接触せず、高融点金属膜の剥離が
生じない半導体装置の製造方法を得ることができる。
ば、゛１６導体基板上に絶縁性膜を設ける１゜程と、半
導体基板の表面の周辺部、側面部及び裏面部の絶縁性膜
を除去する工程と、少なくとも絶縁性膜の残部を覆う導
電性膜を形成する工程と、化学的気相成長法により高融
点金属膜を形成する工程とを含むので、形成された高融
点金属膜は絶縁性膜と接触せず、高融点金属膜の剥離が
生じない半導体装置の製造方法を得ることができる。
第１図はこの発明の一実施例を示す工程順断面図、第２
図は従来の技術を示す側断面図である。 図において、１はシリコンウェハ、２は二酸化シリコン
、３は窒化チタン、４はタングステンである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
図は従来の技術を示す側断面図である。 図において、１はシリコンウェハ、２は二酸化シリコン
、３は窒化チタン、４はタングステンである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）半導体基板上に絶縁性膜を設ける工程と、前記半
導体基板の表面の周辺部、側面部及び裏面部の前記絶縁
性膜を除去する工程と、少なくとも前記絶縁性膜の残部
を覆う導電性膜を形成する工程と、化学的気相成長法に
より高融点金属膜を形成する工程とを含む半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29869690A JPH04171719A (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29869690A JPH04171719A (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04171719A true JPH04171719A (ja) | 1992-06-18 |
Family
ID=17863101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29869690A Pending JPH04171719A (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04171719A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5700738A (en) * | 1995-03-31 | 1997-12-23 | Nec Corporation | Method for producing a semiconductor device |
-
1990
- 1990-11-02 JP JP29869690A patent/JPH04171719A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5700738A (en) * | 1995-03-31 | 1997-12-23 | Nec Corporation | Method for producing a semiconductor device |
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