JPH0416020B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0416020B2 JPH0416020B2 JP25096585A JP25096585A JPH0416020B2 JP H0416020 B2 JPH0416020 B2 JP H0416020B2 JP 25096585 A JP25096585 A JP 25096585A JP 25096585 A JP25096585 A JP 25096585A JP H0416020 B2 JPH0416020 B2 JP H0416020B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- oxidation
- oxide film
- forming
- resistant film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 51
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 51
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 38
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 24
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 11
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 6
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 24
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Element Separation (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特
に、半導体装置の素子間分離のための絶縁膜の形
成方法に関する。
に、半導体装置の素子間分離のための絶縁膜の形
成方法に関する。
（従来の技術）
近年、半導体集積回路の高密度化、高集積化へ
の要求から、素子及び素子分離領域の微細化が不
可決となつてきている。
の要求から、素子及び素子分離領域の微細化が不
可決となつてきている。
そこで、従来の素子分離領域の形成方法につい
て説明する。
て説明する。
第２図は従来の素子分離領域の形成工程図であ
る。
る。
まず、第２図ａに示されるように、シリコン基
板１上にシリコン酸化膜（SiO2膜）２を形成し、
その上に第１の耐酸化性被膜（Si3N4膜）３を形
成し、選択的エツチングにより、パターン形成を
行う。次に、第２図ｂに示されるように、全面に
第２の耐酸化性被膜（Si3N4膜）４を形成する。
次に、第２図ｃに示されるように、フオトレジス
ト膜なしで、全面エツチングすることにより、前
記第１の耐酸化性被膜３及びシリコン酸化膜２の
側壁にのみ、第２の耐酸化性被膜４を残し、次
に、第２図ｄに示されるように、前記第１の耐酸
化性被膜３及び第２の耐酸化性被膜４以外の部分
に素子分離のためのフイールドシリコン酸化膜５
を形成する。
板１上にシリコン酸化膜（SiO2膜）２を形成し、
その上に第１の耐酸化性被膜（Si3N4膜）３を形
成し、選択的エツチングにより、パターン形成を
行う。次に、第２図ｂに示されるように、全面に
第２の耐酸化性被膜（Si3N4膜）４を形成する。
次に、第２図ｃに示されるように、フオトレジス
ト膜なしで、全面エツチングすることにより、前
記第１の耐酸化性被膜３及びシリコン酸化膜２の
側壁にのみ、第２の耐酸化性被膜４を残し、次
に、第２図ｄに示されるように、前記第１の耐酸
化性被膜３及び第２の耐酸化性被膜４以外の部分
に素子分離のためのフイールドシリコン酸化膜５
を形成する。
また、特開昭58−124244号公報に示されるよう
に、シリコン基板上にシリコン酸化膜および第１
のシリコン窒化膜を順次被着形成し、さらにパタ
ーニングの際のマスクとなる膜を選択的に形成
後、等方性エツチングでパターニングを行い、し
かる後第２のシリコン窒化膜を全面に被着形成
し、さらに異方性エツチングで該第２のシリコン
窒化膜をエツチング除去し、パターニングした前
記シリコン酸化膜の側面に該第２のシリコン窒化
膜を残存させ、しかる後熱酸化法でフイールド部
にフイールドシリコン酸化膜を成長させることを
特徴とする素子分離領域の形成方法が記載されて
いる。
に、シリコン基板上にシリコン酸化膜および第１
のシリコン窒化膜を順次被着形成し、さらにパタ
ーニングの際のマスクとなる膜を選択的に形成
後、等方性エツチングでパターニングを行い、し
かる後第２のシリコン窒化膜を全面に被着形成
し、さらに異方性エツチングで該第２のシリコン
窒化膜をエツチング除去し、パターニングした前
記シリコン酸化膜の側面に該第２のシリコン窒化
膜を残存させ、しかる後熱酸化法でフイールド部
にフイールドシリコン酸化膜を成長させることを
特徴とする素子分離領域の形成方法が記載されて
いる。
これらの方法は、所謂、Ｆ−LOCOS法である。
更に、第２の耐酸化性被膜４を使用しないで素
子分離のためのフイールドシリコン酸化膜を形成
する、所謂、LOCOS法も採用されている。
子分離のためのフイールドシリコン酸化膜を形成
する、所謂、LOCOS法も採用されている。
なお、この種の先行技術文献としては、例え
ば、特開昭58−49027号広報などが挙げられる。
ば、特開昭58−49027号広報などが挙げられる。
（発明が解決しようとする問題点）
しかし、以上に述べたＦ−LOCOS法では、素
子分離用フイールドシリコン酸化膜の端の部分６
の傾斜が急峻になる。従つて、その上に配線層を
形成する時に段差部での断線やエツチング残りが
発生するという問題があつた。
子分離用フイールドシリコン酸化膜の端の部分６
の傾斜が急峻になる。従つて、その上に配線層を
形成する時に段差部での断線やエツチング残りが
発生するという問題があつた。
また、LOCOS法は傾斜はゆるやかになるが、
前記第１の耐酸化性被膜３からのくい込みが大き
く微細パターン形成が難しくなるといつた問題が
あつた。
前記第１の耐酸化性被膜３からのくい込みが大き
く微細パターン形成が難しくなるといつた問題が
あつた。
本発明は、上記問題点を除去し、素子分離用フ
イールドシリコン酸化膜の端の部分の傾斜をゆる
やかにし、配線層の断線やエツチング残りをなく
し得る素子分離領域の形成方法を提供することを
目的とする。
イールドシリコン酸化膜の端の部分の傾斜をゆる
やかにし、配線層の断線やエツチング残りをなく
し得る素子分離領域の形成方法を提供することを
目的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、上記目的を達成するために、素子分
離領域の形成方法において、半導体基板の一主面
上に酸化膜を形成する工程と、該酸化膜上に第１
の耐酸化性膜を形成する工程と、該第１の耐酸化
性膜上に不純物ドープシリコン酸化膜を形成する
工程と、該不純物ドープシリコン酸化膜上にフオ
トレジストを形成する工程と、前記不純物ドープ
シリコン酸化膜をパターニングしてマスクを形成
する工程と、前記第１の耐酸化性膜をエツチング
してアンダーカツト部を形成する工程と、前記第
１の耐酸化性膜の底面部を残して前記酸化膜をエ
ツチングする工程と、前記アンダーカツト部から
前記半導体基板の一主面上へと圧延する断面が略
コ字形状の部分を含む200〜300Å程度の薄い第２
の耐酸化性膜を形成する工程と、異方性のドライ
エツチングを全面に行い、前記略コ字形状の部分
の第２の耐酸化性膜を残して他の部分を除去する
工程と、前記第１の耐酸化性膜及び前記薄い第２
の耐酸化性膜をマスクとして、前記半導体基板を
熱酸化することにより素子分離用酸化膜を形成す
る工程と、前記第１の耐酸化性膜及び前記薄い第
２の耐酸化性膜を除去する工程とを順に施すよう
にしたものである。
離領域の形成方法において、半導体基板の一主面
上に酸化膜を形成する工程と、該酸化膜上に第１
の耐酸化性膜を形成する工程と、該第１の耐酸化
性膜上に不純物ドープシリコン酸化膜を形成する
工程と、該不純物ドープシリコン酸化膜上にフオ
トレジストを形成する工程と、前記不純物ドープ
シリコン酸化膜をパターニングしてマスクを形成
する工程と、前記第１の耐酸化性膜をエツチング
してアンダーカツト部を形成する工程と、前記第
１の耐酸化性膜の底面部を残して前記酸化膜をエ
ツチングする工程と、前記アンダーカツト部から
前記半導体基板の一主面上へと圧延する断面が略
コ字形状の部分を含む200〜300Å程度の薄い第２
の耐酸化性膜を形成する工程と、異方性のドライ
エツチングを全面に行い、前記略コ字形状の部分
の第２の耐酸化性膜を残して他の部分を除去する
工程と、前記第１の耐酸化性膜及び前記薄い第２
の耐酸化性膜をマスクとして、前記半導体基板を
熱酸化することにより素子分離用酸化膜を形成す
る工程と、前記第１の耐酸化性膜及び前記薄い第
２の耐酸化性膜を除去する工程とを順に施すよう
にしたものである。
（作用）
本発明によれば、上記したように、半導体基板
１１の一主面上に酸化膜１２を形成し、該酸化膜
１２上に第１の耐酸化性膜１３を形成する工程
と、該第１の耐酸化性膜１３上に不純物ドープシ
リコン酸化膜１４を形成し、該不純物ドープシリ
コン酸化膜１４上にフオトレジストを形成し、前
記不純物ドープシリコン酸化膜１４をパターニン
グしてマスクを形成し、前記第１の耐酸化性膜１
３をエツチングしてアンダーカツト部を形成し、
前記第１の耐酸化性膜１３の底面部を残して前記
酸化膜１２をエツチングし、前記アンダーカツト
部から前記半導体基板１１の一主面上へと延在す
る断面が略コ字形状の部分を含む200〜300Å程度
の薄い第２の耐酸化性膜１６を形成し、異方性の
ドライエチングを全面に行い、前記略コ字形状の
部分の第２の耐酸化性膜１６を残して他の部分を
除去し、前記第１の耐酸化性膜１３及び前記薄い
第２の耐酸化性膜１６をマスクとして、前記半導
体基板１１を熱酸化することにより素子分離用酸
化膜１７を形成し、前記第１の耐酸化性膜１１及
び前記薄い第２の耐酸化性膜１６を除去する。
１１の一主面上に酸化膜１２を形成し、該酸化膜
１２上に第１の耐酸化性膜１３を形成する工程
と、該第１の耐酸化性膜１３上に不純物ドープシ
リコン酸化膜１４を形成し、該不純物ドープシリ
コン酸化膜１４上にフオトレジストを形成し、前
記不純物ドープシリコン酸化膜１４をパターニン
グしてマスクを形成し、前記第１の耐酸化性膜１
３をエツチングしてアンダーカツト部を形成し、
前記第１の耐酸化性膜１３の底面部を残して前記
酸化膜１２をエツチングし、前記アンダーカツト
部から前記半導体基板１１の一主面上へと延在す
る断面が略コ字形状の部分を含む200〜300Å程度
の薄い第２の耐酸化性膜１６を形成し、異方性の
ドライエチングを全面に行い、前記略コ字形状の
部分の第２の耐酸化性膜１６を残して他の部分を
除去し、前記第１の耐酸化性膜１３及び前記薄い
第２の耐酸化性膜１６をマスクとして、前記半導
体基板１１を熱酸化することにより素子分離用酸
化膜１７を形成し、前記第１の耐酸化性膜１１及
び前記薄い第２の耐酸化性膜１６を除去する。
したがつて、素子分離用フイールドシリコン酸
化膜の端の部分の傾斜ゆるやかにすることがで
き、その上に形成される配線層の断線やエツチン
グ残りをなくすことができる。
化膜の端の部分の傾斜ゆるやかにすることがで
き、その上に形成される配線層の断線やエツチン
グ残りをなくすことができる。
また、第２のシリコン窒化膜のエツチングの工
程でオーバーエツチングを行つても、第１のシリ
コン窒化膜からの幅が変化しない。
程でオーバーエツチングを行つても、第１のシリ
コン窒化膜からの幅が変化しない。
さらに、第２のシリコン窒化膜の端からのシリ
コン酸化膜のくい込みを少なくすることができ
る。
コン酸化膜のくい込みを少なくすることができ
る。
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照しな
がら詳細に説明する。
がら詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す素子分離領域
の形成工程図である。
の形成工程図である。
まず、第１図ａに示されるように、シリコン基
板１１上に熱酸化法（ドライO2中、約900〜1000
℃約60分）により、シリコン酸化膜（SiO2膜）
１２を膜厚150〜400Å形成し、その上に減圧気相
成長（CVD）法により耐酸化性膜としての第１
のシリコン窒化膜（Si3N4膜）１３を膜厚1000〜
1800Å形成し、更に、その上に常圧気相成長法に
より、例えば、不純物としてのリンをドープした
リンドープシリコン酸化膜１４（濃度約10〜15重
量％のP2O5を含むPSG膜）を形成し、その上に
形成されるフオトレジスト１５（ポジ型ホトレジ
スト、約5000〜15000Å）をパターニングする。
板１１上に熱酸化法（ドライO2中、約900〜1000
℃約60分）により、シリコン酸化膜（SiO2膜）
１２を膜厚150〜400Å形成し、その上に減圧気相
成長（CVD）法により耐酸化性膜としての第１
のシリコン窒化膜（Si3N4膜）１３を膜厚1000〜
1800Å形成し、更に、その上に常圧気相成長法に
より、例えば、不純物としてのリンをドープした
リンドープシリコン酸化膜１４（濃度約10〜15重
量％のP2O5を含むPSG膜）を形成し、その上に
形成されるフオトレジスト１５（ポジ型ホトレジ
スト、約5000〜15000Å）をパターニングする。
次に、第１図ｂに示されるように、前記フオト
レジスト１５をマスクとして、前記リンドープシ
リコン酸化膜１４を異方性の強いドライエツチン
グ（混合ガス：C2F6＋CHF3、ガス圧力；約
80Pa、RF電力：約1W／cm2）によつてパターニン
グする。
レジスト１５をマスクとして、前記リンドープシ
リコン酸化膜１４を異方性の強いドライエツチン
グ（混合ガス：C2F6＋CHF3、ガス圧力；約
80Pa、RF電力：約1W／cm2）によつてパターニン
グする。
次に第１図ｃに示されるように、前記フオトレ
ジスト１５及び前記シリコン酸化膜１４をマスク
として前記シリコン窒化膜１３を等方性の強いエ
ツチング（ガス：SF6、ガス圧力：約40Pa、RF
電力：約0.8W／cm2）を行つてアンダーカツト部
分を形成する。
ジスト１５及び前記シリコン酸化膜１４をマスク
として前記シリコン窒化膜１３を等方性の強いエ
ツチング（ガス：SF6、ガス圧力：約40Pa、RF
電力：約0.8W／cm2）を行つてアンダーカツト部
分を形成する。
次に、第１部ｄに示されるように、前記フオト
レジスト１５を除去し、そして、前記シリコン酸
化膜１２をフツ酸によりエツチングした後、全面
に減圧気相成長法により耐酸化性膜としての第２
のシリコン窒化膜１６を200〜300Å程度成長させ
る。
レジスト１５を除去し、そして、前記シリコン酸
化膜１２をフツ酸によりエツチングした後、全面
に減圧気相成長法により耐酸化性膜としての第２
のシリコン窒化膜１６を200〜300Å程度成長させ
る。
次に、第１図ｅに示されるように、異方性の強
いドライエツチング（混合ガス：C2F6＋CHF3、
ガス圧力：約80Pa、RF電力：約1W／cm2）を全面
に行い、アンダーカツト部分の前記第２のシリコ
ン窒化膜１６だけを残して他の部分を取り除く。
つまり、断面が略コ字形状の第２のシリコン窒化
膜１６を残す。
いドライエツチング（混合ガス：C2F6＋CHF3、
ガス圧力：約80Pa、RF電力：約1W／cm2）を全面
に行い、アンダーカツト部分の前記第２のシリコ
ン窒化膜１６だけを残して他の部分を取り除く。
つまり、断面が略コ字形状の第２のシリコン窒化
膜１６を残す。
次に、第１図ｆに示されるように、リンドープ
シリコン酸化膜１４をウエツトエツチング（フツ
酸）により除去した後、熱酸化などによつてシリ
コン基板１１が露出している部分を酸化（ウエツ
トOz、約1000℃、約２時間）し、ある所望の膜
厚、つまり、5000〜8000Åのシリコン酸化膜１７
を形成する。この場合は、シリコン窒化膜１３又
は１６にはシリコンに比べ酸化膜は形成されな
い。
シリコン酸化膜１４をウエツトエツチング（フツ
酸）により除去した後、熱酸化などによつてシリ
コン基板１１が露出している部分を酸化（ウエツ
トOz、約1000℃、約２時間）し、ある所望の膜
厚、つまり、5000〜8000Åのシリコン酸化膜１７
を形成する。この場合は、シリコン窒化膜１３又
は１６にはシリコンに比べ酸化膜は形成されな
い。
次に、第１図ｇに示されるように、第１のシリ
コン窒化膜１３及び第２のシリコン窒化膜１６を
熱リン酸によるウエツトエツチング（約180℃熱
リン酸エツチング液約１時間浸漬してエツチン
グ）により除去し、シリコン酸化膜１２をフツ酸
系のウエツトエツチングにより除去する。
コン窒化膜１３及び第２のシリコン窒化膜１６を
熱リン酸によるウエツトエツチング（約180℃熱
リン酸エツチング液約１時間浸漬してエツチン
グ）により除去し、シリコン酸化膜１２をフツ酸
系のウエツトエツチングにより除去する。
このように構成すると、第２のシリコン窒化膜
１６が薄いため、第１図ｆに示されるように、熱
酸化法により素子分離のためのフイールドシリコ
ン酸化膜の形成時に応力が緩和され、そのシリコ
ン酸化膜の傾斜が緩やかになる。
１６が薄いため、第１図ｆに示されるように、熱
酸化法により素子分離のためのフイールドシリコ
ン酸化膜の形成時に応力が緩和され、そのシリコ
ン酸化膜の傾斜が緩やかになる。
したがつて、従来のように、その上に形成され
るゲート電極用膜のエツチング残り及び段切れな
どを起こすことがない。
るゲート電極用膜のエツチング残り及び段切れな
どを起こすことがない。
また、第２のシリコン窒化膜１６のエツチング
の工程でオーバーエツチングを行つても第１のシ
リコン窒化膜１３からの幅が変化することがな
い。この点、従来はマスクとなる部分がないた
め、オーバーエツチング幅が狭くなつていた。
の工程でオーバーエツチングを行つても第１のシ
リコン窒化膜１３からの幅が変化することがな
い。この点、従来はマスクとなる部分がないた
め、オーバーエツチング幅が狭くなつていた。
さらに、第２のシリコン窒化膜１６の端からの
シリコン酸化膜のくい込みは従来のＦ−LOCOS
法と同等におさえられ、LOCOS法に比べてくい
込みを少なくすることができる。
シリコン酸化膜のくい込みは従来のＦ−LOCOS
法と同等におさえられ、LOCOS法に比べてくい
込みを少なくすることができる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるもので
はなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可
能であり、これらを本発明の範囲から排除するも
のではない。
はなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可
能であり、これらを本発明の範囲から排除するも
のではない。
（発明の効果）
以上詳細に説明したように、本発明によれば、
素子分離領域の形成方法において、半導体基板の
一主面上に酸化膜を形成する工程と、該酸化膜上
に第１の耐酸化性膜を形成する工程と、該第１の
耐酸化性膜上に不純物ドープシリコン酸化膜を形
成する工程と、該不純物ドープシリコン酸化膜上
にフオトレジストを形成する工程と、前記不純物
ドープシリコン酸化膜をパターニングしてマスク
を形成する工程と、前記第１の耐酸化性膜をエツ
チングしてアンダーカツト部を形成する工程と、
前記第１の耐酸化性膜の底面部を残して前記酸化
膜をエツチングする工程と、前記アンダーカツト
部から前記半導体基板の一主面上へと延在する断
面が略コ字形状の部分を含む200〜300Å程度の薄
い第２の耐酸化性膜を形成する工程と、異方性の
ドライエツチングを全面に行い、前記略コ字形状
の部分の第２の耐酸化性膜を残して他の部分を除
去する工程と、前記第１の耐酸化性膜及び前記薄
い第２の耐酸化性膜をマスクとして、前記半導体
基板を熱酸化することにより素子分離用酸化膜を
形成する工程と、前記第１の耐酸化性膜及び前記
薄い第２の耐酸化性膜を除去する工程とを順に施
すようにしたので、以下のような特有の効果を奏
することができる。
素子分離領域の形成方法において、半導体基板の
一主面上に酸化膜を形成する工程と、該酸化膜上
に第１の耐酸化性膜を形成する工程と、該第１の
耐酸化性膜上に不純物ドープシリコン酸化膜を形
成する工程と、該不純物ドープシリコン酸化膜上
にフオトレジストを形成する工程と、前記不純物
ドープシリコン酸化膜をパターニングしてマスク
を形成する工程と、前記第１の耐酸化性膜をエツ
チングしてアンダーカツト部を形成する工程と、
前記第１の耐酸化性膜の底面部を残して前記酸化
膜をエツチングする工程と、前記アンダーカツト
部から前記半導体基板の一主面上へと延在する断
面が略コ字形状の部分を含む200〜300Å程度の薄
い第２の耐酸化性膜を形成する工程と、異方性の
ドライエツチングを全面に行い、前記略コ字形状
の部分の第２の耐酸化性膜を残して他の部分を除
去する工程と、前記第１の耐酸化性膜及び前記薄
い第２の耐酸化性膜をマスクとして、前記半導体
基板を熱酸化することにより素子分離用酸化膜を
形成する工程と、前記第１の耐酸化性膜及び前記
薄い第２の耐酸化性膜を除去する工程とを順に施
すようにしたので、以下のような特有の効果を奏
することができる。
(1) 素子分離用フイールドシリコン酸化膜の端の
部分の傾斜をゆるやかにすることができ、その
上に形成される配線層の断線やエツチング残り
をなくすことができる。
部分の傾斜をゆるやかにすることができ、その
上に形成される配線層の断線やエツチング残り
をなくすことができる。
(2) 第２のシリコン窒化膜のエツチングの工程で
オーバーエツチングを行つても第１のシリコン
窒化膜からの幅が変化しない。
オーバーエツチングを行つても第１のシリコン
窒化膜からの幅が変化しない。
(3) 第２のシリコン窒化膜の端からのシリコン酸
化膜のくい込みを少なくすることができる。
化膜のくい込みを少なくすることができる。
第１図は本発明の一実施例を示す素子分離領域
の形成工程図、第２図は従来の素子分離領域の形
成工程図である。 １１……シリコン基板、１２……シリコン酸化
膜、１３……第１のシリコン窒化膜、１４……気
相成長リンドープシリコン酸化膜、１５……フオ
トレジスト、１６……第２のシリコン窒化膜、１
７……素子分離用フイールドシリコン酸化膜。
の形成工程図、第２図は従来の素子分離領域の形
成工程図である。 １１……シリコン基板、１２……シリコン酸化
膜、１３……第１のシリコン窒化膜、１４……気
相成長リンドープシリコン酸化膜、１５……フオ
トレジスト、１６……第２のシリコン窒化膜、１
７……素子分離用フイールドシリコン酸化膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ (a) 半導体基板の一主面上に酸化膜を形成す
る工程と、 (b) 該酸化膜上に第１の耐酸化性膜を形成する工
程と、 (c) 該第１の耐酸化性膜上に不純物ドープシリコ
ン酸化膜を形成する工程と、 (d) 該不純物ドープシリコン酸化膜上にフオトレ
ジストを形成する工程と、 (e) 前記不純物ドープシリコン酸化膜をパターニ
ングしてマスクを形成する工程と、 (f) 前記第１の耐酸化性膜をエツチングしてアン
ダーカツト部を形成する工程と、 (g) 前記第１の耐酸化性膜の底面部を残して前記
酸化膜をエツチングする工程と、 (h) 前記アンダーカツト部から前記半導体基板の
一主面上へと延在する断面が略コ字形状の部分
を含む200〜300Å程度の薄い第２の耐酸化性膜
を形成する工程と、 (i) 異方性のドライエツチングを全面に行い、前
記略コ字形状の部分の第２の耐酸化性膜を残し
て他の部分を除去する工程と、 (j) 前記第１の耐酸化性膜及び前記薄い第２の耐
酸化性膜をマスクとして、前記半導体基板を熱
酸化することにより素子分離用酸化膜を形成す
る工程と、 (k) 前記第１の耐酸化性膜及び前記薄い第２の耐
酸化性膜を除去する工程とを順に施すことを特
徴とする素子分離領域の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25096585A JPS62112342A (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | 素子分離領域の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25096585A JPS62112342A (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | 素子分離領域の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62112342A JPS62112342A (ja) | 1987-05-23 |
| JPH0416020B2 true JPH0416020B2 (ja) | 1992-03-19 |
Family
ID=17215653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25096585A Granted JPS62112342A (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | 素子分離領域の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62112342A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2504357Y2 (ja) * | 1990-12-03 | 1996-07-10 | 日立マクセル株式会社 | テ―プカ―トリッジの収納ケ―ス |
-
1985
- 1985-11-11 JP JP25096585A patent/JPS62112342A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62112342A (ja) | 1987-05-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2615390B2 (ja) | 炭化シリコン電界効果トランジスタの製造方法 | |
| US5151381A (en) | Method for local oxidation of silicon employing two oxidation steps | |
| JPH0216574B2 (ja) | ||
| JPH0748491B2 (ja) | 集積回路半導体デバイスの製造方法 | |
| JPH06163532A (ja) | 半導体素子分離方法 | |
| JPS6174350A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6265286B1 (en) | Planarization of LOCOS through recessed reoxidation techniques | |
| JPH0416020B2 (ja) | ||
| US6245643B1 (en) | Method of removing polysilicon residual in a LOCOS isolation process using an etching selectivity solution | |
| JPS63204746A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06163528A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0629554A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05206263A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2003158177A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| KR100416813B1 (ko) | 반도체소자의필드산화막형성방법 | |
| KR940009578B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| JP2002100670A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2766000B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| KR101097981B1 (ko) | 반도체 소자 제조 방법 | |
| JPH07254594A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH09129876A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3270912B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0458538A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06163531A (ja) | 半導体装置における素子分離領域の形成方法 | |
| JPS63253650A (ja) | 半導体装置の製造方法 |