JPH04168638A - 欠陥検査装置 - Google Patents
欠陥検査装置Info
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- JPH04168638A JPH04168638A JP29598790A JP29598790A JPH04168638A JP H04168638 A JPH04168638 A JP H04168638A JP 29598790 A JP29598790 A JP 29598790A JP 29598790 A JP29598790 A JP 29598790A JP H04168638 A JPH04168638 A JP H04168638A
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Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野Ｊ
本発明は、光ディスク及びその基板の欠陥の検査に関す
るものである。
るものである。
［従来の技術］
従来の光ディスク及びその基板の欠陥を検査する装置は
、光ディスクに照射させるためのレザービームを発生さ
せるレーザー光源と、光ディスクにレーザービームを収
束させるための収束レンズと、光ディスクを透過又は、
反射したレーザービーム光量を検出するための受光素子
に照射するために分割させるビームスプリッタ−と、欠
陥を検呂する受光素子から構成され、欠陥により受光素
子に入射する光量が変化し、受光素子の出力を判定する
ことにより、ディスク欠陥を検査する構成となっていた
。
、光ディスクに照射させるためのレザービームを発生さ
せるレーザー光源と、光ディスクにレーザービームを収
束させるための収束レンズと、光ディスクを透過又は、
反射したレーザービーム光量を検出するための受光素子
に照射するために分割させるビームスプリッタ−と、欠
陥を検呂する受光素子から構成され、欠陥により受光素
子に入射する光量が変化し、受光素子の出力を判定する
ことにより、ディスク欠陥を検査する構成となっていた
。
［発明が解決しようとする課題］
ところが、ディスクの欠陥検査を行なううえで、光ディ
スクの表面欠陥、光ディスクの基板内欠陥等、微細な欠
陥（コートむら、ディスク成形時のバブル、シルバーな
ど）については、検出することができなかった。
スクの表面欠陥、光ディスクの基板内欠陥等、微細な欠
陥（コートむら、ディスク成形時のバブル、シルバーな
ど）については、検出することができなかった。
そこで本発明はこのような課題を解決するものであり、
その目的とするところは、ディスクの基板状態における
微細な欠陥も検出可能にするところにある。
その目的とするところは、ディスクの基板状態における
微細な欠陥も検出可能にするところにある。
［課題を解決するための手段］
本発明の欠陥検査装置は、光ディスクに照射させるため
のレザービームを発生させるレーザー光源と、光ディス
クにレーザービームを収束させるための収束レンズと、
光ディスクを透過又は反射したレーザービーム光量を検
出するための受光面が２つに分割された受光素子から構
成され、受光素子の分割方向を光ディスクの径方向に対
し平行に配置し２つの受光面の全和信号と２つの受光面
の差信号から欠陥を判定することを特徴とする。
のレザービームを発生させるレーザー光源と、光ディス
クにレーザービームを収束させるための収束レンズと、
光ディスクを透過又は反射したレーザービーム光量を検
出するための受光面が２つに分割された受光素子から構
成され、受光素子の分割方向を光ディスクの径方向に対
し平行に配置し２つの受光面の全和信号と２つの受光面
の差信号から欠陥を判定することを特徴とする。
本発明の光ディスク及びその基板の欠陥を検査する装置
は、光ディスクに照射させるためのレザービームを発生
させるレーザー光源と、光ディスクにレーザービームを
収束さぜるための収束レンズと、光ディスクを透過又は
、反射したレーザービーム光量を検出するための受光面
が４つに分割された受光素子から構成され、受光素子の
分割方向を光ディスクの径方向に対し平行及び垂直に配
置し４つの受光面の全和信号と４つの受光面のうち２つ
の受光面相の差信号から欠陥を判定することを特徴とす
る。
は、光ディスクに照射させるためのレザービームを発生
させるレーザー光源と、光ディスクにレーザービームを
収束さぜるための収束レンズと、光ディスクを透過又は
、反射したレーザービーム光量を検出するための受光面
が４つに分割された受光素子から構成され、受光素子の
分割方向を光ディスクの径方向に対し平行及び垂直に配
置し４つの受光面の全和信号と４つの受光面のうち２つ
の受光面相の差信号から欠陥を判定することを特徴とす
る。
［実施例］
第１図は、基本的な透過型の欠陥検査装置図である。図
中１は光ディスクに照射させるためのレーザービームを
発生させるためのレーザー光源、２は光ディスクにレー
ザービームを収束させるための収束レンズ、３は光ディ
スクまたは基板、４は光ディスクを透過したレーザービ
ーム光量を欠陥を検出するために受光面が２つに分割さ
れた受光素子から構成される。図中１で発光されたレザ
ービームは図中２の収束レンズで図中３の光ディスクに
収束され、透過光は図中４の分割方向を光ディスクの径
方向に対し平行に配置された受光素子に達する。図中４
の受光素子は受光面が２つに分割され受光素子の分割さ
れた受光面をそれぞれＰＤＩ、ＰＤ２とする。また、そ
の分割線は、光ディスクの径方向に対し平行になるよう
にする。
中１は光ディスクに照射させるためのレーザービームを
発生させるためのレーザー光源、２は光ディスクにレー
ザービームを収束させるための収束レンズ、３は光ディ
スクまたは基板、４は光ディスクを透過したレーザービ
ーム光量を欠陥を検出するために受光面が２つに分割さ
れた受光素子から構成される。図中１で発光されたレザ
ービームは図中２の収束レンズで図中３の光ディスクに
収束され、透過光は図中４の分割方向を光ディスクの径
方向に対し平行に配置された受光素子に達する。図中４
の受光素子は受光面が２つに分割され受光素子の分割さ
れた受光面をそれぞれＰＤＩ、ＰＤ２とする。また、そ
の分割線は、光ディスクの径方向に対し平行になるよう
にする。
図中４のＰＤＩの受光素子の光量とＰＤ２の受光素子の
光量の和または差を検出することにより光デイスク中の
微細な欠陥を検出することができる。
光量の和または差を検出することにより光デイスク中の
微細な欠陥を検出することができる。
第２図は、基本的な反射型の欠陥検査装置図である。図
中１１は光ディスクに照射させるためのレーザービーム
を発生させるためのレザー光源、１２は光ディスクにレ
ーザービームを収束させるための収束レンズ、１３は光
ディスクを反射したレーザービーム光量を検出するため
の受光素子に照射スるために分割させるビームスプリッ
タ−１１４はディスクまたは基板、１５は欠陥を検出す
るために受光面が２つに分割された受光素子から構成さ
れる。図中１１で発光されたレザービームは図中１２の
収束レンズで図中１４の光ディスクに収束され反射光は
、図中１３の受光素子に照射させるため反射光を分割さ
せるビームスプリッタ−を経て、受光素子に達する。図
中１５の受光素子は受光面が２つに分割され受光素子の
分割された受光面をそれぞれＰＤＩＳＰＤ２とする。ま
た、その分割線は、光ディスクの径方向に対し平行にな
るようにする。図中１５のＰＤＩの受光素子の光量とＰ
、Ｄ ２の受光素子の光量の和または差を検出すること
により光デイスク中の微細な欠陥を検出することができ
る。
中１１は光ディスクに照射させるためのレーザービーム
を発生させるためのレザー光源、１２は光ディスクにレ
ーザービームを収束させるための収束レンズ、１３は光
ディスクを反射したレーザービーム光量を検出するため
の受光素子に照射スるために分割させるビームスプリッ
タ−１１４はディスクまたは基板、１５は欠陥を検出す
るために受光面が２つに分割された受光素子から構成さ
れる。図中１１で発光されたレザービームは図中１２の
収束レンズで図中１４の光ディスクに収束され反射光は
、図中１３の受光素子に照射させるため反射光を分割さ
せるビームスプリッタ−を経て、受光素子に達する。図
中１５の受光素子は受光面が２つに分割され受光素子の
分割された受光面をそれぞれＰＤＩＳＰＤ２とする。ま
た、その分割線は、光ディスクの径方向に対し平行にな
るようにする。図中１５のＰＤＩの受光素子の光量とＰ
、Ｄ ２の受光素子の光量の和または差を検出すること
により光デイスク中の微細な欠陥を検出することができ
る。
第３図は受光素子がディスクの径方向に対し平行ニ分割
されていることを示す。図中２０の光ディスクまたは基
板に対し図中１８の受光素子ＰＤｌと図中１９のＰＤ２
の分割線が光ディスクの径方向に対して平行に配置され
ている事を示してｌ、）る。また図中１６．１７はディ
スクまたは基板上に発生した欠陥を示す。
されていることを示す。図中２０の光ディスクまたは基
板に対し図中１８の受光素子ＰＤｌと図中１９のＰＤ２
の分割線が光ディスクの径方向に対して平行に配置され
ている事を示してｌ、）る。また図中１６．１７はディ
スクまたは基板上に発生した欠陥を示す。
次に本発明が欠陥検出に有効であることを示す。
第４図はゴミ欠陥を検出した受光素子の信号強度を示し
ている。図中２１は、ＰＤ１＋ＰＤ２の受光素子の和信
号の変化を示し、欠陥箇所では受光光量が欠陥の無い箇
所に比べ変動している事が確認できる。図中２２は、Ｐ
ＤＩ−ＰＤ２の受光素子の差信号の変化を示し、欠陥箇
所では受光光量が欠陥の無い箇所に比べ大きく変動して
いる事が確認できる。
ている。図中２１は、ＰＤ１＋ＰＤ２の受光素子の和信
号の変化を示し、欠陥箇所では受光光量が欠陥の無い箇
所に比べ変動している事が確認できる。図中２２は、Ｐ
ＤＩ−ＰＤ２の受光素子の差信号の変化を示し、欠陥箇
所では受光光量が欠陥の無い箇所に比べ大きく変動して
いる事が確認できる。
図中２１．２２はゴミ欠陥をとらえた波形である。ゴミ
の付着のないエリアでは受光素子の受ける光量は常に一
定であるがゴミが付着してし）る事によりゴミに照射さ
れたレザービームは、集光または散乱され受光素子に照
射される光量に変化が現われる。
の付着のないエリアでは受光素子の受ける光量は常に一
定であるがゴミが付着してし）る事によりゴミに照射さ
れたレザービームは、集光または散乱され受光素子に照
射される光量に変化が現われる。
光ディスクの傷の検出についても同様な現象が得られる
ことが確認されている。
ことが確認されている。
また、受光量の差信号についてはＰＤ２−ＰＤｌであっ
ても同様に検出可能であることが確認されている。
ても同様に検出可能であることが確認されている。
第５図は微細な欠陥コートむらを検出した受光素子の信
号強度を示している。図中３１は、ＰＤｌ＋ＰＤ２の受
光素子の和信号の変化を示し、欠陥箇所では受光光量が
欠陥の無い箇所に比べ若干の変動している事が確認でき
る。図中３２は、ＰＤＩ−ＰＤ２の受光素子の差信号の
変化を示し、欠陥箇所では受光光量が欠陥の無い箇所に
比べ大きく変動している事が確認できる。
号強度を示している。図中３１は、ＰＤｌ＋ＰＤ２の受
光素子の和信号の変化を示し、欠陥箇所では受光光量が
欠陥の無い箇所に比べ若干の変動している事が確認でき
る。図中３２は、ＰＤＩ−ＰＤ２の受光素子の差信号の
変化を示し、欠陥箇所では受光光量が欠陥の無い箇所に
比べ大きく変動している事が確認できる。
図中３２はコート欠陥をとらえた波形である。
コート欠陥のないエリアでは受光素子の受ける光量は常
に一定であるが、コート欠陥が発生している事によりコ
ート欠陥に照射されたレザービームは、集光または散乱
され受光素子に照射される光量に微細な変化が現われる
。そこでコー）・欠陥部分を検出するために光ディスク
の径方向に対し平行に分割した受光素子ＰＤ １−ＰＤ
２の受光素子の差信号の変化が安定して得られる事が確
認できた。
に一定であるが、コート欠陥が発生している事によりコ
ート欠陥に照射されたレザービームは、集光または散乱
され受光素子に照射される光量に微細な変化が現われる
。そこでコー）・欠陥部分を検出するために光ディスク
の径方向に対し平行に分割した受光素子ＰＤ １−ＰＤ
２の受光素子の差信号の変化が安定して得られる事が確
認できた。
光ディスクの成形時に発生するバブル欠陥、シルバー欠
陥等微細な欠陥についても検出可能であることが確認さ
れている。
陥等微細な欠陥についても検出可能であることが確認さ
れている。
また、受光量の差信号についてはＰＤ２−ＰＤｌであっ
ても同様に検出可能であることが確認されている。
ても同様に検出可能であることが確認されている。
第６図は、基本的な透過型の欠陥検査装置図である。図
中４１は光ディスクに照射させるためのレーザービーム
を発生させるためのレーザー光源、４２は光ディスクに
レーザービームを収束させるための収束レンズ、４３は
光ディスクまたは基板、４４は光ディスクを透過したレ
ーザービーム光量を欠陥を検出するために受光面が４つ
に分割された受光素子から構成される。図中４１で発光
されたレザービームは図中４２の収束レンズで図中４３
の光ディスクに収束され、透過光は図中４４の分割方向
を光ディスクの径方向に対し平行及び垂直に配置された
受光素子に達する。図中４の受光素子は受光面が４つに
分割され受光素子の分割された受光面をそれぞれＰＤｌ
ｌ、ＰＤｌ２、ＰＤｌ３、ＰＤｌ４とする。また、その
分割線は、光ディスクの径方向に対し平行及び垂直にな
るようにする。図中４４のＰＤｌ３、ＰＤｌ４の受光素
子の光量の和とＰＤＩＩ、ＰＤｌ２の受光素子の光量の
和との和または差を検出することにより光デイスク中の
微細な欠陥を検出することができる。
中４１は光ディスクに照射させるためのレーザービーム
を発生させるためのレーザー光源、４２は光ディスクに
レーザービームを収束させるための収束レンズ、４３は
光ディスクまたは基板、４４は光ディスクを透過したレ
ーザービーム光量を欠陥を検出するために受光面が４つ
に分割された受光素子から構成される。図中４１で発光
されたレザービームは図中４２の収束レンズで図中４３
の光ディスクに収束され、透過光は図中４４の分割方向
を光ディスクの径方向に対し平行及び垂直に配置された
受光素子に達する。図中４の受光素子は受光面が４つに
分割され受光素子の分割された受光面をそれぞれＰＤｌ
ｌ、ＰＤｌ２、ＰＤｌ３、ＰＤｌ４とする。また、その
分割線は、光ディスクの径方向に対し平行及び垂直にな
るようにする。図中４４のＰＤｌ３、ＰＤｌ４の受光素
子の光量の和とＰＤＩＩ、ＰＤｌ２の受光素子の光量の
和との和または差を検出することにより光デイスク中の
微細な欠陥を検出することができる。
第７図は、基本的な反射型の欠陥検査装置図である。図
中５１は光ディスクに照射させるためのレーザービーム
を発生させるためのレザー光源、５２は光ディスクにレ
ーザービームを収束させるための収束レンズ、５３は光
ディスクを反射したレーザービーム光量を検出するため
の受光素子に照射するために分割させるビームスプリッ
タ−１５４はディスクまたは基板、５５は欠陥を検出す
るために受光面が４つに分割された受光素子から構成さ
れる。図中５１で発光されたレザービームは図中５２の
収束レンズで図中５４の光ディスクに収束され反射光は
、図中５３の受光素子に照射させるため反射光を分割さ
せるビームスプリッタ−を経て、受光素子に達する。図
中５５の受光素子は受光面が４つに分割され受光素子の
分割された受光面をそれぞれＰＤＩＩ、ＰＤＩ２、ＰＤ
Ｉ３、ＰＤＩ４とする。また、その分割線は、光ディス
クの径方向に対し平行及び垂直になるようにする。図中
５５のＰＤＩ３、ＰＤＩ４の受光素子の光量の、和とＰ
ＤＩＩ、ＰＤＩ２の受光素子の光量の和との和または差
を検出することにより光デイスク中の微細な欠陥を検出
することができる。
中５１は光ディスクに照射させるためのレーザービーム
を発生させるためのレザー光源、５２は光ディスクにレ
ーザービームを収束させるための収束レンズ、５３は光
ディスクを反射したレーザービーム光量を検出するため
の受光素子に照射するために分割させるビームスプリッ
タ−１５４はディスクまたは基板、５５は欠陥を検出す
るために受光面が４つに分割された受光素子から構成さ
れる。図中５１で発光されたレザービームは図中５２の
収束レンズで図中５４の光ディスクに収束され反射光は
、図中５３の受光素子に照射させるため反射光を分割さ
せるビームスプリッタ−を経て、受光素子に達する。図
中５５の受光素子は受光面が４つに分割され受光素子の
分割された受光面をそれぞれＰＤＩＩ、ＰＤＩ２、ＰＤ
Ｉ３、ＰＤＩ４とする。また、その分割線は、光ディス
クの径方向に対し平行及び垂直になるようにする。図中
５５のＰＤＩ３、ＰＤＩ４の受光素子の光量の、和とＰ
ＤＩＩ、ＰＤＩ２の受光素子の光量の和との和または差
を検出することにより光デイスク中の微細な欠陥を検出
することができる。
第８図は受光素子がディスクの径方向に対し平行に分割
されていることを示す。図中８８の光ディスクまたは基
板に対し、受光素子が図中８４のＰＤｌｌ、図中８５の
ＰＤＩ２、図中８６のＰＤＩ３、図中８７のＰＤＩ４、
のように分割線が光ディスクの径方向に対して平行及び
垂直に配置されている事を示している。また図中８１．
８２．８３はディスクに発生した欠陥を示す。
されていることを示す。図中８８の光ディスクまたは基
板に対し、受光素子が図中８４のＰＤｌｌ、図中８５の
ＰＤＩ２、図中８６のＰＤＩ３、図中８７のＰＤＩ４、
のように分割線が光ディスクの径方向に対して平行及び
垂直に配置されている事を示している。また図中８１．
８２．８３はディスクに発生した欠陥を示す。
次に本発明が欠陥検出に有効であることを示す。
第９図はゴミ欠陥を検出した受光素子の信号強度を示し
ている。図中６１は、ＰＤＩ １＋ＰＤ１２＋ＰＤ １
３＋ＰＤ １４の受光素子の和信号の変化を示し、欠陥
箇所では受光光量が欠陥の無し）箇所に比べ変動してい
る事が確認できる。図中６２は、（ＰＤＩ ｌ十ＰＤ１
２）−（ＰＤ１３＋ＰＤ］４）の受光素子の差信号の変
化を示し、欠陥箇所では受光光量が欠陥の無い箇所に比
べ大きく変動している事が確認できる。
ている。図中６１は、ＰＤＩ １＋ＰＤ１２＋ＰＤ １
３＋ＰＤ １４の受光素子の和信号の変化を示し、欠陥
箇所では受光光量が欠陥の無し）箇所に比べ変動してい
る事が確認できる。図中６２は、（ＰＤＩ ｌ十ＰＤ１
２）−（ＰＤ１３＋ＰＤ］４）の受光素子の差信号の変
化を示し、欠陥箇所では受光光量が欠陥の無い箇所に比
べ大きく変動している事が確認できる。
図中６１．６２はゴミ欠陥をとらえた波形である。ゴミ
の付着のないエリアでは受光素子の受ける光量は常に一
定であるがゴミが付着してν）る事によりゴミに照射さ
れたレザービームは、集光または散乱され受光素子に照
射される光量に変化が現われる。
の付着のないエリアでは受光素子の受ける光量は常に一
定であるがゴミが付着してν）る事によりゴミに照射さ
れたレザービームは、集光または散乱され受光素子に照
射される光量に変化が現われる。
光ディスクの傷の検出についても同様な現象が得られる
ことが確認されている。
ことが確認されている。
また、受光量の差信号については（ＰＤ１３＋ＰＤ１４
）−（ＰＤ１１＋ＰＤ１２＞であっても同様に検出可能
であることが確認されている。
）−（ＰＤ１１＋ＰＤ１２＞であっても同様に検出可能
であることが確認されている。
第１０図は微細な欠陥コートむらを検出した受光素子の
信号強度を示している。図中７１は、ＰＤｉ １＋ＰＤ
１２＋ＰＤ１３＋ＰＤ１４の受光素子の和信号の変化を
示し、欠陥箇所では受光光量が欠陥の無い箇所に比べ若
干の変動している事が確認できる。図中７２は、（ＰＤ
１１＋ＰＤ１２）−（ＰＤ１３＋ＰＤ１４）の受光素子
の差信号の変化を示し、欠陥箇所では受光光量が欠陥の
無い箇所に比べ大きく変動している事が確認できる。
信号強度を示している。図中７１は、ＰＤｉ １＋ＰＤ
１２＋ＰＤ１３＋ＰＤ１４の受光素子の和信号の変化を
示し、欠陥箇所では受光光量が欠陥の無い箇所に比べ若
干の変動している事が確認できる。図中７２は、（ＰＤ
１１＋ＰＤ１２）−（ＰＤ１３＋ＰＤ１４）の受光素子
の差信号の変化を示し、欠陥箇所では受光光量が欠陥の
無い箇所に比べ大きく変動している事が確認できる。
図中７２はコート欠陥をとらえた波形である。
コート欠陥のないエリアでは受光素子の受ける光量は常
に一定であるが、コート欠陥が発生している事によりコ
ート欠陥に照射されたレザービームは、集光または散乱
され受光素子に照射される光量に微細な変化が現われる
。そこでコート欠陥部分を検出するために光ディスクの
径方向に対し平行に分割した受光素子（ＰＤ １１ ＋
ＰＤ １２）−（ＰＤ１３＋ＰＤ１４）の受光素子の差
信号の変化が安定して得られる事が確認できた。さらに
、４つに分割した受光素子を用いた場合（ＰＤＩＩ＋Ｐ
Ｄ１３）−（ＰＤ１２＋ＰＤ１４）の信号を検出するこ
とによりディスクに対して同心円状の欠陥についても検
可能である。
に一定であるが、コート欠陥が発生している事によりコ
ート欠陥に照射されたレザービームは、集光または散乱
され受光素子に照射される光量に微細な変化が現われる
。そこでコート欠陥部分を検出するために光ディスクの
径方向に対し平行に分割した受光素子（ＰＤ １１ ＋
ＰＤ １２）−（ＰＤ１３＋ＰＤ１４）の受光素子の差
信号の変化が安定して得られる事が確認できた。さらに
、４つに分割した受光素子を用いた場合（ＰＤＩＩ＋Ｐ
Ｄ１３）−（ＰＤ１２＋ＰＤ１４）の信号を検出するこ
とによりディスクに対して同心円状の欠陥についても検
可能である。
光ディスクの成形時に発生するバブル欠陥、シルバー欠
陥等微細な欠陥についても同様に検出可能であることが
確認されている。
陥等微細な欠陥についても同様に検出可能であることが
確認されている。
また、受光量の差信号については（ＰＤ１３＋ＰＤ １
４） −（ＰＤ’ｌ １ ＋ＰＤ １２）、（ＰＤ１２
＋ＰＤ１４）−（ＰＤ１１＋ＰＤ１３）であっても同様
に検出可能である。
４） −（ＰＤ’ｌ １ ＋ＰＤ １２）、（ＰＤ１２
＋ＰＤ１４）−（ＰＤ１１＋ＰＤ１３）であっても同様
に検出可能である。
［発明の効果１
以上述べたように本発明によれば、以上のことから、光
ディスク、基板の欠陥検査について実施例に記された方
法を採用することにより、微細な欠陥についても検出を
することを可能にするという効果を有する。
ディスク、基板の欠陥検査について実施例に記された方
法を採用することにより、微細な欠陥についても検出を
することを可能にするという効果を有する。
第１図は本発明による２分割センサーを用いた基本的な
透過型の欠陥検出装置の構成図。 第２図は本発明による２分割センサーを用いた基本的な
透過型の欠陥検出装置の構成図。 第３図は本発明による２分割センサーの受光素子の配置
図。 第４図は２分割センサーを用いたゴミ欠陥、傷欠陥の受
光光量を検出した場合の信号図。 第５図は２分割センサーを用いた表面欠陥、光ディスク
の基板内欠陥等、微細欠陥の受光光量を検出した場合の
信号図。 第６図は本発明による４分割センサーを用いた基本的な
透過型の欠陥検出装置の構成図。 第７図は本発明による４分割センサーを用いた基本的な
透過型の欠陥検出装置の構成図。 第８図は本発明による４分割センサーの受光素子の配置
図。 第９図は４分割センサーを用いたゴミ欠陥、傷欠陥の受
光光量を検出した場合の信号図。 第１０図は４分割センサーを用いた表面欠陥、光ディス
クの基板内欠陥等、微細欠陥の受光光量を検出した場合
の信号図。 １、、、、 レーザー光源 ２、、、、収束レンズ ３、、、、光ディスクまたは基板 ４、、、、受光素子 ＰＤＩ 受光素子 ＰＤ２ １１、、、 レーザー光源 １２、、、収束レンズ １３、、、 ビームスプリッタ− １４、、、光ディスクまたは基板 １５、、、受光素子 ＰＤＩ 受光素子 ＰＤ２ １６、、、ディスク欠陥 １７、、、微細欠陥 １８、、、ＰＤｌ １９、、、ＰＤ２ ２０、、、光ディスクまたは、基板 ２１、、、ＰＤ１＋ＰＤ２ 欠陥箇所をとらえた和信
号 ２２、、、ＰＤＩ−ＰＤ２ 欠陥箇所をとらえた差信
号 ３１、、、ＰＤ１＋ＰＤ２ 微細欠陥箇所をとらえた
和信号 ３２、、、ＰＤＩ−ＰＤ２ 微細欠陥箇所をとらえた
差信号 ４１、、、 レーザー光源 ４２、、、収束レンズ ４３、、、光ディスクまたは基板 ４４、、、受光素子 ＰＤＩＩ 受光素子 ＰＤｌ２ 受光素子 ＰＤｌ３ 受光素子 ＰＤｌ４ ５１、、、 レーザー光源 ５２、、、収束レンズ ５３、、、 ビームスプリッタ− ５４、、、光ディスクまたは基板 ５５、、、受光素子 ＰＤＩＩ 受光素子 ＰＤｌ２ 受光素子 ＰＤｌ３ 受光素子 ＰＤｌ４ ８１、、、ディスク欠陥 ８２、、、微細欠陥 ８３、、、微細欠陥 ８４、、、ＰＤＩ １ ８５、、、ＰＤｌ２ ８６、、、ＰＤｌ３ ８７、、、ＰＤｌ４ ８８、、、光ディスクまたは、基板 ６１、、、ＰＤＩ １＋ＰＤ１２＋ＰＤ１３＋ＰＤ１４
欠陥箇所をとらえた和信号 ６２、、、（ＰＤ１１＋ＰＤ１２）−（ＰＤＩ３＋ＰＤ
１４） 欠陥箇所をとらえ た差信号 ７１、、、ＰＤＩ １＋ＰＤ１２＋ＰＤ１３＋ＰＤ１４
微細欠陥箇所をとらえた和 信号 ７２、、、 （ＰＤ１１＋ＰＤ１２）−（ＰＤＩ３＋
ＰＤ１４） 微細欠陥箇所をと らえた差信号 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人弁理士 銘木喜三部（他１名） ３；光ディスク又は基板 ２・収束レンズ １ レザー光３原 第」図 １４；光ディスク又は基板 １３ ビームス７リツタ 第２図 １２．収束、アズ１１：レザー光
温 ２０光デイスク又は、基板 ９ＰＤ２ ８ｐＤ１ １７黴絹欠陥 １６欠陥 第３図 ゴミ欠陥、傷欠陥、 ：欠陥： ←ト→− 微細欠陥 ：欠陥： ４３；光ディスク又は基板 ４２： 収束レンズ ４トレプー光源 第６図５４ 光ディ
スク又は基板 ５３・ ビームス７リッタ ８１： 欠陥 ８２°黴細欠陥 ８３、（ヲ文１４Ｂ欠βｆ＾ ８４：ＰＤｌｌ ８５：ＰＤ１２ ８８：ＰＤ１３ 第８図 ８７：ｐＤ１４ ８８ 光ディスク又は、基板 ゴミ欠陥、傷欠陥。 ：欠陥ニ 第９図
透過型の欠陥検出装置の構成図。 第２図は本発明による２分割センサーを用いた基本的な
透過型の欠陥検出装置の構成図。 第３図は本発明による２分割センサーの受光素子の配置
図。 第４図は２分割センサーを用いたゴミ欠陥、傷欠陥の受
光光量を検出した場合の信号図。 第５図は２分割センサーを用いた表面欠陥、光ディスク
の基板内欠陥等、微細欠陥の受光光量を検出した場合の
信号図。 第６図は本発明による４分割センサーを用いた基本的な
透過型の欠陥検出装置の構成図。 第７図は本発明による４分割センサーを用いた基本的な
透過型の欠陥検出装置の構成図。 第８図は本発明による４分割センサーの受光素子の配置
図。 第９図は４分割センサーを用いたゴミ欠陥、傷欠陥の受
光光量を検出した場合の信号図。 第１０図は４分割センサーを用いた表面欠陥、光ディス
クの基板内欠陥等、微細欠陥の受光光量を検出した場合
の信号図。 １、、、、 レーザー光源 ２、、、、収束レンズ ３、、、、光ディスクまたは基板 ４、、、、受光素子 ＰＤＩ 受光素子 ＰＤ２ １１、、、 レーザー光源 １２、、、収束レンズ １３、、、 ビームスプリッタ− １４、、、光ディスクまたは基板 １５、、、受光素子 ＰＤＩ 受光素子 ＰＤ２ １６、、、ディスク欠陥 １７、、、微細欠陥 １８、、、ＰＤｌ １９、、、ＰＤ２ ２０、、、光ディスクまたは、基板 ２１、、、ＰＤ１＋ＰＤ２ 欠陥箇所をとらえた和信
号 ２２、、、ＰＤＩ−ＰＤ２ 欠陥箇所をとらえた差信
号 ３１、、、ＰＤ１＋ＰＤ２ 微細欠陥箇所をとらえた
和信号 ３２、、、ＰＤＩ−ＰＤ２ 微細欠陥箇所をとらえた
差信号 ４１、、、 レーザー光源 ４２、、、収束レンズ ４３、、、光ディスクまたは基板 ４４、、、受光素子 ＰＤＩＩ 受光素子 ＰＤｌ２ 受光素子 ＰＤｌ３ 受光素子 ＰＤｌ４ ５１、、、 レーザー光源 ５２、、、収束レンズ ５３、、、 ビームスプリッタ− ５４、、、光ディスクまたは基板 ５５、、、受光素子 ＰＤＩＩ 受光素子 ＰＤｌ２ 受光素子 ＰＤｌ３ 受光素子 ＰＤｌ４ ８１、、、ディスク欠陥 ８２、、、微細欠陥 ８３、、、微細欠陥 ８４、、、ＰＤＩ １ ８５、、、ＰＤｌ２ ８６、、、ＰＤｌ３ ８７、、、ＰＤｌ４ ８８、、、光ディスクまたは、基板 ６１、、、ＰＤＩ １＋ＰＤ１２＋ＰＤ１３＋ＰＤ１４
欠陥箇所をとらえた和信号 ６２、、、（ＰＤ１１＋ＰＤ１２）−（ＰＤＩ３＋ＰＤ
１４） 欠陥箇所をとらえ た差信号 ７１、、、ＰＤＩ １＋ＰＤ１２＋ＰＤ１３＋ＰＤ１４
微細欠陥箇所をとらえた和 信号 ７２、、、 （ＰＤ１１＋ＰＤ１２）−（ＰＤＩ３＋
ＰＤ１４） 微細欠陥箇所をと らえた差信号 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人弁理士 銘木喜三部（他１名） ３；光ディスク又は基板 ２・収束レンズ １ レザー光３原 第」図 １４；光ディスク又は基板 １３ ビームス７リツタ 第２図 １２．収束、アズ１１：レザー光
温 ２０光デイスク又は、基板 ９ＰＤ２ ８ｐＤ１ １７黴絹欠陥 １６欠陥 第３図 ゴミ欠陥、傷欠陥、 ：欠陥： ←ト→− 微細欠陥 ：欠陥： ４３；光ディスク又は基板 ４２： 収束レンズ ４トレプー光源 第６図５４ 光ディ
スク又は基板 ５３・ ビームス７リッタ ８１： 欠陥 ８２°黴細欠陥 ８３、（ヲ文１４Ｂ欠βｆ＾ ８４：ＰＤｌｌ ８５：ＰＤ１２ ８８：ＰＤ１３ 第８図 ８７：ｐＤ１４ ８８ 光ディスク又は、基板 ゴミ欠陥、傷欠陥。 ：欠陥ニ 第９図
Claims (2)
- （１） 光ディスク及びその基板の欠陥を検査する装置において
、光ディスクに照射させるためのレーザービームを発生
させるレーザー光源と、光ディスクにレーザービームを
収束させるための収束レンズと、光ディスクを透過又は
、反射したレーザービーム光量を検出するための受光面
が２つに分割された受光素子から構成され、受光素子の
分割方向を光ディスクの径方向に対し平行に配置し２つ
の受光面の全和信号と２つの受光面の差信号から欠陥を
判定することを特徴とする欠陥検査装置。 - （２） 光ディスク及びその基板の欠陥を検査する装置において
、光ディスクに照射させるためのレーザービームを発生
させるレーザー光源と、光ディスクにレーザービームを
収束させるための収束レンズと、光ディスクを透過又は
、反射したレーザービーム光量を検出するための受光面
が４つに分割された受光素子から構成され、受光素子の
分割方向を光ディスクの径方向に対し平行及び垂直に配
置し４つの受光面の全和信号と４つの受光面のうち２つ
の受光面相の差信号から欠陥を判定することを特徴とす
る欠陥検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29598790A JPH04168638A (ja) | 1990-11-01 | 1990-11-01 | 欠陥検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29598790A JPH04168638A (ja) | 1990-11-01 | 1990-11-01 | 欠陥検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04168638A true JPH04168638A (ja) | 1992-06-16 |
Family
ID=17827672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29598790A Pending JPH04168638A (ja) | 1990-11-01 | 1990-11-01 | 欠陥検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04168638A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8077580B2 (en) | 2008-04-11 | 2011-12-13 | Hitachi, Ltd. | Optical information recording and reproducing apparatus |
-
1990
- 1990-11-01 JP JP29598790A patent/JPH04168638A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8077580B2 (en) | 2008-04-11 | 2011-12-13 | Hitachi, Ltd. | Optical information recording and reproducing apparatus |
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