JPH04163524A - 光学素子及び光学素子の製造方法及び表示素子 - Google Patents
光学素子及び光学素子の製造方法及び表示素子Info
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- JPH04163524A JPH04163524A JP2292264A JP29226490A JPH04163524A JP H04163524 A JPH04163524 A JP H04163524A JP 2292264 A JP2292264 A JP 2292264A JP 29226490 A JP29226490 A JP 29226490A JP H04163524 A JPH04163524 A JP H04163524A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B11/00—Pressing molten glass or performed glass reheated to equivalent low viscosity without blowing
- C03B11/14—Pressing laminated glass articles or glass with metal inserts or enclosures, e.g. wires, bubbles, coloured parts
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、明るい画面を有した、液晶デイスプレィ、プ
ラズマデイスフライ、エレクトロルミネセンスデイスプ
レィ等の表示素子に使用する光学素子及びその製造方法
並びに光学素子を用いた表示素子に関する。
ラズマデイスフライ、エレクトロルミネセンスデイスプ
レィ等の表示素子に使用する光学素子及びその製造方法
並びに光学素子を用いた表示素子に関する。
従来の技術
近年、CRT (CATHOD RAY TUBE。
陰極線管)にかわる薄型の表示素子として、種々のもの
が提案されており、大表示容量でカラー表示ができる薄
型の表示素子として、各画素ごとに薄膜トランジスター
(TPT)を形成したアクティブマトリックス方式の液
晶デイスフライがとりわけ注目されている。
が提案されており、大表示容量でカラー表示ができる薄
型の表示素子として、各画素ごとに薄膜トランジスター
(TPT)を形成したアクティブマトリックス方式の液
晶デイスフライがとりわけ注目されている。
このような表示素子では、光源からの光は各画素の開口
部を通して透過されるので、光の透過率は画素の開口率
に依存する。高細精度の液晶ディスプレィにおいて、ひ
しように小さな画素が高密度に形成した場合、TPTの
大きさを小さくするには限界があり、画素に占めるTP
Tの面積は相対的に大きくなる。このことは言い換えれ
ば、光が透過する開口部が小さくなり(開口率の低下)
、透過光量が減少する。透過光量の減少により、画面が
暗くなり表示品質が悪くなる。
部を通して透過されるので、光の透過率は画素の開口率
に依存する。高細精度の液晶ディスプレィにおいて、ひ
しように小さな画素が高密度に形成した場合、TPTの
大きさを小さくするには限界があり、画素に占めるTP
Tの面積は相対的に大きくなる。このことは言い換えれ
ば、光が透過する開口部が小さくなり(開口率の低下)
、透過光量が減少する。透過光量の減少により、画面が
暗くなり表示品質が悪くなる。
このことを解決する方法として、TPT形成に必要な配
線や遮光体によってこれまで吸収されていた光を、レン
ズによって画素の開口部に集光して有効利用する方法が
考えられている。例えば、特開昭60−165624号
公報にはガラス基板それ自身に従来からの機械的な加工
を施して球面形状のマイクロレンズを形成するとの記載
がある。また、特開平1−189685号公報には、光
学研磨したガラス基板に熱変形樹脂を圧着押圧成形法で
マイクロレンズを形成するとの記載がある。
線や遮光体によってこれまで吸収されていた光を、レン
ズによって画素の開口部に集光して有効利用する方法が
考えられている。例えば、特開昭60−165624号
公報にはガラス基板それ自身に従来からの機械的な加工
を施して球面形状のマイクロレンズを形成するとの記載
がある。また、特開平1−189685号公報には、光
学研磨したガラス基板に熱変形樹脂を圧着押圧成形法で
マイクロレンズを形成するとの記載がある。
糖素#
従来例を第8図に示した。第8図ではレンチキュラレン
ズアレー7は樹脂材料であり、それ以外は第6図と同じ
構成であった。このような構成からなる表示素子に入射
光17が平行に入射したとき、温度変化によってレンチ
キュラレンズアレー7の曲率半径が変化して、画素から
ずれた位置でレンズの焦点を結び、光が非開口部に到達
して表示に寄与しなかった。また約1ケ月間使用したと
き、樹脂材料からなるレンチキュラレンズアレー7は透
明ガラス基板3から剥離した。
ズアレー7は樹脂材料であり、それ以外は第6図と同じ
構成であった。このような構成からなる表示素子に入射
光17が平行に入射したとき、温度変化によってレンチ
キュラレンズアレー7の曲率半径が変化して、画素から
ずれた位置でレンズの焦点を結び、光が非開口部に到達
して表示に寄与しなかった。また約1ケ月間使用したと
き、樹脂材料からなるレンチキュラレンズアレー7は透
明ガラス基板3から剥離した。
発明が解決しようとする課題
しかしながら特開昭60−165624号公報の場合、
例えば3インチサイズの超高密度の液晶デイスプレィに
おいては約100万個のマイクロレンズが必要であり、
約100万個にもおよぶ非常に多くのマイクロレンズを
このような方法で、加工することは極めて難しく、また
そのようなマイクロレンズを量産することは不可能であ
る。一方、特開平1−189685号公報の場合、マイ
クロレンズ部分の材料が有機化合物である樹脂を用いて
いる。−船釣に有機化合物である樹脂はガラス基板と比
べて熱膨張係数が一桁近く大きく、温度変化による膨張
や収縮の程度が大きい。従ってガラス基板上に形成した
マイクロレンズは、長期間の使用によって、画素とマイ
クロレンズとの高精度の位置がずれたり、レンズの曲率
半径が変化したり、マイクロレンズがガラス基板から剥
離するといったことが起こる。
例えば3インチサイズの超高密度の液晶デイスプレィに
おいては約100万個のマイクロレンズが必要であり、
約100万個にもおよぶ非常に多くのマイクロレンズを
このような方法で、加工することは極めて難しく、また
そのようなマイクロレンズを量産することは不可能であ
る。一方、特開平1−189685号公報の場合、マイ
クロレンズ部分の材料が有機化合物である樹脂を用いて
いる。−船釣に有機化合物である樹脂はガラス基板と比
べて熱膨張係数が一桁近く大きく、温度変化による膨張
や収縮の程度が大きい。従ってガラス基板上に形成した
マイクロレンズは、長期間の使用によって、画素とマイ
クロレンズとの高精度の位置がずれたり、レンズの曲率
半径が変化したり、マイクロレンズがガラス基板から剥
離するといったことが起こる。
課題を解決するための手段
本発明は前記課題を解決するために、高融点の透明ガラ
ス基板の上に、低融点ガラスからなるレンチキュラレン
ズをアレー状に形成した光学素子、所望のレンチキュラ
レンズアレーの形状に加工したプレス成形用金型により
、高融点の透明ガラス基板と低融点ガラスとを熱間でプ
レス成形した光学素子の製造方法、少なくとも、画素を
構成する表示物質と、表示物質を保持する高融点の透明
ガラス基板とを備えた表示素子において、高融点の透明
ガラス基板の上に、各画素に対応するように、低融点ガ
ラスからなるレンチキュラレンズアレーを形成した表示
素子を提供するものである。
ス基板の上に、低融点ガラスからなるレンチキュラレン
ズをアレー状に形成した光学素子、所望のレンチキュラ
レンズアレーの形状に加工したプレス成形用金型により
、高融点の透明ガラス基板と低融点ガラスとを熱間でプ
レス成形した光学素子の製造方法、少なくとも、画素を
構成する表示物質と、表示物質を保持する高融点の透明
ガラス基板とを備えた表示素子において、高融点の透明
ガラス基板の上に、各画素に対応するように、低融点ガ
ラスからなるレンチキュラレンズアレーを形成した表示
素子を提供するものである。
作用
本発明の光学素子及び光学素子の製造方法並びに表示素
子は、透明ガラス基板の上に形成した低融点ガラスから
なるレンチキュラレンズアレーによって、開口部及び開
口部近傍の光が各画素の開口部に集光される。従って実
質的に、画素の開口率が大きくなって、明るい画面、高
い表示品質のデイスプレーにすることができる。このよ
うな表示素子は、所望のレンチキュラレンズアレーの形
状に加工したプレス成形用金型で熱間成形されることに
よって、高精度のレンチキュラレンズアレー及び表示素
子を極めて量産性よく製造することができる。
子は、透明ガラス基板の上に形成した低融点ガラスから
なるレンチキュラレンズアレーによって、開口部及び開
口部近傍の光が各画素の開口部に集光される。従って実
質的に、画素の開口率が大きくなって、明るい画面、高
い表示品質のデイスプレーにすることができる。このよ
うな表示素子は、所望のレンチキュラレンズアレーの形
状に加工したプレス成形用金型で熱間成形されることに
よって、高精度のレンチキュラレンズアレー及び表示素
子を極めて量産性よく製造することができる。
実施例
以下に本発明の一実施例を詳細に説明する。
実施例1゜
第1図は本発明に用いたプレス成形用金型の斜視図であ
る。プレス成形用金型の母材lとして超硬合金(WC−
57iC−8Co)を50mm*40mm*lQw角の
平板に切断し、超微細なダイヤモンド粉末を用いてラッ
ピング及びポリッシングして、表面の表面粗さ(RMS
)が約2nmの鏡面にした。
る。プレス成形用金型の母材lとして超硬合金(WC−
57iC−8Co)を50mm*40mm*lQw角の
平板に切断し、超微細なダイヤモンド粉末を用いてラッ
ピング及びポリッシングして、表面の表面粗さ(RMS
)が約2nmの鏡面にした。
曲率半径が400μmのダイヤモンドハイドを高精度に
数値制御した切削加工装置で、サグ量0.5μmの凹状
のレンチキュラレンズを40μmピンチで鏡面となった
母材1に形成した。この上にスパッタ法で白金−イリジ
ウム−オスミウム合金(pt−Ir−Os)の薄膜2を
被覆して、プレス成形用金型とした。
数値制御した切削加工装置で、サグ量0.5μmの凹状
のレンチキュラレンズを40μmピンチで鏡面となった
母材1に形成した。この上にスパッタ法で白金−イリジ
ウム−オスミウム合金(pt−Ir−Os)の薄膜2を
被覆して、プレス成形用金型とした。
第3図は本発明に用いたレンチキュラレンズアレーのプ
レス成形方法を示す断面図である。第3図において、3
は表面を研磨した透明ガラス基板(コーニング7059
.40ao * 30mm * 1.1 mm)であり
、4Aは低融点ガラス層であり、シリカ(SiO□)3
0重量パーセント、酸化バリウム(Bad)50重量パ
ーセント、ホウ酸(B、O,)15重1パーセント、残
部が微量成分からなるホウケイ酸バリウムガラスであり
、スパッタ法で膜厚3μmを形成した。5は平面状の、
プレス成形用金型の母材であり、8は母材5の上の白金
−イリジウム−オスミウム合金薄膜であり、上記のプレ
ス成形用金型と同様の方法で作製した。
レス成形方法を示す断面図である。第3図において、3
は表面を研磨した透明ガラス基板(コーニング7059
.40ao * 30mm * 1.1 mm)であり
、4Aは低融点ガラス層であり、シリカ(SiO□)3
0重量パーセント、酸化バリウム(Bad)50重量パ
ーセント、ホウ酸(B、O,)15重1パーセント、残
部が微量成分からなるホウケイ酸バリウムガラスであり
、スパッタ法で膜厚3μmを形成した。5は平面状の、
プレス成形用金型の母材であり、8は母材5の上の白金
−イリジウム−オスミウム合金薄膜であり、上記のプレ
ス成形用金型と同様の方法で作製した。
第3図のように、上から平面状のプレス成形用金型、透
明ガラス基板6、低融点ガラス層4A、凹状のレンチキ
ュラレンズを形成したプレス成形用金型の順序でセット
し、窒素ガスを毎分20リツター流した雰囲気に保持し
た成形機内で熱間でプレス成形した。プレス成形条件は
金型温度560°C、プレス圧力30kg/cill、
プレス時間1分であった。
明ガラス基板6、低融点ガラス層4A、凹状のレンチキ
ュラレンズを形成したプレス成形用金型の順序でセット
し、窒素ガスを毎分20リツター流した雰囲気に保持し
た成形機内で熱間でプレス成形した。プレス成形条件は
金型温度560°C、プレス圧力30kg/cill、
プレス時間1分であった。
第5図は本発明の光学素子を示す断面図である。
プレス成形後プレス成形用金型とともに300°Cまで
徐冷することにより、第5図に示した透明ガラス基板3
の上にレンチキュラレンズアレー7Aが形成された光学
素子を得た。
徐冷することにより、第5図に示した透明ガラス基板3
の上にレンチキュラレンズアレー7Aが形成された光学
素子を得た。
第7図は本発明の表示素子を示す断面図である。
第7図のように光学素子のレンチキュラレンズアレー7
Aを形成した透明ガラス基板3の反対面に、アモルファ
スシリコンからなる薄膜トランジスター (TPT)8
及び画素を構成するITOからなる透明電極9をそれぞ
れ形成し、レンチキュラレンズアレー7Aの方の面に偏
光板10を貼つけた。
Aを形成した透明ガラス基板3の反対面に、アモルファ
スシリコンからなる薄膜トランジスター (TPT)8
及び画素を構成するITOからなる透明電極9をそれぞ
れ形成し、レンチキュラレンズアレー7Aの方の面に偏
光板10を貼つけた。
平板状の透明ガラス基板11の片方の全面にITOから
なる共通電極12、及び画素を構成する透明電極9と対
応する位置にカラーフィルタ13を共通電極12のトに
設け、また他方の面には偏光板14を貼つけた。このよ
うな構成の透明ガラス基板3及び11を接着剤で固定し
く不図示)、その隙間には液晶材料15を注入充填した
。このような表示素子において、入射光16が平行に入
射したとき、共通電極12と画素を構成する透明電極9
との間に印加される電圧がオンの場合、液晶材料15を
通過する光の偏波面は変化しないで通過し、印加される
電圧がオフの場合、液晶材料15を通過する光の偏波面
は90度回転して液晶材料15を通過できない。
なる共通電極12、及び画素を構成する透明電極9と対
応する位置にカラーフィルタ13を共通電極12のトに
設け、また他方の面には偏光板14を貼つけた。このよ
うな構成の透明ガラス基板3及び11を接着剤で固定し
く不図示)、その隙間には液晶材料15を注入充填した
。このような表示素子において、入射光16が平行に入
射したとき、共通電極12と画素を構成する透明電極9
との間に印加される電圧がオンの場合、液晶材料15を
通過する光の偏波面は変化しないで通過し、印加される
電圧がオフの場合、液晶材料15を通過する光の偏波面
は90度回転して液晶材料15を通過できない。
レンチキュラレンズアレー7Aは画素を構成する透明電
極9の位置で焦点を結ぶように曲率半径を決めてあり、
レンチキュラレンズアレー7Aを通過した入射光16は
、開口部である透明電極9に集光され、その後共通電極
12、透明ガラス基板11を透過する。第7図から明ら
かなように、入射光16が平行に入射したとき、薄膜ト
ランジスター8で遮光されることなくほとんどすべての
光が、開口部である画素を構成する透明電極9を透過し
、表示に有効に寄与した。従って実質的Gこ、画素の開
口率が大きくなって、明るい画面、高い表示品質のデイ
スプレーにすることができた。
極9の位置で焦点を結ぶように曲率半径を決めてあり、
レンチキュラレンズアレー7Aを通過した入射光16は
、開口部である透明電極9に集光され、その後共通電極
12、透明ガラス基板11を透過する。第7図から明ら
かなように、入射光16が平行に入射したとき、薄膜ト
ランジスター8で遮光されることなくほとんどすべての
光が、開口部である画素を構成する透明電極9を透過し
、表示に有効に寄与した。従って実質的Gこ、画素の開
口率が大きくなって、明るい画面、高い表示品質のデイ
スプレーにすることができた。
実施例2゜
プレス成形用金型の母材1としてサーメット(Tic−
10Mo−9Ni)を50nwn*40髄*10飾角の
平板に切断し、超微細なダイヤモンド粉末を用いてラッ
ピング及びポリッシングして、表面の表面粗さ(RMS
)が約2nmの鏡面にした。母材1の鏡面加工した面に
無電解Niメツキを7μmコーティングした。曲率半径
が100μmのダイヤモンドバイトを高精度に数値制御
した切削加工装置で、サグ量5μmの凹状のレンチキュ
ラレンズを40μmピッチで無電解Niメツキをコーテ
ィングした面に形成した。これをさらにECRイオンシ
ャワーエツチング装置で均一にエツチングして無電解N
iメツキ層を除去した。この上にスパッタ法でロジウム
−金−タングステン合金(Rh−Au−W)の薄膜2を
被覆して、プレス成形用金型とした。
10Mo−9Ni)を50nwn*40髄*10飾角の
平板に切断し、超微細なダイヤモンド粉末を用いてラッ
ピング及びポリッシングして、表面の表面粗さ(RMS
)が約2nmの鏡面にした。母材1の鏡面加工した面に
無電解Niメツキを7μmコーティングした。曲率半径
が100μmのダイヤモンドバイトを高精度に数値制御
した切削加工装置で、サグ量5μmの凹状のレンチキュ
ラレンズを40μmピッチで無電解Niメツキをコーテ
ィングした面に形成した。これをさらにECRイオンシ
ャワーエツチング装置で均一にエツチングして無電解N
iメツキ層を除去した。この上にスパッタ法でロジウム
−金−タングステン合金(Rh−Au−W)の薄膜2を
被覆して、プレス成形用金型とした。
第2図において、3は表面を研磨した透明ガラス基板(
石英ガラス、40mm*30mm*1.1 mm)であ
り、4は直径20μmのファイバー状の低融点ガラスで
あり、ジルコニア(Z r Oz ) 8重1tパーセ
ント、酸化ランタン(LazOt)30重量パーセント
、ホウ酸(B20:1)42重量パーセント、酸化カル
シウム(Cab)10重量パーセント、残部が微量成分
からなるランタン系ガラスを用いた。5は平面状のプレ
ス成形用金型の母材であり、6は母材5の上のロジウム
−金−タングステン合金(Rh−A u −W) !膜
であり、上記のプレス成形用金型と同様の方法で作製し
た。
石英ガラス、40mm*30mm*1.1 mm)であ
り、4は直径20μmのファイバー状の低融点ガラスで
あり、ジルコニア(Z r Oz ) 8重1tパーセ
ント、酸化ランタン(LazOt)30重量パーセント
、ホウ酸(B20:1)42重量パーセント、酸化カル
シウム(Cab)10重量パーセント、残部が微量成分
からなるランタン系ガラスを用いた。5は平面状のプレ
ス成形用金型の母材であり、6は母材5の上のロジウム
−金−タングステン合金(Rh−A u −W) !膜
であり、上記のプレス成形用金型と同様の方法で作製し
た。
第2図のように、上から平面状のプレス成形用金型、透
明ガラス基板3、ファイバー状の低融点ガラス4、レン
チキュラレンズを形成したプレス成形用金型の順序でセ
ットし、窒素ガス20リツタ一/分、水素ガスlリッタ
ー7分の割合で混合した雰囲気に保持した成形機内で熱
間でプレス成形した。プレス成形条件は金型温度680
°C、プレス圧力10kg/CTA、プレス時間2分で
あった。第4図は本発明の光学素子を示す断面図である
。プレス成形後プレス成形用金型とともに400°Cま
で徐冷することにより、第4図に示した透明ガラス基板
3の上にレンチキュラレンズアレー7が形成された光学
素子を得た。
明ガラス基板3、ファイバー状の低融点ガラス4、レン
チキュラレンズを形成したプレス成形用金型の順序でセ
ットし、窒素ガス20リツタ一/分、水素ガスlリッタ
ー7分の割合で混合した雰囲気に保持した成形機内で熱
間でプレス成形した。プレス成形条件は金型温度680
°C、プレス圧力10kg/CTA、プレス時間2分で
あった。第4図は本発明の光学素子を示す断面図である
。プレス成形後プレス成形用金型とともに400°Cま
で徐冷することにより、第4図に示した透明ガラス基板
3の上にレンチキュラレンズアレー7が形成された光学
素子を得た。
第6図は本発明の表示素子を示す断面図である。
第6図のように光学素子のレンチキュラレンズアレー7
を形成した透明ガラス基板3の反対面に、アモルファス
シリコンからなる薄膜トランジスター (TPT)8及
び画素を構成するITOからなる透明電極9をそれぞれ
形成し、レンチキュラレンズアレー7の方の面に偏光板
10を貼つけた。平板状の透明ガラス基板11の片方の
全面にITOからなる共通電極12、及び画素を構成す
る透明電極9と対応する位置にカラーフィルタ13を共
通電極12の上に設け、また他方の面には偏光板14を
貼つけた。このような構成の透明ガラス基板3及び11
を接着剤で固定しく不図示)、その隙間には液晶材料1
5を注入充填した。
を形成した透明ガラス基板3の反対面に、アモルファス
シリコンからなる薄膜トランジスター (TPT)8及
び画素を構成するITOからなる透明電極9をそれぞれ
形成し、レンチキュラレンズアレー7の方の面に偏光板
10を貼つけた。平板状の透明ガラス基板11の片方の
全面にITOからなる共通電極12、及び画素を構成す
る透明電極9と対応する位置にカラーフィルタ13を共
通電極12の上に設け、また他方の面には偏光板14を
貼つけた。このような構成の透明ガラス基板3及び11
を接着剤で固定しく不図示)、その隙間には液晶材料1
5を注入充填した。
レンチキュラレンズアレー7は画素を構成する透明電極
9の位置で焦点を結ぶように曲率半径を決めてあり、レ
ンチキュラレンズアレー7を通過した入射光16は、開
口部である透明電極9に集光され、その後共通電極12
、透明ガラス基板11を透過する。第6図から明らかな
ように、入射光16が平行に入射したとき、薄膜トラン
ジスター8で遮光されることな(はとんどすべての光が
、開口部である画素を構成する透明電極9を透過し、表
示に有効に寄与した。従って実質的に、画素の開口率が
太き(なって、明るい画面、高い表示品質のデイスプレ
ーにすることができた。
9の位置で焦点を結ぶように曲率半径を決めてあり、レ
ンチキュラレンズアレー7を通過した入射光16は、開
口部である透明電極9に集光され、その後共通電極12
、透明ガラス基板11を透過する。第6図から明らかな
ように、入射光16が平行に入射したとき、薄膜トラン
ジスター8で遮光されることな(はとんどすべての光が
、開口部である画素を構成する透明電極9を透過し、表
示に有効に寄与した。従って実質的に、画素の開口率が
太き(なって、明るい画面、高い表示品質のデイスプレ
ーにすることができた。
実施例3゜
プレス成形用金型の母材1としてオーステナイト鋼(S
US316)を50mm * 40+nm * 10m
m角の平板に切断し、超微細なダイヤモンド粉末を用い
てラッピング及びポリ・ツシングして、表面の表面粗さ
(RMS)が約2nmの鏡面にした。母材1の鏡面加工
した面に無電解Niメツキを5μmコーティングした。
US316)を50mm * 40+nm * 10m
m角の平板に切断し、超微細なダイヤモンド粉末を用い
てラッピング及びポリ・ツシングして、表面の表面粗さ
(RMS)が約2nmの鏡面にした。母材1の鏡面加工
した面に無電解Niメツキを5μmコーティングした。
曲率半径が100μmのダイヤモンドハイドを高精度に
数値制御した切削加工装置で、サグ量4μmの凹状のレ
ンチキュラレンズを79μmピッチで無電解Niメシキ
をコーティングした面に形成した。さらにこの上にスパ
ッタ法で白金−タンタルーレニウム合金(Pt−Ta−
Re)の薄膜2を被覆して、プレス成形用金型とした。
数値制御した切削加工装置で、サグ量4μmの凹状のレ
ンチキュラレンズを79μmピッチで無電解Niメシキ
をコーティングした面に形成した。さらにこの上にスパ
ッタ法で白金−タンタルーレニウム合金(Pt−Ta−
Re)の薄膜2を被覆して、プレス成形用金型とした。
第2図において、3は表面を研磨した透明ガラス基板(
無アルカリガラス、旭硝子AN、40柵*30mm *
1.1 mm)であり、4は直径20 p mのファ
イバー状の低融点ガラスであり、シリカ(S i 02
)52重量パーセント、酸化カリウム(K、O)6重量
パーセント、酸化鉛(PbO)35重量パーセント、酸
化ナトリウム(Naア0)5重量パーセント、残部が微
量成分からなる重フリントガラスを用いた。
無アルカリガラス、旭硝子AN、40柵*30mm *
1.1 mm)であり、4は直径20 p mのファ
イバー状の低融点ガラスであり、シリカ(S i 02
)52重量パーセント、酸化カリウム(K、O)6重量
パーセント、酸化鉛(PbO)35重量パーセント、酸
化ナトリウム(Naア0)5重量パーセント、残部が微
量成分からなる重フリントガラスを用いた。
5は平面状のプレス成形用金型の母材であり、6は母材
5の上の白金−クンタル−レニウム合金(Pt−Ta−
Re)薄膜であり、上記のプレス成形用金型と同様の方
法で作製した。
5の上の白金−クンタル−レニウム合金(Pt−Ta−
Re)薄膜であり、上記のプレス成形用金型と同様の方
法で作製した。
第2図のように、上から平面状のプレス成形用金型、透
明ガラス基板3、ファイバー状の低融点、 ガラス4、
レンチキュラレンスを形成したプレス成形用金型の1序
でセットし、ヘリウムガス20リツター/分、二酸化炭
素ガス2リツタ一/分の割合で混合した雰囲気に保持し
た成形機内で熱間でプレス成形した。プレス成形条件は
金型温度520°C、プレス圧力20kg/cd、プレ
ス時間1分であった。第4図は本発明の光学素子を示す
断面図である。プレス成形後プレス成形用金型とともに
350°Cまで徐冷することにより、第4図に示した透
明ガラス基板3の上にレンチキュラレンズアレー7が形
成された光学素子を得た。
明ガラス基板3、ファイバー状の低融点、 ガラス4、
レンチキュラレンスを形成したプレス成形用金型の1序
でセットし、ヘリウムガス20リツター/分、二酸化炭
素ガス2リツタ一/分の割合で混合した雰囲気に保持し
た成形機内で熱間でプレス成形した。プレス成形条件は
金型温度520°C、プレス圧力20kg/cd、プレ
ス時間1分であった。第4図は本発明の光学素子を示す
断面図である。プレス成形後プレス成形用金型とともに
350°Cまで徐冷することにより、第4図に示した透
明ガラス基板3の上にレンチキュラレンズアレー7が形
成された光学素子を得た。
第6図は本発明の表示素子を示す断面図である。
第6図のように光学素子のレンチキュラレンズアレー7
を形成した透明ガラス基板3の反対面に、アモルファス
シリコンからなる薄膜トランジスター (TPT)8及
び画素を構成するITOからなる透明電極9をそれぞれ
形成し、レンチキュラレンズアレー7の方の面に偏光板
10を貼つけた。平板状の透明ガラス基板11の片方の
全面にTTOからなる共通電極12、及び画素を構成す
る透明電極9と対応する位置にカラーフィルタ13を共
通電極12の上に設け、また他方の面には偏光板14を
貼つけた。このような構成の透明カラス基板3及び11
を接着剤で固定しく不図示)、その隙間には液晶材料1
5を注入充填した。
を形成した透明ガラス基板3の反対面に、アモルファス
シリコンからなる薄膜トランジスター (TPT)8及
び画素を構成するITOからなる透明電極9をそれぞれ
形成し、レンチキュラレンズアレー7の方の面に偏光板
10を貼つけた。平板状の透明ガラス基板11の片方の
全面にTTOからなる共通電極12、及び画素を構成す
る透明電極9と対応する位置にカラーフィルタ13を共
通電極12の上に設け、また他方の面には偏光板14を
貼つけた。このような構成の透明カラス基板3及び11
を接着剤で固定しく不図示)、その隙間には液晶材料1
5を注入充填した。
レンチキュラレンズアレー7は画素を構成する透明電極
9の位置で焦点を結ぶように曲率半径を決めてあり、レ
ンチキュラレンズアレー7を通過した入射光16は、開
口部である透明電極9に集光され、その後共通電極12
、透明ガラス基板11を透過する。第6図から明らかな
ように、入射光16が平行に入射したとき、薄膜トラン
ジスター8で遮光されることなくほとんどすべての光が
、開口部である画素を構成する透明電極9を透過し、表
示に有効に寄与した。従って実質的に、画素の開口率が
大きくなって、明るい画面、高い表示品質のデイスプレ
ーにすることができた。
9の位置で焦点を結ぶように曲率半径を決めてあり、レ
ンチキュラレンズアレー7を通過した入射光16は、開
口部である透明電極9に集光され、その後共通電極12
、透明ガラス基板11を透過する。第6図から明らかな
ように、入射光16が平行に入射したとき、薄膜トラン
ジスター8で遮光されることなくほとんどすべての光が
、開口部である画素を構成する透明電極9を透過し、表
示に有効に寄与した。従って実質的に、画素の開口率が
大きくなって、明るい画面、高い表示品質のデイスプレ
ーにすることができた。
本発明の光学素子及び光学素子の製造方法並びに表示素
子において、プレス成形条件(温度と時間と圧力と雰囲
気)、低融点ガラス材料、プレス成形用金型母材やそれ
に被覆する薄膜組成、あるいはレンチキュラレンズアレ
ーの形状やその作製方法、表示素子の表示原理や素子構
成等は、本実施例に限定されるものではない。
子において、プレス成形条件(温度と時間と圧力と雰囲
気)、低融点ガラス材料、プレス成形用金型母材やそれ
に被覆する薄膜組成、あるいはレンチキュラレンズアレ
ーの形状やその作製方法、表示素子の表示原理や素子構
成等は、本実施例に限定されるものではない。
なおプレス成形用金型に被覆する薄膜は、低融点ガラス
と反応あるいは融着しない貴金属、タングステン、タン
タル、レニウム、ハフニウムの単体あるいはそれらの合
金であることが望ましい。
と反応あるいは融着しない貴金属、タングステン、タン
タル、レニウム、ハフニウムの単体あるいはそれらの合
金であることが望ましい。
また低融点ガラスとこれらの薄膜とが反応あるいは融着
しない雰囲気は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性
ガス、およびこれらの不活性ガスに水素、あるいは−酸
化炭素、二酸化炭素の炭素酸 1化物、メタン、エタ
ン、エチレン、トルエン等の炭化水素類、トリクロロエ
チレン、トリクロルトリフルオルエタン等のハロゲン化
炭化水素類、エチレングリコール、グリセリン等のアル
コール類、F −113、F−11等のフルオロカーボ
ン類を適宜混合した非酸化性雰囲気であることが望まし
い。
しない雰囲気は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性
ガス、およびこれらの不活性ガスに水素、あるいは−酸
化炭素、二酸化炭素の炭素酸 1化物、メタン、エタ
ン、エチレン、トルエン等の炭化水素類、トリクロロエ
チレン、トリクロルトリフルオルエタン等のハロゲン化
炭化水素類、エチレングリコール、グリセリン等のアル
コール類、F −113、F−11等のフルオロカーボ
ン類を適宜混合した非酸化性雰囲気であることが望まし
い。
発明の詳細
な説明したように、本発明の光学素子及び光学素子の製
造方法並びに表示素子は、透明カラス基板の一トに形成
した低融点ガラスからなるレンチキュラレンズアレーに
よって、開口部及び開口部近傍の光が各画素の開口部に
集光される。従って実質的に、画素の開口率か大きくな
って、明るい画面、高い表示品質のデイスプレーにする
ことができる。このような表示素子は、所望のレンチキ
ュラレンズアレーの形状に加工したプレス成形用金型で
熱間成形されることによって、高精度のレンチキュラレ
ンズアレー及び表示素子を極めて量産性よく製造するこ
とができる。
造方法並びに表示素子は、透明カラス基板の一トに形成
した低融点ガラスからなるレンチキュラレンズアレーに
よって、開口部及び開口部近傍の光が各画素の開口部に
集光される。従って実質的に、画素の開口率か大きくな
って、明るい画面、高い表示品質のデイスプレーにする
ことができる。このような表示素子は、所望のレンチキ
ュラレンズアレーの形状に加工したプレス成形用金型で
熱間成形されることによって、高精度のレンチキュラレ
ンズアレー及び表示素子を極めて量産性よく製造するこ
とができる。
第1図はプレス成形用金型の斜視図、第2図及び第3図
はレンチキュラレンズアレーのプレス成形方法を示す断
面図、第4図及び第5図は光学素子を示す断面図、第6
図及び第7図は表示素子を示す断面図、第8図は従来の
表示素子を示す断面図である。 ■・・・・・・母材、2・・・・・・薄膜、3・・・・
・・高融点透明ガラス基板、4・・・・・・低融点ガラ
スファイバ、4A・・・・−・低融点ガラス層、訃・・
・・・母材、6・・・−・・薄膜、7゜7A・・・・・
・レンチキュラレンズ、8・・・−・・薄膜トランジス
ター、9・・・・・・透明電極、10.14・・−・・
・偏光板、11・・・・・−高融点透明ガラス基板、1
2・・・・・・共通電極、13・・・・・・カラーフィ
ルタ、15・・・・・・液晶材料、16.17・・・・
・・入射光。 代理人の氏名 弁理士 小鍜治 明 ほか2名/ −
−−fl) 灯 第1図 騙−te!、R&点ゴラス層 第3図 第 4 図 7−−− Lン子キ・ラ
レンズto14−−− A’t 蓼 /Q 第7図
はレンチキュラレンズアレーのプレス成形方法を示す断
面図、第4図及び第5図は光学素子を示す断面図、第6
図及び第7図は表示素子を示す断面図、第8図は従来の
表示素子を示す断面図である。 ■・・・・・・母材、2・・・・・・薄膜、3・・・・
・・高融点透明ガラス基板、4・・・・・・低融点ガラ
スファイバ、4A・・・・−・低融点ガラス層、訃・・
・・・母材、6・・・−・・薄膜、7゜7A・・・・・
・レンチキュラレンズ、8・・・−・・薄膜トランジス
ター、9・・・・・・透明電極、10.14・・−・・
・偏光板、11・・・・・−高融点透明ガラス基板、1
2・・・・・・共通電極、13・・・・・・カラーフィ
ルタ、15・・・・・・液晶材料、16.17・・・・
・・入射光。 代理人の氏名 弁理士 小鍜治 明 ほか2名/ −
−−fl) 灯 第1図 騙−te!、R&点ゴラス層 第3図 第 4 図 7−−− Lン子キ・ラ
レンズto14−−− A’t 蓼 /Q 第7図
Claims (5)
- (1)高融点の透明ガラス基板の上に、低融点ガラスか
らなるレンチキュラレンズをアレー状に形成した光学素
子。 - (2)所望のレンチキュラレンズアレーの形状に加工し
たプレス成形用金型により、高融点の透明ガラス基板と
低融点ガラスとを熱間でプレス成形した光学素子の製造
方法。 - (3)プレス成形用金型が化学的に安定な薄膜で被覆さ
れた請求項(2)記載の光学素子の製造方法。 - (4)薄膜が貴金属、タングステン、タンタル、レニウ
ム、ハフニウムの単体あるいはそれらの合金である請求
項(3)に記載の光学素子の製造方法。 - (5)少なくとも、画素を構成する表示物質と、表示物
質を保持する高融点の透明ガラス基板とを備えた表示素
子において、高融点の透明ガラス基板の上に、各画素に
対応するように、低融点ガラスからなるレンチキュラレ
ンズアレーを形成した表示素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2292264A JPH04163524A (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | 光学素子及び光学素子の製造方法及び表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2292264A JPH04163524A (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | 光学素子及び光学素子の製造方法及び表示素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04163524A true JPH04163524A (ja) | 1992-06-09 |
Family
ID=17779526
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2292264A Pending JPH04163524A (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | 光学素子及び光学素子の製造方法及び表示素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04163524A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5623368A (en) * | 1994-07-07 | 1997-04-22 | Corning Incorporated | Process and apparatus for manufacturing networks of optical microlenses |
-
1990
- 1990-10-29 JP JP2292264A patent/JPH04163524A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5623368A (en) * | 1994-07-07 | 1997-04-22 | Corning Incorporated | Process and apparatus for manufacturing networks of optical microlenses |
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