JPH04162455A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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Publication number
JPH04162455A
JPH04162455A JP28618490A JP28618490A JPH04162455A JP H04162455 A JPH04162455 A JP H04162455A JP 28618490 A JP28618490 A JP 28618490A JP 28618490 A JP28618490 A JP 28618490A JP H04162455 A JPH04162455 A JP H04162455A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
semiconductor device
lead frame
sealed
pellet
Prior art date
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Pending
Application number
JP28618490A
Other languages
English (en)
Inventor
Naoyuki Murai
村井 直幸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Kyushu Ltd
Original Assignee
NEC Kyushu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Kyushu Ltd filed Critical NEC Kyushu Ltd
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Publication of JPH04162455A publication Critical patent/JPH04162455A/ja
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は低圧トランスファー成形法によって樹脂封止さ
れる樹脂封止型半導体装置に関する。
〔従来の技術〕
従来の低圧トランスファー成形法によって樹脂封止され
る樹脂封止型半導体装置では、第3図に示すように、リ
ードフレーム1の片面にペレット2を搭載し、リードフ
レーム1をはさみ込むようにして樹脂封止部4と樹脂封
止部5とを有している。
樹脂封止部4と樹脂封止部5との間には、搭載するペレ
ット2の厚みから樹脂封止部4の厚みを決めると、これ
によって樹脂封止部5の厚みについてもある範囲で適正
な厚みが決まるという関係にある。また、リードフレー
ム1のうち外部り−ド6は通常樹脂封止部4または樹脂
封止部5側に向は曲げ加工された構造となっている。
〔発明が解決しようとする課題〕
この従来の低圧トランスファー成形法により樹脂封止さ
れた樹脂封止型半導体装置ては、リードフレームの両面
に樹脂封止部を有する構造となっているため樹脂封止部
の厚みが厚く、樹脂封止型半導体装置の全高が高くなり
配線基板実装時の高密度化を防げるという問題点かあっ
た。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の低圧トランスファー成形法によって樹脂封止を
行なった樹脂封止型半導体装置では、リードフレーム面
のうち、ペレットか搭載されている面側のみに樹脂封止
部を有し、ペレットが搭載されていない面側には樹脂封
止部を有さない。さらに、樹脂封止部に接するリードフ
レームの外部リードは、樹脂封止型半導体装置の全高を
最小限に抑えるため、樹脂封止部側に向けて曲げ加工さ
れている。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図および第2図は、本発明の一実施例の低圧トラン
スファー成形法により樹脂封止された樹脂封止型半導体
装置の断面図である。リードフレーム1の片面にペレッ
ト2を搭載し、ペレット2を搭載した面側のみに樹脂封
止部4を有する。さらに、樹脂封止部4に接するリード
フレーム1の外部リード6は樹脂封止部4側に向は曲は
加工させる。
第2図の実施例の場合には、第1図の構成に加えて、リ
ードフレーム1のペレット2が搭載されていない面側に
絶縁テープ7を有することによって、樹脂封止時に発生
するリード変形を防止すると共に捺印面が確保されるパ
ッケージ構造となっている。
なお、上記実施例で用いた樹脂封止部の樹脂、ペレット
、リードフレーム等は従来と同じである。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、リードフレームにペレッ
トを搭載した面のみに樹脂封止部を有し、かつ樹脂封止
部に接したリードフレームのうち外部リードを樹脂封止
部側に向は曲げ加工したパッケージ構造としたので、樹
脂封止型半導体装置の全高は最小限であり、配線基板実
装時の高密度化がはかれるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図本発明の一実施例の断面図、第3図
は従来の低圧トランスファー成形方法により樹脂封止さ
れた樹脂封止型半導体装置の断面図である。 1・・・リードフレーム、2・・・ペレット、4・・・
樹脂封止部、5・・・樹脂封止部、6・・・外部リード
、7・・・絶縁テープ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  半導体素子が形成されたペレットを搭載したリードフ
    レームを低圧トランスファー成形法によって樹脂封止し
    た樹脂封止型半導体装置において、前記リードフレーム
    のうち、ペレットが搭載されている面側のみに樹脂封止
    部を有し、ペレットの搭載されていない面側には樹脂封
    止部を有さないことを特徴とし、かつ、樹脂封止部に接
    するリードフレームの外部リードが樹脂封止部側に曲げ
    加工されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置
JP28618490A 1990-10-24 1990-10-24 樹脂封止型半導体装置 Pending JPH04162455A (ja)

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