JPH04160010A - 希ガスの精製方法 - Google Patents
希ガスの精製方法Info
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- JPH04160010A JPH04160010A JP2283442A JP28344290A JPH04160010A JP H04160010 A JPH04160010 A JP H04160010A JP 2283442 A JP2283442 A JP 2283442A JP 28344290 A JP28344290 A JP 28344290A JP H04160010 A JPH04160010 A JP H04160010A
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Classifications
-
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02A—TECHNOLOGIES FOR ADAPTATION TO CLIMATE CHANGE
- Y02A50/00—TECHNOLOGIES FOR ADAPTATION TO CLIMATE CHANGE in human health protection, e.g. against extreme weather
- Y02A50/20—Air quality improvement or preservation, e.g. vehicle emission control or emission reduction by using catalytic converters
Landscapes
- Treating Waste Gases (AREA)
- Separation Of Gases By Adsorption (AREA)
- Drying Of Gases (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は、希ガスの精製方法に関し、さらに詳細にはヘ
リウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンなど
の軍旗元素、すなわち、希ガス中の不純物を、ゲッター
金属を用いて効率よく除去し、精製するための希ガスの
精製方法に関する。
リウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンなど
の軍旗元素、すなわち、希ガス中の不純物を、ゲッター
金属を用いて効率よく除去し、精製するための希ガスの
精製方法に関する。
希ガス類は、その化学的性質が似通っているため、いず
れの希ガスもゲッターを用いて精製することが常法とな
っている。
れの希ガスもゲッターを用いて精製することが常法とな
っている。
希ガス中でヘリウムやアルゴンは近年目覚しく発展しつ
つある半導体製造工業で盛んに用いられており、その純
度向上への要求は益々強くなっている。また、ネオン、
クリプトン、キセノンは特殊なランプなどを製造するな
めに不可欠のガスであり、これらのガスは特に高価なこ
ともあって、−度使用したガスを循環して使うことが多
い、この場合には循環ガス中の不純物を除去して高純度
に精製することも必要である。
つある半導体製造工業で盛んに用いられており、その純
度向上への要求は益々強くなっている。また、ネオン、
クリプトン、キセノンは特殊なランプなどを製造するな
めに不可欠のガスであり、これらのガスは特に高価なこ
ともあって、−度使用したガスを循環して使うことが多
い、この場合には循環ガス中の不純物を除去して高純度
に精製することも必要である。
このため、希ガス中に、Ppfflオーダーで存在する
窒素、炭化水素、一酸化炭素、二酸化炭素、酸素、水素
および水蒸気などをPPbオーダーまで除去して高純度
に精製することが望まれている。
窒素、炭化水素、一酸化炭素、二酸化炭素、酸素、水素
および水蒸気などをPPbオーダーまで除去して高純度
に精製することが望まれている。
[従来の技術]
希ガス中ではアルゴンの使用量が圧倒的に多いため、従
来技術では一般的にアルゴンの精製方法を中心に検討さ
れている。そしてこれらのの結果は、そのまま他の希ガ
スの精製にも応用しうることはよく知られている。
来技術では一般的にアルゴンの精製方法を中心に検討さ
れている。そしてこれらのの結果は、そのまま他の希ガ
スの精製にも応用しうることはよく知られている。
ゲッターとしては、バリウムなどを用いる蒸発型とチタ
ン系およびジルコニウム系などの非蒸発型があるが、希
ガスの精製には非蒸発型ゲッターが多く用いられている
。
ン系およびジルコニウム系などの非蒸発型があるが、希
ガスの精製には非蒸発型ゲッターが多く用いられている
。
従来、非蒸発型のゲッターを用いる精製方法としてチタ
ンおよびチタン系合金を使用し、窒素、炭化水素、一酸
化炭素、二酸化炭素、酸素、水素、水蒸気などを除去す
る方法が用いられてきたが、ゲッター剤の温度を100
0°C程度の高温として接触させる必要があったため、
精製筒などに使用できる材質は、耐熱性の問題から実質
的に石英に限定され、加圧下で使用する場合には破損の
虞れがあるなど安全上の心配があった。
ンおよびチタン系合金を使用し、窒素、炭化水素、一酸
化炭素、二酸化炭素、酸素、水素、水蒸気などを除去す
る方法が用いられてきたが、ゲッター剤の温度を100
0°C程度の高温として接触させる必要があったため、
精製筒などに使用できる材質は、耐熱性の問題から実質
的に石英に限定され、加圧下で使用する場合には破損の
虞れがあるなど安全上の心配があった。
そのため、チタンおよびチタン系合金をゲッター剤とし
て使用した精製装置は減少し、代わって低温化を目的と
して、ジルコニウム、ジルコニウム系合金をゲッター剤
に使用した精製装置の開発が試みられてきた。これらの
ゲッターを用いることにより、精製装置の操作温度を4
00〜800℃に低温化することができ、精製装置にス
テンレス鋼などの使用が可能となるため、加圧下におい
ても安全性に対する心配が解消された。
て使用した精製装置は減少し、代わって低温化を目的と
して、ジルコニウム、ジルコニウム系合金をゲッター剤
に使用した精製装置の開発が試みられてきた。これらの
ゲッターを用いることにより、精製装置の操作温度を4
00〜800℃に低温化することができ、精製装置にス
テンレス鋼などの使用が可能となるため、加圧下におい
ても安全性に対する心配が解消された。
このようなゲッター剤としては、例えば特開昭62−3
008号公報によるzr−V−Fe三元合金を用いた精
製装置などが知られており、精製温度が低温化できる。
008号公報によるzr−V−Fe三元合金を用いた精
製装置などが知られており、精製温度が低温化できる。
しかしながら、このゲッターは不純物の除去能力が比較
的小さく、特に窒素、炭化水素の除去能力が小さいため
、装置が大きくなり、広い設置空間を要するばかりでな
く、装置の製作コストが高くなるなどの欠点があった。
的小さく、特に窒素、炭化水素の除去能力が小さいため
、装置が大きくなり、広い設置空間を要するばかりでな
く、装置の製作コストが高くなるなどの欠点があった。
また、特開平2−118045号公報ではZr−AI−
V 三元合金ゲッターが、また、英国特許137020
8号ではZr−Ti−Ni三元合金の使用が示されてい
る。
V 三元合金ゲッターが、また、英国特許137020
8号ではZr−Ti−Ni三元合金の使用が示されてい
る。
しかしながら、これらはいずれも水素除去能力は大きい
ものの窒素除去能力が比較的小さいという欠点があった
。
ものの窒素除去能力が比較的小さいという欠点があった
。
さらに、Zr−Fe合金については、米国特許箱4.3
06.8873号に窒素中の水素を200〜250℃の
低温で除去しうるゲッターとして記載されており、水素
の除去能力は大きいが、窒素の除去能力は極めて小さい
とされている。
06.8873号に窒素中の水素を200〜250℃の
低温で除去しうるゲッターとして記載されており、水素
の除去能力は大きいが、窒素の除去能力は極めて小さい
とされている。
このように、いずれの種類のゲッター剤にも充分に除去
し得ない特定の不純物があるため、単独のゲッターで全
ての不純成分を効率良く除去することは困難であった。
し得ない特定の不純物があるため、単独のゲッターで全
ての不純成分を効率良く除去することは困難であった。
〔課題を解決するための手段、作用]
本発明者らはこれら従来技術の欠点を解決し希ガス中の
窒素、炭化水素、一酸化炭素、二酸化炭素、酸素、水素
、水蒸気などを10ppb以下、さらには1 ppb以
下まで除去できるとともに、長時間連続に精製でき、か
つ、小型で安全性の高い精製方法を得るべく鋭意研究を
重ねた結果、鉄5〜40重量%、−残部ジルコニウムか
らなる合金ゲッターを特定の温度範囲で使用することに
より、希ガス中の酸素、炭化水素、一酸化炭素、二酸化
炭素、水素、水蒸気は勿論、従来除去が困難とされてい
た窒素に対しても優れた活性を示すことを見い出し本発
明を完成した。
窒素、炭化水素、一酸化炭素、二酸化炭素、酸素、水素
、水蒸気などを10ppb以下、さらには1 ppb以
下まで除去できるとともに、長時間連続に精製でき、か
つ、小型で安全性の高い精製方法を得るべく鋭意研究を
重ねた結果、鉄5〜40重量%、−残部ジルコニウムか
らなる合金ゲッターを特定の温度範囲で使用することに
より、希ガス中の酸素、炭化水素、一酸化炭素、二酸化
炭素、水素、水蒸気は勿論、従来除去が困難とされてい
た窒素に対しても優れた活性を示すことを見い出し本発
明を完成した。
すなわち本発明は、希ガスを鉄5〜40重量%、残部ジ
ルコニウムからなる合金ゲッターと600°C〜800
℃で接触させて、該希ガス中に不純物として含有される
窒素、炭化水素、一酸化炭素、二酸化炭素、酸素、水素
、水蒸気を除去することを特徴とする希ガスの精製方法
である。
ルコニウムからなる合金ゲッターと600°C〜800
℃で接触させて、該希ガス中に不純物として含有される
窒素、炭化水素、一酸化炭素、二酸化炭素、酸素、水素
、水蒸気を除去することを特徴とする希ガスの精製方法
である。
本発明はヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キ
セノンなどの希ガスの高純度精製に適用される。
セノンなどの希ガスの高純度精製に適用される。
ゲッター剤は鉄およびジルコニウムからなる合金であり
、その組成は鉄が5〜40重量%、好ましくは15〜3
0重量%、残部ジルコニウムからなる合金である。鉄が
5重量%よりも少ないが、または、40重量%よりも多
くなると不純物の除去能力は全体的に低下する。
、その組成は鉄が5〜40重量%、好ましくは15〜3
0重量%、残部ジルコニウムからなる合金である。鉄が
5重量%よりも少ないが、または、40重量%よりも多
くなると不純物の除去能力は全体的に低下する。
本発明においてゲッター剤の希ガスとの接触温度範囲は
600〜800℃、好ましくは650〜750℃とされ
る。温度が600℃よりも低くなると、不純物の除去能
力、特に、炭化水素および窒素の除去能力が低下する。
600〜800℃、好ましくは650〜750℃とされ
る。温度が600℃よりも低くなると、不純物の除去能
力、特に、炭化水素および窒素の除去能力が低下する。
また、温度が800℃よりも高くなると水素の除去が困
難となる他、精製筒にステンレス鋼が使用できなくなる
ため、安全性が低下する。
難となる他、精製筒にステンレス鋼が使用できなくなる
ため、安全性が低下する。
合金を得るための鉄としては、例えば市販の還元鉄など
、また、ジルコニウムとしては、市販のジルコニウムス
ポンジなどが好適である。
、また、ジルコニウムとしては、市販のジルコニウムス
ポンジなどが好適である。
これらの金属は所定の混合比率に混合された後、電子ビ
ーム溶解、アルゴンアーク溶解、または、真空あるいは
不活性ガス雰囲気での高周波加熱溶解および抵抗加熱溶
解などにより合金化することができる。ここで得られた
合金はボールミル、ショークラッシャー、ロールミルな
どの機械的粉砕により6〜20メツシュ程度に粉砕して
用いるか、あるいは100メツシユ程度の微細粒とした
後にペレット状に成形して用いることができる。
ーム溶解、アルゴンアーク溶解、または、真空あるいは
不活性ガス雰囲気での高周波加熱溶解および抵抗加熱溶
解などにより合金化することができる。ここで得られた
合金はボールミル、ショークラッシャー、ロールミルな
どの機械的粉砕により6〜20メツシュ程度に粉砕して
用いるか、あるいは100メツシユ程度の微細粒とした
後にペレット状に成形して用いることができる。
このようにして得られたゲッター剤は精製筒に充填され
、600〜800℃、好ましくは650〜750℃に加
熱した状態で使用され、精製筒内を流れる希ガス中の不
純物を反応によって捕捉、除去することにより希ガスを
長期間連続的に高純度に精製することができる。
、600〜800℃、好ましくは650〜750℃に加
熱した状態で使用され、精製筒内を流れる希ガス中の不
純物を反応によって捕捉、除去することにより希ガスを
長期間連続的に高純度に精製することができる。
また、希ガスの精製に先立ってゲ・yター剤をあらかじ
め真空中、または希ガス中において、例えば700〜9
00℃程度で10〜200分間活性化処理を施すことが
好ましい。
め真空中、または希ガス中において、例えば700〜9
00℃程度で10〜200分間活性化処理を施すことが
好ましい。
次に本発明を図面により例示して、具体的に説明する。
第1図は本発明の希ガスの精製装置のフローシートであ
る。
る。
第1図において、ガスの入口1および出口2を有し、内
部にゲッター剤3が充填され、がっ、加熱用ヒーター4
が配設された精製筒5の入口1には原料希ガス供給管6
が接続され、出口2には冷却器1が接続されている。ま
た、冷却器7の下流には精製ガス抜出し管8が接続され
ている。
部にゲッター剤3が充填され、がっ、加熱用ヒーター4
が配設された精製筒5の入口1には原料希ガス供給管6
が接続され、出口2には冷却器1が接続されている。ま
た、冷却器7の下流には精製ガス抜出し管8が接続され
ている。
希ガスの精製に際しては、加熱用ヒーター4で精製筒5
を所定の温度に加熱した状態で、原料希ガスが供給管6
から入口1を経て精製筒5内に供給される。精製筒5に
入った希ガスはゲッター剤3と接触することにより、不
純物はゲッター剤3と反応して除去される。不純物が除
去されたガスは、出口2を経て冷却器7に入り、ここで
所定の温度にまで冷却されたのち精製ガスの抜き出し管
8を経由して使用に供される。
を所定の温度に加熱した状態で、原料希ガスが供給管6
から入口1を経て精製筒5内に供給される。精製筒5に
入った希ガスはゲッター剤3と接触することにより、不
純物はゲッター剤3と反応して除去される。不純物が除
去されたガスは、出口2を経て冷却器7に入り、ここで
所定の温度にまで冷却されたのち精製ガスの抜き出し管
8を経由して使用に供される。
本発明において、ある種の不純物が、市販の一般的な希
ガスに含有されている量よりも多いような場合には、精
製筒出口ガスをさらに当該不純物の除去に適したゲッタ
ー剤と接触させることなどによって、不純物を除去する
こともできる。例えば不純物として水素の含有量が大き
いような場合には、精製筒の下流側にスポンジチタンま
たはスポンジジルコニウムなどを充填するか、あるい−
は、これらを充填した水素除去筒を接続することによっ
て精製筒で除去し切れなかった水素を完全に除去するこ
とが可能である。
ガスに含有されている量よりも多いような場合には、精
製筒出口ガスをさらに当該不純物の除去に適したゲッタ
ー剤と接触させることなどによって、不純物を除去する
こともできる。例えば不純物として水素の含有量が大き
いような場合には、精製筒の下流側にスポンジチタンま
たはスポンジジルコニウムなどを充填するか、あるい−
は、これらを充填した水素除去筒を接続することによっ
て精製筒で除去し切れなかった水素を完全に除去するこ
とが可能である。
[発明の効果コ
本発明はゲッター剤として、鉄−ジルコニウムからなる
二元合金を、特定の温度範囲で希ガスと接触させるもの
であり、これによって希ガス中に不純物として含有され
る炭化水素、一酸化炭素、二酸化炭素、酸素、水素、水
蒸気のみならず、従来、除去が困難とされていた窒素も
効率良く除去されるので、これらの各不純物をいずれも
10ppb以下、さらには1 ppb以下まで効率除去
し、高純度の精製希ガスを得るこ尼ができる。
二元合金を、特定の温度範囲で希ガスと接触させるもの
であり、これによって希ガス中に不純物として含有され
る炭化水素、一酸化炭素、二酸化炭素、酸素、水素、水
蒸気のみならず、従来、除去が困難とされていた窒素も
効率良く除去されるので、これらの各不純物をいずれも
10ppb以下、さらには1 ppb以下まで効率除去
し、高純度の精製希ガスを得るこ尼ができる。
このため精製装置の構造も簡単で、小型化でき、安価に
製作できるとともに、半導体製造工場のクリーンルーム
内など費用負担の大きな場所への設置も容易となった。
製作できるとともに、半導体製造工場のクリーンルーム
内など費用負担の大きな場所への設置も容易となった。
また、低温化によりステンレス製など金属性の精製筒が
使用できるため、加圧状態下における安全性に対する課
題も同時に解決された。
使用できるため、加圧状態下における安全性に対する課
題も同時に解決された。
[実施例]
実施例1
市販の、ジルコニウムスポンジと還元鉄を用い、ジルコ
ニウム75重量%、鉄25重量%となるように混合した
のち電子ビーム溶解を2回繰り返し、重量的500gの
合金を得た。この合金をアルゴンガス雰囲気としたボー
ルミルを用いて粉砕し、14〜20メツシユの物を振る
い分けて試験用のゲッター剤とした。
ニウム75重量%、鉄25重量%となるように混合した
のち電子ビーム溶解を2回繰り返し、重量的500gの
合金を得た。この合金をアルゴンガス雰囲気としたボー
ルミルを用いて粉砕し、14〜20メツシユの物を振る
い分けて試験用のゲッター剤とした。
第1図で示したと同様の構成の精製装置で、精製筒とし
て外径17.3關、内径14m+nのステンレス管にゲ
ッター剤を600 ma充填した後、あらかじめアルゴ
ン気流中720℃で3時間の活性化処理を行った。
て外径17.3關、内径14m+nのステンレス管にゲ
ッター剤を600 ma充填した後、あらかじめアルゴ
ン気流中720℃で3時間の活性化処理を行った。
次に、精製筒を720℃に温度調節しながら1、マスフ
ローコントローラーを用いて各不純物濃度が、窒素5p
pm、メタンlppm、一酸化炭素lppm、二酸化炭
素lppm、酸素lppm、水素lppm+、水蒸気5
ppmとなるよう不純物を添加したアルゴンガスを流速
0.89N II / rim、圧力4kgf/ctd
で供給して連続的に精製を行った。ガス中の各不純物は
、FIDガスクロマトグラフによりメタン、一酸化炭素
および二酸化炭素を、TCDガスクロマトグラフにより
水素および窒素を、まなハーシェ PPb酸素分析計に
より酸素を、さらにパナメトリック露点計により水蒸気
を、それぞれ分析した。精製開始時から精製装置の出口
ガスを連続的に分析し、各不純物の破過時間を調べた。
ローコントローラーを用いて各不純物濃度が、窒素5p
pm、メタンlppm、一酸化炭素lppm、二酸化炭
素lppm、酸素lppm、水素lppm+、水蒸気5
ppmとなるよう不純物を添加したアルゴンガスを流速
0.89N II / rim、圧力4kgf/ctd
で供給して連続的に精製を行った。ガス中の各不純物は
、FIDガスクロマトグラフによりメタン、一酸化炭素
および二酸化炭素を、TCDガスクロマトグラフにより
水素および窒素を、まなハーシェ PPb酸素分析計に
より酸素を、さらにパナメトリック露点計により水蒸気
を、それぞれ分析した。精製開始時から精製装置の出口
ガスを連続的に分析し、各不純物の破過時間を調べた。
結果を第1表に示す。
比較例
精製筒の温度を400℃に調節した他は、実施例と同様
にして希ガスの精製をおこない、各不純物の破過時間を
調べた。その結果を第1表に示す。
にして希ガスの精製をおこない、各不純物の破過時間を
調べた。その結果を第1表に示す。
第1表
第1図は希ガスの精製装置のフローシートである。
図面の各番号は以下の通りである。
1、入口 2.出口 3.ゲッター剤4、加熱用ヒ
ーター 5.精製筒 6、原料ガス供給管 7.冷却管 8、精製ガス抜出し管
ーター 5.精製筒 6、原料ガス供給管 7.冷却管 8、精製ガス抜出し管
Claims (1)
- 希ガスを鉄5〜40重量%、残部ジルコニウムからなる
合金ゲッターと600℃〜800℃で接触させて、該希
ガス中に不純物として含有される窒素、炭化水素、一酸
化炭素、二酸化炭素、酸素、水素、水蒸気を除去するこ
とを特徴とする希ガスの精製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2283442A JP2971122B2 (ja) | 1990-10-23 | 1990-10-23 | 希ガスの精製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2283442A JP2971122B2 (ja) | 1990-10-23 | 1990-10-23 | 希ガスの精製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04160010A true JPH04160010A (ja) | 1992-06-03 |
JP2971122B2 JP2971122B2 (ja) | 1999-11-02 |
Family
ID=17665601
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2283442A Expired - Fee Related JP2971122B2 (ja) | 1990-10-23 | 1990-10-23 | 希ガスの精製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2971122B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5489327A (en) * | 1994-03-04 | 1996-02-06 | Japan Pionics Co., Ltd. | Process for purifying hydrogen gas |
WO2002045820A1 (en) * | 2000-12-04 | 2002-06-13 | Praxair Technology, Inc. | System and process for gas recovery |
US6836626B2 (en) * | 2002-06-19 | 2004-12-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fuser temperature control based on image density |
JP2005324155A (ja) * | 2004-05-17 | 2005-11-24 | Japan Pionics Co Ltd | 不活性ガスの精製剤及び精製方法 |
-
1990
- 1990-10-23 JP JP2283442A patent/JP2971122B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5489327A (en) * | 1994-03-04 | 1996-02-06 | Japan Pionics Co., Ltd. | Process for purifying hydrogen gas |
WO2002045820A1 (en) * | 2000-12-04 | 2002-06-13 | Praxair Technology, Inc. | System and process for gas recovery |
US6517791B1 (en) * | 2000-12-04 | 2003-02-11 | Praxair Technology, Inc. | System and process for gas recovery |
KR100854159B1 (ko) * | 2000-12-04 | 2008-08-26 | 프랙스에어 테크놀로지, 인코포레이티드 | 가스 회수 장치 및 방법 |
US6836626B2 (en) * | 2002-06-19 | 2004-12-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fuser temperature control based on image density |
JP2005324155A (ja) * | 2004-05-17 | 2005-11-24 | Japan Pionics Co Ltd | 不活性ガスの精製剤及び精製方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2971122B2 (ja) | 1999-11-02 |
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