JPH04162468A - リードフレーム - Google Patents

リードフレーム

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JPH04162468A
JPH04162468A JP28622790A JP28622790A JPH04162468A JP H04162468 A JPH04162468 A JP H04162468A JP 28622790 A JP28622790 A JP 28622790A JP 28622790 A JP28622790 A JP 28622790A JP H04162468 A JPH04162468 A JP H04162468A
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Atsushi Fukui
淳 福井
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、リードフレームに関する。
(従来の技術) 高出力型半導体集積回路の分野では、高いパワーを用い
るために、電流供給用のリードはワイヤとの接続部にお
けるインダクタンスの増大を防ぐべく、ボンディングワ
イヤに代えてパワープレートを介してチップのポンディ
ングパッドに接続するという方法が取られることが多い
。また、高集積化に従い、リードの本数を低減する目的
から、複数のパッドから接地ラインに落とすような場合
、接地用のプレートを設けこれにすべて接続するという
方法が有力となってきている。
さらにまた、発熱量も大きいため、ダイパッドに代えて
放熱性の良好な金属板からなる大きな放熱板を必要とす
る傾向にある。
このようなパワーデバイスでは、リードフレーム本体と
チップ搭載部を兼ねた放熱板とを別体形成し、インナー
リード先端の裏側に絶縁性の両面テープを介して放熱板
とリードフレーム本体とを貼着したリードフレームを用
いることが多い。
ところで、これらのリードフレームではインナーリード
先端表面にはワイヤレスボンディングを確実に行うため
のコイニングならびに銀(A、 g )、金(Au)な
どの貴金属めっきが施されているか、両面テープ貼着工
程において、さらに2層3層の接着工程において、工程
数が増大ずればするほとめつき面に傷を付けたり、異物
が付着したりするという問題があった。
この問題を最小限にとどめるため、第4図に示すように
ヒートブロックHに逃げ加工を施し、この逃げ加工部K
にめっき面Mが位置するようにリードフレーム本体5を
搭載して上方から押圧する等の対策かとられている。
しかしながら、この方法では、ヒートブロックの加工が
困難となるばかりでなく、ヒートブロック上にリードフ
レームを載置する際の位置ずれから結局めっき面を傷つ
けることかあった。
さらに、リードフレームの搬送時にめっき面がヒータブ
ロックまたはガイド部と接触し、めっき面に傷を付けた
り、異物が付着したりするという問題は依然として残さ
れたままであった。
(発明が解決しようとする問題点) このように、従来のリードフレームではテープ貼着工程
や搬送工程において、インナーリード先端のめっき面に
傷を(=Iけたり、異物が(=1着し、これが信頼性低
下の原因となっていた。
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、テープ貼
着工程や搬送工程において、インナーリード先端のめっ
き面を保護し、リードフレームの製造歩留まりを向上す
ることを目的とする。
〔発明の構成〕
(課題を解決するための手段) そこで、本発明のリードフレームでは、インナーリード
の最先端からややアウターリード側に所定の間隔を隔て
た位置に幅広肉薄領域(コイニング領域)を形成してい
る。
すなわち、肉薄領域を若干アウターリード側へすらし、
インナーリード最先端部の肉厚は他の領域と同じに維持
するようにしている。
(作用) 上記構成により、インナーリード最先端部の肉厚は他の
領域と同しに維持され、肉薄領域が若干アウターリード
側へすらして形成されているため、めっきのなされた面
が肉薄となっており、テープ貼着工程においてヒートブ
ロック上にリードフレームを載置する際にもめっき面が
ヒートブロックに直接接しないように、最先端部とイン
ナーリード中間部とで支持することができる。
また、導電性プレートや接地プレートなどとの接着に際
しても、同様にめっき面がヒートブロックに直接接しな
いように支持することができる。
さらに、搬送工程に際しても、最先端の肉厚部の存在に
より搬送具が、めっき面に直接接しないように支持する
ことができる。
このように、最先端の肉厚部の存在により、常にヒート
ブロックなどの支持具にめっき面が接触することなく実
装および搬送を行うことができるため、製造歩留まりが
大幅に向上する。
(実施例) 以下本発明の実施例について、図面を参照しつつ詳細に
説明する。
第1図は、本発明実施例のパワーデバイス用のリードフ
レームのインナーリード先端部の要部を示す斜視図であ
る。
このリードフレームは、第2図に全体図を示すように、
インナーリード]の最先端からややアウターリード2側
に所定の間隔を隔てた位置に幅広のコイニング領域(肉
薄領域)Cを形成し、このコイニング領域Cの表面に銀
めっきを施しめっき面Mを形成したことを特徴としてい
る。
すなわち、リードフレームが、銅を主成分とし、半導体
チップ載置部の周辺に先端がくるように配置された多数
のインナーリード]と、タイバー3を介してこれに連設
されたアウターリード2とを具備したリードフレーム本
体5と、肉厚で放熱性の良好な銅板からなる半導体チッ
プ載置部としてのダイパッド6とからなり、両者が絶縁
性のポリイミドテープからなる両面テープTを介して固
着されている。
次に、このリードフレームの製造方法について説明する
まず、通常のスタンピング法により、帯状祠料を加工し
、半導体チップ載置領域aと対峙するインナーリード1
、アウターリード2、タイバー3などを含む通常のリー
ドフレーム本体5の形状に成型する。7はサイドバーで
ある。
次いで、インナーリード最先端部を残して先端領域にコ
イニング処理を行い、インナーリード]゛   先端部
のボンディングエリアの平坦幅を確保したのち、このコ
イニング領域に銀めっき(めっき面M)を行う。Mは銀
めっき面を示す。このとき必要に応じて、インナーリー
ド先端部のボンディングエリアを避けるように絶縁性テ
ープを貼着し、固定するようにしてもよい。
一方、また通常のスタンピング法により、放熱性の良好
な銅板を加工し、ダイパッド6の打ち抜きを行った後、
絶縁性のポリイミド膜Tでリードフレーム本体5と固着
し第1図および第2図に示したようなリードフレームが
完成する。
この後、半導体チップの搭載およびワイヤボンディング
を行い、樹脂封止を行って、デバイスが完成する。
このリードフレームによれば、第3図に示すように、リ
ードフレーム本体5とダイパッド6とを固着する熱工程
においても、ヒートブロックHにめっき面Mが接するこ
となく良好に支持し固着することができるため、製造歩
留まりが向上する。
また、搬送に際しても、めっき面がヒータブロックまた
はガイド部と接触し、めっき面に傷を何けたり、異物が
何着したりすることもない。
なお、前記実施例では、リードフレーム本体とダイパッ
ドとを別体として形成し、両者を結合したワイヤボンデ
ィング用のリードフレームについて説明したが、ダイパ
ッドを一体形成した通常のワイヤボンディング用リード
フレームについても有効であるのみならず、インナーリ
ードを備えたリードフレーム本体が、グランドプレー1
・とじての役割を担う銅板からなる第1の導電板および
この上層に積層され、電源ラインに接続され銅板からな
るパワープレートとしての第2の導電板とに溶接され、
これらの間の電気的接続を達成するようにしたものなど
にも適用可能である。
〔発明の効果〕
以上説明してきたように、本発明によれば、コイニング
領域を若干アウターリード側へずらし、インナーリード
最先端部の肉厚は他の領域と同じに維持するようにして
いるため、めっき面が接触することなく実装および搬送
を行うことができるため、製造歩留まりが大幅に向上す
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明実施例のリードフレームのインナーリ
ードを示す図、第2図は同リードフレームの全体図、第
3図は同リードフレームの実装工程の一部を示す図、第
4図は従来例のリードフレームの実装工程の一部を示す
図である。 1・・・インナーリード、2・・・アウターリード、3
・・・タイバー、   M・・・銀めっき領域5・・・
リードフレーム本体 6・・・ダイパッド、   7・・・サイドバーT・・
・ポリイミドテープ。 Cコイニー7ヅ岬 第1図 ら 第3図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  半導体チップ搭載領域の周縁に先端がくるように配設
    された複数のインナーリードと、前記インナーリードの
    それぞれに連設されたアウターリードとを具備したリー
    ドフレームにおいて、 前記インナーリードは最先端からややアウターリード側
    に所定の間隔を隔てた位置に肉薄領域を有していること
    を特徴とするリードフレーム。
JP2286227A 1990-10-24 1990-10-24 リ―ドフレ―ム Expired - Fee Related JP2527840B2 (ja)

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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55103734A (en) * 1979-01-31 1980-08-08 Nec Corp Semiconductor device
JPS5619054U (ja) * 1979-07-20 1981-02-19
JPS63142660A (ja) * 1986-12-04 1988-06-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd リ−ドフレ−ムの製造方法
JPS6454738A (en) * 1987-08-26 1989-03-02 Sumitomo Metal Mining Co Lead frame for direct bonding

Patent Citations (4)

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JPS6454738A (en) * 1987-08-26 1989-03-02 Sumitomo Metal Mining Co Lead frame for direct bonding

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