JPH04170312A - 六塩化二珪素の製造方法 - Google Patents
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
ンなどの製造用原料として近年注目されているジシラン
の製造原料として、きわめて有用である。さらに六塩化
二珪素は、化学的気相成長法による多結晶シリコンや単
結晶シリコンの製造原料として、また耐熱性、耐摩耗性
、耐腐食性などに優れた炭化珪素や窒化珪素の化学蒸着
膜あるいは粉末の合成原料として、さらには有機珪素化
金物合成原料として、従来にはない特長を有する物質と
して需要の拡大が見込まれている。
用な六塩化二珪素を、工業的に有利に製造できる方法に
関する。
、珪化マグネシウムなどの珪素合金を、高温で塩素と反
応させることにより行われる(米国特許第260272
8号明細書、同第2621111号明細書)。
動層式反応器が用いられてきたが、きわめて発熱の大き
な固気反応であるため、反応条件を六塩化二珪素の生成
に好適な条件に制御することが難しく、工業的な規模で
行うにはなお改良を要する状況であった。
六塩化二珪素以外に、四塩化珪素あるいはへ塩化三珪素
以上の高次珪素塩化物も副生し、六塩化二珪素の収率が
著しく低下する。
珪素合金を充填した後、高温で塩素と反応させる方法が
行われてきたが、工業上、以下のような問題があった。
度分布を生じ、均一に反応温度を制御することが難しい
。
副生金属塩素化物による体積膨張のため、反応残渣が固
結し、反応後残渣の取り出しが困難となる。
るなど、工業的規模で実施するには種々の問題がある。
程度は改善される。例えば温度の均一性を保つのが容易
になる。しかし流動層式反応器でも以下のような問題が
あり、工業上適当な方法とは言えなかった。
設備と動力が必要となる。
物が流動化に必要なガス流に同伴して、珪素塩化物と共
に反応器から流出するが1.これらの分離が困難であり
、且つ該微粒子による閉塞が引き起こされる。
大な費用を要する。
点に鑑み、六塩化二珪素を工業的規模で製造する際に生
ずる種々の問題、例えば反応温度の制御、残渣の取扱、
閉塞等を解決する方法として、撹拌混合式反応器を用い
る方法(特開昭6O−145908)、振動式反応器を
使用する方法(特開昭62−12607、同62−20
2812、同63−21211)が、本発明者らによっ
てすでに提案されているが、その他の従来法およびこれ
らの方法においても、反応器の閉塞防止および反応温度
の制御に関して、より一層の改良が望まれている。
閉塞に有効であり、六塩化二珪素を工業的に安定して生
産できる方法について検討した結果、本発明を完成する
に至った。
製造するに際し、反応器内における珪素合金中の副生金
属塩化物の濃度を、30重量%以下に保持しながら反応
させることを特徴とする六塩化二珪素の製造方法である
。
珪素の他に、四塩化珪素、へ塩化三珪素といった珪素塩
化物や金属塩化物が副生ずる。この金属塩化物は反応系
内に蓄積して、塩素と珪素合金との反応性を悪化させる
と考えられてきた。
いて鋭意検討した結果、上記作用に加えて、以下に述べ
るような予想外の作用も及ぼすことを見出したのである
。
素と珪素合金の反応の他に、金属塩化物と珪素合金との
反応が著しく優勢となり、その結果反応熱が部分的に発
生するので、反応温度の均一性が著しく乱れることにな
り、反応制御が困難になるばかりか、六塩化二珪素の収
率低下をももたらす。
および金属塩化物と珪素合金の両反応が著しく促進され
、除熱量を上回る量の熱が発生して蓄熱が更に進み、遂
には暴走反応に至る可能性すら生じてくる。この現象は
珪化鉄の塩素化で副生ずる塩素化第二鉄において著しい
。
に関係なく、珪素合金と反応器壁の接触面には、金属塩
化物単独あるいは金属塩化物と珪素合金微粉からなる付
着物が生ずる。この付着物の形成は、珪素合金中の金属
塩化物濃度が増加するに従って、加速度的に進行して反
応器内の粉体の自由な移動を妨げ、反応器の閉塞すらも
たらす場合もある。
金と塩素を効率よく反応させ六塩化二珪素を製造するた
めには、珪素合金中の副生金属塩化物の濃度を、30重
量%以下に保持する必要があるとの知見を得たのである
。珪素合金中の金属塩化物の濃度は、7重量%以下に保
持することがより好ましい。
、珪素合金の反応量が小さく、反応器を一回通過させる
だけでは原料として有効に利用できないので、部分的に
塩素化された珪素合金と金属塩化物からなる反応残渣を
、反応器に戻して循環使用する。
、反応器内の珪素合金中の金属塩化物濃度は次第に高く
なり、30重量%を超える高い濃度に達すると、既述し
たごとき種々の不都合を招くことになる。
塩化物濃度を30重量%以下に保持する。
素合金と金属塩化物の形状または/および性質の差を利
用して、常法に従い行えば良い。例えば篩分けや気流に
より分級する方法、加熱して金属塩化物を昇華させる方
法、および水洗浄により金属塩化物を溶出させ除去する
方法などを採用することができる。金属塩化物の除去は
、反応残渣を循環する途中で行っても、これとは別に行
っても良い。
ば次のようになる。
のであればよく、例えば撹拌混合式または振動式等の様
式による反応器が採用できるが、どちらかと言えば、流
動層式反応器では流動化に多量のガスを要するので、振
動式反応器の方が好ましい。その例としては、いずれも
発振装置を具備したものであって、反応器の断面が長方
形の横型反応器で、珪素合金を横方向に移送する形式の
もの、あるいは移送面が螺旋状に取り付けられた縦型反
応器で、珪素合金を螺旋状に移動させ結果的に縦方向に
移送させる形式のものなどが挙げられる。
を通すジャケット等が通常設けられており、珪素合金、
塩素および希釈剤等の供給口ならびに生成ガス、未反応
の塩素および希釈剤等の出口と、珪素合金を含有する反
応残渣の出口を有している。
ウム、珪化マグネシウム等が挙げられ、珪素合金、は粒
子状のものが好ましく、粒径として−は5メツシュ篩通
過品〜300メツシュ篩上品である。これより大きな粒
径のものでは、塩素との反応性が低下する可能性があり
、逆に300メツシユを通過する粒径では、反応を円滑
に進める上で好ましくない。
の供給量は、例えばホッパーに付属したロータリーバル
ブにより制御される。反応残渣出口から排出される反応
残渣は、それに含まれる珪素合金を原料として活用する
ために、必要に応じて所要量の金属塩化物を除去した後
、反応器の珪素合金供給口から反応器に戻して循環使用
する。
ば、コンベアー式、スクリュー式あるいは気流式などの
、粉体輸送に通常用いられる手段を使用できる。
、よ(乾燥した塩素ガスが好ましく、例えばボンベ充填
品や乾燥剤を通過させたものが使用できる。塩素は単独
でもあるいは希釈されたものでもよい。
のでなく、最適な割合は珪素合金の粒径、供給速度、反
応温度等により適宜決定される。例えば、反応器内の珪
素合金単位量(Kg)当たり、5〜100 f/hが好
ましい。52/h未満では反応に時間がかかり経済的と
はいえず、1001/h以上では塩素の反応率が低下す
る可能性がある。塩素を希釈剤と共に供給すると、反応
熱の制御が容易になるという利点がある。その際の希釈
比、即ち希釈剤/塩素は、0.05〜5の範囲が好まし
く、通常1以下で十分である。希釈剤としては六塩化二
珪素と反応しない気体ならば差し支えなく、例えば窒素
、アルゴン、四塩化珪素等が挙げられる。
100°C未満では塩素との反応率が十分でなく、50
0°Cを越えると六塩化二珪素の収率の低下につながる
。珪素合金が珪化鉄の場合には、120〜250°Cが
好ましい。
ャケットに熱媒体を通す方法および電気ヒーターを使用
する方法などのように、反応温度を維持あるいは反応熱
を除去できる方法ならばどんな方法でもよい。
応器の生成ガス出口より冷却管に導かれて、冷却の後に
生成液として取得する。生成液中には六塩化二珪素の他
に四塩化珪素、へ塩化三珪素等も含まれているが、蒸留
操作などにより目的とする六塩化二珪素を容易に得るこ
とができる。
に説明する。
ンベアー式反応器(外部ジャケット付きで、支持基台と
バネを介して接合されており、発振装置によって振動が
与えられる構造となっている)からなり、珪素合金供給
用ホッパー、反応残漬りサイクル用チューブコンベアー
などを備えた装置を用いて、珪素合金の塩素化による六
塩化二珪素の製造を行った。
ュ篩通過品)50kgを仕込み、反応器を発振装置によ
り振動させながら、ロータリーバルブにより珪化鉄を2
00kg/hで供給した。反応器内の珪化鉄は与えられ
た振動により水平方向に移送され、反応残渣はその出口
から排出させ、チューブコンベアーでホッパーに循環さ
せた。
Cまで昇温の後、希釈用窒素2 Of/hと塩素500
f/hを供給し、塩素の反応率を80%に維持したま
ま、24時間反応させた。反応温度の差は、反応器の4
箇所に設けた測定部にて測定の結果、反応開始時点で2
°C程度であった。
濃度は25重量%であった。この時点で、ホッパーから
粉体状の反応残渣を2.5kg抜き出し、一方、新たに
珪化鉄2.5kgをホッパーに追加した。
乾燥を行って回収珪化鉄を得た。
5kgづつ抜き出し、一方回収珪化鉄と新しい珪化鉄を
合わせて2.5 kgづつ仕込み、反応開始より94時
間反応を継続した。 反応終了時の反応温度の差は4
”C程度であり、反応開始時に比べ大きな変化はなかっ
た。また、反応中の反応器内における珪化鉄中の塩化第
二鉄濃度は22〜27重量%であった。
応器からのガス状混合物は、ガス出口管から沈降式集塵
装置22に導き、随伴した微粉状物を除去した後、冷却
管を通過させて珪素塩化物を凝縮させた。凝縮により生
成した液は受器で捕集した。
塩化二珪素55重量%、四塩化珪素43重量%およびへ
塩化三珪素以上の高次塩素化珪素2重量%であった0反
応終了後、反応器内を点検したところ、珪化鉄微粉末と
塩化第2鉄を主成分とする付着物が、反応器底部に1〜
2■の厚みで付着している以外には、異常がなかった。
開始した。
度は5重量%であった。この時点でホッパーから、粉体
状の反応残渣を12kg抜き出し、一方、新たに珪化鉄
12kgをホッパーに追加した。
乾燥を行って回収珪化鉄を得た。
kgづつ抜き出し、一方、回収珪化鉄と新しい珪化鉄を
合わせて12kgづつ仕込み、反応開始より96時間反
応を継続した。反応終了時の反応温度の差は2℃程度で
あり、反応開始時に比べて変化はなかった。また、反応
中の反応器内における珪化鉄中の塩化第二鉄濃度は4.
0〜5.5重量%であり、反応終了後、反応器内を点検
したところ、付着物その他の固形物の生成は皆無であっ
た。
より28日間、反応を継続した。反応中に温度が急上昇
するなどの異常は認められなかった。また、反応中の反
応器内における珪化鉄中の塩化第二鉄濃度は4.0〜6
.5重量%であった。
gの生成液を得た。その組成は六塩化二珪素54重量%
、四塩化珪素44重量%およびへ塩化三珪素以上の高次
塩素化珪素2重量%であった。
付着物が2〜3mm付着している程度で、系内には反応
を阻害するような固形物の生成は見られなかった。
開始した。
追加を行うことなく、そのまま反応を継続したところ、
35時間反応させた時点で、反応器内の珪化鉄中の塩化
第二鉄濃度は35重量%となっていた。引き続き塩素の
供給を継続したところ、反応温度が部分的に50〜10
0℃上昇する現象が生じ始めた。さらに6時間反応を続
けたところ、温度が急激に上昇して300°Cを超え、
暴走反応が始まり、塩素の供給を停止しても大量の四塩
化珪素を発生するに至った。
鉄となっていた。
反応性や、反応器内部への固形物の付着などを防止し、
反応熱の容易な制御および反応器の閉塞防止を可能とし
、塩素の高い反応率、かつ高収率をもって、六塩化二珪
素を製造できる方法が提供される。この方法によれば、
工業的レベルで、安全にしかも安定で、効率よく六塩化
二珪素を製造することができる。
Claims (1)
- 1、珪素合金と塩素を反応させて、六塩化二珪素を製造
するに際し、反応器内における珪素合金中の副生金属塩
化物の濃度を30重量%以下に保持しながら反応させる
ことを特徴とする六塩化二珪素の製造方法。
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US8734756B2 (en) | 2010-09-21 | 2014-05-27 | E I Du Pont De Nemours And Company | Process for in-situ formation of chlorides in the preparation of titanium dioxide |
US8734755B2 (en) | 2010-02-22 | 2014-05-27 | E I Du Pont De Nemours And Company | Process for in-situ formation of chlorides of silicon, aluminum and titanium in the preparation of titanium dioxide |
US8741257B2 (en) | 2009-11-10 | 2014-06-03 | E I Du Pont De Nemours And Company | Process for in-situ formation of chlorides of silicon and aluminum in the preparation of titanium dioxide |
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1990
- 1990-11-05 JP JP29959290A patent/JP2855578B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US8741257B2 (en) | 2009-11-10 | 2014-06-03 | E I Du Pont De Nemours And Company | Process for in-situ formation of chlorides of silicon and aluminum in the preparation of titanium dioxide |
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JP2855578B2 (ja) | 1999-02-10 |
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