JPH04160004A - 酸化物超電導体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、基板上に酸化物超電導層を形成した酸化物超
電導体およびその製造方法に関する。

［従来の技術］ 高い臨界温度を持つ超電導体材料として、銅酸化物系の
Ｌａ−Ｂａ−Ｃｕ−０ペロブスカイト型構造の超電導体
が知られている（特開昭６３−２６０８５３号、特開昭
６３−１９０７１２号公報など）。

その後、臨界温度が９０に級のＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ［Ｍ
、　Ｋ、　Ｎｕ、　Ｊ、　Ｒ，Ａｓｈｂｕｒｎ、　Ｃ，
Ｊ、　Ｔｏｒｎｇ。

Ｙ、　　Ｑ、Ｗａｎｄ　　ａｎｄ　　Ｃ，Ｗ、　　Ｃｈ
ｕ　　：　　Ｐｈｙｓ、　　Ｒｅｖ、　　Ｌｅｔｔ、。

５８　（１９８７）　９０８　）が発見され、液体窒素
を冷媒とする超電導技術の応用が期待されるようになっ
た。

より高い臨界温度を持つ超電導材料開発の進歩はめざま
しく、１９８８年には、Ｂ１−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系
の酸化物（臨界温度１１０に級）が発見され（Ｈ，Ｍａ
ｅｄａ、　Ｙ、　Ｔａｎａｋａ、　Ｍ、　Ｆｕｋｕｔｏ
ｍｉａｎｄ　Ｔ、　Ａｓａｎｏ　：　Ｊｐｎ、　Ｊｒ、
　Ａｐｐｌ、　Ｐｈｙｓ、　２７（２９８８）Ｌ２０９
）、さらにＴｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−０系酸化物（臨界
温度１２０に級）が発見された［ｚ、　Ｚ。

Ｓｈｅｎｇ　ａｎｄ　Ａ、　Ｍ、　Ｈｅｒｍａｎｎ　：
　Ｎａｔｕｒｅ　３２２　　（１９８８）５５〕。

これらは、いずれも銅酸化物を含むペロブスカイトある
いはその類似の結晶構造をもつもので、その荷電キャリ
アはホールであることが知られている。

一方荷電キャリアが電子である系としてＮｄ−Ｃｅ−Ｃ
ｕ−０酸化物（２０に級）が発見された（Ｔ、　Ｔｏｋ
ｕｒａ、　Ｈ，Ｔａｋａｇｉ、　Ｓ、　Ｕｃｈｉｄａ　
：　Ｎａｔｕｒｅ３３７、３４５−３４７（１９８９）
）　。

これらの−船釣な製造法は、それぞれの構成元素の炭酸
塩もしくは酸化物を混合粉砕して粉末状にし、空気中、
酸素中あるいは還元雰囲気中で８００〜１１００℃、５
分〜数百時間焼成することにより得られる。しがし、Ｙ
−Ｂ　ａ−Ｃｕ−０゜Ｂ１−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０，Ｔ
ｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−０系に代表される層状あるいは
複合層状ペロブスカイト構造には、暦数の異なる複数の
超電導体が存在し、それぞれ異なった臨界温度を示す。

これらの超電導材料においては、暦数の異なる構造の間
の自由エネルギーの変化が小さく、合成に際してそれぞ
れを選択的に分別合成するのは非常に困難である。

例えば、Ｂ１−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系においては、Ｂ
　＋、Ｓ　ｒ２ｃｕｏｓ　（臨界温度７に：低温相）　
、　Ｂ　ｒ　ｚ　Ｓ　ｒｚｃ　ａ　Ｃｕｌｏｍ　（臨界
温度８０〜９０に：中温相）、Ｂ　１ｔｓｒｚｃａ＊ｃ
ｕｓｏ＋。

（臨界温度１１０に：高温相）のそれぞれが超電導体で
あり、臨界温度の最も高いＢｉ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｃｕ、Ｏ
，。を合成しようと原料の原子比を２：２：２：３に調
整しても、焼結体は中温相と高温相の混合状態に合成さ
れ、単一相を得ることは困難である。

また、これらの酸化物超電導体を配線、磁気シールド、
アンテナ、共振器などに応用するにあたっては、酸化物
超電導体を線状、膜状、板状などの構造体とする必要が
あり、そのためには、導電性および熱伝導性が優れた安
定化材と複合することが必要である。この場合の安定化
材としては一般に銅などが用いられる。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、前記酸化物超電導材料は固体塩基の性質
を有し、超電導体合成過程の熱処理により金属を酸化、
腐食し、該超電導体の組成変化を生じ、その結果、超電
導特性が著しく低下するため実用性が乏しかった。

さらに、これらの酸化物超電導体の特徴として、その結
晶構造に由来する導電性の大きな異方性が挙げられるが
、超電導材料の結晶組織が特定の方向に配向していない
場合には、その結晶粒界が弱接合となって、大きな臨界
電流密度や磁界中での高い特性を得ることができない（
Ｄ、　Ｄｉａ＋ｏｓ、　Ｐ。

Ｃｈａｕｄｈａｒｉ、　Ｊ、　Ｍａｎｎｈａｒｔ、　ａ
ｎｄ　Ｆ、　Ｋ、　ＬｅＧｏｕｅｓ。

Ｐｈｙｓ、　Ｒｅｖ、　Ｌｅｔｔ、、６１（２）、　２
１９（１９８８））。

酸化物超電導体を配線、磁気シールド材、アンテナ、共
振器などに応用するにあたっては、重要な特性である臨
界電流密度は、零磁界中で数百〜−万アンペア／ｃｍ”
程度であるが、磁界中での臨界電流密度は、この性能の
１／１０〜１／１０００と大きく低下し、必要性能を得
ることができない、このために結晶を配向させたり、結
晶粒界の組織制御をして粒界の弱接合性を除くことが考
えられる。

結晶を配向させる技術としては、酸化物超電導体の溶融
凝固法が提案されている（Ｓ、　Ｊｉｎ、　Ｔ、　Ｈ。

Ｔｉｅｆｅｌ、　Ｒ，Ｃ，Ｓｈｅｒｗｏｏｄ、　Ｇ、　
Ｗ、　Ｋａｍｍｌｏｔｔ　ａｎｄ　Ｓ。

Ｍ、　Ｚａｈｕｒａｋ、　Ａｐｐｌ、　Ｐｈｙｓ、　Ｌ
ａｔｔ、、　５１．９４３（１９８７））。特に超電導
体は合成過程で溶融するので、基板の酸化腐食や反応を
抑制し、超電導体としての高い性能を維持して超電導性
を有する構造物とすることは重要な課題である。

本発明の目的は、臨界温度が高く、特に磁界中での臨界
電流密度の高い、安定な酸化物超電導体およびその製造
方法を提供することにある。

本発明の他の目的は、安定な酸化物超電導体を用いたデ
バイスを提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 前記目的を達成できる本発明の要旨は下記のとおりであ
る。

（１）基板と、該基板上に形成された酸化物超電導層を
有する酸化物超電導体において、前記酸化物超電導層が
、ペロブスカイト系の結晶構造を有する酸化物を介して
形成されていることを特徴とする酸化物超電導体。

（２）基板上に結晶構造が域ロブスカイト構造を持つ絶
縁性、半導電性あるいは導電性の酸化物を主成分とする
物質を成膜する工程、 該物質を緻密化する工程、 該物質上に酸化物超電導層を形成する工程、を含むこと
を特徴とする酸化物超電導体の製造方法。

本発明において、前記基板と酸化物超電導層の間に介在
させる酸化物がＣａ、Ｓｒ、Ｂａの少なくとも一種を含
むペロブスカイト系の結晶構造を有するものである。

また、該酸化物は、Ｍｎ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｃｕ。

Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅの少な（とも一種を含むのが好ましい
。

これらの物質は、それぞれの元素の□酸化物、硝酸塩、
炭酸塩、アンモニウム塩、ハロゲン化物、有機酸塩、有
機金属錯体などを用いることができる。中でも酸化物、
アンモニウム塩、−有機酸塩などが好ましい。

これらの原料の混合方法は、後述の酸化物超電導体材料
の場合と同様にして調製することができる。即ちの混合
原料を予め高温で溶融し、これを急冷して非晶質物を作
成し、焼成することによって合成することもできる。

一方、前記酸化物超電導層としては、一般式％式％ （但し、Ａはアルカリ土類、ランタナイド、イツトリウ
ムアルカリの一種以上、Ｂは銅、ビスマス、鉛、タリウ
ム、錫の一種以上、０は酸素、ハロゲンの一種以上であ
り、Ｘは１．Ｙは０．５〜１、δは２〜３．５で表され
る。）で示される組成を有するものが用いられる。

前記原料Ａ、Ｂは、酸化物、硝酸塩、炭酸塩、アンモニ
ウム塩、ハロゲン化物、有機酸塩、有機金属錯体などを
用いることができる。中でも酸化物、アンモニウム塩、
有機酸塩などが好ましい。

前記原料の混合は、各成分が均質に分散混合できれば特
に制限はな（、固体状の原料物質を直接混合粉砕する方
法や、原料物質の水溶液あるいは非水溶液から前記組成
物の前駆体である不溶性の混合水酸化物、混合蓚酸塩お
よび混合錯塩あるいはこれらを複合物を得ることができ
る方法、例えば、共沈法（逐次沈殿法、緊密共沈法）、
沈殿混練法などが挙げられる。

また、原料物質の２〜３成分を予め共沈法や沈殿混練法
で調製した後に、残余の成分の溶液を含浸して合成する
こともできる。さらにまた、Ａ。

Ｂの二つ以上の混合原料を予め高温で溶融し、これを急
冷して非晶質物を作製し、これを焼成することによって
合成することもできる。

上記のような方法で調製された原料組成物は、粉末状あ
るいはベレットなどに成形し、７００℃以上で焼成する
ことによフて得られる。この場合の雰囲気は、超電導性
を付与するために酸素、空気、アルゴン、窒素等が選ば
れる。またこのような焼成法で合成するときは焼成体を
再度粉砕して焼成する工程を複数回繰り返すことにより
、均質で体積率が高く、特性の優れた超電導体を形成す
ることができる。

これにより前記酸化物超電導体の結晶のＣ軸が実質的に
基板面に対して垂直方向に配向し、結晶のａ軸が実質的
に基板面の面内の特定方向に配向する。

なお、酸化物超電導体結晶内部に、該超電導体とは異な
る粒径が１μｍ以下の物質が分散されていてもよい。

前記の方法で調製された粉末状あるいはベレットなどに
成形し、７００℃以上で焼成することによって合成され
た前記酸化物は、基板と膜状あるいは板状の酸化物超電
導層との間に介在させる。

該酸化物は、前記酸化物超電導層よりも高い融点を有す
ることが望ましい。

基板上に前記酸化物層および前記酸化物超電導層を形成
する方法は、高速でしかも大面積の成膜に有効な厚農成
展法としては、化学蒸着法（ＣＶＤ法）、プラズマスプ
レー法、イオンビームスパッタ法などが望ましい、該酸
化物層および酸化物超電導層の厚さは５μｍ以上に形成
することが好ましい。

以上の方法で形成した膜状あるいは板状超電導体は、さ
らに３００℃以上で熱処理することにより、超電導特性
を向上することができる。

なお、本発明において、超電導層を形成する基板材料と
しては、金属基板が望ましい。

以上の酸化物超電導体を用いて、配線、磁気シールド、
アンテナ、共振器などの装置を構成することにより、安
定で、高性能な超電導応用装置およびシステムを実用化
することができる。

［作用］ 本発明の酸化物超電導体が優れた超電導特性を示すのは
、基板と酸化物超電導層との反応を抑制する酸化物層を
基板と酸化物超電導層との間に設けたことにある。

該酸化物が超電導層と同様なペロブスカイト型の結晶構
造を有するためにバッファ層となり、超電導層のクラッ
ク等の発生を抑制し、超電導特性を向上させるものと考
える。

［実施例］ 次に本発明を実施例により説明する。

〔実施例　１〕 ＳｒＯ，ＴｉＯ，を出発原料として、それぞれのモル比
がＳｒ：Ｔｉ＝３：２になるようにメノウ製乳鉢のらい
かい機で２０分混合粉砕する。これを磁性体アルミする
つぼにとり大気中９５０℃、２０時間、さらにＡｒ雰囲
気中１３５０℃、２時間焼成する。こうして得た焼結体
を更に前記らいかい機で２０分粉砕し、得られた粉末を
メツシュのふるいにかけ、ふるいを通らなかった粉末を
再びらいかい機で粉砕する。こうした操作を３回繰返し
、粉末の平均粒度が８４μｍになるように調製する。

この粉末をプラズマ溶射膜Ｗ（プラズマ・スプレー装置
）を用いて大きさ２ｍｍＸ３０ｍｍＸ　１ｍｍのＮｉ基
合金の基板上に溶射した。

上記Ｎｉ基合金組成は、重量％でＣ；０．０８゜Ｃｒ　
；　２２．０．Ｃｏ　；　２．００．Ｆｅ　；　１８．
０゜Ｍｏ　；　９．００．Ｗ；　０．５．Ｂ　；　０．
０５．残量Ｎｉからなる。また、プラズマ溶射条件は大
気中で出力、３４ＫＷ、プラズマ電流；８００Ａ、＊射
時間；２００秒とした。

以上により、膜厚１００μｍの溶射膜を得ることができ
た。この膜をＡｒ雰囲気中１２５０℃、２時間熱処理し
前駆体Ａを得た。

該前駆体Ａあ表面Ｘ線回折結果を第１図に示す。

図から明らかなように、上記の膜はペロブスカイト構造
であることが分かる。

次に、酸化物超電導層の溶射粉末を作成するため、Ｂ　
ａ　ＣＯｓ　、Ｓ　ｒ　ＣＯＩ＋　Ｃａ　ＣＯｓ　＋　
Ｃｕ　Ｏを出発原料としそれぞれＢａ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃ
ｕのモル比が１．６　：　０．４　：　２．０　：　３
．０になるように前記らいかい機で２０分混合粉砕する
。これを磁性体アルミするつぼにとり、大気中８００℃
、２０時間焼成する。ふるいにより粒度調整を行い目的
の溶射粉末を得た。

この粉末を用い前記と同様の溶射条件により、熱処理後
の前記前駆体Ａの表面に膜厚１００μｍの溶射膜Ａを形
成した。

第２図に示すように、該溶射膜Ａを形成した前駆体Ａ３
をアルミナ板５上のＴｌ：Ｂａ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕの混
合粉末（モル比が２．０　：　１．６　：０．４　：　
２．０　：　３．０）からなる敷粉２の中に置き、上部
をアルミするつぼｌで覆ってＡｇペースト４で密封し、
８５０℃、５時間焼成する。こうして得られた超電導膜
の組成はＩＣＰ分析の結果Ｔ］：Ｂａ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃ
ｕのモル比が１．７　：　１．６　：０．４　：　２．
１　：　３．１であった。

該超電導体の特性を測定するため、該膜表面にインジウ
ムはんだで端子を接合し、液体窒素を冷媒とし冷却槽中
で冷却しながら、４端子法で電気抵抗の温度依存性を測
定した。

測定結果を第３図に示す。

第３図から明らかなように、１２３により低温側で急激
な抵抗変化を示し、１１５に付近で抵抗がゼロとなった
。

また臨界電流密度を測定するため、直流法より電圧−電
流の測定を行った。測定端子間電圧を１μＶ／ｃｍとし
た時の電流値（臨界電流；ＩＣ）より液体窒素温度にお
ける臨界電流密度（Ｊｃ）を求めた。

測定結果を第４図に示す。

図のＩ−Ｖ曲線から明らかなように、Ｊｃが９２４９Ａ
／ａｍの膜を得ることができた。

〔実施例　２〕 Ｃａ　Ｏ、Ｆ　ｅ　Ｏ＊　を出発原料として、Ｃａ：Ｆ
ｅのモル比が１：１になるようにメノウ製乳鉢のらいか
い機で２０分混合粉砕する。これを磁性体アルミするつ
ぼにとり大気中９００℃、２０時間、さらにＡｒ雰囲気
中１２００℃、２時間焼成する。

こうして得られた焼結体を上記らいかい機で２０分粉砕
し、得られた粉末をメツシュのふるいにかけ、粉末の平
均粒度が８４μｍになるように調節する。この粉末を実
施例１と同様に２　ｍ　ｍ　Ｘ　３０ｍｍＸ１ｍｍのＮ
ｉ基合金の基板上に大気中でプラズマ溶射し、膜厚１０
０μｍの溶射膜を得た。

該膜をＡｒ雰囲気中１２００℃、２時間焼成し前駆体Ｂ
を作成した。

次に、酸化物超電導層の溶射粉末として、Ｂ　ｒ　＊Ｏ
＊、　Ｓ　ｒ　ＣＯ２，Ｃａ　ＣＯｓ、　Ｃｕ　Ｏを出
発原料とし、Ｂｉ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕのモル比が２．０
　：　２．０　：　１．０　：　２．０となるようらい
がい機で２０分混合粉砕し、これを磁性体アルミするつ
ぼ中で８５０℃、２０時間で大気中焼成する。

ふるいにより粒度調整を行い、目的の溶射粉末を得た。

該粉末を用いて上記と同様の溶射条件で前駆体Ｂ上に膜
厚１００μｍの溶射膜Ｂを形成した。

溶射膜Ｂを８５５℃、２０時間窒素中で焼成し超電導体
とした。核層の特性を、前記実施例１と同様にして測定
した。

測定結集を第５図に示す。

１１０に付近より急激な抵抗変化を示し、９８に付近で
抵抗がゼロとなった。また、液体窒素温度における臨界
電流密度（Ｊ　ｃ）は７８００Ａ／ｃｍであった。

〔実施例　３〕 ＳｒＯ，Ｔｉ０ｔを出発原料とし、Ｓｒ　：Ｔｉのモル
比が２＝１となるように調合して、らいかい機で２０分
間混合粉砕する。これを磁性体アルミするつぼで大気中
９００℃、２０時間、さらにＡｒ雰囲気中１２００℃、
２時間焼成する。こうして得た焼結体を、らいかい機で
２０分間粉砕し、ふるいにかけ、粉末の平均粒度が８４
μｍになるように調節する。該粉末を実施例１と同様に
Ｎｉ基合金の基板上にプラズマ溶射し、膜厚１００μｍ
の溶射膜を得た。その際、基板は水冷により常時２０℃
に保持した銅板に接触させ、さらに溶射後プラズマ炎で
表面を１２００℃、３０分間焙り、前駆体Ｃを得た。

次に、酸化物超電導層の溶射粉末として、Ｂｉ＊Ｏｓ、
５ｒＣＯｓ、ＣａＣ０，、ＣｕＯを出発原料とし、’Ｂ
ｉ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕのモル比が２．０　：　２．０　
：　１．０　：　２．０となるようにらいかい機で２０
分間混合粉砕する。これを磁性体アルミするつぼ中、８
５０℃、２０時間大気中で焼成後、ふるいにより粒度調
整を行い、目的の溶射粉末を得た。

該粉末を用いて前記と同様な溶射条件により前駆体Ｃ上
に膜厚１００μｍの溶射膜Ｃを得た。該溶射ｇｃを８５
５℃、２０時間大気中で焼成後、炉中で放冷し超電導体
を形成した。

該超電導体の特性は、８０により急激な抵抗変化を示し
、７２にで抵抗値がゼロとなった。また液体ヘリウム温
度における臨界電流密度（Ｊ　ｃ）は１２０００Ａ／ｃ
ｍであった。

〔実施例　４〕 ＳｒＯ，Ｃｏｏｓを出発原料とし、Ｓｒ：Ｃ。

のモル比が１：１となるようらいかい機で２０分間混合
粉砕する。これを磁性体アルミするつぼ中、９００℃、
２０時間、さらにＡｒ雰囲気中１２００℃、２時間大気
中で焼成する。こうして得た焼結体をらいかい機で２０
分間粉砕し、ふるいにかけて平均粒度が８４μｍになる
ように調節する。

該粉末をプラズマ溶射装置を用いてＡｇ基板上に大気中
溶射し、膜厚１００μｍの溶射膜を得た。

その際、基板は水冷により常時２０℃に保持した銅板に
接触させ、さらに溶射後プラズマ炎で表面を１５００℃
、３０分間あぶり前駆体りを得た。

次に、酸化物超電導層の溶射粉末としてＹ　２０−　。

ＢａＣ０，、ＣｕＯを出発原料とし、Ｙ：Ｂａ、：Ｃｕ
のモル比が　１．０　：　２．０　：　３．０となるよ
うにらいかい機で２０分間混合粉砕する。これを磁性体
アルミするつぼ中、８５０℃、２０時間大気中で焼成し
、ふるいにより粒度調整を行なって目的の溶射粉末を得
た。該粉末を用いて前記と同様な溶射条件により前駆体
り上に膜厚１００μｍ溶射膜りを得た。

該溶射１１ｉＤを９５０℃、３時間酸素中で焼成し、さ
らに酸素中４５０℃、３０時間焼成して超電導体を得た
。

液体窒素を冷媒として電気抵抗の温度依存性を測定した
結果、９８により急激な抵抗変化を示し、９５にで抵抗
値がゼロとなった。また、液体窒素温度における臨界電
流密度（Ｊｃ）は、７４００Ａ／ｃｍであった。

［発明の効果］ 本発明によれば基板と酸化物超電導層との反応を抑制す
ることでき、優れた超電導特性の酸化物超電導体を得る
ことができる。

また、クラック等が防止されるので、大面積膜の形成も
可能となり、さらに、各種線材や磁気シールド材などの
エネルギー分野での実用化も可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は前駆体Ａの表面のＸ線回折グラフ、第２図は実
施例１における焼成装置の資料部の断面略図、第３図は
実施例１の酸化物超電導体の電気抵抗の温度依存性を示
すグラフ、第４図は実施例１の酸化物超電導体のＩ−Ｖ
特性を示すグラフ、第５図は実施例２の酸化物超電導体
の電気抵抗の温度依存性を示すグラフである。 １・・アルミするつぼ、２・・・敷粉、３・・・前駆体
Ａ、４・・・Ａｇペースト、５・・アルミナ板。 第１図 第２図 ４−・Ａｇペースト　　５・・・アルミナ板第３図 第４図 電　　流　（Ａ） 第５図 温　　度　（Ｋ） 手続補正書（自発） ３．２．９ 平成　年　月　日 平成　２年特　許　願第２８も１７８号２、発明の名称 酸化物超電導体及びその製造方法 ３、補正をする者 楕円ＵＮビル 名　称　　　　超電導発電関連機器・材料技術研究組合
理事長　森井清二 ４、代　理　人 ６、補正の内容 明細書第１７頁１６行、同第１９頁７〜８行、同第２０
頁１８行および同第２２頁８行のｒＡ／ｃｒｒＢをｒＡ
／ｃｍ”Ｊと補正する。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板と、該基板上に形成された酸化物超電導層を有
   する酸化物超電導体において、前記酸化物超電導層が、
   ペロブスカイト系の結晶構造を有する酸化物を介して形
   成されていることを特徴とする酸化物超電導体。 ２、金属基板と、該基板上に形成された酸化物超電導層
   を有する酸化物超電導体において、前記酸化物超電導層
   が、ペロブスカイト系の結晶構造を有する酸化物を主成
   分とする酸化物を介して形成されていることを特徴とす
   る酸化物超電導体。 ３、請求項２において、金属基板と酸化物超電導層の間
   に介在させる酸化物が、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａの少なくとも
   一種を含むペロブスカイト系の結晶構造を有することを
   特徴とする酸化物超電導体。 ４、請求項３において、金属基板と酸化物超電導層の間
   に介在させる酸化物が、Ｍｎ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｃｏ
   、Ｎｉ、Ｆｅの少なくとも一種を含むペロブスカイト系
   の結晶構造を有する酸化物であることを特徴とする酸化
   物超電導体。 ５、請求項２において、酸化物超電導層が一般式Ａ＿ｘ
   Ｂ＿ｙＯ＿δ （但し、Ａはアルカリ土類、ランタナイド、イットリウ
   ムアルカリの一種以上、Ｂは銅、ビスマス、鉛、タリウ
   ム、錫の一種以上、Ｏは酸素、ハロゲンの一種以上であ
   り、Ｘは１、Ｙは ０．５〜１、δは２〜３．５で表される。）で示される
   組成を有することを特徴とする酸化物超電導体。 ６、金属基板と、該金属基板上に形成された酸化物超電
   導層を有する酸化物超電導体において、前記酸化物超電
   導層が一般式 Ａ＿ｘＢ＿ｙＯ＿δ （但し、Ａはアルカリ土類、ランタナイド、イットリウ
   ムアルカリの一種以上、Ｂは銅、ビスマス、鉛、タリウ
   ム、錫の一種以上、Ｏは酸素、ハロゲンの一種以上、Ｘ
   は１、Ｙは０．５〜１、δは２〜３．５で表される、）
   で示され、かつ、該酸化物超電導層が、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂ
   ａの一種以上とＭｎ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｎｉ、
   Ｆｅの一種以上を含むペロブスカイト結晶構造の酸化物
   を介して基板上に形成されていることを特徴とする酸化
   物超電導体。 ７、基板と酸化物超電導層との間に介在させる酸化物が
   、前記酸化物超電導体よりも高い融点を有することを特
   徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の酸化物超電導
   体。 ８、酸化物超電導層の結晶のｃ軸が実質的に基板面に対
   して垂直方向に配向していることを特徴とする請求項１
   〜６のいずれかに記載の酸化物超電導体。 ９、基板上に結晶構造がペロブスカイト構造を持つ絶縁
   性、半導電性あるいは導電性の酸化物を主成分とする物
   質を成膜する工程、 該物質を緻密化する工程、 該物質上に酸化物超電導層を形成する工程、を含むこと
   を特徴とする酸化物超電導体の製造方法。 １０、基板と、該基板上に形成する酸化物層、および該
   酸化物層の上に形成される酸化物超電導体層が、いずれ
   も厚さ５μｍ以上に形成することを特徴とする請求項９
   記載の酸化物超電導体の製造方法。