JPH0416428Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0416428Y2 JPH0416428Y2 JP5763986U JP5763986U JPH0416428Y2 JP H0416428 Y2 JPH0416428 Y2 JP H0416428Y2 JP 5763986 U JP5763986 U JP 5763986U JP 5763986 U JP5763986 U JP 5763986U JP H0416428 Y2 JPH0416428 Y2 JP H0416428Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solution
- groove
- sulfuric acid
- opener device
- semiconductor
- Prior art date
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- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 18
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 8
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000002351 wastewater Substances 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 239000004063 acid-resistant material Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この考案は半導体のオープナー装置に関するも
のである。
のである。
従来、半導体（I.C）の不良解析時又は品質チ
エツクを行なう際に、半導体のパツケージに溶解
液、例えば加熱した熱硫酸を当ててチツプを露出
させる手段がとられている。
エツクを行なう際に、半導体のパツケージに溶解
液、例えば加熱した熱硫酸を当ててチツプを露出
させる手段がとられている。
半導体のパツケージは作業テーブルのセツト部
に載置され、噴射ノズルより噴射された熱硫酸が
前記パツケージに当たる構造となつている。
に載置され、噴射ノズルより噴射された熱硫酸が
前記パツケージに当たる構造となつている。
かかる装置において、半導体のパツケージを載
置セツトする作業テーブルのセツト部は半導体の
パツケージの形状と対応する形状に形成され、正
しく位置決めされると共にシールされる。
置セツトする作業テーブルのセツト部は半導体の
パツケージの形状と対応する形状に形成され、正
しく位置決めされると共にシールされる。
溶解中のオープナー装置は開閉蓋によつてカバ
ーされると共に、噴射された熱硫酸が外部に洩れ
ないようになつているが、例えば、パツケージの
セツトミス等によりセツト部に若干の間隙が作ら
れると該間隙より熱硫酸が洩れる恐れがあつた。
ーされると共に、噴射された熱硫酸が外部に洩れ
ないようになつているが、例えば、パツケージの
セツトミス等によりセツト部に若干の間隙が作ら
れると該間隙より熱硫酸が洩れる恐れがあつた。
熱硫酸が洩れると周囲を腐食させたりガスを作
業者が吸うようになり人体に対して好しくなかつ
た。
業者が吸うようになり人体に対して好しくなかつ
た。
そこで、この考案は洩れた溶解液が周囲に流れ
ないようにすると共に洩れをいち早く検出できる
ようにした半導体のオープナー装置を提供するこ
とを目的としている。
ないようにすると共に洩れをいち早く検出できる
ようにした半導体のオープナー装置を提供するこ
とを目的としている。
前記目的を達成するために、この考案にあつて
は、作業テーブルのセツト部に載置セツトされた
半導体のパツケージに噴射ノズルより溶解液を噴
射してチツプを露出させるオープナー装置におい
て、前記セツト部の外周にリング状の凹溝を設
け、該凹溝内に、該凹溝内に洩れた溶解液を検出
する検出センサを設けてある。
は、作業テーブルのセツト部に載置セツトされた
半導体のパツケージに噴射ノズルより溶解液を噴
射してチツプを露出させるオープナー装置におい
て、前記セツト部の外周にリング状の凹溝を設
け、該凹溝内に、該凹溝内に洩れた溶解液を検出
する検出センサを設けてある。
〔作用〕
かかるオープナー装置において、噴射ノズルよ
り噴射された溶解液がセツト部より洩れるとリン
グ状の凹溝内に溜まり、周囲に流れ出ることがな
くなる。
り噴射された溶解液がセツト部より洩れるとリン
グ状の凹溝内に溜まり、周囲に流れ出ることがな
くなる。
一方、凹溝内に一定量の溶解液が溜まると検出
センサが働いて液洩れを検出するようになる。
センサが働いて液洩れを検出するようになる。
以下、第１図乃至第５図の図面を参照しながら
この考案の一実施例を詳細に説明する。
この考案の一実施例を詳細に説明する。
図中１はオープナー装置３の機体を示してい
る。機体１内には半導体開口部５のほかに硫酸を
貯蔵する貯蔵タンク部７と該タンク部７より送ら
れてくる硫酸を約250℃まで加熱する予熱ヒータ
部９と、前記半導体開口部５で仕事を終えた熱硫
酸を約100℃まで冷却フアンで冷却する排液冷却
部１１と、その排液を一時貯留する排液タンク部
１３とが配置されている。
る。機体１内には半導体開口部５のほかに硫酸を
貯蔵する貯蔵タンク部７と該タンク部７より送ら
れてくる硫酸を約250℃まで加熱する予熱ヒータ
部９と、前記半導体開口部５で仕事を終えた熱硫
酸を約100℃まで冷却フアンで冷却する排液冷却
部１１と、その排液を一時貯留する排液タンク部
１３とが配置されている。
半導体開口部５は耐熱耐酸性の材質、例えば、
商品名テフロンで作られた作業テーブル１５と該
テーブル１５の下位に配置されたケーシング１７
と、該ケーシング１７内に配置されたポンプ装置
１９とからなつている。
商品名テフロンで作られた作業テーブル１５と該
テーブル１５の下位に配置されたケーシング１７
と、該ケーシング１７内に配置されたポンプ装置
１９とからなつている。
ケーシング１７は磁力を通し、かつ耐熱耐酸性
の材質で形成され、硫酸が所定量溜られる貯留槽
となつている。ケーシング１７には予熱ヒータ部
９を介して硫酸貯留槽７へ続く取出口２３と排液
冷却部１１を介して排液貯留タンク部１３へ続く
取出口２５が設けられている。
の材質で形成され、硫酸が所定量溜られる貯留槽
となつている。ケーシング１７には予熱ヒータ部
９を介して硫酸貯留槽７へ続く取出口２３と排液
冷却部１１を介して排液貯留タンク部１３へ続く
取出口２５が設けられている。
取入れ口２３から送り込まれるケーシング１７
内の硫酸はヒータ（図示していない）によつて約
290℃に高められる。なお、ヒータの電源部は温
度センサ（図示省略）によつて硫酸が約290℃に
なるよう管理制御される。
内の硫酸はヒータ（図示していない）によつて約
290℃に高められる。なお、ヒータの電源部は温
度センサ（図示省略）によつて硫酸が約290℃に
なるよう管理制御される。
ケーシング１７の底部下位には駆動モータ２７
の出力軸２９に回転磁石３１が装着支持されてい
る。そして、前記磁石３１と対向し、かつ、ケー
シング１７内には磁石３３ａが埋設された羽根車
３３が配置されている。
の出力軸２９に回転磁石３１が装着支持されてい
る。そして、前記磁石３１と対向し、かつ、ケー
シング１７内には磁石３３ａが埋設された羽根車
３３が配置されている。
羽根車３３は回転磁石３１の磁力によつて回転
すると共に、耐熱耐酸性の合成樹脂の材質で形成
されている。
すると共に、耐熱耐酸性の合成樹脂の材質で形成
されている。
羽根車３３の本体上方は円錐部３７となつてい
て下方には中央部の凸部３９より放射方向に翼板
４１が設けられている。
て下方には中央部の凸部３９より放射方向に翼板
４１が設けられている。
翼板４１は回転時において案内ケース３５の底
部に設けられた取入口（図示していない）より取
入れられた硫酸を上方へ送り出す形状となつてい
る。
部に設けられた取入口（図示していない）より取
入れられた硫酸を上方へ送り出す形状となつてい
る。
案内ケース３５は磁力を透す材質で羽根車３３
に沿う形状となつている。先端の噴射ノズル４３
は前記作業テーブル１５の下位に望んでいる。
に沿う形状となつている。先端の噴射ノズル４３
は前記作業テーブル１５の下位に望んでいる。
作業テーブル１５はエツチブロツク４５と該エ
ツチブロツク４５の上面に装着されたエツチブロ
ツクカバー４７と、該カバー４７に着脱自在に装
着されたエツチプレート４９とからなつている。
ツチブロツク４５の上面に装着されたエツチブロ
ツクカバー４７と、該カバー４７に着脱自在に装
着されたエツチプレート４９とからなつている。
エツチブロツク４５には、噴射ノズル４３より
噴射されて仕事を終えた溶解液がケーシング１７
内へ戻る戻り通路５１が形成されているケーシン
グ１７のフランジ部１７ａに設けられたシール部
材５２は、エツチブロツク４５の内側に配置さ
れ、洩れた溶解液が直接シール部材５３にかから
ないようになつている。
噴射されて仕事を終えた溶解液がケーシング１７
内へ戻る戻り通路５１が形成されているケーシン
グ１７のフランジ部１７ａに設けられたシール部
材５２は、エツチブロツク４５の内側に配置さ
れ、洩れた溶解液が直接シール部材５３にかから
ないようになつている。
エツチブロツク４５の中央部位に設けられた貫
通孔５５の周囲にはリング状の凹溝５７が設けら
れている。凹溝５７には一対の対向し合う検出セ
ンサ５９，５９が設けられ、該センサ５９は凹溝
５７の溝底に溜まつた溶解液を介して電流が流れ
ることで凹溝５７内の溶解液の検出を行なうよう
になつている。溶解液を検出した前記検出センサ
５９はオープナー装置のメインスイツチをオフに
するよう機能する。
通孔５５の周囲にはリング状の凹溝５７が設けら
れている。凹溝５７には一対の対向し合う検出セ
ンサ５９，５９が設けられ、該センサ５９は凹溝
５７の溝底に溜まつた溶解液を介して電流が流れ
ることで凹溝５７内の溶解液の検出を行なうよう
になつている。溶解液を検出した前記検出センサ
５９はオープナー装置のメインスイツチをオフに
するよう機能する。
一方、エツチブロツク４５の上面にはエツチブ
ロツクカバー４７が固着されている。
ロツクカバー４７が固着されている。
エツチブロツクカバー４７の上面にはエツチプ
レート４９が着脱自在に装着されている。
レート４９が着脱自在に装着されている。
エツチプレート４９は円板状に形成され、中央
部位に設けられたセツト部６１は、前記貫通穴５
５と対向し合う位置に設けられると共に半導体の
パツケージと同一の形状となつている。
部位に設けられたセツト部６１は、前記貫通穴５
５と対向し合う位置に設けられると共に半導体の
パツケージと同一の形状となつている。
なお、６３はヒンジ６５を支点として開閉可能
な蓋を示しており、内側には半導体を抑えるホル
ダー６７が設けられている。
な蓋を示しており、内側には半導体を抑えるホル
ダー６７が設けられている。
このように構成されたオープナー装置におい
て、作業テーブル１５のセツト部６１に半導体の
パツケージをセツトし噴射ノズル４３より溶解液
を噴射することで半導体のパツケージは溶解しチ
ツプが露出するようになる。
て、作業テーブル１５のセツト部６１に半導体の
パツケージをセツトし噴射ノズル４３より溶解液
を噴射することで半導体のパツケージは溶解しチ
ツプが露出するようになる。
溶解中において、例えばセツト部６１から溶解
液が洩れると洩れた溶解液は凹溝５７内に流れ込
むようになる。このため周囲に流れ出ることがな
くなる。
液が洩れると洩れた溶解液は凹溝５７内に流れ込
むようになる。このため周囲に流れ出ることがな
くなる。
凹溝５７内に溶解液が所定量溜まると検出セン
サ５９が働き、オープナー装置のメインスイツチ
をオフにする、これにより、作業がすみやかに停
止されるため大きな事故につながることがなくな
る。
サ５９が働き、オープナー装置のメインスイツチ
をオフにする、これにより、作業がすみやかに停
止されるため大きな事故につながることがなくな
る。
以上説明したように、この考案の半導体のオー
プナー装置によれば、凹溝によつて洩れた溶解液
が周囲に流れ出るのを防ぐことができる。また、
凹溝内に溜まつた溶解液は検出センサによつて速
やかに検出できるためガスを長時間吸うことがな
くなる。
プナー装置によれば、凹溝によつて洩れた溶解液
が周囲に流れ出るのを防ぐことができる。また、
凹溝内に溜まつた溶解液は検出センサによつて速
やかに検出できるためガスを長時間吸うことがな
くなる。
第１図はこの考案を実施した半導体のオープナ
ー装置の要部の切断面図、第２図はエツチブロツ
クの平面図、第３図は戻り通路の底面図、第４図
は全体の概要一部切断面図、第５図は同上の概要
平面図である。 主要な図面符号の説明、１５……作業テーブ
ル、４３……噴射ノズル、５７……凹溝、５９…
…検出センサ。
ー装置の要部の切断面図、第２図はエツチブロツ
クの平面図、第３図は戻り通路の底面図、第４図
は全体の概要一部切断面図、第５図は同上の概要
平面図である。 主要な図面符号の説明、１５……作業テーブ
ル、４３……噴射ノズル、５７……凹溝、５９…
…検出センサ。
Claims (1)
- 作業テーブルのセツト部に載置セツトされた半
導体のパツケージに噴射ノズルより溶解液を噴射
してチツプを露出させるオープナー装置におい
て、前記セツト部の外周にリング状の凹溝を設
け、該凹溝内に、該凹溝内に洩れた溶解液を検出
する検出センサを設けたことを特徴とする半導体
のオープナー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5763986U JPH0416428Y2 (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5763986U JPH0416428Y2 (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62170631U JPS62170631U (ja) | 1987-10-29 |
| JPH0416428Y2 true JPH0416428Y2 (ja) | 1992-04-13 |
Family
ID=30887533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5763986U Expired JPH0416428Y2 (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0416428Y2 (ja) |
-
1986
- 1986-04-18 JP JP5763986U patent/JPH0416428Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62170631U (ja) | 1987-10-29 |
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