JPH04170736A - 光磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体およびその製造方法Info
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- JPH04170736A JPH04170736A JP29779490A JP29779490A JPH04170736A JP H04170736 A JPH04170736 A JP H04170736A JP 29779490 A JP29779490 A JP 29779490A JP 29779490 A JP29779490 A JP 29779490A JP H04170736 A JPH04170736 A JP H04170736A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
光磁気記録媒体、および該光磁気記録媒体の製造方法に
関し、 記録した信号の劣化を防止し、信較性の向上した情報記
録が可能な光磁気記録媒体およびその製造方法を目的と
し、 透明基板上に干渉層、記録層および保護層を順次積層し
て設けるか、或いは不透明基板上に保護層、記録層およ
び干渉層を順次積層して設けた光磁気記録媒体に於いて
、前記干渉層を５ｉＡｊ！Ｎ。
関し、 記録した信号の劣化を防止し、信較性の向上した情報記
録が可能な光磁気記録媒体およびその製造方法を目的と
し、 透明基板上に干渉層、記録層および保護層を順次積層し
て設けるか、或いは不透明基板上に保護層、記録層およ
び干渉層を順次積層して設けた光磁気記録媒体に於いて
、前記干渉層を５ｉＡｊ！Ｎ。
膜と５ｉＡｌｆｉＯＸ膜の積層膜を用いて構成する。ま
た前記干渉層にＳｉＡｌＮｘ膜からＳｉＡｌＯｘ膜に連
続的に変化した被膜を用いて構成する。
た前記干渉層にＳｉＡｌＮｘ膜からＳｉＡｌＯｘ膜に連
続的に変化した被膜を用いて構成する。
本発明は光磁気記録媒体、および該光磁気記録媒体の製
造方法に関する。
造方法に関する。
光磁気ディスクは記録媒体を垂直磁化している磁性膜で
形成し、外部より磁化方向と反対方向に垂直磁界を加え
ながら、レーザ光を照射すると、照射された磁性膜が温
度上昇することで、磁性膜の保磁力が減少して磁化反転
するのを利用し、情報の記録と消去をおこなうメモリで
ある。
形成し、外部より磁化方向と反対方向に垂直磁界を加え
ながら、レーザ光を照射すると、照射された磁性膜が温
度上昇することで、磁性膜の保磁力が減少して磁化反転
するのを利用し、情報の記録と消去をおこなうメモリで
ある。
従来の光磁気記録媒体は第８図に示すようにプラスチッ
ク、或いはガラスより成る透明基板１上に窒化シリコン
膜（ＳｉＮ、）を干渉層２としてスパッタ法で設け、そ
の上に希土類・遷移金属、例えばテルビウム・鉄・コバ
ルト（Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ）の非晶質合金より成り、磁化
方向が基板面に対して垂直な記録層３をスパッタ法で設
け、更にその上に窒化シリコン膜（ＳｉＮ、）を保護層
４としてスパッタ法で設けて形成されている。
ク、或いはガラスより成る透明基板１上に窒化シリコン
膜（ＳｉＮ、）を干渉層２としてスパッタ法で設け、そ
の上に希土類・遷移金属、例えばテルビウム・鉄・コバ
ルト（Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ）の非晶質合金より成り、磁化
方向が基板面に対して垂直な記録層３をスパッタ法で設
け、更にその上に窒化シリコン膜（ＳｉＮ、）を保護層
４としてスパッタ法で設けて形成されている。
このような光磁気記録媒体に波長が８３０ｎ＊の半導体
レーザを用い、８ＩＩＩＨのパワーとし、線速１０＋ｗ
／ｓｅｃ、ビット長１μ蒙で信号を記録したところ、Ｃ
／Ｎが５１ｄＢの記録信号が得られた。また記録したビ
ット（ビット長１μｍ）に再生レーザパワーが１ｍＷで
レーザ光を照射し、信号の劣化を測定したところ、闇値
パワー（信号を記録できる最小のレーザパワー）の４５
％で信号の劣化が見られた。
レーザを用い、８ＩＩＩＨのパワーとし、線速１０＋ｗ
／ｓｅｃ、ビット長１μ蒙で信号を記録したところ、Ｃ
／Ｎが５１ｄＢの記録信号が得られた。また記録したビ
ット（ビット長１μｍ）に再生レーザパワーが１ｍＷで
レーザ光を照射し、信号の劣化を測定したところ、闇値
パワー（信号を記録できる最小のレーザパワー）の４５
％で信号の劣化が見られた。
また、その他の従来の光磁気記録媒体は第９図に示すよ
うに、アルミニウム等の不透明基板５上に窒化シリコン
Ｍ （ＳｉＮ、）を保護層４としてスパッタ法で設け、
その上に希土類・遷移金属、例えばテルビウム・鉄・コ
バル） （Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ）の非晶質合金より成り、
磁化方向が基板面に対して垂直な記録層３をスパッタ法
で設け、更にその上に窒化シリコン膜（ＳｉＮ、）を干
渉層２としてスパッタ法で設けて形成されている。
うに、アルミニウム等の不透明基板５上に窒化シリコン
Ｍ （ＳｉＮ、）を保護層４としてスパッタ法で設け、
その上に希土類・遷移金属、例えばテルビウム・鉄・コ
バル） （Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ）の非晶質合金より成り、
磁化方向が基板面に対して垂直な記録層３をスパッタ法
で設け、更にその上に窒化シリコン膜（ＳｉＮ、）を干
渉層２としてスパッタ法で設けて形成されている。
このように非晶質希土類−遷移金属合金薄膜を記録層と
して用いた光磁気記録媒体は、読みだし特性が充分でな
く、矢印Ａに示すようにレーザ光線の入射側に干渉層を
設けて磁気光学効果を大きくする方法がとられている。
して用いた光磁気記録媒体は、読みだし特性が充分でな
く、矢印Ａに示すようにレーザ光線の入射側に干渉層を
設けて磁気光学効果を大きくする方法がとられている。
また上記記録層の非晶質希土類−遷移金属合金薄膜は酸
化し易いために、保護層を必要としている。このように
上記光磁気記録媒体は光の入射側より見て干渉層、記録
層および保護層の三層構造を採っている。
化し易いために、保護層を必要としている。このように
上記光磁気記録媒体は光の入射側より見て干渉層、記録
層および保護層の三層構造を採っている。
そして上記記録層としてはテルビウム・鉄・コバルト（
Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ） 、ジスプロシウム・鉄・コバルト
（Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ） 、ガドリニウム・テルビウム・
鉄（Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ）等の非晶質希土類−遷移金属合
金薄膜が用いられ、充分な磁気特性を有するが、記録し
た信号をより劣化し難くすることで光磁気記録媒体の信
顛性が向上し、このような信軌性の向上した光磁気記録
媒体が望まれる。
Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ） 、ジスプロシウム・鉄・コバルト
（Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ） 、ガドリニウム・テルビウム・
鉄（Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ）等の非晶質希土類−遷移金属合
金薄膜が用いられ、充分な磁気特性を有するが、記録し
た信号をより劣化し難くすることで光磁気記録媒体の信
顛性が向上し、このような信軌性の向上した光磁気記録
媒体が望まれる。
シリコン・アルミニウム・窒素（ＳｉＡ４２Ｎ、 ）膜
のような三元の誘電体膜は記録層の酸化に対する保護効
果や、記録層に入射する光の干渉効果に対しては充分良
好な特性を有する。
のような三元の誘電体膜は記録層の酸化に対する保護効
果や、記録層に入射する光の干渉効果に対しては充分良
好な特性を有する。
またシリコン・アルミニウム・酸素（ＳｉＡ４２Ｎ、）
膜のような三元の誘電体膜は記録層で記録した信号の安
定性、つまり記録信号の劣化を少なくする効果は有るが
、記録層の酸化に対する保護効果は５ｉＡｊ２ＮＸ膜に
比較して低い。
膜のような三元の誘電体膜は記録層で記録した信号の安
定性、つまり記録信号の劣化を少なくする効果は有るが
、記録層の酸化に対する保護効果は５ｉＡｊ２ＮＸ膜に
比較して低い。
本発明は両者の誘電体膜の特性を相補うようにして干渉
層を形成し、記録層の保護効果を高めるとともに記録層
に記録された信号の劣化を防止することが出来る光磁気
記録媒体の提供を目的とする。
層を形成し、記録層の保護効果を高めるとともに記録層
に記録された信号の劣化を防止することが出来る光磁気
記録媒体の提供を目的とする。
上記目的を達成する本発明の光磁気記録媒体は、透明基
板上に干渉層、記録層および保護層を順次積層して設け
るか、或いは不透明基板上に保護層、記録層および干渉
層を順次積層して設けた光磁気記録媒体に於いて、 前記干渉層を５ｉＡｊｌ！’ＮＸ膜と５ｉＡｌＯ，膜の
積層膜で形成したことを特徴とする。また前記干渉層を
５ｉＡｊ！Ｎ、膜からＳｉＡｌＯｘ膜に連続的に変化し
た被膜で形成したことを特徴とする。またこのような本
発明の光磁気記録媒体を製造するには、干渉層を形成す
べき透明基板、或いは不透明基板を容器内に設置すると
ともに、該容器内に５ｉＡｊ２Ｎ。
板上に干渉層、記録層および保護層を順次積層して設け
るか、或いは不透明基板上に保護層、記録層および干渉
層を順次積層して設けた光磁気記録媒体に於いて、 前記干渉層を５ｉＡｊｌ！’ＮＸ膜と５ｉＡｌＯ，膜の
積層膜で形成したことを特徴とする。また前記干渉層を
５ｉＡｊ！Ｎ、膜からＳｉＡｌＯｘ膜に連続的に変化し
た被膜で形成したことを特徴とする。またこのような本
発明の光磁気記録媒体を製造するには、干渉層を形成す
べき透明基板、或いは不透明基板を容器内に設置すると
ともに、該容器内に５ｉＡｊ２Ｎ。
のターゲットと５ｉＡｌ！Ｏ，のターゲットを設置し、
該両方のターゲットを順次スパッタガスでスパッタして
ＳｉＡｌＮｘ膜と５ｉＡｊ！Ｏ，膜の積層膜より成る干
渉層、或いはＳｉＡｌＮｘ膜よりＳｉＡｌＯｘ膜に連続
的に変化した干渉層を形成することで達成される。
該両方のターゲットを順次スパッタガスでスパッタして
ＳｉＡｌＮｘ膜と５ｉＡｊ！Ｏ，膜の積層膜より成る干
渉層、或いはＳｉＡｌＮｘ膜よりＳｉＡｌＯｘ膜に連続
的に変化した干渉層を形成することで達成される。
また干渉層を形成すべき透明基板、或いは不透明基板を
容器内に設置するとともに、該容器内にＳｉＡ ｌのタ
ーゲットを設置し、該ＳｉＡ ｌのターゲットを窒素ガ
スでスパッタした後、酸素ガスでスパッタしてＳｉＡｌ
Ｎｘ膜とＳｉＡｌＯｘ膜の積層膜より成る干渉層、或い
は５ｉＡｊ！Ｎ、膜から５ｉＡｊ！Ｏ，膜に連続的に変
化した干渉層を形成することで達成される。
容器内に設置するとともに、該容器内にＳｉＡ ｌのタ
ーゲットを設置し、該ＳｉＡ ｌのターゲットを窒素ガ
スでスパッタした後、酸素ガスでスパッタしてＳｉＡｌ
Ｎｘ膜とＳｉＡｌＯｘ膜の積層膜より成る干渉層、或い
は５ｉＡｊ！Ｎ、膜から５ｉＡｊ！Ｏ，膜に連続的に変
化した干渉層を形成することで達成される。
また干渉層を形成すべき透明基板、或いは不透明基板を
容器内に設置するとともに、該容器内にＳｉＡｌＮｘの
蒸着源と５ｉＡｊ！Ｏっの蒸着源を設置し、該容器内を
真空に排気後、前記ＳｉＡ！！、Ｎつの蒸着源を加熱後
、ＳｉＡｌＯｘの蒸着源を加熱して該基板上にＳｉＡｌ
Ｎｘ膜とＳｉ／ｆ！Ｏ，膜の積層膜より成る干渉層、或
いはＳｉＡｌＮｘ膜からＳｉＡｌＯｘ膜に連続的に変化
した干渉層を形成することで達成される。
容器内に設置するとともに、該容器内にＳｉＡｌＮｘの
蒸着源と５ｉＡｊ！Ｏっの蒸着源を設置し、該容器内を
真空に排気後、前記ＳｉＡ！！、Ｎつの蒸着源を加熱後
、ＳｉＡｌＯｘの蒸着源を加熱して該基板上にＳｉＡｌ
Ｎｘ膜とＳｉ／ｆ！Ｏ，膜の積層膜より成る干渉層、或
いはＳｉＡｌＮｘ膜からＳｉＡｌＯｘ膜に連続的に変化
した干渉層を形成することで達成される。
また 干渉層を形成すべき透明基板、或いは不透明基板
を容器内に設置するとともに、該容器内にＳｉＡ ｌの
蒸着源を設置し、該ＳｉＡ ｌの蒸着源を加熱しながら
窒素ガスを該容器内に導入した後、酸素ガスを導入し、
前記透明基板上にＳｉＡｌＮｘ膜とＳｉＡｌＯｘ膜の積
層膜より成る干渉層、或いは５ｉＡｉ！、Ｎ、膜から５
ｉＡｌＯＸ膜に連続的に変化した干渉層を形成すること
で達成される。
を容器内に設置するとともに、該容器内にＳｉＡ ｌの
蒸着源を設置し、該ＳｉＡ ｌの蒸着源を加熱しながら
窒素ガスを該容器内に導入した後、酸素ガスを導入し、
前記透明基板上にＳｉＡｌＮｘ膜とＳｉＡｌＯｘ膜の積
層膜より成る干渉層、或いは５ｉＡｉ！、Ｎ、膜から５
ｉＡｌＯＸ膜に連続的に変化した干渉層を形成すること
で達成される。
５ｉＡＩＮ、膜のような三元の誘電体膜は、記録層の酸
化に対する保護効果や、記録層に入射する光の干渉効果
に対しては充分良好な特性を有する。
化に対する保護効果や、記録層に入射する光の干渉効果
に対しては充分良好な特性を有する。
また５ｉＡｊ！ＯＸＭＩＡのような三元の誘電体膜は記
録層で記録した信号の安定性、つまり記録信号の劣化を
少なくする効果は有るが、記録層の酸化に対する保護効
果は低い。そこで両者の誘電体膜の特性を相補うように
して干渉層を形成し、記録層の保護効果を高めるととも
に記録層に記録された信号の劣化を防止する。そして干
渉層を５ｊＡｊ！Ｎ。
録層で記録した信号の安定性、つまり記録信号の劣化を
少なくする効果は有るが、記録層の酸化に対する保護効
果は低い。そこで両者の誘電体膜の特性を相補うように
して干渉層を形成し、記録層の保護効果を高めるととも
に記録層に記録された信号の劣化を防止する。そして干
渉層を５ｊＡｊ！Ｎ。
膜と５ｉＡＡＯＸ膜で形成し、記録層側に５ｉＡｊ２０
に膜を設けることで記録層の保護効果と信号の安定性の
効果を高めることができる。またこの積層膜の構造は５
ｉＡｌ！Ｏ，膜と５ｉＡ９．Ｎ、膜とを、それぞれ区別
して積層しても良いし、或いは記録層に近接した側より
５ｉＡｊｌ！Ｏｘ膜からＳｉＡｌＮｘＭｌ、に連続的に
その干渉膜の組成が異なるように形成しても良い。
に膜を設けることで記録層の保護効果と信号の安定性の
効果を高めることができる。またこの積層膜の構造は５
ｉＡｌ！Ｏ，膜と５ｉＡ９．Ｎ、膜とを、それぞれ区別
して積層しても良いし、或いは記録層に近接した側より
５ｉＡｊｌ！Ｏｘ膜からＳｉＡｌＮｘＭｌ、に連続的に
その干渉膜の組成が異なるように形成しても良い。
以下、図面を用いて本発明の実施例につき詳細に説明す
る。
る。
第１図に示すように、本発明の第１実施例の磁気記録媒
体はガラスのような透明基板１１に干渉層１２として５
ｉＡｌＮＸ膜１３を９０ｎＷｌの厚さに、その上にＳｉ
ＡｌＯｘ膜１４を１０ｒ＋ａ＋の厚さにスパッタ法で積
層形成する。そしてこの干渉層１２の上に記録層１５と
してＴｂｚ＋Ｆｅｔ＋Ｃｏ５（数字は原子％）をスパッ
タで９０％ｍの厚さに設け、その上にＳｉＡＩＮ−Ｍよ
り成る保護層１６をスパッタ法で９０ｎｓ＋の厚さに設
けて磁気記録媒体を形成する。
体はガラスのような透明基板１１に干渉層１２として５
ｉＡｌＮＸ膜１３を９０ｎＷｌの厚さに、その上にＳｉ
ＡｌＯｘ膜１４を１０ｒ＋ａ＋の厚さにスパッタ法で積
層形成する。そしてこの干渉層１２の上に記録層１５と
してＴｂｚ＋Ｆｅｔ＋Ｃｏ５（数字は原子％）をスパッ
タで９０％ｍの厚さに設け、その上にＳｉＡＩＮ−Ｍよ
り成る保護層１６をスパッタ法で９０ｎｓ＋の厚さに設
けて磁気記録媒体を形成する。
このような光磁気記録媒体を用いて線速Ｌｏｗ／ｓｅｃ
、ビット長１μｍで信号を記録したところ、Ｃ／Ｎ比が
５３ｄｂの記録信号が得られた。
、ビット長１μｍで信号を記録したところ、Ｃ／Ｎ比が
５３ｄｂの記録信号が得られた。
また記録したビット（ビット長Ｉμｍ）にレーザ光を照
射し、信号の劣化を測定したところ、閾値パワー（信号
を記録できる最小のレーザパワー）の８０％まで信号の
劣化が見られない高品質の光磁気記録媒体が得られた。
射し、信号の劣化を測定したところ、閾値パワー（信号
を記録できる最小のレーザパワー）の８０％まで信号の
劣化が見られない高品質の光磁気記録媒体が得られた。
このような第１実施例の光磁気記録媒体を製造するには
、第４図に示すようにガラスのような透明基板１１と、
水平方向に移動可能な５ｊＡｌ２Ｎ、のターゲット１７
と５ｉＡｊ２０− のターゲット］８と、記録層形成用
のＴｂｚ＋Ｆｅｔ＋Ｃｏｅ（数字は原子％）ターゲット
１９と容器２０内に対向配置する。そして該透明基板１
１と前記したターゲン目７，１８．１９の間に遮蔽板２
１を設ける。そして該容器２０内を１０− ’Ｐａ程度
の真空度に成る迄、排気管２２に連なる排気ポンプ（図
示せず）で排気した後、該容器内にガス導入管２３より
Ａｒガスをスパッタガスとして導入して遮蔽板２１を移
動して５ｉＡｉ！、Ｎ、のターゲット１７と透明基板１
１とを対向配置し、ＳｉＡｌＮｘのターゲットをスパッ
タして第１図に示したＳｉＡ ｉ！ Ｎ、 ｌ！１３を
形成する。
、第４図に示すようにガラスのような透明基板１１と、
水平方向に移動可能な５ｊＡｌ２Ｎ、のターゲット１７
と５ｉＡｊ２０− のターゲット］８と、記録層形成用
のＴｂｚ＋Ｆｅｔ＋Ｃｏｅ（数字は原子％）ターゲット
１９と容器２０内に対向配置する。そして該透明基板１
１と前記したターゲン目７，１８．１９の間に遮蔽板２
１を設ける。そして該容器２０内を１０− ’Ｐａ程度
の真空度に成る迄、排気管２２に連なる排気ポンプ（図
示せず）で排気した後、該容器内にガス導入管２３より
Ａｒガスをスパッタガスとして導入して遮蔽板２１を移
動して５ｉＡｉ！、Ｎ、のターゲット１７と透明基板１
１とを対向配置し、ＳｉＡｌＮｘのターゲットをスパッ
タして第１図に示したＳｉＡ ｉ！ Ｎ、 ｌ！１３を
形成する。
次いで５ｉＡｌＯ，のターゲット１８と透明基板１１と
を対向配置し、５ｉＡｊ！Ｏ，のターゲットをＡｒガス
でスパッタして第１図に示した５ｉＡｊ！Ｏ，ｌ膜１４
を形成して干渉層１２を形成する。次いで記録層１５形
成用のＴｂｚ＋Ｆｅｗ＋Ｃ０５（数字は原子％）ターゲ
ット１９と透明ガラス基板とを対向配置し、Ｔｔｌｚ
＋ Ｆｅ、Ｉ ＣＯｓターゲット１９をスパッタして第
１図に示すＴｂｚ、Ｆｅｔ＋Ｃｏ、の記録７５１５を形
成する。
を対向配置し、５ｉＡｊ！Ｏ，のターゲットをＡｒガス
でスパッタして第１図に示した５ｉＡｊ！Ｏ，ｌ膜１４
を形成して干渉層１２を形成する。次いで記録層１５形
成用のＴｂｚ＋Ｆｅｗ＋Ｃ０５（数字は原子％）ターゲ
ット１９と透明ガラス基板とを対向配置し、Ｔｔｌｚ
＋ Ｆｅ、Ｉ ＣＯｓターゲット１９をスパッタして第
１図に示すＴｂｚ、Ｆｅｔ＋Ｃｏ、の記録７５１５を形
成する。
次いで５ｉＡＩｌＮ、ターゲット１７と透明基板１１と
を対向配置し、ＳｉＡｌＮｘターゲツトをスパッタ
−して第１図に示すＳｉＡｌＮｘ膜より成る保護層１６
を形成する。このようにすることで基板上に第１実施例
の光磁気記録媒体が形成される。
を対向配置し、ＳｉＡｌＮｘターゲツトをスパッタ
−して第１図に示すＳｉＡｌＮｘ膜より成る保護層１６
を形成する。このようにすることで基板上に第１実施例
の光磁気記録媒体が形成される。
また上記第１実施例に示した光磁気記録媒体を他の製造
方法で形成して第２実施例の光磁気記録媒体を製造する
ことも可能である。第２実施例の光磁気記録媒体の製造
方法としては、第５図に示すような装置を用いて製造す
る。第５図に示すように前記した干渉層を形成する場合
、ガラスのような透明基板１１と対向するように５ｉＡ
Ｉ２ターゲツト２４を容器２０内に設置し、該容器内を
１０−５Ｐａ程度の真空度に排気した後、スバ・７タガ
スとしてガス導入管２３より窒素ガスを所定時間容器に
導入して５ｉＡｌＮＸ膜を９０％ｍの厚さに形成した後
、該容器内に他のガス導入管２３より酸素ガスを導入し
て５ｉＡｉ！、Ｏ，膜を１０ｎ１１１の厚さに形成する
。
方法で形成して第２実施例の光磁気記録媒体を製造する
ことも可能である。第２実施例の光磁気記録媒体の製造
方法としては、第５図に示すような装置を用いて製造す
る。第５図に示すように前記した干渉層を形成する場合
、ガラスのような透明基板１１と対向するように５ｉＡ
Ｉ２ターゲツト２４を容器２０内に設置し、該容器内を
１０−５Ｐａ程度の真空度に排気した後、スバ・７タガ
スとしてガス導入管２３より窒素ガスを所定時間容器に
導入して５ｉＡｌＮＸ膜を９０％ｍの厚さに形成した後
、該容器内に他のガス導入管２３より酸素ガスを導入し
て５ｉＡｉ！、Ｏ，膜を１０ｎ１１１の厚さに形成する
。
このようにして形成された第２実施例の光磁気記録媒体
に線速１０ｍ／ｓｅｃ 、ビット長１μ鋼で信号を記録
したところ、Ｃ／Ｎが５２ｄｂの記録信号が得られた。
に線速１０ｍ／ｓｅｃ 、ビット長１μ鋼で信号を記録
したところ、Ｃ／Ｎが５２ｄｂの記録信号が得られた。
また記録したピント（ビット長さ１μｍ）にレーザ光を
照射し、信号の劣化を測定したところ、闇値パワー（信
号を記録できる最小のレーザパワー）の７５％まで信号
の劣化が見られない高品質の光磁気記録媒体が得られた
。
照射し、信号の劣化を測定したところ、闇値パワー（信
号を記録できる最小のレーザパワー）の７５％まで信号
の劣化が見られない高品質の光磁気記録媒体が得られた
。
第２図は本発明の第３実施例の光磁気記録媒体を示す断
面図である。図示するように透明基板ｌｌ上に干渉層１
２としてＳｉＡ １． Ｎ、 １１１１３とＳｉ／／！
Ｏ。
面図である。図示するように透明基板ｌｌ上に干渉層１
２としてＳｉＡ １． Ｎ、 １１１１３とＳｉ／／！
Ｏ。
膜１４の被膜をＳｉＡｌＮｘ膜から５ｉＡｌｆｉＯ，膜
にその組成が連続的に変化するような被膜を設ける。こ
の点線で示す位置の被膜は５ｉＡＩＮｘ膜と５ｉＡｊ！
Ｏｘ膜の混合膜であり、このような干渉層１２を１１０
０ｎの厚さで設ける。そして干渉層の上にＴｂｚ＋Ｆｅ
＋＋ＣＯ＋＋の記録層１５を形成後、次いでＳｉＡｌＮ
ｘ膜より成る保護層１６を設けた。
にその組成が連続的に変化するような被膜を設ける。こ
の点線で示す位置の被膜は５ｉＡＩＮｘ膜と５ｉＡｊ！
Ｏｘ膜の混合膜であり、このような干渉層１２を１１０
０ｎの厚さで設ける。そして干渉層の上にＴｂｚ＋Ｆｅ
＋＋ＣＯ＋＋の記録層１５を形成後、次いでＳｉＡｌＮ
ｘ膜より成る保護層１６を設けた。
このような第３実施例の光磁気記録媒体の製造方法とし
ては、前記した第５図に示す装置を用いる。
ては、前記した第５図に示す装置を用いる。
つまり第２図の干渉層１２を形成する場合、ターゲ・ン
トとして５ｉＡｌターゲ・ント２４を用い、スバ・ンタ
ガスとして窒素ガスを所定時間容器２０に導入して５ｉ
Ａｊ２ＮＸ膜を形成した後、該容器２０内に酸素ガスを
導入して５ｉＡＩＯＸ膜を形成する。
トとして５ｉＡｌターゲ・ント２４を用い、スバ・ンタ
ガスとして窒素ガスを所定時間容器２０に導入して５ｉ
Ａｊ２ＮＸ膜を形成した後、該容器２０内に酸素ガスを
導入して５ｉＡＩＯＸ膜を形成する。
このようムこして形成された第３実施例の光磁気記録媒
体に線速１（ｌＩＩ／ｓｅｃ 、ビット長１ ｕ−で信
号を記録したところ、Ｃ／Ｎが５２ｄｂの記録信号が得
られた。また記録したビット（ビット長さ１μｍ）にレ
ーザ光を照射し、信号の劣化を測定したところ、闇値パ
ワー（信号を記録できる最小のレーザパワー）の′７５
％まで信号の劣化が見られない高品質の光磁気記録媒体
が得られた。
体に線速１（ｌＩＩ／ｓｅｃ 、ビット長１ ｕ−で信
号を記録したところ、Ｃ／Ｎが５２ｄｂの記録信号が得
られた。また記録したビット（ビット長さ１μｍ）にレ
ーザ光を照射し、信号の劣化を測定したところ、闇値パ
ワー（信号を記録できる最小のレーザパワー）の′７５
％まで信号の劣化が見られない高品質の光磁気記録媒体
が得られた。
第３図に本発明の第４実施例の光磁気記録媒体の構造の
断面図を示す。
断面図を示す。
図示するように基板として八！の不透明基板２５を用い
、その上にＳｉＡｌＮｘの保護層を９０ｎｍの厚さに設
け、更にその上に７ｂｚ＋Ｆｅ７＋ＣＯｓの記録層１５
を形成後、その上に干渉層１２として５ｉＡｌｆｉＯ，
膜１４とＳｉＡｌＮｘ膜１３の連続膜を用い、それぞれ
１０ｎｌ、 ９０ｎｓ＋の厚さに設ける。そして干渉層
を形成するターゲットとしては第５図に示した５ｉＡＩ
２ターゲツト２４を用い、スパッタ中に５ｉＡｌｆｉＯ
，膜が１０ｎｍ被着した時点でスパッタガスを酸素ガス
より窒素ガスに変換し、９０ｎｍの５ｉＡｊ！Ｎｗ膜を
形成した。
、その上にＳｉＡｌＮｘの保護層を９０ｎｍの厚さに設
け、更にその上に７ｂｚ＋Ｆｅ７＋ＣＯｓの記録層１５
を形成後、その上に干渉層１２として５ｉＡｌｆｉＯ，
膜１４とＳｉＡｌＮｘ膜１３の連続膜を用い、それぞれ
１０ｎｌ、 ９０ｎｓ＋の厚さに設ける。そして干渉層
を形成するターゲットとしては第５図に示した５ｉＡＩ
２ターゲツト２４を用い、スパッタ中に５ｉＡｌｆｉＯ
，膜が１０ｎｍ被着した時点でスパッタガスを酸素ガス
より窒素ガスに変換し、９０ｎｍの５ｉＡｊ！Ｎｗ膜を
形成した。
このようにして形成された光磁気記録媒体に線速１０ｍ
／ｓｅｃで、ビット長１μ閣で信号を記録したところ、
Ｃ／Ｎが５２ｄｂの記録信号が得られた。また記録した
ビット（ビット長１μ蒙）にレーザ光を照射し、信号の
劣化を測定したところ、闇値パワー（信号を記録できる
最小のレーザパワー）の７５％迄信号の劣化が見られ無
かった。
／ｓｅｃで、ビット長１μ閣で信号を記録したところ、
Ｃ／Ｎが５２ｄｂの記録信号が得られた。また記録した
ビット（ビット長１μ蒙）にレーザ光を照射し、信号の
劣化を測定したところ、闇値パワー（信号を記録できる
最小のレーザパワー）の７５％迄信号の劣化が見られ無
かった。
また本実施例の変形例として前記した第４図の装置を用
いて、干渉層にＳｉＡｌＯｘ膜と５ｉＡｊ２ＮＸ膜を区
別して積層することもできる。
いて、干渉層にＳｉＡｌＯｘ膜と５ｉＡｊ２ＮＸ膜を区
別して積層することもできる。
また、第５実施例として第６図に示すように上記干渉層
をＳｉＡｌＮｘ蒸着′ｓ２６と５ｉＡｌｆｉＯ，の蒸着
源２７を用い、この蒸着源のうちＳｉＡｌＮｘの蒸着源
２６をヒータ２８で加熱してＳｉＡｌＮｘ膜を透明基板
１１上に形成した後、ＳｉＡｌＯｘの蒸着源２７を加熱
ヒータ２８テ加熱し７ＳｉＡｌＮ、ｌｌと５ｉＡｌｆｉ
Ｏ，膜の積層膜、或いは連続的にその組成が変化する干
渉層を形成することができる。
をＳｉＡｌＮｘ蒸着′ｓ２６と５ｉＡｌｆｉＯ，の蒸着
源２７を用い、この蒸着源のうちＳｉＡｌＮｘの蒸着源
２６をヒータ２８で加熱してＳｉＡｌＮｘ膜を透明基板
１１上に形成した後、ＳｉＡｌＯｘの蒸着源２７を加熱
ヒータ２８テ加熱し７ＳｉＡｌＮ、ｌｌと５ｉＡｌｆｉ
Ｏ，膜の積層膜、或いは連続的にその組成が変化する干
渉層を形成することができる。
また第６実施例として第７図に示すように上記透明基板
１１上に干渉層を形成する場合、ＳｉＡ ｌ蒸第
１ 表 着源２９を用い、この蒸着源２９を加熱ヒータ２８で加
熱しながら、容器２０内にガス導入管２３より窒素ガス
を導入することで５ｉＡｉ！、Ｎ、膜を形成し、所定時
間経過した後に容器２０内の窒素ガスを酸素ガスに切り
換えて５ｉＡＩ！Ｏ，膜を積層膜として、或いはＳｉＡ
ｌＮｘ膜から５ｉＡｌＯＸ膜に連続的に組成が変化する
被膜として形成しても良い、゛上記した実施例と従来例
の比較表を前頁の第１表にまとめて示す。
１１上に干渉層を形成する場合、ＳｉＡ ｌ蒸第
１ 表 着源２９を用い、この蒸着源２９を加熱ヒータ２８で加
熱しながら、容器２０内にガス導入管２３より窒素ガス
を導入することで５ｉＡｉ！、Ｎ、膜を形成し、所定時
間経過した後に容器２０内の窒素ガスを酸素ガスに切り
換えて５ｉＡＩ！Ｏ，膜を積層膜として、或いはＳｉＡ
ｌＮｘ膜から５ｉＡｌＯＸ膜に連続的に組成が変化する
被膜として形成しても良い、゛上記した実施例と従来例
の比較表を前頁の第１表にまとめて示す。
なお、第１表の１〜６の数字の番号は第１実施例から第
６実施例を示す。
６実施例を示す。
以上の説明から明らかなように本発明によれば記録信号
の劣化しない高信転度の光磁気記録媒体が得られる効果
がある。
の劣化しない高信転度の光磁気記録媒体が得られる効果
がある。
第１図は本発明の第１および第２実施例の光磁気記録媒
体を示す断面図、 第２図は本発明の第３実施例の光磁気記録媒体を示す断
面図、。 第３図は本発明の第４実施例の光磁気記録媒体を示す断
面図、 第４図は第１実施例の光磁気記録媒体の製造に用いる装
置の模式図、 第５図は第２、第３および第４実施例の光磁気記録媒体
の製造に用いる装置の模式図、第６図は本発明の第５実
施例の光磁気記録媒体の製造に用いる装置の模式図、 第７図は本発明の第６実施例の光磁気記録媒体の製造に
用いる装置の模式図、 第８図および第９図は従来の光磁気記録媒体の断面図で
ある。 図に於いて、 １１は透明基板、１２は干渉層、１３はＳｉＡｌＮｘ膜
、１４は５ｉＡｊｌ！Ｏｘ膜、１５は記録層、１６は保
護層、１７は５ｉＡｊ２Ｎ、Ｉターゲット、１８はＳｉ
ＡｌＯｘターゲット、１９はＴｂ２１Ｆｅｔ＋Ｃｏｓタ
ーゲツト、２ｏは容器、２１は遮蔽板、２２は排気管、
２３はガス導入管、２４は５ｔＡＩｌターゲツト、２５
は不透明基板、２６はＳｉＡｌＮｘ蒸着源、２７ハＳｉ
Ａ ｉ！ Ｏ，蒸着源、２８はヒータ、２９はＳｉＡ
ｉ！蒸着源を示す。 代理人 弁理士 井 桁 貞 − 第 ＩＩＩ ノドＶＥＩＪＩ Ｍ稠１３−６桐（ｆｌ−烹噛丙言と（
哨？ψ某（トを木Ｔ＾Ｃゴ第２１１１ 第 ３ 図
体を示す断面図、 第２図は本発明の第３実施例の光磁気記録媒体を示す断
面図、。 第３図は本発明の第４実施例の光磁気記録媒体を示す断
面図、 第４図は第１実施例の光磁気記録媒体の製造に用いる装
置の模式図、 第５図は第２、第３および第４実施例の光磁気記録媒体
の製造に用いる装置の模式図、第６図は本発明の第５実
施例の光磁気記録媒体の製造に用いる装置の模式図、 第７図は本発明の第６実施例の光磁気記録媒体の製造に
用いる装置の模式図、 第８図および第９図は従来の光磁気記録媒体の断面図で
ある。 図に於いて、 １１は透明基板、１２は干渉層、１３はＳｉＡｌＮｘ膜
、１４は５ｉＡｊｌ！Ｏｘ膜、１５は記録層、１６は保
護層、１７は５ｉＡｊ２Ｎ、Ｉターゲット、１８はＳｉ
ＡｌＯｘターゲット、１９はＴｂ２１Ｆｅｔ＋Ｃｏｓタ
ーゲツト、２ｏは容器、２１は遮蔽板、２２は排気管、
２３はガス導入管、２４は５ｔＡＩｌターゲツト、２５
は不透明基板、２６はＳｉＡｌＮｘ蒸着源、２７ハＳｉ
Ａ ｉ！ Ｏ，蒸着源、２８はヒータ、２９はＳｉＡ
ｉ！蒸着源を示す。 代理人 弁理士 井 桁 貞 − 第 ＩＩＩ ノドＶＥＩＪＩ Ｍ稠１３−６桐（ｆｌ−烹噛丙言と（
哨？ψ某（トを木Ｔ＾Ｃゴ第２１１１ 第 ３ 図
Claims (7)
- （１）透明基板（１１）上に干渉層（１２）、記録層（
１５）および保護層（１６）を順次積層して設けるか、
或いは不透明基板（２５）上に保護層（１６）、記録層
（１５）および干渉層（１２）を順次積層して設けた光
磁気記録媒体に於いて、 前記干渉層（１２）をＳｉＡｌＮ＿ｘ膜（１３）と、Ｓ
ｉＡｌＯ＿ｘ膜（１４）の積層膜で形成したことを特徴
とする光磁気記録媒体。 - （２）前記干渉層（１２）をＳｉＡｌＮ＿ｘ膜（１３）
からＳｉＡｌＯ＿ｘ膜（１４）にその組成を連続的に変
化した被膜で形成したことを特徴とする請求項（１）記
載の光磁気記録媒体。 - （３）前記ＳｉＡｌＮ＿ｘ膜（１３）とＳｉＡｌＯ＿ｘ
膜（１４）に於いて、ＳｉとＡｌの原子比はＳｉ＿ｘＡ
ｌ＿（＿１＿−＿ｘ＿）と表示した場合、０≦ｘ≦１で
あることを特徴とする請求項（１）記載の光磁気記録媒
体。 - （４）干渉層（１２）を形成すべき透明基板（１１）、
或いは不透明基板（２５）を容器（２０）内に設置する
とともに、該容器（２０）内にＳｉＡｌＮ＿ｘのターゲ
ット（１７）とＳｉＡｌＯ＿ｘのターゲット（１８）を
設置し、該両方のターゲットを順次スパッタガスでスパ
ッタしてＳｉＡｌＮ＿ｘ膜（１３）とＳｉＡｌＯ＿ｘ膜
（１４）の積層膜より成る干渉層（１２）、或いはＳｉ
ＡｌＮ＿ｘ膜（１３）よりＳｉＡｌＯ＿ｘ膜（１４）に
組成が連続的に変化した干渉層（１２）を形成すること
を特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。 - （５）干渉層（１２）を形成すべき透明基板（１１）、
或いは不透明基板（２５）を容器（２０）内に設置する
とともに、該容器（２０）内にＳｉＡｌのターゲット（
２４）を設置し、該ＳｉＡｌのターゲット（２４）を窒
素ガスでスパッタした後、酸素ガスでスパッタしてＳｉ
ＡｌＮ＿ｘ膜（１３）とＳｉＡｌＯ＿ｘ膜（１４）の積
層膜より成る干渉層（１２）、或いはＳｉＡｌＮ＿ｘ膜
（１３）からＳｉＡｌＯ＿ｘ膜（１４）に組成が連続的
に変化した干渉層（１２）を形成することを特徴とする
光磁気記録媒体の製造方法。 - （６）干渉層（１２）を形成すべき透明基板（１１）、
或いは不透明基板（２５）を容器（２０）内に設置する
とともに、該容器（２０）内にＳｉＡｌＮ＿ｘの蒸着源
（２６）とＳｉＡｌＯ＿ｘ（２７）の蒸着源を設置し、
該容器（２０）内を真空に排気後、前記ＳｉＡｌＮ＿ｘ
の蒸着源（２６）を加熱後、ＳｉＡｌＯ＿ｘの蒸着源（
２７）を加熱して該基板上にＳｉＡｌＮ＿ｘ膜（１３）
とＳｉＡｌＯ＿ｘ膜（１４）の積層膜より成る干渉層（
１２）、或いはＳｉＡｌＮ＿ｘ膜（１３）からＳｉＡｌ
Ｏ＿ｘ膜（１４）に組成が連続的に変化した干渉層（１
２）を形成することを特徴とする光磁気記録媒体の製造
方法。 - （７）干渉層（１２）を形成すべき透明基板（１１）、
或いは不透明基板（２５）を容器（２０）内に設置する
とともに、該容器（２０）内にＳｉＡｌの蒸着源（２９
）を設置し、該ＳｉＡｌの蒸着源（２９）を加熱しなが
ら窒素ガスを該容器（２０）内に導入した後、酸素ガス
を導入し、前記透明基板（１１）上にＳｉＡｌＮ＿ｘ膜
（１３）とＳｉＡｌＯ＿ｘ膜（１４）の積層膜より成る
干渉層（１２）、或いはＳｉＡｌＮ＿ｘ膜（１３）から
ＳｉＡｌＯ＿ｘ膜（１４）に組成が連続的に変化した干
渉層（１２）を形成することを特徴とする光磁気記録媒
体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29779490A JPH04170736A (ja) | 1990-11-01 | 1990-11-01 | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29779490A JPH04170736A (ja) | 1990-11-01 | 1990-11-01 | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04170736A true JPH04170736A (ja) | 1992-06-18 |
Family
ID=17851256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29779490A Pending JPH04170736A (ja) | 1990-11-01 | 1990-11-01 | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04170736A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9086645B2 (en) | 2013-07-24 | 2015-07-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Light scanning apparatus |
-
1990
- 1990-11-01 JP JP29779490A patent/JPH04170736A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9086645B2 (en) | 2013-07-24 | 2015-07-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Light scanning apparatus |
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